DE112011101181B4 - Steuerung der Ferroelektrizität in dielektrischen Dünnschichten durch prozessinduzierte monoaxiale Spannungen - Google Patents

Steuerung der Ferroelektrizität in dielektrischen Dünnschichten durch prozessinduzierte monoaxiale Spannungen Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Steuerung ferroelektrischer Eigenschaften von Komponenten von integrierten Schaltkreiseinheiten, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) auf einem Substrat (102); undBilden einer mechanischen Spannung ausübenden Struktur nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht derart, dass durch die mechanische Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine nennenswerte mechanische monoaxiale Spannung erzeugt wird;wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht aufweist: eine ferroelektrische Oxidschicht und/oder eine Schicht aus einem unter Ausübung einer mechanischen Spannung ferroelektrisch werdenden Materials,wobei die mechanische monoaxiale Spannung in einer Richtung parallel zu einer Interface-Ebene zwischen dem Substrat (102) und der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) wirkt, undwobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht in eine dielektrische Gate-Elektrodenschicht (110) eines Feldeffekttransistors einbezogen ist.

Description

  • HINTERGRUND
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Halbleitereinheiten und insbesondere die Steuerung der Ferroelektrizität in dielektrischen Dünnschichten durch darin erzeugte prozessinduzierte Spannungen.
  • Integrierte Ferroelektrika finden gegenwärtig und möglicherweise in Zukunft vielfältige Verwendung in der Mikroelektronik, darunter zum Beispiel, um nur einige wenige zu nennen, ferroelektrische Feldeffekttransistor(FET)-Speicher, ferroelektrische Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatorspeicher und komplementäre Metalloxid-Halbleiter(CMOS)-Logikschaltungen mit äußerst niedriger Leistung/Spannung.
  • Aufgrund einer großen Anzahl von Anforderungen (z.B. eine ferroelektrische Übergangstemperatur (Tc) deutlich oberhalb Raumtemperatur, hohe remanente Polarisation, gutes Haltevermögen, geringe Ermüdung usw.) kommen gegenwärtig nur einige wenige gute ferroelektrische Materialien für solche Anwendungen infrage. Ein solches für Produktionszwecke geeignetes Material stellt Bleizirkonat-Titanat (chemische Formel Pb[ZrxTi1-x]O3, 0 < x < 1, oder PZT) dar. PZT ist ein keramisches Material mit Perovskit-Kristallstruktur, die eine ausgeprägte Ferroelektrizität zeigt, d.h. eine spontane elektrische Polarisation (elektrische Dipole) in Gegenwart eines elektrischen Feldes erzeugt. Ein Nachteil bei der Verwendung von PZT in mikroelektronischen Anwendungen besteht in der Einführung von Blei (Pb) in die Fertigung, was zu Umweltproblemen führt. Außerdem nimmt die schaltbare Polarisation mit der Anzahl der Schaltzyklen stark ab.
  • Ein weiteres derartiges ferroelektrisches Material stellt SrBi2Ta2O9 oder SBT dar. Ein Nachteil bei der Verarbeitung von SBT besteht (außer der komplexen Zusammensetzung von SBT, das drei Metallionen aufweist) in der schwierigen Prozesssteuerung, beispielsweise durch die hohen Bearbeitungstemperaturen. Weitere infrage kommende ferroelektrische Materialien weisen eine für bestimmte Anwendungen zu niedrige Übergangstemperatur Tc oder eine zu geringe spontane oder remanente Polarisation Pr auf. Zum Beispiel weist BaTiO3 eine Übergangstemperatur Tc von ungefähr 120 °C auf, die für Anwendungen bei Raumtemperatur zu nahe der Raumtemperatur liegt.
  • Deshalb konzentrieren sich andere Ansätze auf eine deutliche Erhöhung und/oder Anpassung von Tc oder Pr in ferroelektrischen Materialien durch Einführen einer biaxialen Spannung. Biaxiale Spannungen in ferroelektrischen Dünnschichten sind bislang experimentell durch kohärente Epitaxie des ferroelektrischen Materials auf einem Substrat (z.B. Oxid) mit unzureichender Anpassung der Gitterkonstanten erreicht worden. Zum Beispiel können biaxiale Spannungen in BaTiO3-Dünnschichten (gewonnen durch kohärente Epitaxie auf Scandatsubstraten wie beispielsweise DyScO3 oder GdScO3) eine ferroelektrische Übergangstemperatur Tc bei 500 °C oder mehr und eine remanente Polarisation Pr von mindestens 250 % mehr als in massiven BaTiO3-Einkristallen erzeugen. In diesem Fall handelt es sich um eine biaxiale Druckspannung. Außerdem können biaxiale Spannungen durch Epitaxie auch in anderen Ferroelektrika wie beispielsweise PbTiO3 oder BiFeO3 erzeugt werden. Noch weitere Ansätze konzentrieren sich auf das Erzeugen von Ferroelektrizität durch das Einführen biaxialer Spannungen in normalen nicht ferroelektrischen Materialien. Zum Beispiel kann durch biaxiale Spannungen in SrTiO3-Dünnschichten (erzielt durch kohärente Epitaxie auf Scandatsubstraten wie beispielsweise DyScO3 oder GdScO3) Ferroelektrizität bei Raumtemperatur erzeugt werden.
  • Die biaxialen Spannungen von Ferroelektrika unterliegen jedoch speziellen Einschränkungen. Zum Beispiel muss zum Erreichen qualitativ hochwertiger Schichten durch direkte Epitaxie auf Silicium die Abscheidung mittels Molekularstrahl-Epitaxie (molecular beam epitaxy, MBE) erfolgen. Hierbei kann die Spannung nicht eingestellt werden, und nach Erreichen einer kritischen Schichtdicke lässt die Spannung wieder nach. Somit können die gewünschten ferroelektrischen Eigenschaften nur für einen begrenzten Schichtdickenbereich erreicht werden.
  • Außerdem führt die direkte Epitaxie eines ferroelektrischen Oxids wie beispielsweise BaTiO3 auf Si aufgrund eines negativen oder sehr geringen Bandabstands in Bezug auf das Leitungsband des Siliciums zu hohen Kriechströmen.
  • In diesem Kontext wurden bereits eine Reihe von Dokumenten veröffentlicht. Beispielsweise offenbart das Dokument US 2009 / 0 057 737 A1 ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit einer dielektrischen Schicht auf einem Substrat. Dazu wird eine dielektrische Schicht in einem amorphen Zustand auf dem Substrat gebildet, welche eine bestimmte Kristallisationstemperatur aufweist. Darüber hinaus ist vorgesehen, die dielektrische Schicht zu dotieren und eine Überzugsschicht auf der dielektrischen Schicht abzuscheiden, wobei dafür eine Temperatur gleich oder unterhalb der Kristallisationstemperatur gewählt wird. Danach wird die dielektrische Schicht einer Temperatur ausgesetzt, die gleich oder größer der Kristallisationstemperatur ist.
  • Weiterhin ist aus dem Dokument US 2005/0 052 823 A1 ein ferroelektrischer Kondensator mit einer unteren Elektrode, einer ferroelektrischen Schicht, die über der unteren Elektrode vorgesehen ist und eine Perowskite-artige Struktur aufweist, und einer oberen Elektrode bekannt.
  • Weiterhin sei das Dokument US 2007 / 0 080 383 A1 genannt. Es beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat, einem ferroelektrischen Kondensator, der über dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine Schutzschicht, die den ferroelektrischen Kondensator an allen Seiten bedeckt und einer spannungserzeugenden Schicht, die auf den Kondensator wird.
  • KURZÜBERBLICK
  • Die Aufgabe, die Nachteile der oben genannten biaxialen Spannungen in entsprechenden Anwendungen zu überwinden, wird durch die Gegenstände der unabhängigen Ansprüche gelöst. Weitere Ausführungsbeispiele sind durch die jeweils abhängigen Ansprüche beschrieben.
  • Figurenliste
  • Es wird auf die beispielhaften Zeichnungen Bezug genommen, wobei verschiedene Elemente in den verschiedenen Figuren gleiche Bezugsnummern aufweisen:
    • 1 ist eine Querschnittsansicht eines FET mit einer dielektrischen Gate-Elektrodenschicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, die durch Einstellen der Spannung ferroelektrisch gesteuert werden kann;
    • 2 veranschaulicht die Bildung epitaxial abgeschiedener Source- und Drain-Bereiche, die auf die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Gate-Elektrodenschicht des FET von 1 eine nennenswerte monoaxiale Spannung ausübt;
    • 3 veranschaulicht die Bildung einer Nitrid-Druckspannungsschicht auf einem FET mit einer dielektrischen Gate-Elektrodenschicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, die durch Einstellen der Spannung ferroelektrisch gesteuert werden kann;
    • 4 veranschaulicht die Bildung einer Nitrid-Zugspannungsschicht auf einem FET mit einer dielektrischen Gate-Elektrodenschicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung die durch Einstellen der Spannung ferroelektrisch gesteuert werden kann; und
    • 5(a) bis 5(d) zeigen eine Reihe von Querschnittsansichten, die die Bildung eines MIM-Kondensators mit einer dielektrischen Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung veranschaulichen, die durch Einstellen der Spannung ferroelektrisch gesteuert werden kann.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Hierin werden Verfahren und Strukturen zur Steuerung der Ferroelektrizität in dielektrischen Dünnschichten durch prozessinduzierte Spannungen in der Dünnschicht beschrieben. Bestimmte beispielhafte Ausführungsformen werden zum Erzeugen von Ferroelektrizität verwendet, wobei ein im spannungsfreien Zustand normalerweise nicht ferroelektrisches Material wie beispielsweise SrTiO3 oder CaMnO3 unter mechanischer Spannung ferroelektrisch wird. Weitere beispielhafte Ausführungsformen dienen zum Abgleichen der Ferroelektrizität dielektrischer Dünnschichten, wobei die Eigenschaften (Tc, Pr) von Ferroelektrika während der Bearbeitung abgestimmt werden, um somit das Spektrum der möglicherweise für mikroelektronische Anwendungen einsetzbaren Materialien (wie beispielsweise BaTiO3) zu erweitern sowie die Leistungsfähigkeit vorhandener ferroelektrischer Einheiten (wie beispielsweise Einheiten auf der Grundlage von PZT) zu verbessern.
  • Bei den hierin beschriebenen Ausführungsformen werden ferroelektrisch steuerbare Materialien wie beispielsweise normalerweise nicht ferroelektrische Materialien oder ferroelektrische Materialien, die zuvor auf Silicium- oder anderen Arten von Halbleitersubstraten (z.B. Silicium-auf-Isolator (SOI), Ge, IIK/V usw.) abgeschieden wurden, durch typische CMOS-Verfahren einer im Wesentlichen monoaxialen Spannungsbelastung ausgesetzt. Der hierin gebrauchte Begriff „im Wesentlichen monoaxial“ beschreibt eine Spannung, die in einer Richtung einer Oberfläche, beispielsweise in einer x-Richtung oder einer y-Richtung angesetzt wird. Dies steht im Gegensatz zum Beispiel zu einer biaxial verspannten Dünnschicht, bei der die Spannung in zwei Richtungen (x-y) entlang ihrer Oberfläche angesetzt wird. Es sollte jedoch klar sein, dass der Begriff „im Wesentlichen monoaxial“ auch eine Spannung vorwiegend entlang einer Achse (z.B. der x-Achse) mit geringfügigen („de minimis“) oder von null verschiedenen Spannungskomponenten entlang der anderen Achse beschreiben kann. Außerdem können die hierin beschriebenen typischen CMOS-Techniken zum Beispiel Source/Drain-Bereiche aus Silicium-Germanium (SiGe) nahe einem Silicium-Kanalbereich, die Bildung einer Nitrid-Deckschicht und deren Kombinationen beinhalten.
  • Auf jeden Fall brauchen die dielektrischen Dünnschichten nicht epitaxial aufgebracht zu werden, es können (unter Verwendung von Siliciumnitrid) sowohl (monoaxiale) Druck- als auch Zugspannungen erreicht und die Stärke der Spannung abgestimmt werden, wodurch sich Tc und Pr einwandfrei abstimmen lassen. Die Realisierung von prozessinduzierten Spannungen in ferroelektrischen Oxiden kann somit durch in der Chip-Technologie übliche Integrationsschemata erreicht werden, die gegenwärtig zur Verbesserung der Ladungsträgerbeweglichkeit in dem Transistorkanal verwendet werden. Als praktische Ausführungsformen von abgeglichenen ferroelektrischen dielektrischen Dünnschichten durch prozessinduzierte Spannungen kommen im Sinne einer nicht abschließenden Aufzählung FETs und MIM-Kondensatoren infrage.
  • Unter Bezug auf 1 wird zunächst eine Querschnittsansicht eines FET 100 gezeigt, der auf einem Substrat 102 wie beispielsweise Silicium oder SOI gebildet wurde. Der zwischen Grabenisolationsbereichen (STI) 104 gebildete Transistor enthält eine strukturierte Gate-Elektrode 106, der Gate-Elektrode 106 benachbarte Seitenwand-Abstandsschichten 108 und eine dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 zwischen der Gate-Elektrode 106 und dem Substrat 102. Hier wird ein herkömmliches Material für die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 (wie beispielsweise Siliciumdioxid) durch einen dielektrischen Stapel ersetzt, der eine ferroelektrisch steuerbare Schicht enthält. Auch hier kann es sich bei der ferroelektrisch steuerbaren Schicht um eine Schicht aus einem ferroelektrischen Material oder einem normalerweise nicht ferroelektrischen Material handeln, das bei Ausübung einer externen Spannung auf die Schicht ferroelektrische Eigenschaften aufweist. Beispiele der in der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 enthaltenen ferroelektrisch steuerbaren Schicht im Sinne einer nicht abschließenden Aufzählung beinhalten BaTiO3, PZT, SBT, SrTiO3 (STO), Ba1-xSrxTiO3 (BST), PbTiO3, CaMnO3 und BiFeO3.
  • Im Fall des massiven SrTiO3 ist ein unpolarer, antiferrodistortiver Grundzustand auf die Sauerstoffrotation zurückzuführen. Sowohl ferroelektrische als auch antiferrodistortive Verzerrungen können bei geeigneten Spannungswerten gleichzeitig vorkommen, und die Änderung der Kopplung zwischen diesen Instabilitäten kann zu einem neuen (d.h. ferroelektrischen) Grundzustand führen. Demgemäß gibt es keinen offensichtlichen wesentlichen Grund, warum eine monoaxiale Spannung (die zu einer monoaxialen Spannung oder möglicherweise zu einer komplexeren Spannungsverteilung führt) nicht zu einer Änderung des Grundzustands eines derart stark korrelierten komplexen Oxids führen sollte.
  • Obwohl die in 1 veranschaulichte dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 der Gate-Elektrode so strukturiert dargestellt ist, dass die Abstandsschichten 108 auch an die Seitenwände der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 angrenzen, ist es ebenfalls denkbar, dass die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 getrennt von der Gate-Elektrode 106 strukturiert ist, sodass die Abstandsschichten 108 (zum Beispiel) oberhalb der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 angeordnet sind. Außer der ferroelektrisch steuerbaren Schicht kann die dielektrische Schicht 110 auch eine oder mehrere Pufferschichten zwischen der ferroelektrisch steuerbaren Schicht und dem Substrat 102 enthalten. Darüber hinaus kann die in 1 gezeigte dielektrische Schicht 110 eine oder mehrere zusätzliche dielektrische Schichten enthalten, die zwischen der ferroelektrisch steuerbaren Schicht und der Gate-Elektrode 106 und/oder dem Substrat 102 angeordnet sind.
  • Aus 1 ist auch zu ersehen, dass der Source- und der Drain-Bereich 112 zum Beispiel durch Ätzen entfernt wurde, um Platz zu schaffen für das epitaxiale Abscheiden eines anderen Halbleitermaterials wie beispielsweise Silicium-Germanium (SiGe) oder kohlenstoffdotiertes Silicium (Si:C). Das Epitaxiematerial 114 ist in 2 veranschaulicht. Demzufolge wird eine monoaxiale Druck- oder Zugspannung nicht nur auf den Kanalbereich des Transistors unterhalb der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110, sondern auch auf die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 selbst ausgeübt. Wenn als Epitaxiematerial 114 zum Beispiel SiGe verwendet wird, bildet sich eine monoaxiale Druckspannung aus. Wenn als Epitaxiematerial 114 hingegen beispielsweise Si:C verwendet wird, bildet sich eine monoaxiale Zugspannung aus. Dadurch führt die epitaxial erzeugte Spannung, die auf die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 einwirkt, die ferroelektrischen Eigenschaften der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 herbei und/oder stimmt sie ab. Gemäß einer weiteren denkbaren Ausführungsform können der Source- und der Drain-Bereich 112 mit einem eingebetteten Spannung ausübenden Halbleitermaterial ausgestattet werden, indem ein Dotand in das Silicium implantiert wird.
  • Zusätzlich zu oder anstelle eines epitaxial aufgebrachten Spannung ausübenden Halbleitermaterials im Source/Drain-Bereich können auch andere monoaxiale Spannungstechniken verwendet werden, um ferroelektrische Eigenschaften von dielektrischen Schichten zu erzeugen/abzustimmen. 3 zeigt, dass das Substrat 102 des FET 100 mit einem geeigneten Dotanden dotiert ist, um den Source- und den Drain-Bereich 116 (sowie die unterhalb der Gate-Elektrode gelegenen erweiterten Source/Drain-Bereiche) zu bilden. Das heißt, dass bei der Ausführungsform von 3 durch das Halbleitermaterial des Source- und des Drain-Bereichs keine Spannung erzeugt wird. Statt dessen wird über dem FET 100 eine Nitrid-Deckschicht 118 (z.B. Siliciumnitrid) gebildet. Bei dem dargestellten Beispiel dient die Nitridschicht 118 insofern als Nitrid-Druckspannungsschicht, als sie sowohl auf den Kanalbereich des Substrats 102 als auch auf die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 eine monoaxiale Druckspannung ausübt. Zusätzlich zum Erzeugen/Abstimmen ferroelektrischer Eigenschaften in der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 gemäß der obigen Erörterung wird die Nitrid-Druckspannungsschicht 118 auch dazu verwendet, die Beweglichkeit der Ladungsträger in PMOS-FET-Einheiten zu verbessern.
  • Im Vergleich hierzu veranschaulicht 4 den FET 100 mit einer Nitrid-Zugspannungsschicht 120, die sowohl auf den Kanalbereich des Substrats 102 als auch auf die dielektrische Gate-Elektrodenschicht 110 eine monoaxiale Zugspannung ausübt. Zusätzlich zum Erzeugen/Abstimmen ferroelektrischer Eigenschaften in der dielektrischen Gate-Elektrodenschicht 110 gemäß der obigen Erörterung wird die Nitrid-Zugspannungsschicht 120 auch dazu verwendet, die Beweglichkeit der Ladungsträger in NMOS-FET-Einheiten zu verbessern.
    In 5(a) bis 5(d) wird nunmehr eine Reihe von Querschnittsansichten gezeigt, die gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung die Bildung eines MIM-Kondensators mit einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht veranschaulicht. In 5(a) weist ein Substrat 502 eine untere Elektrodenschicht 504, eine dielektrische Kondensatorschicht 506 mit einer ferroelektrisch steuerbaren Schicht und eine obere Elektrodenschicht 508 auf, die nacheinander als Stapel auf dem Substrat gebildet wurden. Bei den FET-Ausführungsformen enthält die ferroelektrisch steuerbare Schicht eine ferroelektrische Schicht oder eine normalerweise nicht ferroelektrische Schicht, die bei Einwirkung einer externen Spannung ferroelektrische Eigenschaften aufweist. Für die untere und die obere Elektrodenschicht 504, 508 kann jedes geeignete leitende Material wie beispielsweise Platin, Iridium, Ruthenium, Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid, Iridiumoxid, Rutheniumoxid, Kupfer, Wolfram oder deren Verbindungen verwendet werden.
  • Ebenso wie bei der FET-Ausführungsform kann die dielektrische Kondensatorschicht 506 des MIM-Kondensators zusätzlich zu der ferroelektrisch steuerbaren Schicht auch eine oder mehrere Pufferschichten und/oder eine oder mehrere zusätzliche dielektrische Schichten enthalten, die zwischen der ferroelektrisch steuerbaren Schicht und der unteren und der oberen Elektrodenschicht 504, 508 angeordnet sind.
  • In 5(b) sind die untere Elektrodenschicht 504, die ferroelektrisch steuerbare Schicht 506 und die obere Elektrodenschicht 508 auf eine gewünschte Form geätzt, und anschließend wurde gemäß 5(c) auf dem entstandenen Kondensatorstapel eine Nitrid-Spannungsschicht 510 gebildet. Die Nitrid-Spannungsschicht 510 kann entweder als Zug- oder als Druckspannungsschicht gestaltet werden, was durch die Pfeile angezeigt wird. Demzufolge werden durch die monoaxiale Spannung ferroelektrische Eigenschaften des MIM-Kondensators erzeugt/abgestimmt. Abschließend wird in 5(d) eine isolierende Schicht (z.B. Siliciumdioxid) 512 oberhalb des unter Spannung stehenden ferroelektrischen MIM-Kondensators gebildet und die Einheit weiterbearbeitet.

Claims (19)

  1. Verfahren zur Steuerung ferroelektrischer Eigenschaften von Komponenten von integrierten Schaltkreiseinheiten, wobei das Verfahren aufweist: Bilden einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) auf einem Substrat (102); und Bilden einer mechanischen Spannung ausübenden Struktur nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht derart, dass durch die mechanische Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine nennenswerte mechanische monoaxiale Spannung erzeugt wird; wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht aufweist: eine ferroelektrische Oxidschicht und/oder eine Schicht aus einem unter Ausübung einer mechanischen Spannung ferroelektrisch werdenden Materials, wobei die mechanische monoaxiale Spannung in einer Richtung parallel zu einer Interface-Ebene zwischen dem Substrat (102) und der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) wirkt, und wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht in eine dielektrische Gate-Elektrodenschicht (110) eines Feldeffekttransistors einbezogen ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht eines oder mehreres aufweist aus: BaTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 (PZT), SrBi2Ta2O9 (SBT), SrTiO3 (STO), Ba1-xSrxTiO3 (BST), PbTiO3, CaMnO3 und BiFeO3.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die mechanische Spannung ausübende Struktur ein anderes Halbleitermaterial als das Substrat aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die mechanische Spannung ausübende Struktur eine Nitridschicht (118, 120, 510) aufweist, die über der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht ausgebildet ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei es sich bei der Nitridschicht um eine Nitrid-Druckspannungsschicht (118) handelt.
  6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei es sich bei der Nitridschicht um eine Nitrid-Zugspannungsschicht (120) handelt.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Substrat um ein Siliciumsubstrat handelt und das Bilden der mechanischen Spannung ausübenden Struktur das Ausbilden eines Source- und eines Drain-Bereichs (112, 116) aus Silicium-Germanium aufweist, um in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine monoaxiale Druckspannung zu erzeugen.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei es sich bei dem Substrat um ein Siliciumsubstrat handelt und das Bilden der mechanischen Spannung ausübenden Struktur ein Ausbilden eines Source- und eines Drain-Bereichs aus kohlenstoffdotiertem Silicium aufweist, um in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine monoaxiale Zugspannung zu erzeugen.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der mechanischen Spannung ausübenden Struktur ein Bilden einer Nitrid-Druckspannungsschicht über dem Feldeffekttransistor aufweist.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der mechanischen Spannung ausübenden Struktur ein Bilden einer Nitrid-Zugspannungsschicht über dem Feldeffekttransistor aufweist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die dielektrische Gate-Elektrodenschicht ferner eine oder mehrere zusätzliche dielektrische Schichten (504, 506, 508) aufweist.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht eine dielektrische Schicht eines Metall-Isolator-Metall-Kondensators aufweist.
  13. Ferroelektrische Feldeffekttransistor-Einheit (100), aufweisend: eine ferroelektrisch steuerbare dielektrische Gate-Elektrodenschicht (110, 506), die zwischen einer Gate-Elektrode und einem Substrat (102) angeordnet ist; und eine mechanische Spannung ausübende Struktur, die nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Gate-Elektrodenschicht gebildet ist, sodass durch die mechanische Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Gate-Elektrodenschicht eine im Wesentlichen mechanische monoaxiale Spannung erzeugt wird; wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Gate-Elektrodenschicht aufweist: eine ferroelektrische Oxidschicht und/oder eine Schicht aus einem unter Ausübung einer mechanischen Spannung ferroelektrisch werdenden Materials, und wobei die mechanische monoaxiale Spannung in einer Richtung parallel zu einer Interface-Ebene zwischen dem Substrat (102) und der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) wirkt.
  14. Einheit nach Anspruch 13, wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Gate-Elektrodenschicht eines oder mehreres umfasst aus: BaTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 (PZT), SrBi2Ta2O9 (SBT), SrTiO3 (STO), Ba1-xSrxTiO3 (BST), PbTiO3, CaMnO3 und BiFeO3.
  15. Einheit nach Anspruch 13, wobei es sich bei dem Substrat um ein Siliciumsubstrat handelt und die mechanische Spannung ausübende Struktur einen Source- und einen Drain-Bereich aus epitaxial abgeschiedenem Silicium-Germanium aufweist, die in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Gate-Elektrodenschicht eine monoaxiale Druckspannung erzeugen.
  16. Einheit nach Anspruch 13, wobei es sich bei dem Substrat um ein Siliciumsubstrat handelt und die mechanische Spannung ausübende Struktur einen Source- und einen Drain-Bereich aus epitaxial abgeschiedenem kohlenstoffdotiertem Silicium umfasst, die in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Gate-Elektrodenschicht eine monoaxiale Zugspannung erzeugen.
  17. Einheit nach Anspruch 13, wobei die mechanische Spannung ausübende Struktur eine über dem Feldeffekttransistor gebildete Nitrid-Zugspannungsschicht (120) aufweist.
  18. Einheit nach Anspruch 13, wobei die dielektrische Gate-Elektrodenschicht ferner eine oder mehrere zusätzliche dielektrische Schichten (504, 506, 508) aufweist.
  19. Einheit nach Anspruch 13, wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht in eine dielektrische Gate-Elektrodenschicht (110) des Feldeffekttransistors einbezogen ist.
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R082 Change of representative

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R018 Grant decision by examination section/examining division
R082 Change of representative

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R081 Change of applicant/patentee

Owner name: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LT, TW

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