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Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus anorganischen kristallinen
Halbleiterverbindungen mit hohem Dampfdruck am Schmelzpunkt Die Herstellung und
das Umschmelzen von anorganischen stöchiometrischen Verbindungen in kristalaer Form,
die aus einer schwerflüchtigen und einer (oder mehreren) leichtflüchtigen Komponente(n)
bestehen und im Gleichgewicht einen hohen Dampfdruck am Schmelzpunkt aufweisen,
bereiten große Schwierigkeiten, insbesondere dann, wenn der Partialdampfdruck der
leichtflüchtigen Komponente(n) über der Schmelze wesentlich höher ist als der Partialdampfdruck
der anderen Komponenten und wesentlich höher als der Partialdampfdruck einer gasförmigen
Verbindung aus diesen Komponenten. Die genannten Verbindungen, beispielsweise die
AH1Bv-Verbindungen GaAs, InAs, GaP, InP, BP, zersetzen sich am Schmelzpunkt in eine
Schmelze, welche die schwerflüchtige Komponente, und in Dampf, welcher die leichtflüchtige(n)
Komponente(n) im überschuß enthält.
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Zur Herstellung und zum Umschmelzen sowie zum Ziehen von Einkristallen
von Verbindungen mit den obengenannten Eigenschaften und einem Partialdampfdruck
der leichtflüchtigen Komponente(n) über der Schmelze bis zu 1 at, wie beispielsweise
GaAs und InAs, sind Verfahren bekannt, bei denen im abgeschlossenen System gearbeitet
und der Partialdruck der leichtflüchtigen Komponente über der stöchiometrischen
Schmelze durch zusätzliche Einwaage einer Menge der leichtflüchtigen Komponente
aufrechterhalten wird. Bei einigen dieser Verfahren ist ein Bodenkörper der leichtflüchtigen
Komponente im gleichen Dampfraum, in dem sich die Schmelze befindet, aber in einem
Bereich niedriger Temperatur vorhanden, bei anderen Verfahren nicht. Es gelang auch,
das tiegelfreie Zonenschmelzen auf AIHBv-Verbindungen mit einem Partialdruck der
leichtflüchtigen Komponente über der Schmelze bis zu 1 at zu übertragen und
im abgeschmolzenen Quarzgefäß durchzuführen. Dabei ist die Schmelzzone mit beiden
Stabendert im Gleichgewicht, also von stöchiometrischer Zusammensetzung, und die
Temperatur der Schmelze und der Partialdruck der leichtflüchtigen Komponente entsprechen
den Werten der stöchiometrischen Verbindung. Beispielsweise liegt der Schmelzpunkt
von stöchiometrischem GaAs bei 1236'C, und der As-Dampfdruck über der Schmelze beträgt
etwa 1 at.
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Die genannten Verfahren lassen sich für Verbindungen mit sehr hohem
Dampfdruck am Schmelzpunkt, wie beispielsweise GaP mit einem Phosphordampfdruck
von etwa 40 bis 45 at bei einem Schmelzpunkt von etwa 15001 C, nicht ohne
sehr großen Aufwand (etwa den Einsatz von Autoklaven) verwenden. Beispielsweise
halten selbst sehr dicke Quarzampullen nur Drücke bis etwa 10 at aus.
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Es ist jedoch bekannt, daß unter bestimmten Bedingungen stöchiometrische
Verbindungen auch aus Schmelzen verschiedener, nichtstöchiometrischer Zusamniensetzung
auskristallisieren. Dies ist im allgemeinen dann der Fall, wenn das Existenzgebiet
der betreffenden Verbindung sehr eng ist, insbesondere wenn es nur eine einzige
stöchiometrische Zusammensetzung gibt. Nichtstöchiometrische Schmelzen, in denen
die schwerflüchtige Komponente im überschuß vorhanden ist, haben niedrigere Schmelztemperaturen
und Dampfdrücke als stöchiometrische Schmelzen. Man kann eine solche nichtstöchiometrische
Schmelze als Lösung der stöchiometrischen Verbindung in der überschüssigen schwerflüchtigen
Komponente ansehen.
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Es sind Verfahren zur Herstellung und zum Umschmelzen von hochschmelzenden
kristallinen Verbindungen mit sehr hohem Dampfdruck am Schmelzpunkt bekannt, beispielsweise
GaP und InP, die von der genannten Möglichkeit der Kristallisation einer stöchlometrischen
Verbindung aus einer nichtstöchiometrischen Schmelze Gebrauch machen. Im Reaktionsgefäß
herrscht dabei nur der niedrige Dampfdruck über der nichtstöchiometrischen Schmelze.
Im einzelnen handelt es sich dabei um Verfahren zur Herstellung stöchiometrischer
Verbindungen durch Zusammenschmelzen der Komponenten, zum Ziehen von Kristallen
aus der nichtstöchiometrischen
Schmelze und zum Zonenschmelzen (im
Tiegel), wobei der Dampfdruck der leichtflüchtigen Komponente(n) über der nichtstöchiometrischen
Schmelze im abgeschlossenen System durch Einwaage einer geeigneten Menge dieser
Komponente(n) in das Reaktionsgefäß eingestellt wird, wobei bei einem Verfahren
ein Bodenkörper dieser Komponente(n) vorhanden ist, beim anderen nicht.
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Bei den letztgenannten Verfahren bestehen jedoch erhebliche Schwierigkeiten,
große, gut ausgebildete Kristalle, insbesondere Einkristalle, herzustellen. Insbesondere
sind die Verunreinigungen der Kristalle durch das Tiegelmaterial (Graphit) von störendem
Einfluß auf den Kristallbau.
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Aufgabe der Erfindung ist es, eine Arbeitsweise anzugeben, mit der
gut ausgebildete Einkristalle aus anorganischen kristallinen Halbleiterverbindungen
mit sehr hohem Dampfdruck am Schmelzpunkt hergestellt werden können.
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Einkristallen
aus anorganischen kristallinen Halbleiterverbindungen, bei denen im Gleichgewicht
der Partialdampfdruck einer oder mehrerer Komponenten über der Schmelze wesentlich
höher als der Partialdampfdruck der anderen Komponenten und der Partialdruck einer
gasförmigen Verbindung aus diesen Komponenten ist und die aus Schmelzen verschiedener
Zusammensetzung stöchiometrisch kristallisieren, durch Zonenschmelzen, bei dem ein
stabföriniger Körper aus der Verbindung an einen einkristallinen Keim angeschmolzen
und eine Schmelzzone durch den Stab geführt wird, in einem abgeschlossenen System,
wobei zusätzlich zum Material der kristallinen Verbindung eine Einwaage der leichterflüchtigen
Komponente(n) dieser Verbindung in das abgeschlossene System eingebracht und die
Einwaage sowie die Temperaturführung so gewählt werden, daß die Einwaage verdampft
und die Schmelzzone an der (den) leichterflüchtigen Komponente(n) so weit verarmt,
daß sich im Dampfraum der dieser Schmelze entsprechende vorgegebene Partialdruck
der leichterflüchtigen Komponente(n) einstellt und kein Bodenkörper oder Niederschlag
dieser Komponente(n) zurückbleibt.
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Die erflndungsgemäße Arbeitsweise besteht bei diesem Verfahren darin,
daß nach dem Verdampfen der Einwaage das den Keim berührende Ende des Stabes kurzzeitig
auf die Schmelztemperatur der stöchlometrischen Verbindung erhitzt und beim Verdampfen
der leichterflüchtigen Komponente(n) der Verbindung aus der Schmelzzone diese erstarren
gelassen wird, daß diese nunmehr nichtstöchiometrisch zusammengesetzte Zone auf
ihre Schmelztemperatur erhitzt und der Stab in bekannter Weise tiegelfrei zonenaeschmolzen
wird.
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Durch das Verdampfen der Einwaage ist im abgeschlossenen System bereits
ein gewisser Dampfdruck, der niedriger ist als der Gleichgewichtsdampfdruck über
der stöchiometrischen Schmelze, eingestellt. Wird nun das den Keim berührende Ende
des stabförmigen Körpers auf die Schmelztemperatur der stöchiometrischen Verbindung
erhitzt, so schmilzt der stabförmige Körper auf den Keim auf. Dabei verdampft aus
der Schmelzzone ein Teil der leichterflüchtigen Komponente und stellt zusammen mit
der bereits verdampften Einwaage den gewünschten Dampfdruck ein. Die Schmelzzone
verarmt also an der leichterflüchtigen Komponente und wird nichtstöchiometrisch.
Dabei sinkt ihr Schmelzpunkt rasch unter den Schmelzpunkt der angrenzenden stöchiometrisch
zusammengesetzten Kristallbereiche ab. Um ein Abfließen der Schmelzzone zu verhindern,
wird daher gleich beim Verdampfen der leichterflüchtigen Komponente aus der Schmelzzone
diese Zone wieder erstarren gelassen.
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Während des anschließenden Zonenschmelzens, bei dem die Schmelzzone
auf wesentlich höherer Temperatur gehalten wird als die beiden benachbarten festen
Kristallbereiche, löst sich auf der einen Seite der Schmelzzone genau die gleiche
Materialmenge auf, die sich auf der anderen Seite gemäß dem binären Diagramm ausscheidet.
Eine Verarmung der Schmelze an der leichterflüchtigen Komponente, etwa durch nicht
exakt konstant gehaltene Ziehgeschwindigkeit, kann nicht auftreten, da sofort eine
Regeneration über die Dampfphase stattfindet. Im Grunde genommen liegt also ein
Materialtransport durch die Lösung (Schmelze) vor, der eine epitaxiale Aufwachsung
auf dem unteren Stabteil (Keim) ermöglicht. Dabei ist jedoch zu beachten, daß die
Geschwindigkeit, mit der die Schmelzzone durch den stabförinigen Körper bewegt wird,
kleiner als die Diffusionsgeschwindigkeit der leichterflüchtigen Komponente in der
Schmelzzone gewählt wird, so daß der stationäre Zustand der Lösung erhalten bleibt.
Anderenfalls würde man ein Material erhalten, das Einschlüsse des Lösungsmittels,
d. h. der schwererflüchtigen Komponente, aufweist.
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Während des gesamten Prozesses wird das Schmelzgefäß durch eine zusätzliche
Heizung auf einer Temperatur gehalten, die so hoch ist, daß sich an keiner Stelle
des Schmelzgefäßes ein Niederschlag oder ein Bodenkörper der leichterflüchtigen
Komponente(n) bilden kann. Dadurch wird die Gefahr einer Explosion der Anordnung
praktisch vermieden. Bei Vorhandensein eines Bodenkörpers bzw. Niederschlages hängt
der Druck im Schmelzgefäß nämlich exponentiell von der Temperatur der kältesten
Stelle des Schmelzgefäßes ab, kann also bei kleinen Temperaturerhöhungen sehr stark
ansteigen. Ist hingegen kein Niederschlag oder Bodenkörper vorhanden, so ist der
Druck proportional zur mittleren Gefäßtemperatur und verändert sich also bei kleinen
Temperaturschwankungen nur geringfügig.
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Die Temperatur der Schmelzzone (Lösung) kann mit Hilfe des Dampfdruckes
der leichterflüchtigen Komponente(n) der Verbindung variiert werden. Daraus ergibt
sich die Möglichkeit, Halbleitermaterialien auf Grund der niedrigeren Temperatur
reiner und störungsfreier herzustellen als nach dem normalen tiegelfreien Zonenschmelzverfahren.
Zu beachten ist dabei die Erfahrungstatsache, daß die Ziehgeschwindigkeit um so
kleiner sein muß, je niedriger der Schmelzpunkt der Lösung liegt.
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Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich nicht nur zur Herstellung
von Einkristallen aus zweikomponentigen Halbleiterverbindungen mit einer leichtflüchtigen
Komponente, wie beispielsweise GaP, InP oder BP, sondern auch zur Herstellung von
Einkristallen aus mehrkomponentigen Verbindungen mit mehreren leichterflüchtigen
Komponenten. Beispielsweise wird bei der Herstellung von Einkristallen aus ZnSiP,
eine Einwaage der leichterflüchtigen Komponenien Zink und Phosphor in das abgeschlossene
System eingebracht, bei ZnGeAs. werden Zink und Arsen eingewogen.
Falls
ein einkristalliner Keim aus der gleichen Verbindung vorhanden ist, so wird vorzugsweise
der stabförmige Körper aus der Verbindung an einen solchen Keim angeschmolzen.
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Daneben bietet das Verfahren aber auch die Mög-
lichkeit, ähnlich
wie bei der Gasphasenepitaxie Einkristalle einer hochschmelzenden Verbindung auf
Keimen aus niedrigschmelzenden Verbindungen mit ähnlichem Kristallbau aufwachsen
zu lassen. Da wegen der unterschiedlichen Schmelzpunkte ein unmittelbares Anschmelzen
des stöchiometrisch zusammengesetzten stabförmigen Körpers aus der höher schmelzenden
Verbindung an den Keim aus der niedriger schmelzenden Verbindung äußerst schwierig
ist, kann vorteilhaft derart verfahren werden, daß an Stelle des einkristallinen
Keimes zunächst ein Stab aus dem Material der Verbindung unter Bildung der nichtstöchiometrischen
Zone angeschmolzen wird und die Zone nach dem Erstarren durchgeschnitten und erst
dann die Schnittstelle unter erneuter Einstellung des Partialdampfdruckes der leichterflüchtigen
Komponente(n) an einen einkristallinen Keim aus dem anderen, niedriger als die stöchiometrische
Verbindung schmelzenden Material mit der kristallinen Verbindung ähnlichem Kristallbau
angeschmolzen wird.
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In dieser Art kann beispielsweise auf einen einkristallinen Keim aus
Galliumarsenid ein stabförmiger Körper aus Galliumphosphid aufgeschmolzen werden.
Beim Zonenschmelzen wird dann zunächst ein einkristalliner Ga(P, As)-Mischkristall
abgeschieden, der zum oberen Stabende hin immer stärker an Arsen verarmt. Durch
Wiederholung des Verfahrens, wobei der am stärksten an Arsen verarmte Teil des genannten
MischMstalls als Keim verwendet und auf ihn ein polykristalliner GaP-Stab aufgeschmolzen
wird, läßt sich reines einkristallines Galliumphosphid darstellen. Bei Verwendung
von einkristallinem Silicium als Keim bildet sich schon beim ersten Zonenschmelzen
ein GaP-Einkristall.
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Die gleiche Methode ist auch für andere Stoffe, beispielsweise Indiumphosphid
und Borphosphid, anwendbar. Man hat damit die Möglichkeit, Einkristalle aus Substanzen
zu erhalten, die bisher nur in mikrokristalliner oder pulveriger Form bekannt waren.
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Beispielsweise läßt sich die hochschmelzende Verbindung Borphosphid
(BP), die durch überleiten von Phosphordampf über hocherhitztes Bor in pulveriger
Form gebildet wird, leicht in Stabform pressen. Dieser Stab dient beim erfindungsgemäßen
Verfahren oberhalb der Schmelzzone als Substanzträger, während als Keim beispielsweise
ein GaP-, InP- oder Si-Einkristall verwendet wird. In diesem Fall muß
je-
doch beim Aufschmelzen des gepreßten Stabes auf den Keim zunächst der
obere Keimteil zum Schmelzen gebracht werden.
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Ferner eignet sich das Verfahren gemäß der Erfindung auch zum Herstellen
von einkristallinen Mischkristallen aus zwei anorganischen kristallinen Halbleiter-verbindungen.
Beispielsweise entsteht ein einkristalliner Ga(P, As)-Mischkristall mit über die
Kristallänge veränderlicher Konzentration der leichtflüchtigen Komponenten, wenn
ein GaP-Stab auf einen einkristallinen GaAs-Keim aufgeschmolzen und tiegelfrei zonengeschmolzen
wird, Da man den Schmelzpunkt der Lösung über die Dampfphase beeinflussen kann,
läßt sich damit auch die Konzentration und die Art der leichterflüchtigen Elemente
in der Lösung steuern. Vorteilhaft kann derart verfahren werden, daß zusätzlich
zu der Einwaage der leichterflüchtigen Komponente(n) der aufzuschmelzenden Verbindung
eine Einwaage der leichterflüchtigen Komponente(n) des Keimkristalls eingebracht
wird und beide Einwaagen und die Temperaturführung so gewählt werden, daß ein einkristalliner
Mischkristall von vorgegebener Zusammensetzung, bestehend aus der aufgeschmolzenen
Verbindung einerseits und der Verbindung des Keimkristalls andererseits, auf dem
Keim aufwächst. Durch entsprechende Temperaturführung läßt sich sogar die Konzentration
der einzelnen Komponenten variieren.
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Einzelheiten und besondere Ausgestaltungen des Verfahrens gemäß der
Erfindung sollen an Hand der folgenden Beispiele und Figuren noch näher erläutert
werden.
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Beispiel 1
In diesem Beispiel wird das erfindungsgemäße Verfahren
zum Ziehen eines GaP-Einkristalls auf einem GaP-Keim genauer beschrieben. Die F
i g. 1
zeigt ein schematisches Ausführungsbeispiel für die Durchführung
des Verfahrens gemäß der Erfindung.
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Ein durch Zusammenschmelzen der Komponenten Gallium und Phosphor in
bekannter Weise hergestellter stöchiometrischer grobkristalliner GaP-Stab
1
wird auf einen Durchmesser von 6 mm rundgeschliffen und in Königswasser
zur Entfernung der Oberflächenschicht geätzt. Nach dieser Vorbereitung wird ein
stabförmiger GaP-Einkristall 2, der als Keim dient, in die Ampulle 4 gebracht und
in einer Halterung 5, die beispielsweise aus Quarz oder Graphit bestehen
kann, befestigt und justiert. Der in beschriebener Weise vorbehandelte GaP-Stab
1 wird dann im oberen Teil der Ampulle 4 in der Halterung 6 in der
Weise befestigt, daß er auf dem Keim 2 aufsitzt. Sodann wird in die Ampulle 4 eine
Menge von rotem Phosphor eingewogen, die so bemessen ist, daß bei einer Ampullentemperatur
von 6001 C, nachdem der gesamte eingewogene Phosphor und ein Teil des Phosphors
aus der Schmelzzone verdampft ist, ein Gesamtdruck von etwa 10 at in der
Ampulle herrscht. Nach dem Einwiegen des Phosphors wird die Ampulle 4 evakuiert
und bei einem Druck von etwa 10-5
Torr zugeschmolzen. Danach wird die ganze
Ampulle 4 mit Hilfe des Ofens 7 auf etwa 600' C erhitzt, so daß der
gesamte eingewogene Phosphor verdampft. Die Ampulle 4 wird während der weiteren
Durchführung des Verfahrens durch den Ofen 7
dauernd auf einer Temperatur
von etwa 600'C gehalten, um die Bildung eines Bodenkörpers oder Niederschlages
von Phosphor zu verhindern. Die Ampulle 4 wird dann so justiert, daß sich die Hochfrequenzheizwindung
8 gerade an der Stelle befindet, an welcher der GaP-Stab 1 auf dem
Keim 2 aufsitzt. Nachdem der eingewogene Phosphor verdampft ist, wird der Stab
1 auf den Keim 2 mit Hilfe der Heizwindung 8 aufgeschmolzen. Die dazu
nötige Energie liefert ein Hochfrequenzgenerator mit einer Leistung von beispielsweise
5 kW. Sobald das GaP bei einer Temperatur von etwa 15001 C
schmilzt, verdampft aus der Schmelzzone in sichtbarer Weise Phosphor, da in der
Ampulle nur ein Phosphordampfdruck von etwas weniger als 10 at herrscht,
während der Gleichgewichtsdampfdruck über der stöchiometrischen Schmelze etwa 40
bis 45 at beträgt. An der Berührungsstelle
der Kristalle
1 und 2 bildet sich daher eine nichtstöchiometrische Zone 3. Da der
Schmelzpunkt dieser Zone 3 rasch absinkt, muß die Leistungszufuhr der Heizwindung
6 sofort unterbrochen werden, wenn aus der Zone3 Phosphor verdampft, um ein
Abreißen und Wegfließen der Zone 3 zu verhindern. Nach dem Erstarren wird
die Leistungszufuhr der Windung 8 wieder langsam erhöht, bis die nun nicht
mehr stöchiometrische Ga-reiche Zone 3
bei einer Temperatur von etwa
1250 bis 13001 C
schmilzt, die dem Dampfdruck von 10 at in der
Ampulle entspricht. Nach einer kurzen Reaktionszeit von einigen Minuten wird die
Heizwindung 8 mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 bis
0,3 mm/Min. in Richtung des Pfeiles 9 nach oben bewegt, dadurch bewegt
sich die nichtstöchiometrische Schmelzzone 3
mit der gleichen Geschwindigkeit
durch den Stab 1
nach oben. An der Grenze zwischen dem Stab 1 und der
Schmelzzone 3 wird Halbleiterinaterial abgelöst, an der Grenze zwischen Schmelzzone
3 und Stab 2 als Einkristall wieder abgeschieden. Die Temperatur der Zone
3 beträgt während des Zonenschmelzens etwa 1250 bis 1300'C,
die Temperatur der angrenzenden Teile der Stäbe 1 und 2 etwa 8501 C.
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Beispiel 2 In diesem Beispiel wird eine besondere Ausgestaltung des
Verfahrens gemäß der Erfindung zur Herstellung eines Einkristalls einer hochschmelzenden
Verbindung, beispielsweise GaP, auf einem niedrigschmelzenden Keim, beispielsweise
GaAs, beschrieben. Die F i g. 2, 3 und 4 zeigen einen Ausschnitt aus
der in F i g. 1 dargestellten Anordnung, nämlich die Umgebung der Schmelzzone
3. Ein Stab aus stöchiometrischem GaP mit einem Schmelzpunkt von etwa
1500'C kann nicht einfach auf einen GaAs-Stab aufgeschmolzen werden. Stöchiometrisches
GaAs hat einen Schmelzpunkt von 12361C
bei einem Arsendampfdruck von etwa
lat. Bevor das GaP zum Schmelzen käme, würde der obere Rand des GaAs-Keims flüssig
werden und wegfließen. Man nimmt daher das Aufschmelzen in zwei Arbeitsgängen vor.
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Zunächst wird - wie bereits in Beispiel 1 beschrieben
- der GaP-Stab 11 bei einem Phosphordampfdruck von etwa
10 at auf einen zweiten nicht notwendig einkristallinen GaP-Stah 12 aufgeschmolzen.
Bei einer Schmelztemperatur von etwa 1500' C
bildet sich die nichtstöchiometrische
Ga-reiche Schmelzzone 13. Nach dem Erstarren wird die Ampulle geöffnet und
der GaP-Stab innerhalb der Gareichen Zone zerschnitten, wie F i g. 3 zeigt.
Dann wird der obere Teil 11 und 13 des GaP-Stabes auf einen GaAs-Einkristall
14 aufgesetzt, wie F i g. 4 zeigt. Anschließend wird die entsprechende Menge
Phosphor eingewogen, die Ampulle evakuiert und zugeschmolzen. Nachdem der eingewogene
Phosphor verdampft ist, wird der nichtstöchiometrische Teil 13
des GaP-Stabes
auf den GaAs-Einkristall 14 vorsichtig aufgeschmolzen. Der Schmelzpunkt der Gareichen
GaP-Zone liegt bei etwa 1230c> C, also dicht beim Schmelzpunkt des stöchiometrischen
GaAs. Beim anschließenden Zonenschmelzen mit einer Geschwindigkeit von
0,1 bis 0,3 nim/Min. erhält man einen einkristallinen Ga(P, As)-Mischkristall,
der zum oberen Stabende hin an As verarmt. Durch Wiederholung des Verfahrens, wobei
der am stärksten an Arsen verarmte Teil des genannten Ga(P, As)-Mischkristalls als
Keim verwendet und auf ihn ein zweiter polykristalliner GaP-Stab aufgeschmolzen
wird, erhält man einen reinen GaP-Einkristall. In ähnlicher Weise kann auch beim
Aufschmelzen anderer hochschmelzender Verbindungen auf niedrigerschmelzende verfahren
werden.
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Beispiel 2 zeigt ferner, auf welche Weise einkristalline Mischkristalle
aus zwei anorganischen kristallinen Halbleiterverbindungen hergestellt werden können.
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Das erfindungsgemäße Verfahren vereinigt die Vorteile des tiegelfreien
Zonenschmelzens mit den Vorteilen des Kristallwachstums aus einer nichtstöchiometrischen
Lösung. Das tiegelfreie Zonenschmelzen macht unabhängig vom Tiegelmaterial und bringt
günstige Voraussetzungen für das Wachsen von Einkristallen mit sich, insbesondere
eine hohe Reinheit des Kristalls. Durch das Arbeiten mit einer nichtstöchiometrischen
Schmelze wird der Dampfdruck der leichterflüchtigen Komponente(n) über der Schmelze
stark vermindert, ebenso die Temperatur der Schmelzzone. Dadurch wird einerseits
das Ampullenmaterial geringer beansprucht und somit die Herstellung reinerer Kristalle
ermöglicht, andererseits der apparative Aufwand stark verringert.