DE2928089C3 - Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung - Google Patents
Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur HerstellungInfo
- Publication number
- DE2928089C3 DE2928089C3 DE2928089A DE2928089A DE2928089C3 DE 2928089 C3 DE2928089 C3 DE 2928089C3 DE 2928089 A DE2928089 A DE 2928089A DE 2928089 A DE2928089 A DE 2928089A DE 2928089 C3 DE2928089 C3 DE 2928089C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lining
- thickness
- crucible
- grain
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Verbund tiegel für halbleitertechnologische Zwecke aus Siliziumdioxid und
einer festen Auskleidung aus synthetisch hergestelltem Siliziumdioxid.
Verbundtiegel der vorcharakterisierten Art sind aus der DE-PS 9 62 868 bekannt Diese Tiegel werden für
das Ziehen von Einkristallen, insbesondere von Silizium, benutzt. Der Verbundtiegel besteht aus zwei Teilen, die
unverrückbar miteinander verbunden sind. Das Außen· teil des Tiegels besteht aus reinstem Quarz. Es ist mit
einer Auskleidung aus Siliziumdioxid versehen, das durch Rektifikation von Silteiumtetraehlofid und anschließende
Hydrolyse mit reinstem Wasser gewonnen wird. Die bei diesem Prozeß entstehende gelartige
Masse wird auf die Innenseite des Außenteils aufgebracht und dort bei etwa 1200 bis 14000C eingesintert.
Die Auskleidung des so aufgebauten Verbundtiegels ist porös, was die Gefahr in sich birgt, daß das
Halbleitermaterial, aus dem der Einkristall gezogen werden soll, sich in den Poren festsetzt und den
Ziehprozeß erheblich stört. Es können auch einzelne Teile der Auskleidung vom Außenteil abplatzen und die
Schmelze aus Halbleitermaterial verunreinigen bzw, unbrauchbar machen.
Aus der DE-OS 17 71 077 ist ein Verbundrohr für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren bekannt,
das aus einem Quarzglasrohr und einem zusammenhängenden, feinkristallinen Cristobilitüber-
zug besteht Die Dicke des Überzugs beträgt weniger als 1 % der Wandstärke des Quarzglasrohres.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke zu schaffen, der eine
porenfreie, glatte und widerstandsfähige Auskleidung aus hochreinem Werkstoff aufweist die in jeder
gewünschten, für den jeweiligen Verwendungszweck des Verbundtiegels ausreichenden Dicke kostengünstig
herstellbar ist
Gelöst wird diese Aufgabe für einen Verbundtiegel der eingangs charakterisierten Art erfindungsgemäß
dadurch, daß die Auskleidung aus einer Körnung aus synthetischem, kristallinem Quarz durch Erhitzen über
den Schmelzpunkt der Körnung unter Bildung eine amorphen Schicht hergestellt worden ist Die Außenschicht
des Verbundtiegels ist vorzugsweise aus einer Körnung aus natürlichem Quarz hergestellt Es enthält
eine Vielzahl von kleinen Luftbläschen.
Die Dicke der Auskleidung liegt im Bereich von 5 bis 60% der Gesamtwandstärke des Verbundtiegels,
vorzugsweise liegt sie im Bereich von 20 bis 30% der Gesamtwandstärke des Tiegels. Verbundtiegel, bei
denen wenigstens 1/10 der Dicke der Auskleidung in amorphem Zustand vorliegt, haben sich besonders
bewährt
Es hat sich ferner als zweckmäßig erwiesen die Dicke der Auskleidung im Bereich des Tiegeibodens größer
auszubilden als im sich daran anschließenden zylindrischen Bereich.
Verbundtiegel gemäß der Erfindung besitzen den Vorteil, daß sich an der glatten Oberfläche der Auskleidung kein schmelzflüssiges Halbleitermaterial festsetzen kann wie bei den bekannten porösen Auskleidungen. Nur die Auskleidung ist aus synthetischem Quarz hergestellt, nicht jedoch die Außenschicht des Tiegels, für dessen Herstellung Körnung aus natürlichem Quarz verwendet werden kann.
Verbundtiegel gemäß der Erfindung besitzen den Vorteil, daß sich an der glatten Oberfläche der Auskleidung kein schmelzflüssiges Halbleitermaterial festsetzen kann wie bei den bekannten porösen Auskleidungen. Nur die Auskleidung ist aus synthetischem Quarz hergestellt, nicht jedoch die Außenschicht des Tiegels, für dessen Herstellung Körnung aus natürlichem Quarz verwendet werden kann.
Die Auskleidung und die Außenschicht sind an ihrer Grenzfläche homogen miteinander verbunden, wodurch
auch die Gefahr des Abplatzens von Teilen der Auskleidung auf ein vernachlässigbares Maß vermindert
ist. Infolge der relativ großen Dicke der Auskleidung können erfindungsgemäße Verbundtiegel für mehrere
halbleiter*Kristall'Produktionszyklen eingesetzt werden
im Gegensatz zu bekannten nur mit dünnem innenüberzug versehenen Tiegeln.
Die Einzelschritte des Verfahrens zur Herstellung des Verbundtiegels ergeben sich aus dem darauf gerichteten
Patentanspruch sowie der Beschreibung der F i g. 2. Es besitzt den Vorteil, daß in einem einzigen Arbeitsgang
der erfindungsgemäße Tiegel herstellbar ist Dies ist wesentlich kosten* und auch energiegünstiger als
Verfahren, bei denen die Auskleidung auf dem Wege einer Nachbehandlung eines bereits fertiggestellten
Tiegels hergestellt wird, was arbeitsaufwendiger ist.
Anhand der Fig.) und 3 wird nachstehend die Erfindung beschrieben.
Fig. I zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Verbundtiegel,
F i g. 2 zeigt schematisch, teilweise im Vertikalschnitt, die Herstellung eines Verbundtiegels,
Fig.3 zeigt einen Vertikalschnitt durch einen
Verbundtiegel in weiterer Ausgestaltung.
Mit der Bezugsziffer 1 ist die Außenschicht des Tiegels bezeichnet, die aus einer Körnung aus
natürlichem Quarz hergestellt ist Die Außenschicht ist unverrückbar mit der Auskleidung 2 verbunden, die die
amorphe Schicht 3 aufweist Die Schicht 3 besitzt eine Dicke, die mindestens 1/10 der Dicke der Auskleidung
beträgt Die Dicke der Auskleidung ist in F i g. I im Boden- und zylindrischen Teil gleich. Die Außenschicht
kann eine Vielzahl kleiner Luftbläschen enthalten, ohne daß sie sich bei der Verwendung des Verbundtiegels
störend bemerkbar machen können. Dies ist auf die amorphe Schicht 3 zurückzuführen.
Der in F i g. 3 dargestellte Verbundtiegel unterscheidet sich von dem in F i g. 1 dadurch, daß die Dicke des
Bodenteils 2' der Auskleidung größer ist als die Dicke des zylindrischen Teils 2" der Auskleidung 2.
Das Herstellungsverfahren eines erfindungsgemäßen Verbundtiegels wird unter Bezugnahme auf Fig.2
nachstehend erläutert In Form 4, die, wie durch Pfeil 5 angedeutet um die Achse 6 rotiert, wird über das Rohr 7
einer Zugabevorrichtung zunächst Körnung aus natürlichem Quarz eingefüllt und auf der Innenwand 9 der
Form 4 in gleichmäßiger Schichtdicke abgelagert Das Füllrohr 7 wird dabei, wie durch Pfeil IC angedeutet
langsam vom Bodenteil der Form 4 in deren zylindrischen Teil verschoben. Die Rotationsgeschwindigkeit
der Form 4 ist so hoch zu wählen, daß die eingebrachte Körnung nicht zum Boden der Form hin
absinkt, sondern durch die Zentrifugalkraft gegen die Innenfläche der Form gepreßt wird. Wenn die
Ablagerung der Körnung 8 beendet ist wird ohne Unterbrechung der Rotation der Form 4 über das
Füllrohr 7 die Körnung 11 aus synthetischem, kristallinem Quarz in gleicher Weise wie die Körnung 8
eingefüllt und auf der Körnung 8 abgelagert Nach
10
15
20
25 Beendigung dieses Vorgangs wird unter Aufrechterhaltung
der Rotation die Heizquelle 13, wie durch Pfeil 12 angedeutet, in die Form vorgeschoben. Der Innenraum
der Form 4 wird mittels dieser Heizquelle so stark erhitzt daß seine Temperatur über dem Schmelzpunkt
der Körnung H liegt Dadurch werden nicht nur die einzelnen Teilchen der Körnungen 8 und 11 untereinander,
sondern auch beide Körnungen an ihrer Grenzfläche homogen miteinander verbunden, was vermutlich
auf die gleichartige kristalline Struktur beider Körnungen zurückzuführen ist Die der Heizquelle zugekehrte
innerste Schicht der Körnung 11 wird außerdem in den
amorphen Zustand mit sehr glatter, freier Oberfläche überführt, sie bildet die Schicht 3 (F i g. 1).
Durch die Wahl der Zufuhrgeschwindigkeit der
Körnung, beispielsweise durch Änderung der Bewegungsgeschwindigkeit
des Füllrohres 7 in Pfeilrichtung 10, kann die Dicke der Schichten der Körnungen 8 und
11 in beliebiger, gewünschter Weise variiert werden. Dies besitzt den Vorteil, daß auf einfachste Weise u. a.
die Dicke der Auskleidung probler^os den unterschiedlichsten
Anforderungen der halbleiiertechnologischen Verfahren angepaßt werden kann.
Zusammenfassung
Die Erfindung besteht in einem Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke aus Siliziumdioxid.
Der Tiegel besteht aus einer Außenschicht und einer Auskleidung, die unverrückbar miteinander verbunden
sind. Für die Herstellung der Auskleidung wird Körnung aus synthetischem, kristallinem Quarz verwendet Die
freie Oberfläche der Auskleidung ist glatt sie wird von einer amorphen Schicht gebildet Für die Außenschicht
wird Körnung aus natürlichem Quarz verwendet Die Herstellung des Tiegels erfolgt in der Weise, daß in eine
rotierende Form nacheinander die Körnungen eingefüllt und durch Erhitzen miteinander verbunden und die
amorphe Schicht der Auskleidung erzeugt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke aus Siliziumdioxjd und einer festen Auskleidung
aus synthetisch hergestelltem Siliziumdioxid, dadurch gekennzeichnet, daß die Auskleidung
(2) aus einer Körnung (11) aus synthetischem, kristallinem Quarz durch Erhitzen über den
Schmelzpunkt der Körnung (11) unter Bildung einer amorphen Schicht (3) hergestellt worden ist,
2. Tiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Außenschicht (1) aus einer Körnung aus
natürlichem Quarz hergestellt worden ist.
3. Tiegel nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Auskleidung
zwischen 5 und 60% der Gesamtwandstärke des Tiegels beträgt
4. Tiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Auskleidung 20 bis 30% der
Gesamtwandstärke des Tiegels beträgt.
5. Tiegel nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der amorphen
Schicht (3) wenigstens 1/10 der Dicke der Auskleidung (2) beträgt
6. Tiegel nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Bodenteils (2')
der Auskleidung (2) größer ist als die Dicke deren zylindrischen Teils (2").
7. Verfahren zur Herstellung des Tiegels nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet daß in
eine rotierende Form (4) zunächst Körnung aus natürlichem, kristallinem Quarz eingefüllt und als
Schicht (8) auf der innenwand (9) der Form abgelagert, danach Körnung aus synthetischem,
kristallinem Quarz eingefüllt und auf der Schicht (8) als Schicht (11) abgelagert wird, daß dann unter
Aufrechterhaltung der Rotation der Form (4) eine Heizquelle (13) in die Form vorgeschoben und der
Innenraum über die Temperatur des Schmelzpunktes der Körnung (11} erhitzt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß durch Änderung der Zufuhrgeschwin· digkeit der Körnung die Dicke der Auskleidung
und/oder der Außenschicht eingestellt wird
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2928089A DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
GB8020525A GB2057105B (en) | 1979-07-12 | 1980-06-23 | Crucibles and to methods for making them |
FR8015552A FR2461028A1 (fr) | 1979-07-12 | 1980-07-11 | Creuset pour la technologie des semi-conducteurs et procede de production de ce creuset |
JP55094098A JPS5850955B2 (ja) | 1979-07-12 | 1980-07-11 | 半導体技術用るつぼおよびその製法 |
US06/345,515 US4528163A (en) | 1979-07-12 | 1982-02-04 | Crucible for semiconductor manufacturing purposes and a process for manufacturing the crucible |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2928089A DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2928089A1 DE2928089A1 (de) | 1981-01-15 |
DE2928089B2 DE2928089B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2928089C3 true DE2928089C3 (de) | 1982-03-04 |
Family
ID=6075479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2928089A Expired DE2928089C3 (de) | 1979-07-12 | 1979-07-12 | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4528163A (de) |
JP (1) | JPS5850955B2 (de) |
DE (1) | DE2928089C3 (de) |
FR (1) | FR2461028A1 (de) |
GB (1) | GB2057105B (de) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3302745A1 (de) * | 1983-01-27 | 1984-08-02 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus hochreinem synthetischem quarzglas |
JPS59213697A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶半導体引上装置 |
JPS6027676A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | GaAs単結晶製造用石英ガラスボ−ト |
DE3330910A1 (de) * | 1983-08-27 | 1985-03-07 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum herstellen eines reaktionsgefaesses fuer kristallzuchtzwecke |
JPS61237430A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Wakomu:Kk | 半導体蒸気乾燥洗浄用石英容器 |
US4773852A (en) * | 1985-06-11 | 1988-09-27 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Pyrolytic boron nitride crucible and method for producing the same |
US4717444A (en) * | 1985-09-03 | 1988-01-05 | Hughes Aircraft Company | Method for making high-purity, essentially crack-free crystals |
DE3618610A1 (de) * | 1986-06-03 | 1987-12-10 | Concast Standard Ag | Verfahren zur verguetung hochtemperaturbestaendiger formkoerper aus amorphem, gesintertem siliziumdioxyd |
US4911896A (en) * | 1986-07-24 | 1990-03-27 | General Electric Company | Fused quartz member for use in semiconductor manufacture |
FR2616223B1 (fr) * | 1987-06-03 | 1992-04-03 | Quartz & Silice | Procede et dispositif de controle du remplissage d'un moule par une matiere refractaire pulverulente |
FR2619374B1 (fr) * | 1987-08-12 | 1989-12-01 | Quartz & Silice | Procede et dispositif d'extraction d'un objet obtenu par fusion d'une couche pulverulente |
US4935046A (en) * | 1987-12-03 | 1990-06-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor |
JPH068237B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1994-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
JPH0676274B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1994-09-28 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
US4964902A (en) * | 1989-02-10 | 1990-10-23 | Quartz & Silice | Method of extracting spin cast fused silica |
US5015279A (en) * | 1989-02-10 | 1991-05-14 | Quartz & Silice | Apparatus for extracting spin cast fused silica objects |
JP2714860B2 (ja) * | 1989-07-28 | 1998-02-16 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ |
JP2866115B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1999-03-08 | 東芝セラミックス株式会社 | 石英ガラス容器の製造装置 |
DE4030231A1 (de) * | 1989-09-26 | 1991-04-11 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Anorganische komponente fuer die kristallzuechtung und diese verwendende fluessigphasen-epitaxie-apparatur |
JP2933404B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
US5284631A (en) * | 1992-01-03 | 1994-02-08 | Nkk Corporation | Crucible for manufacturing single crystals |
US5306473A (en) * | 1992-01-31 | 1994-04-26 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling a single crystal |
JP2830987B2 (ja) * | 1994-07-19 | 1998-12-02 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 |
JP2811290B2 (ja) * | 1995-04-04 | 1998-10-15 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ |
JP3764776B2 (ja) * | 1996-03-18 | 2006-04-12 | 信越石英株式会社 | 単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
DE19729505A1 (de) * | 1997-07-10 | 1999-01-14 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung von Si0¶2¶-Granulat |
EP0911429A1 (de) * | 1997-09-30 | 1999-04-28 | Heraeus Quarzglas GmbH | Quarzglastiegel zum Herstellen Siliciumeinkristall sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
JP3488383B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2004-01-19 | 信越石英株式会社 | ドライエッチング用石英ガラス部材およびそれを装着したドライエッチング装置 |
US6182237B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies |
DE19917288C2 (de) * | 1999-04-16 | 2001-06-28 | Heraeus Quarzglas | Quarzglas-Tiegel |
US6193926B1 (en) | 1999-09-03 | 2001-02-27 | Heraeus Amersil, Inc. | Process for making molded glass and ceramic articles |
EP1088789A3 (de) * | 1999-09-28 | 2002-03-27 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Poröse Granulate aus Siliciumdioxid, deren Herstellungsverfahren und deren Verwendung bei einem Verfahren zur Herstellung von Quarzglas |
JP4447738B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2010-04-07 | 信越石英株式会社 | 多層構造の石英ガラスルツボの製造方法 |
US6510707B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-01-28 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Methods for making silica crucibles |
JP3983054B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-09-26 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法 |
JP4086283B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-05-14 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
US20050120945A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-09 | General Electric Company | Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof |
CN104947189A (zh) * | 2008-03-31 | 2015-09-30 | 日本超精石英株式会社 | 石英玻璃坩埚及其制造方法 |
JP4986921B2 (ja) | 2008-04-30 | 2012-07-25 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | ルツボリフト装置 |
JP4879220B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-02-22 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
WO2017158656A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法 |
CN105803527B (zh) * | 2016-05-23 | 2018-12-11 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 一种全熔高效多晶硅铸锭的方法 |
JP7157932B2 (ja) * | 2019-01-11 | 2022-10-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボの製造装置および製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1241971A (en) * | 1916-07-08 | 1917-10-02 | Driver Harris Co | Melting-pot or crucible. |
US1888341A (en) * | 1930-11-06 | 1932-11-22 | Gen Electric | Composite silica article |
NL37603C (de) * | 1931-12-26 | |||
GB493033A (en) * | 1938-04-30 | 1938-09-30 | Isaiah Hall | Improvements in or relating to crucibles |
DE962868C (de) * | 1953-04-09 | 1957-04-25 | Standard Elektrik Ag | Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung |
NL103477C (de) * | 1956-11-28 | |||
FR1246889A (fr) * | 1959-10-15 | 1960-11-25 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur |
US3240568A (en) * | 1961-12-20 | 1966-03-15 | Monsanto Co | Process and apparatus for the production of single crystal compounds |
GB1255551A (en) * | 1968-03-30 | 1971-12-01 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Improvements in or relating to externally coated fused silica tube |
FR2126098B1 (de) * | 1971-02-25 | 1973-11-23 | Quartz & Silice | |
US4010064A (en) * | 1975-05-27 | 1977-03-01 | International Business Machines Corporation | Controlling the oxygen content of Czochralski process of silicon crystals by sandblasting silica vessel |
-
1979
- 1979-07-12 DE DE2928089A patent/DE2928089C3/de not_active Expired
-
1980
- 1980-06-23 GB GB8020525A patent/GB2057105B/en not_active Expired
- 1980-07-11 FR FR8015552A patent/FR2461028A1/fr active Granted
- 1980-07-11 JP JP55094098A patent/JPS5850955B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-02-04 US US06/345,515 patent/US4528163A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2461028A1 (fr) | 1981-01-30 |
GB2057105A (en) | 1981-03-25 |
FR2461028B1 (de) | 1985-04-26 |
US4528163A (en) | 1985-07-09 |
DE2928089A1 (de) | 1981-01-15 |
JPS5850955B2 (ja) | 1983-11-14 |
JPS5617996A (en) | 1981-02-20 |
DE2928089B2 (de) | 1981-04-16 |
GB2057105B (en) | 1983-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2928089C3 (de) | Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung | |
DE10231865B4 (de) | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglastiegels | |
DE69112505T2 (de) | Herstellung eines Glastiegels aus Quarz zur Verwendung in der Herstellung von Einkristall-Silizium. | |
DE944209C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
EP3083870A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mehrschicht-schleifpartikeln | |
DE2352787C3 (de) | Verfahren zürn Herstellen von Verstärkungsmaterial enthaltenden Kunststoff-Hohlkörpern durch Rotationsformen | |
DE2919080B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer optischen Faser aus Kern und Mantel | |
DE2515558B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von optischen Linsen | |
DE69609846T2 (de) | Optische Faser aus Chalcogenidglas | |
DE1635469B2 (de) | Verfahren zur herstellung von fadenmatten | |
DE2625010A1 (de) | Verfahren zur herstellung von optischen fasern | |
DE2614631A1 (de) | Verfahren zur herstellung von gradientenfasern | |
DE2020813A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von UEberzuegen auf Glasfasern | |
DE69721957T2 (de) | Tiegel aus pyrolytischem Bornitrid zur Verwendung in der Molekularstrahlepitaxie | |
DE1675206C3 (de) | Rohr und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1923345B2 (de) | Vorrichtung zum herstellen von glasfasern oder faeden voellig homogener chemischer zusammensetzung mit einem glasschmelz ofen einem speiser und einem duesenaggregat | |
DE2527943A1 (de) | Verfahren zur umwandlung von pech in kristalloides pech | |
DE3321201C2 (de) | Tiegel zum Kristallziehen | |
DE4427686A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE2656882C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnwandigen Rohren aus Polytetrafluoräthylen | |
DE1233833B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls, insbesondere Halbleitereinkristalls | |
DE2508651B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines ununterbrochenen kristallinen Bandes | |
DE2433526B2 (de) | Nadel mit Diamantspitze und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
AT524602A1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls | |
DE1136042B (de) | Fuellstoffe und Werkstoffe mit kuenstlichem Perlmuttglanz und Verfahren zum Herstellen der Fuellstoffe |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |