DE1807857A1 - Metall-Halbleitertransistor - Google Patents

Metall-Halbleitertransistor

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DE1807857A1 DE19681807857 DE1807857A DE1807857A1 DE 1807857 A1 DE1807857 A1 DE 1807857A1 DE 19681807857 DE19681807857 DE 19681807857 DE 1807857 A DE1807857 A DE 1807857A DE 1807857 A1 DE1807857 A1 DE 1807857A1
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Description

Dlpl.Jng. Egon Prlnx : :
^, ?r: Ge!fpud Haüser tooo m·»«!... *o, 6.. November 1968
Dlpl.-Ing. Gottfried Leiter εγ»»β·γ9#μ^ο·»·ιι Patentanwalt· Talagrammti Labyrinth MOndiM . _. _ _ _ „ __
T.l.to«, 83 13 10 1807857
PoitKh«kkonto, MOiKhM 117071 I U U / U U /
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
13500 North Central Expressway
Dallas , Texas/V.St.A.
Unser Zeichen: T 738
Metall-Harbleltertransistor
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung, bei weicher Metall-Oxid-Halbleiter-Peldeffekttransistoren auf einer parallel zu der kristallographisehen (110) Ebene eines Siliciumkristalls angeordneten Oberfläche gebildet werden. Die Trägerbeweglichkeit in einer dünnen Inversionsschicht parallel zu der (110) Ebene ist azimutal abhängig und ist in jeder Richtung senkrecht zu der (IlO) Ebene ein Maximum und in der Richtung senkrecht zu der (001) Ebene ein Minimum. Die integrierte Schaltung umfasst einen Treibertransistor, der so orientiert ist, dass für maximale Trägerbeweglichkeit der Strom senkrecht zu der (Ilo) Ebene fliesst und einen Lasttransistor, der so orientiert ist, dass Strom senkrecht zu der (001) Ebene für eine geringste Trägerbeweglichkeit fliesst. Die gebildete Schaltung besetzt eine Mindestfläche auf der Krietalloberflache.
Die Erfindung betrifft ganz allgemein Halbleitervorrichtungen und insbesondere, ohne jedoch darauf beschränkt zu eein,
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Dr.Ha/KÜ .·■;«:■·■,■:·
integrierte Schaltungen mit Inversioneschlchtvorrichtungen, zum Beispiel Metall-Iaolator-Halbleiter-Feld.effekttransistoren.
Die Trägerbeweglichkeit ist eine der wichtigeren Größen, die beim Bau integrierter Schaltungen unter Verwendung von Inversionsschichten, zum Beispiel den Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSPEO?) ,berücksichtigt werden muss. Obwohl man für die meisten Schaltanwendungen in der Regel eine hohe Trägerbewegliehkeit wünscht, ist doch für bestimmte Anwendungszwecke eine niedrige Trägerbeweglichkeit günstig. Die Trägerbeweglichkeiten in Inversionsschichten auf den verschiedenen^ durch die bekannten Miller'sehen Indizes indentif!zierten kristallographischen Ebenen von Siliciumkristall wurden bereits untersucht. Als Ergebnis dieser Untersuchungen wurde bisher angenommen, dass die höchste Elektronenbeweglichkeit in parallel zur (100) kristallographischen Ebene angeordneten Inversionsschichten auftritt und dass die höchste Lochbeweglichkeit in parallel zur (111) Ebene angeordneten Inversionsschichten auftritt. Aus diesen und anderen Gründen ging die Praxis dahin, die meisten Metall-Qxid-Halbleiter-Feldeffektvorrichtungen auf der parallel zur (111) kristallographischen Ebene orientierten Oberfläche eines Siliciumskristalls herzustellen.
Es wurde nun gefunden, dass die grösste Trägerbeweglichkeit in einer p-leitenden Inversionsschicht in n-leitendem Silicium tatsächlich in der kristallograpMschen (110) Ebene vorliegt und insbesondere in der Richtung senkrecht zu der (110) kristallographischen Ebene. Ferner wurde gefunden, dass die Trägerbeweglichkeit in einer Inversionsschicht parallel zu der (110) Ebene azimutal abhängig ist
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und einen Mindestwert in einer Richtung senkrecht zu
der kristallographiechen (001) Ebene besitzt, was reaht- ' winklig mir Richtung der maximalen Trägerbewegliohkeit [ ist. Obwohl Versuchsdaten derze.it nicht zur Verfügung < stehen» um diese Tatsache absolut zu bestätigen, kann . :j man doch auf Grund von auf dieser Peststellung fußenden ! theoretischen Analysen vorhersagen, dass im wesentlichen . ; jeder Halbleiterkristall, zum Beispiel Germanium, die Verbindungshalbleiter der Gruppen III-V, der Gruppen H-VI ! und die tertiären Kombinationen dieser Elemente kristallo- j graphische Ebenen besitzen, in welchen eine zweidimensional · Leitung der in einer Inversionsschicht vorliegenden Art : azimutal abhängige Werte besitzt. , %
Die vorliegende Erfindung besitzt weitreichende Folgen
und eignet sich besonders zur Herstellung von Feldeffekt- ■
transistoren mit Inversionsschichten, bei denen eine '
hohe Trägerbeweglichkeit erwünscht ist oder wo die Kombi- j
nation einer hohen Erägerbeweglichkeit mit einer geringen j
Trägerbeweglichkeit in einer einzigen integrierten Schaltung ;
gewünscht wird, zum Beispiel in einer üblichen Inverter- \ schaltung, die aus einem Treibertransistor und einem Last-
transistor besteht. ,
Die Erfindung wird anhand der folgenden Beschreibung in
Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert. Die Erfindung
ist natürlich nicht auf die dargestellte und beschriebene
Ausführungsform beschränkt.
In der Zeichnung zeigen:
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Fig. 1 eine Draufsicht auf eine HalbiStäbchenvorrichtung, die zur Sammlung von Daten über die Beweglichkeit verwendet wird,
Pig. 2 eine graphische Darstellung, welche die
Irägerbewegllchkeit in Bezug auf die Torspannung in p-leitenden Inversionsschichten erläutert, die parallel zu verschiedenen krletallographisehen Ebenen in Silicium und in verschiedenen azimutalen Richtungen innerhalb der Ebene gebildet sind,
Fig. 3 ein sohematisch.es Sohaltdiagramm einer
typischen aus Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren gebildeten Inverterschaltung und
Fig. 4 eine Vereinfachte Draufsicht, die zeigt, wie die Inverterschaltung von Flg. 3 geometrisch in einer integrierten Schaltung gemäßs einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung angeordnet werden kann.
Die Trägerbeweglichkeiten in verschiedenen azimutalen Richtungen in p-leltenden Inversionsschlehten, die auf verschiedene». Oberflächen von η-leitendem Silicium gebildet sind, wurden durch Herstellung von Metall-Oxid» Halbleltertransistoren in Form von HaH^itäbchen auf ausgewählten Oberflächen von Siliciumkriötallen bestimmt. Die Hall-Stäbchen wurden,wie in Flg. 1 dargestellt,erhalten und besaßenatndiffundierte Borzonen zur Bildung der Quelle 2, des Abflusses 4 und Hall-Kbntaktzonen 6. Das Dielektrikum
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über der !Forzone war bei 950° C thermisch aufgewachsenes und mit Phosphor dotiertes Siliciumdioxid. Bin Metalltor 8 besitzt die dargestellte Form und einen Türkontakt 8 a. Die Vorrichtungen besitzen eine Breite (W) von 0,254 mm und eine Länge (L) von 2,29 mm. Die Dioke (t) des Oxids in dem Bereich 9 mit verminderter Dicke betrug nominell 1 000 Angström. Die Vorrichtungen waren verbesserte Feldeffekttransistoren mit Sohwellenspannungen Vj von 3 bis 6 Volt, Die Hall-Messungen wurden unter Anwendung eines Magnetfelds von 5 000 Gauss durchgeführt, obwohl man feststellte, dass die Beweglichkeitsmessungen von der magnetischen Feldstärke bis zu 6 000 Gauss unabhängig waren, Obwohl die absolute Genauigkeit der Messungen der Hall-Beweglichkeit mit t 8fi geschätzt wurde, war die Reproduzierbarkeit'viel besser. Die Vorrichtungen wurden auf den (110), (100) und (111) Ebenen und in verschiedenen azimutalen Richtungen auf jeder Ebene hergestellt und es wurde jeweils die Hall-Beweglichkeit gemessen.
Die gemessene Hall-Beweglichkeit (Μχ) wurde dann umgewandelt in die Beweglichkeit der Ladungsträger (ßa), die aus der Konduktanz (gg)der in Fig. 1 gezeigten Hall-Stäbchenvorriohtungen nach dem Ausdruck abgeleitet wird:
worin V =s Torspannung
VT β Schwellenspannung
Abflußspannung
- Dielektrizitätskonstante dee Oxide t s Dicke des Oxids.
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wurde gefunden, dass die Beweglichkeit dar Ladungsträger/^ das 1,25^ O,05faohe der Häll-Bewegliohkeit fe für ein Material mit einem Widerstand von ein bis 10 Ohm-Zentimeter in der auf den (110), (100) und (111) Ebenen gebildeten Inversionsschicht war. Dieser Wert ergibt einen günstigen Vergleich mit dem von J.N. Zemel, in the Physics Review 112,(1958),Seite 762 angegebenen theoretischen Wert von 1,13. Bs wurde sorgfältig darauf geachtet, dass die Potentialdifferenz zwischen Qtfelle und Abfluss klein war verglichen, mit der !Porspannung oberhalb der Schwelle, so dass man sicher sein konnte, dass das senkrechte elek- . trische Feld in der Inversionsschicht über die ganze länge der Vorrichtung gleichmässig war.
Die durch dieses Verfahren ermittelte Beweglichkeit der ladungsträger ist in Fig. 2 dargestellt.' Die Beweglichkeit der ladungsträger der Inversionsschicht der Hall-Vorrichtung parallel zu der ( 111) kristallographisehen Ebene ist durch die Kurve 10 wiedergegeben, welche unabhängig von der azimutalen Orientierung des Stromflusses anwendbar ist. Die Trägerbeweglichkeit für Inversionsschichten parallel zu der (100) kristallographisehen Ebene wird durch die Kurve 12 wiedergegeben, die ebenfalls τεοη der azimutalen Richtung des Stromflusses unabhängig ist» Die teägerbeweglichkeit in parallel au öea? (110) krietallogsaphieohen Ebene angeordneten Inversio^siesMchten ist durch fi-e Kurven 14 und 16 dargestellt» Me Kurve 14 gibt-die l'rägerbeweglichkeit in einer Riehtuag senkrecht zu der (IlO) kristallographischen Ebene wieder und die Kurve 16 stellt die Trägerbeweglichkeit in einer Richtung senkrecht zu der (100) kristallographischen Ebene dar. Es sei bemerkt, dass die Beweglichkeit in der /llÖ7Richtung um etwa 40$
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BADORfGlNAL
größer 1st als die Trägerbewegllohkelt senkrecht zu der kristallographlsehen (001) Ebene.
Die Anisotropie der in Fig. 1 gezeigten Versuchsdaten kann nach den Heumann1sehen Prinzip vorausgesagt werden, wonach jede physikalische Eigenschaft eines Materials die gleiche Symmetrie besitzt wie seine krlstallographlsche Porm. Bei Anwendung der klassischen Neumann'sehen Methode zum Studium des Symmetrieeffekte werden die Symmetrieoperatoren, welche die Spitzengruppe des Kristalls darstellen, nacheinander auf den die physikalische Eigenschaft darstellenden Tensor angewendet. Nach jeder Symmetrieoperation an dem Tensor muss dieser invariant bleiben. Bestimmte Bedingungen, welche die Zusammenhänge zwischen den verschiedenen Komponenten des die physikalischen Eigenschaften beschreibenden Tensors regleren, treten somit hervor und dadurch bedingt, verblassen einige der Tensorkomponenten, wobei eine bestimmte Anzahl von nioht-verblassenden und untereinander unabhängigen Konstanten für eine gegebene physikalische Eigenschaft eines Kristalle mit einer bestimmten Symmetrie übrigbleibt.
Sie allgemeinste Formel eines sweldlmensionalen Tensors des spezifischen Widerstands, angewendet auf eine Oberflächen-Inversionsschioht ist
Wenn in der Inversionsschicht keine anisotrope Spannung besteht, muss der Tensor des spezifischen Widerstands · die Symmetrie des Kristalls in der Ebene der Schicht
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enthalten. So ist beispielsweise Silicium ein kubisoher Kristall und eine (100) Oberfläche muse somit die Symmetrie eines Querschnitts durch den Würfel in dieser Ebene, d.h. ein Quadrat, enthalten. Der !Tensor dee spezifischen Widerstands für eine (lOO) Inversionsschicht muss daher gegenüber bestimmten Reflexionen und Drehungen um 90° invariant sein. Wendet man diese Beschränkungen auf den Sensor an, so kann man ableiten, dass der spezifische Widerstand ( und somit also die Beweglichkeit) auf dieser Ebene isotrop sein muss* Wird dieses Verfahren für die (111) Ebene wiederholt, so findet man, dass auch hler eine Isotropie des spezifischen Widerstände infolge der Kristallsymmetrie erforderlich ist. An der (llO)lbene findet man bei Wahl der^00l7Riöhtung ale Hauptachse, dass der Tensor auf . .
mbnimmt, was nicht isotrop ist, es «ti denn, dies ist aus gewiesen anderen Erwägungen als denen der Symmetrie erforderlich.
Obwohl experimentelle Daten bis jjetet nur für Silicium gesammelt wurden, kann doch nun nach diesem theoretischen Verfahren eine Anisotropie des spezifischen Widerstands
in nahezu jedem Halbleitermaterial vorhergesagt und dann tinter Anwendung der vorstehend beschriebenen Hall-Stäbchen-Annäherung gemessen werden.
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sr,··1" w:: in»" -■
Für viele Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttraneistör*· anwendungen ist die höohst mögliche Irägerbewegliohkeit in der Inversionsschicht erwünsoht. Pur n-leitendes Silicium soll der Stromfluss in dem im wesentlichen zweidlmensionalen Stromweg, der durch die verhältnismässig dünne p-leitende Inversionsschicht gegeben ist, die t in der Größenordnung von 100 Angström dick sein kann, • in der kristallographischen (llO)Ebene und in der /~Ϊ1Ο7 Richtung erfolgen.
Die azimutal abhängigen Eigenschaften der Irägerbewegliohkeit in Halbleitern können in vorteilhafter Weise in integrierten Schaltungen Anwendung finden, wo .verschiedene Schaltkomponente verschiedene Trägerbewegliohkeiten für eine optimale leistung erfordern. Ein Beispiel ist der in Pig. 2 dargestellte Umschalter. Dabei bildet der Metall-Oxid-Halbleitertransistor Q1 die aktive 'Treibor.vorriohtung und der Metall-Oxid-Halbleitertransistor Qg ist die paesive Lastvorrichtung. Eine Analyse der Schaltung beim Betrieb mit gesättigtem Lastwiderstand ergibt die Ausdrücke:
toxL2
für
J < |v0 j
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worin Adie Trägerbeweglichkeit der jeweiligen Vorrichtungen, ii0 die Dielektrizitätskonstante des Toroxids, tox die Dicke des Toroxids, W die Breite des Kanals der jeweiligen ,. Vorrichtung, L die Länge des Kanals der jeweiligen Vorrichtung und Vgl die Schwellenspannung bedeutet.
Häufig will man die Impedanz des Lasttransistors Q2 möglichst hoch haben und die Impedanz des < Treibertransistors j Ql soll so niedrig wie möglioh sein. Da die Beweglichkeits« j werte A3. und /^ bisher als gleioh angenommen wurden, wurden die Impedanzverhältnisse bisher dadurch eingestellt, dass man die Kanalbreite W und die Kanallänge L der Ireiber-und der Lastvorrichtungen entsprechend wählte. Um so zum Beispiel eine hohe Impedanz in dem Kanal des Lasttransistors Q2 zu erreichen, muss die Länge Lg des Kanals der Vorrichtung vergrössert werden. Umgekehrt wird zur Erzielung der gewünschten niedrigen Impedanz für den Treibertransistor Q1 die Kanallänge L1 so kurz wie möglich gemacht»
öemäss der vorliegenden Erfindung sind die Komponenten der Umschaltvorrlohtung von Pig«, 2 wie in Pig. 3 dargestellt auf eier (110) Oberfläche eines Plättchens aus η-leitendem Silicium 18 angeordnet, so dass der Treibertransistor Q-, eine maximale Beweglichkeit und der Lasttransistor Q2 eine Mindestbeweglichkeit besitzt. Der Transistor Q1 besteht aus einer eindiffundierten Quelle und einem eindiffundierten Abfluss 22. Auf der Oberfläche des Siliciumplättchens ist eine verhältnismässig dicke Schicht 24 aus Siliciumdioxid gebildet, die jedoch einen dünnen, typischerweise etwa 1 000 Angström dicken Bereich 26 über dem Kanal zwischen der Quelle und dem Abfluss
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Ϊ!>-Ρ
ϊ "I ''"1'-"'''"JUf ι·™ s;
- 11 -
aufweist. Sin Metallfilm.28 erstreckt eioh über die dünne Oxideöhioht im Bereich 28 und bildet das Metalltor· Sin Metallfilm 30 befindet sich im direkten Ohm'sehen Kontakt nlt der eindiffundierten Quelle 20 durch eine öffnung in der Oxidschicht 24 Jfcindurph. Der iAsttransistor Q2 wird auf die gleiche Weise aus einer eindiffundierten Quelle 52, die eine Fortsetzung der Abflueeeone 22 ißt, dem eindiffundierten Abfluss und dem Metalltor 36 gebildet, welches Über einem Bereich aus einer dünnen Oxidschicht angeordnet ist. Bas Tor ist gegen dtn Abfluss 54 duroh eine Öffnung 40 in dem Oxid kurzgeschlossen und Vgg und Vdd besitzen den gleichen Wert. Die Auslaßspannung V0 geht dann duroh den Metallfilm 42, der eioh durch eine öffnung 44 in der Oxidschicht mit den eindiffundierten Zonen 22 bis 52 i» Ohm'sohen Kontakt befindet.
Die die Quelle 20 und den Abfluss 22 bildenden Diffusionen des Treibertransistors Q1 sind so angeordnet, dass ein Stromfluss duroh die den Kanal bildende Inversionsschicht in der^"IlO^Riehtung erfolgt, das heisst in einer Richtung senkrecht eu der (IlO)kristallographisohen Ebene. Das ergibt einen maximalen Bewegliohkeitswert für ^>, wie aus den in fig. 1 wiedergegebenen Daten ersiohtlioh ist. Die Quelle-und Abflussdiffusionen 24 bzw, 26 des Lasttransistors Q2 sind so angeordnet, dass ein Stromfluss durch die den Kanal bildende Inversionsschicht in einer Richtung rechtwinklig^ zur Richtung des Stromflusses duroh * den Kanal des Transistors Q1 erfolgt, was in der tung, d.h. senkrecht au der {001)kristallographischen
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Ebene erfolgt, so dass der Wert /J2 für die frägerbeweglichkeit für den Lasttransistor ein Minimum ist. Als Ergebnis dieses Verfahrens kann das Verhältnis der Impedanz des Lasttransistors zur Impedanz des Treibertransistors für eine bestimmte geometrische Größe zur Verbesserung der Leistung erhöht werden oder umgekehrt die geometrische Grosse des. Lasttransistors kann für ein gegebenes Impedanzverhältnis verkleinert werden, was eine beträchtliche Einsparung an Fläche auf der integrierten Schaltung bedeutet.
Obwohl die Erfindung anhand eines spezifischen Beispiels erläutert wurde, wobei die azimutale Abhängigkeit der Trägerbewegliehkeit einer bestimmten Ebene in einem Halbleiter ausgenutzt wird, ist das gleiche Erfindungskonzept natürlich auf jede Schaltung oder Subschaltung anwendbar, in welcher eine variable Trägerbeweglichkeit zur Anwendung kommen soll. Diese Baumöglichkeit wird noch durch die Tatsache gefördert, dass die Trägerbeweglichkeit für die azimutalen Richtungen zwischen den maximalen Werten senkrecht zu der (IlO)Ebene und den Mindestwerten senkrecht zu der (OOl)Ebene Zwischenwerte aufweist, die von der jeweiligen azimutalen Richtung abhängen. Der entwerfende Ingenieur kann somit im wesentlichen jede Trägerbeweglichkeit zwischen der maxi« malen und der Mindestbeweglichkeit lediglich durch die richtige geometrische Ausrichtung der Quelle und des Abflusses für die Vorrichtung auswählen. Obwohl die spezifische Ausführung der hier beschriebenen Erfindung eine in η-leitendem Silicium gebildete p-leitende Inver«· sionsschicht betrifft, ist das Prinzip doch auf jede, dünne Schicht anwendbar, die sich im wesentlichen als
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eine zweidimensionale Leitungsbahn in einer beliebigen Ebene eines beliebigen Halbleiters verhält, welche eine azimutal abhängige Trägerbeweglichkeit zeigt.
Obwohl bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung Im einzelnen beschrieben wurden, kann die Erfindung doch weitgehende Abänderungen erfahren, ohne dass dadurch ihr Rahmen verlassen wird.
Patentansprüche:
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Claims (1)

  1. Patentansprüche,
    Halbleitervorrichtung vom Metall-Halbleiter-Ireaelstor-ÜJyp: dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine im wesentlichen zweidimensionale Leitungsschicht aufweist, welche etwa parallel zu einer kristallograph!sehen Ebene des Halbleiterkristalls, welche eine von.der azimutalen Richtung abhängige Trägerbeweglichkeit besitzt, angeordnet ist. - .
    2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter Silicium ist und die leitungsschicht im wesentlichen in der (UO)Ebene angeordnet ist.
    3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Stromfluas durch die Leitungsschicht im wesentlichen senkrecht zu der kristallograpnischen (TlO) Ebene zur Erzielung einer maximalen Xrägerbeweglichkeit erfolgt»
    Halbleitervorrichtung nach Insprueh 2, dadurch, gekennzeichnet, dass der Stromfluss durch jäie L@ittra|gsschicht im wesentlichen senkrecht su der kristallograpM.sehen (001) Ebene zur .Erzielung einer geringsten Tpägarbeweglichkelt verläuft»
    Halbleitervorrichtung aaelö, Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung aus einem Plättchen aus Halbleitermaterial mit einem Paar auf einer Oberfläche des Plättchens parallel zu .«iner kristallographischen Ebene, welche eine azimutal abhängige Trägerbeweglichkeit zeigt, gebildeten Metall-Isolator-Halbleitertransistoren besteht,
    wobei
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    BAD ORIGINAL
    die TraneIbtoren geometrisch so ausgerichtet sind, dass die Richtung des Stromflueses in dem einen Transistor • ι in einer anderen azimutalen Richtung verläuft als der Stromflues in dem anderen Transistor, so dass die effektive Trägerbeweglichkeit in jedem Transistor verschieden ist.
    ■ !■■ ■ ■]
    6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekenn- |
    zeichnet» dass ein Transistor ein Treibertransistor und j der andere ein Lasttransistor ist und dass der Treiber-
    transistor so ausgerichtet 1st, dass ein Stromfluss duroh j
    den Transistor in der.azimutalen Richtung grösster Träger- j
    bewegliöhkeit erfolgt und dass der Lasttransistor so I
    ausgerichtet ist, dass der Stromfluss durch diesen Tran- j
    slstor in der azimutalen Richtung geringster Trägerbeweg-' (
    lichkeit erfolgt. jl
    7· Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn- j
    zeichnet, dass das Halbleitermaterial Silicium 1st und J
    die Oberfläche des Siliciumplättchens parallel zur j kristallographischen (HO)Ebene verläuft.
    8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Strom durch den Treibertransistor in einer im wesentlichen senkrechten Richtung zu der kristallographischen (TlO)Ebene fließt und der Laettran- | sistor in einer Richtung im wesentlichen senkrecht zu der kristallographischen (001)Ebene angeordnet 1st.
    9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Plättchens parallel zu der kristallographischen (HO)lbene angeordnet ist.
    10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche, in welcher die Metall-Isolator-
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    Halbleitertransistoren gebildet sind, im wesentlichen parallel zu einer kristallographisehen Ebene verläuft, welche in einer dünnen Inversionsschicht an der Oberfläche eine, azimutal abhängige Trägerbeweglichkeit aufweist.
    11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Inversionsschicht auf der kristallographisehen (HO)Ebene gebildet ist und dass der Strom durch die Inversionsschicht in einer Richtung senkrecht zu der krlstallographischen (IlO)Ebene fließt.
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