DE1108185B - Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer SchmelzeInfo
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- 239000000155 melt Substances 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/005—Simultaneous pulling of more than one crystal
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL229533 | 1958-07-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1108185B true DE1108185B (de) | 1961-06-08 |
Family
ID=19751277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN16948A Pending DE1108185B (de) | 1958-07-11 | 1959-07-07 | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3015592A (en, 2012) |
DE (1) | DE1108185B (en, 2012) |
FR (1) | FR1229489A (en, 2012) |
GB (1) | GB915120A (en, 2012) |
NL (2) | NL112257C (en, 2012) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1235265B (de) * | 1961-10-13 | 1967-03-02 | Philips Nv | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US2841559A (en) * | 1955-04-27 | 1958-07-01 | Rca Corp | Method of doping semi-conductive materials |
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-
0
- NL NL229533D patent/NL229533A/xx unknown
- NL NL112257D patent/NL112257C/xx active
-
1959
- 1959-06-11 US US819766A patent/US3015592A/en not_active Expired - Lifetime
- 1959-07-07 DE DEN16948A patent/DE1108185B/de active Pending
- 1959-07-08 GB GB23484/59A patent/GB915120A/en not_active Expired
- 1959-07-09 FR FR799725A patent/FR1229489A/fr not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL112257C (en, 2012) | |
NL229533A (en, 2012) | |
US3015592A (en) | 1962-01-02 |
GB915120A (en) | 1963-01-09 |
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