JPS6027676A - ＧａＡｓ単結晶製造用石英ガラスボ−ト - Google Patents

ＧａＡｓ単結晶製造用石英ガラスボ−ト

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Publication number
JPS6027676A
JPS6027676A JP13136783A JP13136783A JPS6027676A JP S6027676 A JPS6027676 A JP S6027676A JP 13136783 A JP13136783 A JP 13136783A JP 13136783 A JP13136783 A JP 13136783A JP S6027676 A JPS6027676 A JP S6027676A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
quartz glass
single crystal
gaas single
boat
synthetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13136783A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Watabe
弘行 渡部
Katsuro Furuichi
古市　克郎
Michio Kuwajima
桑島　道夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP13136783A priority Critical patent/JPS6027676A/ja
Publication of JPS6027676A publication Critical patent/JPS6027676A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＧａＡｌ！　単結晶製造用石英ガラスポートに
関する。
ＱａＡｓ　単結晶の製造方法は水平ブリッジマン法とチ
ョクラルスキー法との２つに大別されるが、水平ブリッ
ジマン法が主流になっている。
この水平ブリッジマン法はＧａＡｓ　種結晶とＧａ及び
ＡＳ　の融液を収容した石英ガラスポートを温度勾配の
ある炉の中で相対的に高温側から低温側へ移動させるこ
とにより、　ＧａＡＳ　種結晶側からＧａＡｓ　単結晶
を成長させるものであるうこの際１石英ガラスポートか
らＧａＡｓ　単結晶へ８ｉが溶は込み、ＧａＡｓ単結晶
中で浅い準位のドナーをつくるため、ＣｒをＳｉ濃度以
上に加え、深い準位のアクセプタを形成させることによ
って半絶縁性にしている。しかし、　Ｃｒ　を多量に加
えるため残留不純物濃度が高（、ＧａＡＳ　基板にイオ
ン注入により活性層を形成するような場合、イオン注入
のドープ量をかなり高くしなければならないというよう
な種々の欠点があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ａａＡ
Ｓ単結晶への８ｉの溶は込みを抑えることにより、　Ｃ
ｒ　の添加量を少なくして純度をあげ、イオン注入用基
板としても優れたＧａＡｓ　単結晶を製造し得るＧａＡ
３　単結晶製造用石英ガラスポートを提供しようとする
ものである。
本発明者らは石英ガラスポートの表面のＨｔＯ濃度を高
くすることにより、ＧａＡｓ　単結晶に溶けこむＳｉ　
の量を極端に抑制することができることを見出し、本発
明をなすに至った。
すなわち、本発明のＧａＡｓ　製造用石英ガラスポート
は、石英ガラスポート本体の少なくとも内面に合成石英
ガラス層を有することを特徴とするものである。
このような合成石英ガラス層は、プラズマ溶射によりコ
ーテイング後、酸水素炎で処理することにより、又はＳ
　Ｉ　Ｃｅ　４を含む酸水素炎を吹き付けてコーディン
グすることにより、そのＨ，０濃度を高くすることがで
きるので、　ＧａＡｓ　単結晶へのＳｉ　の溶けこみを
抑制することができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１゜ 石英ガラスポート本体を受台上に載せ、その内面に１０
０メツシユ以下に粉砕調整１したケイ砂をプラズマ溶射
して合成石英ガラス粉をコーティングした後、酸水素炎
でコーテイング膜を均一化し、更に研磨、フッ酸処理を
行なって石英ガラスポートを得た。
実施例２゜ 石英ガラスポート本体を受台上に載せ、その内面に上方
から８＋Ｃ１，を含む酸水素炎を吹きつけ、生成した合
成石英ガラス粉を均一にコーティングした後、研磨、フ
ッ酸処理を行ない１石英ガラスポートを得た。
従来の石英ガラスポートの表面の含有水分は２００〜３
００　ｐｐｍであったのに対し、上記実施例１及び２の
石英ガラスポートの表面の含有水分は１０００〜１５０
０ｐｐＩｎであった。
そして、従来及び上記実施例１．２の石英ガラスポート
を用い、水平ブリッジマン法によりＧａＡｓ　単結晶を
成長させ、　ＧａＡｓ単結晶中のＳｉの量を測定し、比
較を行なった。この結果、ＧａＡｓ単結晶中の８ｉの量
は従来の石英ガラスポートを用いた場合”×ｉｏ”ｉ子
／ｃＯであったのに対し、上記実施例１，２の石英ガラ
スポートを用いた場合には２　ｘ　１０１？原子／　ｃ
ｃとなった。したがって、上記実施例１，２の石英ガラ
スポートを用いた場合、　ＧａＡｓ　単結晶にドー以上
説明した如く、本発明のＧａＡｓ　単結晶製造用石英ガ
ラスポードによれば、　ＧａＡｓ　単結晶へのＳｉ　の
溶は込みを抑えることによりｃｒ　の添加肴を少なくシ
、イオン注入用基板として優れた高純度のＧａＡｓ　単
結晶を製造できる等顕著な効果を奏するものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１１水平ブリッジマン法によりＧａＡＳ　単結晶を製
    造する際に用いられる石英ガラスポートにおいて、石英
    ガラスポート本体の少なくとも内面に合成石英ガラス層
    を有することを特徴とするＧａＡＳ　単結晶製造用石英
    ガラスポート。 （２）合成石英ガラス粉をプラズマ溶射によりコーティ
    ングした後、酸水素炎により処理することを特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載のＱａＡｓ　単結晶製造用石
    英ガラスポート。 （３）合成石英ガラス粉をｓｔｃｇ、を含む酸水素炎を
    吹きつけることによりコーティングすることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項記載のＧａＡｓ　単結晶製造用
    石英ガラスポート。
JP13136783A 1983-07-19 1983-07-19 ＧａＡｓ単結晶製造用石英ガラスボ−ト Pending JPS6027676A (ja)

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