JPS59207896A - 無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS59207896A JPS59207896A JP8044283A JP8044283A JPS59207896A JP S59207896 A JPS59207896 A JP S59207896A JP 8044283 A JP8044283 A JP 8044283A JP 8044283 A JP8044283 A JP 8044283A JP S59207896 A JPS59207896 A JP S59207896A
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- epitaxial growth
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- substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、凹凸がなく平坦な表面を有する周期律表第ｍ
族及び第Ｖ族元素からなる無機化合物（以下ｒ■−ｖ族
化合物」という。）単結晶薄膜の気相エピタキシャル成
長法に関する。
族及び第Ｖ族元素からなる無機化合物（以下ｒ■−ｖ族
化合物」という。）単結晶薄膜の気相エピタキシャル成
長法に関する。
ＧａＡｓ 、 ＧａＰ 、 ＧａＡｓ１−ｘＰｘ （０
＜ ｘ ＜ ／ ） 。
＜ ｘ ＜ ／ ） 。
Ｇａ１−ｙＡｔｙＡｓ （０＜ ｙ ＜ ／ ）等の■
−Ｖ族化合物は可視、赤外領域の発光ダイオードその他
の半導体素子の製造に広く用いられている。特に、Ｇａ
Ａｓ１−ｘＰｘば、混晶率Ｘを変化させることにより赤
〜緑のいわゆる中間色の発光ダイオードを製造すること
ができるので広く用いられているか、かかる混晶の単結
晶薄膜、いわゆるエピタキシャル膜は、混晶率の変化が
液相エピタキシャル成長方法（ＬＰＥ法）よしも容易で
ある気相−エピタキシャル成長方法（ＶＰＥ法）により
製造される場合が多い。
−Ｖ族化合物は可視、赤外領域の発光ダイオードその他
の半導体素子の製造に広く用いられている。特に、Ｇａ
Ａｓ１−ｘＰｘば、混晶率Ｘを変化させることにより赤
〜緑のいわゆる中間色の発光ダイオードを製造すること
ができるので広く用いられているか、かかる混晶の単結
晶薄膜、いわゆるエピタキシャル膜は、混晶率の変化が
液相エピタキシャル成長方法（ＬＰＥ法）よしも容易で
ある気相−エピタキシャル成長方法（ＶＰＥ法）により
製造される場合が多い。
気相エピタキシャル成長方法によシ製造された■−■族
化合物単結晶薄膜の表面にはピラミッド（ｐｙｒａｍｉ
ｄ ） ＋ヒルロック（ｈｉｌｌ ｒｏｃｋ ）等と称
される異常成長に基づく突起が生じ、あるいは、表面に
微細な凹凸が発生して表面が荒れる、いわゆるラフ（ｒ
ｏｕｇｈ ）状態となるという問題があった。
化合物単結晶薄膜の表面にはピラミッド（ｐｙｒａｍｉ
ｄ ） ＋ヒルロック（ｈｉｌｌ ｒｏｃｋ ）等と称
される異常成長に基づく突起が生じ、あるいは、表面に
微細な凹凸が発生して表面が荒れる、いわゆるラフ（ｒ
ｏｕｇｈ ）状態となるという問題があった。
上述のような表面状態の不良な■−■族化合物単結晶ｅ
−−薄膜を用いて発光ダイオードその他の半導体素子を
製造すると、製品の歩留り（良品率）が低下するので、
かかる問題点の解決を図ることが必要とされていた。
−−薄膜を用いて発光ダイオードその他の半導体素子を
製造すると、製品の歩留り（良品率）が低下するので、
かかる問題点の解決を図ることが必要とされていた。
本発明者は、かかる問題点を解決して、表面状態の良好
１ｎｘ−ｖ族化合物単結晶薄膜を製造する方法を開発す
ることを目的として鋭意研究を重ねた結果、上述の問題
点が昇温工程において単結晶基板から第Ｖ族元素が揮散
することに起因することを見出して本発明に到達したも
のであって、上記の目的は、単結晶基板表面上に■−■
族化合物単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させる方
法において、単結晶基板として■−Ｖ族化合物単結晶基
板を用い、上記単結晶基板に用いられる無機化合物を構
成する第Ｖ族元素単体または化合物からなる蒸気を少な
くとも０．０ ／ ！ｉモル％含有するガスを上記単結
晶基板の温度が汐００℃を超え４ない時点から供給しつ
つ上記単結晶基板の温度を気相エビクキシャル成長を実
施する温度まで昇温させる方法により達せられる。
１ｎｘ−ｖ族化合物単結晶薄膜を製造する方法を開発す
ることを目的として鋭意研究を重ねた結果、上述の問題
点が昇温工程において単結晶基板から第Ｖ族元素が揮散
することに起因することを見出して本発明に到達したも
のであって、上記の目的は、単結晶基板表面上に■−■
族化合物単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させる方
法において、単結晶基板として■−Ｖ族化合物単結晶基
板を用い、上記単結晶基板に用いられる無機化合物を構
成する第Ｖ族元素単体または化合物からなる蒸気を少な
くとも０．０ ／ ！ｉモル％含有するガスを上記単結
晶基板の温度が汐００℃を超え４ない時点から供給しつ
つ上記単結晶基板の温度を気相エビクキシャル成長を実
施する温度まで昇温させる方法により達せられる。
単結晶薄膜の製造に用いられるｌｆｌ −Ｖ族化合物と
してはＧａＡｓ 、ＧａＰ、ＧａＡｓ１−ｘＰｘ （０
＜ｘ＜ ／ ） 。
してはＧａＡｓ 、ＧａＰ、ＧａＡｓ１−ｘＰｘ （０
＜ｘ＜ ／ ） 。
Ｇａ！−ｙ−Ａ４ｙＡｓ （０＜ｙ＜／ ）、■ｎＰ、
工ｎＡｓ、工ｎＡｓ１−ｘＰｘ（Ｏ＜ｘ＜／）、■ｎ１
９ｂ等が挙げられる。
工ｎＡｓ、工ｎＡｓ１−ｘＰｘ（Ｏ＜ｘ＜／）、■ｎ１
９ｂ等が挙げられる。
単結晶基板に用いられる■−■族化合物としては、単結
晶簿膜の製造に用いられる■−■族化合物と同一である
かまたは格子定数の差が小さい■−■族化合物を用いる
と転位の発生がおさえられるのでよシ好ましい。例えば
ＧａＡｓ１−ｘＰｘ単結晶薄膜を気相エピタキシャル成
長させる場合には、／≧Ｘ≧Ｏ５の領域で通常ＧａＰ基
板が用いられる。寸だ、０≦Ｘ≦Ｏ，Ｓの範囲内では、
ｒＪ ａ ＡＳ基板が好ましく、さらに、Ｇａ １−
ｙＡＡｙＡ ｓ（０≦Ａｔ≦／）の場合もＧａＡｓ基板
を用いることが好ましい。
晶簿膜の製造に用いられる■−■族化合物と同一である
かまたは格子定数の差が小さい■−■族化合物を用いる
と転位の発生がおさえられるのでよシ好ましい。例えば
ＧａＡｓ１−ｘＰｘ単結晶薄膜を気相エピタキシャル成
長させる場合には、／≧Ｘ≧Ｏ５の領域で通常ＧａＰ基
板が用いられる。寸だ、０≦Ｘ≦Ｏ，Ｓの範囲内では、
ｒＪ ａ ＡＳ基板が好ましく、さらに、Ｇａ １−
ｙＡＡｙＡ ｓ（０≦Ａｔ≦／）の場合もＧａＡｓ基板
を用いることが好ましい。
単結晶基板の表面としては、（／θ０）面に対してａ〜
１０°′程度傾いた面が好ましい。
１０°′程度傾いた面が好ましい。
気相エビクキンヤル成長に用いられるガス組成は特に制
限はないが、ＡｓＨ３−（）ａ、−ＨＯ２−Ｈ２系。
限はないが、ＡｓＨ３−（）ａ、−ＨＯ２−Ｈ２系。
ＰＨ３−Ｇａ −ＨＣｔ −Ｈ２系、 ＡｓＨ３−ＰＨ
３−Ｇａ−ＨＣｔｔ−Ｈ２系。
３−Ｇａ−ＨＣｔｔ−Ｈ２系。
ＡｓＨ３（ＰＨ３） −Ｇａ（ＯＨ３）３− Ｈ２系、
ＡＢｃ１３− Ｇａ −Ｈ２系等が、 ＧａＡ３．Ｇ
ａＰ、ＧａＡＳｌ−ｘＰｘ等の成長に用いられる。その
他必要に応じて、Ｈ２Ｓ 、 Ｈ２Ｔｅ、Ｈ２Ｓｅ。
ＡＢｃ１３− Ｇａ −Ｈ２系等が、 ＧａＡ３．Ｇ
ａＰ、ＧａＡＳｌ−ｘＰｘ等の成長に用いられる。その
他必要に応じて、Ｈ２Ｓ 、 Ｈ２Ｔｅ、Ｈ２Ｓｅ。
ＮＨ３等が不純物のドーピングに用いられる。
単結晶基板の昇温工程、で用いられる第Ｖ族元素成分と
しては元素単体の蒸気（ＡＳ４．Ｐ４等）でもよいが、
揮発性の高い化合物、例えばＡｓＨ３。
しては元素単体の蒸気（ＡＳ４．Ｐ４等）でもよいが、
揮発性の高い化合物、例えばＡｓＨ３。
ＰＨ３等の水素化物、ＡＳＣｔ３ 、 ＰＯｔ３等のノ
ｈロゲン化物等がより流量の制御が容易であるので好ま
しい。かかる第Ｖ族元素成分の供給は、基板の温度が５
００℃を超えない時点で開始しないと本発明の効果が発
揮されない。また、単結晶基板の温度は川−Ｖ族化合物
単結晶薄膜を成長させる温度である７００〜１０００℃
の範囲の温度まで昇温さぜる。供給する第Ｖ族元素成分
は上記単結晶基板を構成する第Ｖ族元素と同一の第Ｖ族
元素単体またはその化合物の蒸気を少なくとも０．０
／ ３モル係含有するようにキャリアガス、通常は水素
ガス、アルゴン等に加えて供給しながら昇温する。
ｈロゲン化物等がより流量の制御が容易であるので好ま
しい。かかる第Ｖ族元素成分の供給は、基板の温度が５
００℃を超えない時点で開始しないと本発明の効果が発
揮されない。また、単結晶基板の温度は川−Ｖ族化合物
単結晶薄膜を成長させる温度である７００〜１０００℃
の範囲の温度まで昇温さぜる。供給する第Ｖ族元素成分
は上記単結晶基板を構成する第Ｖ族元素と同一の第Ｖ族
元素単体またはその化合物の蒸気を少なくとも０．０
／ ３モル係含有するようにキャリアガス、通常は水素
ガス、アルゴン等に加えて供給しながら昇温する。
素の揮散に伴なう基板表面の荒れを防止する効果が々い
。また、第Ｖ族元素成分の濃度が０．０ ／ ５モル係
未満であっても本発明の効果は発揮されない。
。また、第Ｖ族元素成分の濃度が０．０ ／ ５モル係
未満であっても本発明の効果は発揮されない。
第Ｖ族元素成分の濃度について特に上限はないが、経済
性、廃ガスの後処理の問題等から７０モル係以下が好ま
しい。
性、廃ガスの後処理の問題等から７０モル係以下が好ま
しい。
その他の気相エピタキシャル成長に関する条件は通常の
条件による。
条件による。
本発明方法によって成長さぜた■−■化合物単結晶薄膜
と単結晶基板の界面を、断面をスティンエッチした後顕
微鏡観察により検査したが２、単結晶基板の表面荒れが
観察されなかった。
と単結晶基板の界面を、断面をスティンエッチした後顕
微鏡観察により検査したが２、単結晶基板の表面荒れが
観察されなかった。
また、本発明方法によって得られた単結晶薄膜の表面は
極めて平滑であり鏡面を呈していた。
極めて平滑であり鏡面を呈していた。
続いて、実施例及び比較例に基づいて本発明をさらに具
体的に説明する。
体的に説明する。
実施例／
本発明に従い黄色（尖頭発光波長約ｓｇｇｏ′Ａ±λθ
Ａ）発光ダイオードの製造に用いるＧａＡ３’ａ１ｓＰ
ｏ、Ｂ５ 単結晶薄膜をＧａＰ単結晶基板に以下の如く
して気相エピタキシャル成長させた。
Ａ）発光ダイオードの製造に用いるＧａＡ３’ａ１ｓＰ
ｏ、Ｂ５ 単結晶薄膜をＧａＰ単結晶基板に以下の如く
して気相エピタキシャル成長させた。
まず、ｎ型不純物として硫黄（Ｓ）が、？、４ Ｘ ／
Ｏ１７原子個／ ａｄ添加され、結晶学的面方位が（
１０ｏ）方向に約夕°偏付した面を有する（）ａＰ単結
晶；！Ｉ！ｌ：板を用意した。
Ｏ１７原子個／ ａｄ添加され、結晶学的面方位が（
１０ｏ）方向に約夕°偏付した面を有する（）ａＰ単結
晶；！Ｉ！ｌ：板を用意した。
ＧａＰ単結晶基板は、初め約３６０μの厚さであったが
有機溶媒による脱脂工程に引き続いた機椋−化学的研磨
（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ −ｃｈｅｍｉｃａｌ。
有機溶媒による脱脂工程に引き続いた機椋−化学的研磨
（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ −ｃｈｅｍｉｃａｌ。
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理により、３００ μの厚さと
なった。
なった。
次に、内径７０ｔｔｒｍ、長さ１００−の水平型石英エ
ピタキシャル・リアクター内の所定の場所に、それぞれ
前記研磨済み（）ａＰ単結晶基板並びに高純度Ｇａ入入
面石英ボートセットした。エピタキシャル・リアクター
内にアルゴン（Ａｒ）を導入し空気を充分置換除去し、
次に、キャリヤーガスとして超高純度水素ガス（Ｂ２）
毎分３０００鄭と濃度７０％にＢ２で希釈した燐化水素
（ＰＨ３）毎分７ＣＣを尋人し、Ａｒの流れを止め昇温
工程に入った。前記Ｇａ入り石英ポートセット領域並び
にＧａＰ単結晶基板セット領域の温度がそれぞれｇ３０
℃並びに基板の上方でｑｏｏ℃に下方でｇｇｏ℃に保持
されていることを確認後、黄色発光ダイオード゛用Ｇａ
Ａｓｏ、、５”０．８５単結晶膜の気相成長を行った。
ピタキシャル・リアクター内の所定の場所に、それぞれ
前記研磨済み（）ａＰ単結晶基板並びに高純度Ｇａ入入
面石英ボートセットした。エピタキシャル・リアクター
内にアルゴン（Ａｒ）を導入し空気を充分置換除去し、
次に、キャリヤーガスとして超高純度水素ガス（Ｂ２）
毎分３０００鄭と濃度７０％にＢ２で希釈した燐化水素
（ＰＨ３）毎分７ＣＣを尋人し、Ａｒの流れを止め昇温
工程に入った。前記Ｇａ入り石英ポートセット領域並び
にＧａＰ単結晶基板セット領域の温度がそれぞれｇ３０
℃並びに基板の上方でｑｏｏ℃に下方でｇｇｏ℃に保持
されていることを確認後、黄色発光ダイオード゛用Ｇａ
Ａｓｏ、、５”０．８５単結晶膜の気相成長を行った。
エピタキシャル成長後半結晶基板を取り出し単結晶膜の
表面を観察したところ光沢を有する美しい表面に仕上っ
ていた○ 実施例ユ 下記の点以外は実施例／と同様にしてＧａＡｓ８．１５
１）。８．単結晶膜を気相成長させた。ＧａＰ単結晶基
板をセットしアルゴンパージ後高純度水素を３０００Ｃ
Ｌ１分で導入し昇温工程に入った０Ｃ）ａＰ基板の上部
の温度がＳＯＯ℃になった時点で濃度７０優に水素で希
釈した。燐化水素（ＰＨ３）を毎分Ω乙１ＩＣＣで導入
し、各温度設定が規定内に入ったのを確認した後にエピ
タキシャル成長を行った。
表面を観察したところ光沢を有する美しい表面に仕上っ
ていた○ 実施例ユ 下記の点以外は実施例／と同様にしてＧａＡｓ８．１５
１）。８．単結晶膜を気相成長させた。ＧａＰ単結晶基
板をセットしアルゴンパージ後高純度水素を３０００Ｃ
Ｌ１分で導入し昇温工程に入った０Ｃ）ａＰ基板の上部
の温度がＳＯＯ℃になった時点で濃度７０優に水素で希
釈した。燐化水素（ＰＨ３）を毎分Ω乙１ＩＣＣで導入
し、各温度設定が規定内に入ったのを確認した後にエピ
タキシャル成長を行った。
気相成長後、得られた単結晶膜の表面を観察しだところ
表面荒れが殆ど観察されなかった。
表面荒れが殆ど観察されなかった。
比較例
実施例／で用いた装置と同一装置を使用し黄色発光ダイ
オード用ＧａＡｓ。、１５ＰＯ，８５単結晶膜をＧａＰ
単結晶基板上に形成した。 − 即ち、硫黄が３’、３ Ｘ ／ ０’°原子個／ ａｒ
ｌドープされ（１０Ｏ）面より＜／１０＞方向に約Ｓ°
偏位した、ｎ型ＧａＰ単結晶基板をセットし、エピタキ
シャル・リアクター内にアルゴン（Ａｒ）を導入し、空
気を充分置換除去し次にキャリアガスとしての超高純度
水素ガス（Ｂ２）を毎分３０００ｃＩ１．導入しＡｒの
流れを止めて昇温工程に入った０ＧａＰ基板の上部の温
度が７００℃になった時点で濃度１０係に水素で希釈し
た燐化水素（ＰＨ３）を毎分ｕＡ’＋ωで導入した。
オード用ＧａＡｓ。、１５ＰＯ，８５単結晶膜をＧａＰ
単結晶基板上に形成した。 − 即ち、硫黄が３’、３ Ｘ ／ ０’°原子個／ ａｒ
ｌドープされ（１０Ｏ）面より＜／１０＞方向に約Ｓ°
偏位した、ｎ型ＧａＰ単結晶基板をセットし、エピタキ
シャル・リアクター内にアルゴン（Ａｒ）を導入し、空
気を充分置換除去し次にキャリアガスとしての超高純度
水素ガス（Ｂ２）を毎分３０００ｃＩ１．導入しＡｒの
流れを止めて昇温工程に入った０ＧａＰ基板の上部の温
度が７００℃になった時点で濃度１０係に水素で希釈し
た燐化水素（ＰＨ３）を毎分ｕＡ’＋ωで導入した。
次に前記Ｇａ入り石英ボートセント領域並びにＧａＰ単
結晶基板セット領域の温度がそれぞれｇ（１０℃並びに
基板の上方で９００℃、下方でｇｇｏ℃に保持されてい
る事を確認後黄色発光ダイオード用ＧａＡＳＯ，１５Ｐ
Ｏ，８５単結晶膜の気相成長を行った。
結晶基板セット領域の温度がそれぞれｇ（１０℃並びに
基板の上方で９００℃、下方でｇｇｏ℃に保持されてい
る事を確認後黄色発光ダイオード用ＧａＡＳＯ，１５Ｐ
Ｏ，８５単結晶膜の気相成長を行った。
気相成長後、単結晶基板を取り出し単結晶膜の表面を観
察したところ、該表面の１以上に表面荒れが生じていた
。
察したところ、該表面の１以上に表面荒れが生じていた
。
Claims (3)
- （１）単結晶基板表面上に周期律表第用族元素及び第Ｖ
族元素からなる無機化合物単結晶薄膜を気相エピタキシ
ャル成長させる方法において、単結晶基板として周期律
表第■族元素及び第Ｖ族元素からなる無機化合物単結晶
基板を用い、上記単結晶基板に用いられる無機化合物を
構成する第Ｖ族元素単体または化合物からなる蒸気を少
なくとも０．０ ／ ｊ−モル飴含有するガスを、上記
単結晶基板の温度がＳＯＯ℃を超えない時点ｔ・ら供給
しつつ上記単結晶基板の温度を気相エピタキシャル成長
を実施する温度まで昇温することを特徴とする方法。 - （２）単結晶基板がＧａＰでありかつ、単結晶薄膜がＧ
ａＡｓ１−ｘＰｘ、 （０，３≦Ｘ≦７）である特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - （３）単結晶基板がＧａＡｓであり、がっ、単結晶薄膜
が ＧａＡｓ１−ｘＰｘ、 （０≦Ｘ≦ｏ、ｓ ）ま
たは Ｇａ１−ｙＡｔｙＡｓ、 （０≦ｙく／）である
特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044283A JPS59207896A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8044283A JPS59207896A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207896A true JPS59207896A (ja) | 1984-11-26 |
Family
ID=13718370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8044283A Pending JPS59207896A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 無機化合物単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207896A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621222A (ja) * | 1985-04-10 | 1987-01-07 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 分子線エピタキシヤル成長法による実質的に滑らかな表面を有する単結晶エピタキシヤル層の成長方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558519A (en) * | 1978-10-24 | 1980-05-01 | Nec Corp | Vapor phase growth of 3-v group compound semiconductor |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP8044283A patent/JPS59207896A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558519A (en) * | 1978-10-24 | 1980-05-01 | Nec Corp | Vapor phase growth of 3-v group compound semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621222A (ja) * | 1985-04-10 | 1987-01-07 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 分子線エピタキシヤル成長法による実質的に滑らかな表面を有する単結晶エピタキシヤル層の成長方法 |
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