FR2461028A1 - Creuset pour la technologie des semi-conducteurs et procede de production de ce creuset - Google Patents

Creuset pour la technologie des semi-conducteurs et procede de production de ce creuset Download PDF

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Abstract

CREUSET COMPOSITE A BAS DE SIO POUR LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS, ET NOTAMMENT LE TIRAGE DE CRISTAUX DE SILICIUM. LE CREUSET EST CONSTITUE PAR UNE PARTIE EXTERIEURE 1 ET UN REVETEMENT INTERIEUR 2 INSEPARABLES. LE REVETEMENT INTERIEUR EST PRODUIT A PARTIR DE GRAINS DE QUARTZ CRISTALLIN SYNTHETIQUE. SA SURFACE LIBRE LISSE EST CONSTITUEE PAR UNE COUCHE AMORPHE. LA PARTIE EXTERIEURE EST PRODUITE A PARTIR DE GRAINS DE QUARTZ NATUREL. LE CREUSET EST PRODUIT PAR L'INTRODUCTION SUCCESSIVE DES GRAINS DANS UN MOULE ROTATIF, PUIS UN CHAUFFAGE QUI REUNIT LES DEUX COUCHES DE GRAIN ET CREE LA COUCHE AMORPHE 3 DU REVETEMENT INTERIEUR 2.

Description

La présente invention concerne un creuset pour la technologie des
semiconducteurs, destiné notamment à la production de cristaux de sili-
cium et comprenant une partie extérieure en silice et un revêtement
intérieur inséparables, ce dernier étant en silice synthétique.
Le brevet de la République fédérale d'Allemagne nc 962 868 décrit des creusets de ce type. Ces creusets sont utilisés pour le tirage de monocristaux de silicium en particulier. Un creuset est constitué par deux parties inséparables. La partie extérieure du creuset est en quartz ultra-pur. Elle porte un revêtement intérieur en silice, obtenu par rectification de tétrachlorure de silicium, puis hydrolyse avec de l'eau ultra-pure.La masse gélatineuse ainsi obtenue est déposée sur la face intérieure de la partie extérieure, pour frittage
vers 1200 à 1400 OC. Le revêtement intérieur du creuset ainsi cons-
titué est poreux, ce qui présente le risque suivant: le matériau semiconducteur, destiné au tirage du monocristal, se fixe dans les
pores et perturbe considérablement le processus d'étirage. Le déta-
chement d'éclats du revêtement intérieur de la partie extérieure risque en outre de souiller le matériau semiconducteur fondu et de
le rendre inutilisable.
L'invention a pour objet un creuset pour la technologie des semiconducteurs, destiné notamment à la production de cristaux de silicium, présentant un revêtement intérieur d'un matériau très pur,
sans porosité, lisse et résistant, et permettant une production éco-
nomique avec toute épaisseur requise, suffisante pour l'application
considérée du creuset.
Selon une caractéristique essentielle de l'invention, le revête-
ment intérieur est produit à partir de quartz cristallin synthétique et présente au moins une mince couche amorphe à partir de sa surface
lisse libre. La partie extérieure du creuset est produite de préfé-
rence à partir de grains de quartz naturel. Elle contient de nom-
breuses petites bulles d'air.
L'épaisseur du revêtement intérieur est comprise entre 5 et 60 %, et de préférence entre 20 et 30 % de l'épaisseur totale de la paroi du creuset. Des creusets, dans lesquels 1/10 au moins de l'épaisseur
du revêtement intérieur se trouve à l'état amorphe, ont particulière-
ment fait leurs preuves.
Il est en outre apparu utile de réaliser le revêtement intérieur avec une épaisseur plus grande dans la région de la base du creuset
que dans la région cylindrique voisine.
Les creusets selon l'invention présentent l'avantage suivant le matériau semiconducteur fondu ne peut pas se fixer sur la paroi lisse du revêtement intérieur, contrairement au cas du revêtement intérieur poreux connu. Seul le revêtement intérieur est produit en quartz synthétique, la partie extérieure du creuset étant produite
à partir de grains de quartz naturel.
Le revêtement intérieur et la partie extérieure sont reliés de façon homogène sur leur interface, ce qui rend négligeable le risque
d'écaillage du revêtement intérieur. Par suite de l'épaisseur relati-
vement grande du revêtement intérieur, les creusets selon l'invention sont utilisables pour plusieurs cycles de production de cristaux semiconducteurs, contrairement aux creusets connus, qui ne comportent
qu'un mince revêtement intérieur.
L'invention a également pour objet un procédé pour la production du creuset. Ce procédé présente l'avantage de permettre la production du creuset selon l'invention en une seule opération. Il en résulte
une réduction notable des cots et de l'énergie par rapport aux pro-
cédés dans lesquels le revêtement intérieur est produit par un tr&i-
tement ultérieur du creuset déjà fabriqué, d'o une main d'oeuvre
plus importante.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront
mieux compris à l'aide de la description détaillée ci-dessous et des
dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est la coupe verticale d'un creuset; la figure 2 représente schématiquement, avec coupe verticale partielle, la production d'un creuset; et la figure 3 est la coupe verticale d'une autre forme de réalisation
d'un creuset.
La partie extérieure 1 du creuset est produite à partir de grains de quartz naturel. Elle est réunie de façon inséparable au revêtement intérieur 2, qui présente une couche amorphe 3. L'épaisseur minimale
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de cette dernière est égale à 1/10 de l'épaisseur du revêtement intérieur, qui est constante sur le fond et la partie cylindrique du creuset selon figure 1. La partie extérieure peut contenir de nombreuses petites bulles d'air, qui ne sont pas gênantes pendant l'utilisation du creuset par suite de la couche amorphe 3. Le creuset selon figure 3 diffère de celui selon figure 1 par une épaisseur du fond 2' du revêtement intérieur supérieure à celle
de la partie cylindrique 2".
Le procédé de production d'un creuset selon l'invention est décrit ciaprès à l'aide de la figure 2. Dans un moule 4 tournant
autour de l'axe 6, comme l'indique la flèche 5, le tube 7 d'un dis-
positif d'alimentation introduit d'abord des grains de quartz natu-
rel, en le3déposant sur la paroi intérieure 9 du moule 4 sous forme d'une couche d'épaisseur régulière. Le tube de remplissage 7 se déplace lentement du fond du moule 4 sur sa partie cylindrique. Il convient de choisir une vitesse de rotation du moule 4 suffisamment élevée pour que les grains introduits ne tombent pas sur le fond, mais soient appliqués sur la face intérieure du moule par la force
centrifuge. Lorsque le dépôt des grains 8 est terminé, et sans inter-
ruption de la rotation du moule 4, le tube de remplissage 7 dépose de la même façon les grains Il de quartz cristallin synthétique sur les grains 8. Après cette opération et la rotation étant maintenue,
la source de chauffage 13 est introduite dans le moule comme l'indi-
que la flèche 12. L'espace intérieur du moule 4 est ainsi chauffé suffisamment pour que sa température dépasse les points de fusion des grains 11. Il en résulte une liaison homogène non seulement des divers grains 8 et Il mais aussi des deux types de grain sur leur
interface, ce qui est probablement imputable à la structure cristal-
line semblable des deux grains. La couche intérieure des grains 11, en regard de la source de chauffage, passe en outre & l'état amorphe avec une surface libre très lisse; elle constitue la couche 3 de la
figure 1.
Le choix de la vitesse d'introduction des grains, par variation par exemple de la vitesse de déplacement du tube de remplissage 7 dans le sens de la flèche 10, permet de faire varier l'épaisseur des couches de grains 8 et Il d'une façon quelconque souhaitée. Cette
possibilité présente l'avantage de permettre une adaptation extréme-
ment simple de l'épaisseur du revêtement intérieur notamment, aux
exigences les plus diverses des procédés de la technologie des semi-
S conducteurs.
Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement & titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du
cadre de l'invention.

Claims (9)

Revendications
1. Creuset pour la technologie des semiconducteurs, destiné notam-
ment à la production de cristaux de silicium, comprenant une partie extérieure en silice et un revêtement intérieur inséparables, ce dernier étant un silice synthétique, et caractérisé en ce que le revêtement intérieur (2) est produit à partir de grains de quartz synthétique et présente au moins une mince couche amorphe (3) à
partir de sa surface libre lisse.
2. Creuset selon revendication 1, caractérisé en ce que la partie
extérieure (1) est produite à partir de grains de quartz naturel.
3. Creuset selon revendication 2, caractérisé en ce que la partie
extérieure (1) contient de nombreuses petites bulles d'air.
4. Creuset selon revendications 1 à 3, caractérisé en ce que
l'épaisseur du revêtement intérieur est comprise entre 5 et 60 % de
l'épaisseur totale de la paroi du creuset.
5. Creuset selon revendication 4, caractérisé en ce que l'épaisseur du revêtement intérieur est comprise entre 20 et 30 % de l'épaisseur
totale de la paroi du creuset.
6. Creuset selon une quelconque des revendications 1 à 5, caracté-
risé en ce que l'épaisseur minimale de la couche amorphe (3) est
égale à 1/10 de l'épaisseur du revêtement intérieur.
7. Creuset selon une quelconque des revendications 1 à 6, caracté-
risé en ce que l'épaisseur du fond (2') est supérieure à celle de la
partie cylindrique (2") du revêtement intérieur (2).
8. Procédé pour la production d'un creuset selon une quelconque des
revendications 1 à 7, caractérisé en ce que dans un moule (4) rotatif
sont introduits d'abord des grains de quartz cristallin naturel, dépo-
sés en une couche (8) sur la paroi intérieure (9) du moule, puis des grains de quartz cristallin synthétique, déposés en une couche (11) sur la couche (8); et la rotation du moule (4) étant maintenue, un
apport de chaleur réunit les deux couches de grains de façon insépa-
rable et fait passer la couche (11) au moins-partiellement à l'état
amorphe, à partir de sa surface libre.
9. Procédé selon revendication 8, caractérisé en ce que l'épaisseur du revêtement intérieur et/ou de la partie extérieure est ajustée par
variation de la vitesse d'introduction des grains.
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GB (1) GB2057105B (fr)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2551093A1 (fr) * 1983-08-27 1985-03-01 Philips Nv Procede pour la realisation d'un recipient de reaction pour des buts de croissance de cristaux
WO1987007592A1 (fr) * 1986-06-03 1987-12-17 Concast Standard Ag Procede pour le traitement thermique de corps moules resistant aux hautes temperatures et constitues de bioxyde de silicium amorphe fritte
FR2616223A1 (fr) * 1987-06-03 1988-12-09 Quartz & Silice Procede et dispositif de controle du remplissage d'un moule par une matiere refractaire pulverulente
FR2619374A1 (fr) * 1987-08-12 1989-02-17 Quartz & Silice Procede et dispositif d'extraction d'un objet obtenu par fusion d'une couche pulverulente
FR2746092A1 (fr) * 1996-03-18 1997-09-19 Heraeus Quarzglas Procede pour produire un creuset en verre de quartz pour tirer un monocristal de silicium et creuset ainsi obtenu
EP0911429A1 (fr) * 1997-09-30 1999-04-28 Heraeus Quarzglas GmbH Creuset en verre de quartz pour la production du silicium monocristallin et procédé pour sa fabrication
WO2001092609A2 (fr) * 2000-05-31 2001-12-06 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Creuset en quartz a structure de couches multiples et procede de production associe

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3302745A1 (de) * 1983-01-27 1984-08-02 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur herstellung von gegenstaenden aus hochreinem synthetischem quarzglas
JPS59213697A (ja) * 1983-05-20 1984-12-03 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶半導体引上装置
JPS6027676A (ja) * 1983-07-19 1985-02-12 Toshiba Ceramics Co Ltd ＧａＡｓ単結晶製造用石英ガラスボ−ト
JPS61237430A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Wakomu:Kk 半導体蒸気乾燥洗浄用石英容器
US4773852A (en) * 1985-06-11 1988-09-27 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Pyrolytic boron nitride crucible and method for producing the same
US4717444A (en) * 1985-09-03 1988-01-05 Hughes Aircraft Company Method for making high-purity, essentially crack-free crystals
US4911896A (en) * 1986-07-24 1990-03-27 General Electric Company Fused quartz member for use in semiconductor manufacture
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JPH068237B2 (ja) * 1988-04-28 1994-02-02 三菱マテリアル株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JPH0676274B2 (ja) * 1988-11-11 1994-09-28 東芝セラミックス株式会社 シリコン単結晶の製造装置
US5015279A (en) * 1989-02-10 1991-05-14 Quartz & Silice Apparatus for extracting spin cast fused silica objects
US4964902A (en) * 1989-02-10 1990-10-23 Quartz & Silice Method of extracting spin cast fused silica
JP2714860B2 (ja) * 1989-07-28 1998-02-16 東芝セラミックス株式会社 半導体巣結晶引上げ用石英ガラスルツボ
JP2866115B2 (ja) * 1989-09-25 1999-03-08 東芝セラミックス株式会社 石英ガラス容器の製造装置
DE4030231A1 (de) * 1989-09-26 1991-04-11 Mitsubishi Cable Ind Ltd Anorganische komponente fuer die kristallzuechtung und diese verwendende fluessigphasen-epitaxie-apparatur
JP2933404B2 (ja) * 1990-06-25 1999-08-16 信越石英 株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法
US5284631A (en) * 1992-01-03 1994-02-08 Nkk Corporation Crucible for manufacturing single crystals
US5306473A (en) * 1992-01-31 1994-04-26 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Quartz glass crucible for pulling a single crystal
JP2830987B2 (ja) * 1994-07-19 1998-12-02 信越石英株式会社 石英ガラスルツボ及びその製造方法
JP2811290B2 (ja) * 1995-04-04 1998-10-15 信越石英株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ
DE19729505A1 (de) * 1997-07-10 1999-01-14 Heraeus Quarzglas Verfahren zur Herstellung von Si0¶2¶-Granulat
JP3488383B2 (ja) * 1998-05-29 2004-01-19 信越石英株式会社 ドライエッチング用石英ガラス部材およびそれを装着したドライエッチング装置
US6182237B1 (en) 1998-08-31 2001-01-30 International Business Machines Corporation System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies
DE19917288C2 (de) * 1999-04-16 2001-06-28 Heraeus Quarzglas Quarzglas-Tiegel
US6193926B1 (en) 1999-09-03 2001-02-27 Heraeus Amersil, Inc. Process for making molded glass and ceramic articles
EP1088789A3 (fr) * 1999-09-28 2002-03-27 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Granules poreux en silice, leur procédé de fabrication et leur utilisation dans un procédé de fabrication de verre de quartz
US6510707B2 (en) 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
JP3983054B2 (ja) * 2002-01-17 2007-09-26 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼ及びその製造方法
JP4086283B2 (ja) * 2002-07-31 2008-05-14 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法
US20050120945A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-09 General Electric Company Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof
US20110023773A1 (en) * 2008-03-31 2011-02-03 Japan Super Quartz Corporation Vitreous silica crucible and method of manufacturing the same
JP4986921B2 (ja) 2008-04-30 2012-07-25 ジャパンスーパークォーツ株式会社 ルツボリフト装置
JP4879220B2 (ja) * 2008-05-28 2012-02-22 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボとその製造方法
WO2017158656A1 (fr) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社Sumco Creuset en verre de silice et procédé de production d'un creuset en verre de silice
CN105803527B (zh) * 2016-05-23 2018-12-11 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 一种全熔高效多晶硅铸锭的方法
JP7157932B2 (ja) * 2019-01-11 2022-10-21 株式会社Sumco シリカガラスルツボの製造装置および製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1888341A (en) * 1930-11-06 1932-11-22 Gen Electric Composite silica article
US2125912A (en) * 1931-12-26 1938-08-09 Saint Gobain Electrical heating
FR1246889A (fr) * 1959-10-15 1960-11-25 Pechiney Prod Chimiques Sa Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur
FR2126098A1 (fr) * 1971-02-25 1972-10-06 Quartz & Silice

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1241971A (en) * 1916-07-08 1917-10-02 Driver Harris Co Melting-pot or crucible.
GB493033A (en) * 1938-04-30 1938-09-30 Isaiah Hall Improvements in or relating to crucibles
DE962868C (de) * 1953-04-09 1957-04-25 Standard Elektrik Ag Tiegel zum Herstellen reinsten Halbleitermaterials, insbesondere von Silizium und dessen Verwendung
NL103477C (fr) * 1956-11-28
US3240568A (en) * 1961-12-20 1966-03-15 Monsanto Co Process and apparatus for the production of single crystal compounds
GB1255551A (en) * 1968-03-30 1971-12-01 Heraeus Schott Quarzschmelze Improvements in or relating to externally coated fused silica tube
US4010064A (en) * 1975-05-27 1977-03-01 International Business Machines Corporation Controlling the oxygen content of Czochralski process of silicon crystals by sandblasting silica vessel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1888341A (en) * 1930-11-06 1932-11-22 Gen Electric Composite silica article
US2125912A (en) * 1931-12-26 1938-08-09 Saint Gobain Electrical heating
FR1246889A (fr) * 1959-10-15 1960-11-25 Pechiney Prod Chimiques Sa Procédé d'obtention de lingots de silicium très pur
FR2126098A1 (fr) * 1971-02-25 1972-10-06 Quartz & Silice

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2551093A1 (fr) * 1983-08-27 1985-03-01 Philips Nv Procede pour la realisation d'un recipient de reaction pour des buts de croissance de cristaux
WO1987007592A1 (fr) * 1986-06-03 1987-12-17 Concast Standard Ag Procede pour le traitement thermique de corps moules resistant aux hautes temperatures et constitues de bioxyde de silicium amorphe fritte
FR2616223A1 (fr) * 1987-06-03 1988-12-09 Quartz & Silice Procede et dispositif de controle du remplissage d'un moule par une matiere refractaire pulverulente
FR2619374A1 (fr) * 1987-08-12 1989-02-17 Quartz & Silice Procede et dispositif d'extraction d'un objet obtenu par fusion d'une couche pulverulente
FR2746092A1 (fr) * 1996-03-18 1997-09-19 Heraeus Quarzglas Procede pour produire un creuset en verre de quartz pour tirer un monocristal de silicium et creuset ainsi obtenu
EP0911429A1 (fr) * 1997-09-30 1999-04-28 Heraeus Quarzglas GmbH Creuset en verre de quartz pour la production du silicium monocristallin et procédé pour sa fabrication
WO2001092609A2 (fr) * 2000-05-31 2001-12-06 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Creuset en quartz a structure de couches multiples et procede de production associe
WO2001092609A3 (fr) * 2000-05-31 2002-04-04 Heraeus Quarzglas Creuset en quartz a structure de couches multiples et procede de production associe
US6841210B2 (en) 2000-05-31 2005-01-11 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co., Kg Multilayer structured quartz glass crucible and method for producing the same

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