JP6109018B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1に係る、IGBTを備えた半導体装置の一例について説明する。図1に示すように、IGBT50では、N型半導体層3の一方の表面から所定の深さにわたり、P型ベース領域4が形成されている。そのP型ベース領域4の表面から、P型ベース領域4よりも浅い深さにわたり、N型エミッタ領域5が選択的に形成されている。そのN型エミッタ領域5の表面からN型エミッタ領域5、P型ベース領域4を貫いて、N型半導体層3のN型の領域(ドリフト層)に達するトレンチ溝7が形成されている。
ここでは、前述したIGBTを備えた半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図7に示すように、N型半導体層3とP型コレクタ領域1を備えた基体が用意される。P型コレクタ領域1は、N型半導体層3において、コレクタ電極が形成される側の表面に形成されている。
実施の形態3に係る、IGBTを備えた半導体装置の他の例について説明する。図15に示すように、IGBT50では、絶縁体としての層間絶縁膜9を直接覆うように、引っ張り応力を有する堆積膜16が形成されている。その堆積膜16を貫通してN型エミッタ領域5の一部を露出するコンタクトホール12が形成されている。そのコンタクトホール12を埋め込むとともに、堆積膜16を覆うように、エミッタ電極22が形成されている。なお、これ以外の構成については図1に示すIGBT50と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
Claims (7)
- 互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主表面から第1深さにわたり形成された第2導電型のベース領域と、
前記ベース領域に選択的に形成され、前記ベース領域の表面から前記第1深さよりも浅い第2深さにわたり形成された第1導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域および前記ベース領域を貫いて、前記半導体基板における第1導電型の領域に達するように形成されたトレンチ溝と、
前記トレンチ溝の側壁面にゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の上面を覆うように形成された絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように形成され、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜を介在させて対向する前記ベース領域の部分に引張り応力を加えて、前記ベース領域の前記部分の電子の移動度を向上させるとともに、前記ゲート電極の直下に位置する前記半導体基板における第1導電型の前記領域の部分に圧縮応力を加えて、前記領域の前記部分の正孔の移動度を向上させる、引っ張り応力を有する堆積膜と
を備えた、半導体装置。 - 前記半導体基板の前記第1主表面側に、前記エミッタ領域に電気的に接続されるエミッタ電極が形成され、
前記堆積膜に前記エミッタ領域に達する開口部が形成され、
前記エミッタ電極は、前記開口部に充填されて前記エミッタ領域に接触する部分を含む、請求項1記載の半導体装置。 - 前記開口部の平面パターンは円形である、請求項2記載の半導体装置。
- 前記堆積膜は、窒化物および酸化物の少なくともいずれかを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は、前記ゲート電極の前記上面が、前記トレンチ溝の開口端を超えないように形成された、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記堆積膜を形成する工程は、化学気相堆積法によって前記堆積膜を形成する工程を備えた、半導体装置の製造方法。 - 前記堆積膜を形成する工程では、前記堆積膜は窒化物および酸化物の少なくともいずれかを含む材料によって形成される、請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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