DE1250789B - Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion - Google Patents

Verfahren zum Züchten eines epitaktisch gewachsenen Einkristalles mit Hilfe einer Transportreaktion

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DE1250789B DENDAT1250789D DE1250789DA DE1250789B DE 1250789 B DE1250789 B DE 1250789B DE NDAT1250789 D DENDAT1250789 D DE NDAT1250789D DE 1250789D A DE1250789D A DE 1250789DA DE 1250789 B DE1250789 B DE 1250789B
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Summit NJ. Carl John Frosch (V. St. A.)
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    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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