DE19626396B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung und zum Schleifen von Siliziumscheiben - Google Patents

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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3620554B2 (ja) * 1996-03-25 2005-02-16 信越半導体株式会社 半導体ウェーハ製造方法
JP2002346918A (ja) * 2001-05-29 2002-12-04 Speedfam Co Ltd 両面研磨装置
DE10132504C1 (de) 2001-07-05 2002-10-10 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben und seine Verwendung
DE10142400B4 (de) * 2001-08-30 2009-09-03 Siltronic Ag Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung
FR2850966B1 (fr) 2003-02-10 2005-03-18 Rhodia Polyamide Intermediates Procede de fabrication de composes dinitriles
FR2854891B1 (fr) 2003-05-12 2006-07-07 Rhodia Polyamide Intermediates Procede de preparation de dinitriles
CN1301184C (zh) * 2003-12-16 2007-02-21 汪开庆 加工半导体用兰宝石晶体基片的光学研磨机及其加工方法
US7973174B2 (en) 2005-10-18 2011-07-05 Invista North America S.A.R.L. Process of making 3-aminopentanenitrile
MX2008011640A (es) 2006-03-17 2008-09-22 Invista Tech Sarl Metodo para la purificacion de triorganofosfitos por tratamiento con un aditivo basico.
DE102006062871B4 (de) * 2006-07-13 2012-06-21 Peter Wolters Gmbh Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
DE102006062872B4 (de) * 2006-07-13 2012-06-14 Peter Wolters Gmbh Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
US7919646B2 (en) 2006-07-14 2011-04-05 Invista North America S.A R.L. Hydrocyanation of 2-pentenenitrile
DE102007056628B4 (de) * 2007-03-19 2019-03-14 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zum gleichzeitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben
CN101687658B (zh) 2007-05-14 2013-07-24 因温斯特技术公司 高效反应器和方法
EP2164587B1 (en) 2007-06-13 2018-04-04 INVISTA Textiles (U.K.) Limited Process for improving adiponitrile quality
US8088943B2 (en) 2008-01-15 2012-01-03 Invista North America S.A R.L. Hydrocyanation of pentenenitriles
CN101910119B (zh) 2008-01-15 2013-05-29 因温斯特技术公司 用于制备和精制3-戊烯腈，和用于精制2-甲基-3-丁烯腈的方法
JP4780142B2 (ja) * 2008-05-22 2011-09-28 信越半導体株式会社 ウェーハの製造方法
JP5600867B2 (ja) * 2008-06-16 2014-10-08 株式会社Ｓｕｍｃｏ 半導体ウェーハの製造方法
JP2009302409A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Sumco Corp 半導体ウェーハの製造方法
WO2010045131A1 (en) 2008-10-14 2010-04-22 Invista Technologies S.A.R.L. Process for making 2-secondary-alkyl-4,5-di-(normal-alkyl)phenols
DE102009025242B4 (de) * 2009-06-17 2013-05-23 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
EP2462103A4 (en) 2009-08-07 2014-01-08 Invista Tech Sarl HYDROGENATION AND STAFFING FOR THE FORMATION OF DIES
CN101708593B (zh) * 2009-12-08 2013-01-09 中国电子科技集团公司第四十五研究所 化学机械抛光心轴传动装置
CN101875181B (zh) * 2010-05-31 2012-02-22 青岛理工大学 脆硬材料磨削机床
CN101972983B (zh) * 2010-08-11 2013-01-09 中国电子科技集团公司第四十五研究所 化学机械抛光心轴装置
CN102172885B (zh) * 2011-01-31 2013-05-15 北京通美晶体技术有限公司 衬底的抛光装置及其抛光的衬底
CN102179734A (zh) * 2011-03-14 2011-09-14 刘晓明 超硬刀片钝化抛光机
CN102229093B (zh) * 2011-07-01 2013-09-18 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种应用在晶片抛光设备上的升降加压机构
DE102011089570A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Siltronic Ag Führungskäfig zum beidseitigen Schleifen von mindestens einem scheibenförmigen Werkstück zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben einer Schleifvorrichtung, Verfahren zur Herstellung des Führungskäfigs und Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen von scheibenförmigen Werkstücken unter Verwendung des Führungskäfigs
CN103123865B (zh) * 2013-02-26 2015-05-27 宁波韵升股份有限公司 一种磁性产品加工方法及自动分选设备
CN104669105B (zh) * 2013-11-26 2017-12-29 浙江汇锋塑胶科技有限公司 一种蓝宝石触摸面板的两面研磨方法
CN103817572A (zh) * 2014-02-18 2014-05-28 河南机电高等专科学校 一种离合器摩擦钢片修复装置
CN103847032B (zh) * 2014-03-20 2016-01-06 德清晶辉光电科技有限公司 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺
JP6707831B2 (ja) 2015-10-09 2020-06-10 株式会社Sumco 研削装置および研削方法
JP6792363B2 (ja) * 2016-07-22 2020-11-25 株式会社ディスコ 研削装置
CN106425857A (zh) * 2016-11-18 2017-02-22 南京华东电子信息科技股份有限公司 一种新型中小型单片液晶面板抛光固定治具
CN107543837B (zh) * 2017-08-25 2020-02-21 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法
TWI656233B (zh) * 2017-10-26 2019-04-11 漢民科技股份有限公司 單晶圓處理裝置及其操作方法、傳送方法與準直器
CN108544329A (zh) * 2018-04-09 2018-09-18 中国工程物理研究院材料研究所 一种表面抛磨装置及其应用
DE212018000039U1 (de) * 2018-09-17 2018-10-23 Suzhou Maichuang Information Technology Co., Ltd. Automatische Schleifmaschine
JP7217409B2 (ja) * 2020-01-24 2023-02-03 株式会社東京精密 亀裂進展装置及び亀裂進展方法
CN112692722A (zh) * 2020-12-24 2021-04-23 江苏天科合达半导体有限公司 打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法
CN113752111B (zh) * 2021-09-30 2023-11-21 浙江仲全数控科技有限公司 一种立式双端面磨床
CN113815127B (zh) * 2021-10-20 2023-06-02 山东中恒建设集团有限公司 一种建筑施工用物料周转切割装置
CN115008318B (zh) * 2022-06-16 2025-03-28 南京工业职业技术大学 一种气动加载式双面环抛机
CN116652707A (zh) * 2023-06-30 2023-08-29 中原内配集团鼎锐科技有限公司 一种刀具钝化设备及其钝化加工方法
CN116967852B (zh) * 2023-07-18 2026-01-02 家颖科技(苏州)有限公司 一种陶瓷打磨方法
CN117564818A (zh) * 2023-12-07 2024-02-20 中国航发贵州黎阳航空动力有限公司 内端面高精密度磨削方法及磨削用标准块、标准块制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107854A (ja) * 1982-12-08 1984-06-22 Hitachi Ltd ウエハの両面同時研磨方法
JPS59169758A (ja) * 1983-03-15 1984-09-25 Toshiba Corp ウエハの研磨装置
JPS6384860A (ja) * 1986-09-26 1988-04-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
JPH02190244A (ja) * 1989-01-18 1990-07-26 Kanebo Ltd 硬脆材料の研磨方法
US5113622A (en) * 1989-03-24 1992-05-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
JPH0667070A (ja) * 1992-08-24 1994-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
EP0588055A2 (en) * 1992-09-18 1994-03-23 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing wafer
JPH06296400A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Toyota Motor Corp 電気自動車用エンジン駆動発電機の制御装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840265A (ja) * 1981-08-28 1983-03-09 Toshiba Corp 両面ポリシング装置
JPS5972139A (ja) * 1982-10-18 1984-04-24 Toshiba Corp 薄板材の加工方法
KR900001724B1 (ko) * 1987-09-28 1990-03-19 주식회사 한국삼기 평면연마장치
JPH06103678B2 (ja) * 1987-11-28 1994-12-14 株式会社東芝 半導体基板の加工方法
JP2674665B2 (ja) * 1989-03-24 1997-11-12 住友電気工業株式会社 半導体ウェーハの研削装置
JPH0740565B2 (ja) * 1991-04-05 1995-05-01 不二越機械工業株式会社 ウエハーの両面同時研削方法とその装置
JP2722975B2 (ja) * 1992-11-19 1998-03-09 住友金属工業株式会社 マルチワイヤソーによる切断方法
US5389579A (en) * 1993-04-05 1995-02-14 Motorola, Inc. Method for single sided polishing of a semiconductor wafer

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107854A (ja) * 1982-12-08 1984-06-22 Hitachi Ltd ウエハの両面同時研磨方法
JPS59169758A (ja) * 1983-03-15 1984-09-25 Toshiba Corp ウエハの研磨装置
JPS6384860A (ja) * 1986-09-26 1988-04-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
JPH02190244A (ja) * 1989-01-18 1990-07-26 Kanebo Ltd 硬脆材料の研磨方法
US5113622A (en) * 1989-03-24 1992-05-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
JPH0667070A (ja) * 1992-08-24 1994-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュール
EP0588055A2 (en) * 1992-09-18 1994-03-23 Mitsubishi Materials Corporation Method for manufacturing wafer
JPH06104229A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Mitsubishi Materials Corp ウェーハの製造方法
JPH06296400A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Toyota Motor Corp 電気自動車用エンジン駆動発電機の制御装置

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Publication number Publication date
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JPH09248740A (ja) 1997-09-22
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CN1145531A (zh) 1997-03-19
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DE19626396A1 (de) 1997-01-16

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