DE1090330B - Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen

Info

Publication number
DE1090330B
DE1090330B DES61697A DES0061697A DE1090330B DE 1090330 B DE1090330 B DE 1090330B DE S61697 A DES61697 A DE S61697A DE S0061697 A DES0061697 A DE S0061697A DE 1090330 B DE1090330 B DE 1090330B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zones
semiconductor
junction
type
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES61697A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
William Shockley
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shockley Transistor Corp
Original Assignee
Shockley Transistor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shockley Transistor Corp filed Critical Shockley Transistor Corp
Publication of DE1090330B publication Critical patent/DE1090330B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DES61697A 1958-03-19 1959-02-09 Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen Pending DE1090330B (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1229784XA 1958-03-19 1958-03-19
GB2982/59A GB899919A (en) 1958-03-19 1959-01-27 Improvements in semi-conductive devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1090330B true DE1090330B (de) 1960-10-06

Family

ID=9749687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES61697A Pending DE1090330B (de) 1958-03-19 1959-02-09 Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE1090330B (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1229784A (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB899919A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL237230A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185729B (de) * 1961-03-01 1965-01-21 Siemens Ag Esaki-Diode mit Oberflaechenschutz des pn-UEbergangs
DE1197986B (de) * 1961-03-10 1965-08-05 Comp Generale Electricite Halbleiterbauelement mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps im Halbleiterkoerper
DE1207502B (de) * 1961-05-18 1965-12-23 Int Standard Electric Corp Flaechenhaftes Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen
DE1208408B (de) * 1961-06-05 1966-01-05 Gen Electric Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
DE1295088B (de) * 1961-04-27 1969-05-14 Nat Res Dev Halbleiterdiode
DE1300164B (de) * 1967-01-26 1969-07-31 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen von Zenerdioden

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2770761A (en) * 1954-12-16 1956-11-13 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translators containing enclosed active junctions
DE1000115B (de) * 1954-03-03 1957-01-03 Standard Elektrik Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang
US2792540A (en) * 1955-08-04 1957-05-14 Bell Telephone Labor Inc Junction transistor
US2813048A (en) * 1954-06-24 1957-11-12 Bell Telephone Labor Inc Temperature gradient zone-melting

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1000115B (de) * 1954-03-03 1957-01-03 Standard Elektrik Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang
US2813048A (en) * 1954-06-24 1957-11-12 Bell Telephone Labor Inc Temperature gradient zone-melting
US2770761A (en) * 1954-12-16 1956-11-13 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor translators containing enclosed active junctions
US2792540A (en) * 1955-08-04 1957-05-14 Bell Telephone Labor Inc Junction transistor

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1185729B (de) * 1961-03-01 1965-01-21 Siemens Ag Esaki-Diode mit Oberflaechenschutz des pn-UEbergangs
DE1197986B (de) * 1961-03-10 1965-08-05 Comp Generale Electricite Halbleiterbauelement mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps im Halbleiterkoerper
DE1295088B (de) * 1961-04-27 1969-05-14 Nat Res Dev Halbleiterdiode
DE1207502B (de) * 1961-05-18 1965-12-23 Int Standard Electric Corp Flaechenhaftes Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen
DE1208408B (de) * 1961-06-05 1966-01-05 Gen Electric Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps
DE1300164B (de) * 1967-01-26 1969-07-31 Itt Ind Gmbh Deutsche Verfahren zum Herstellen von Zenerdioden

Also Published As

Publication number Publication date
FR1229784A (fr) 1960-09-09
GB899919A (en) 1962-06-27
NL237230A (enrdf_load_stackoverflow)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE1295093B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens zwei Zonen entgegengesetzten Leitungstyps
DE1076275B (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem flaechenhaften pn-UEbergang
DE2517690B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2419019C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Sperrschichtfeldeffekttransistors
DE2633569C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE2109352C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines lateralen bipolaren Halbleiter-Bauelements
DE1544228C3 (de) Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial
DE1964979B2 (de) Halbleiterbauelement mit wenigstens einem lateralen transistor und verfahren zu seiner herstellung
DE1903870A1 (de) Verfahren zum Herstellen monolithischer Halbleiteranordnungen
DE2320563B2 (de) Vierschichttriode
DE1090330B (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen
DE2247911C2 (de) Monolithisch integrierte Schaltungsanordnung
DE1764829B1 (de) Planartransistor mit einem scheibenfoermigen halbleiter koerper
DE2527076B2 (de) Integriertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1464286C3 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, in dem mindestens ein Flachentransistoraufbau vorge sehen ist
DE1514656A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern
DE2811207A1 (de) Temperaturgradient-zonenschmelzverfahren durch eine oxidschicht
DE2005940C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1764552C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einer Zenerdiode
DE1035780B (de) Transistor mit eigenleitender Zone
DE2216642C3 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1931201C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode
DE2131993C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines niederohmigen Anschlusses
DE1285625B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements