DE1090330B - Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden Zonen - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkoerper mit zwei Zonen entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps und je einer Elektrode an den beiden ZonenInfo
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1185729B (de) * | 1961-03-01 | 1965-01-21 | Siemens Ag | Esaki-Diode mit Oberflaechenschutz des pn-UEbergangs |
DE1197986B (de) * | 1961-03-10 | 1965-08-05 | Comp Generale Electricite | Halbleiterbauelement mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps im Halbleiterkoerper |
DE1207502B (de) * | 1961-05-18 | 1965-12-23 | Int Standard Electric Corp | Flaechenhaftes Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen |
DE1208408B (de) * | 1961-06-05 | 1966-01-05 | Gen Electric | Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps |
DE1295088B (de) * | 1961-04-27 | 1969-05-14 | Nat Res Dev | Halbleiterdiode |
DE1300164B (de) * | 1967-01-26 | 1969-07-31 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Herstellen von Zenerdioden |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2770761A (en) * | 1954-12-16 | 1956-11-13 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translators containing enclosed active junctions |
DE1000115B (de) * | 1954-03-03 | 1957-01-03 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang |
US2792540A (en) * | 1955-08-04 | 1957-05-14 | Bell Telephone Labor Inc | Junction transistor |
US2813048A (en) * | 1954-06-24 | 1957-11-12 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature gradient zone-melting |
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- 1959-02-09 DE DES61697A patent/DE1090330B/de active Pending
- 1959-02-26 FR FR787834A patent/FR1229784A/fr not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1000115B (de) * | 1954-03-03 | 1957-01-03 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichtkristallen mit PN-UEbergang |
US2813048A (en) * | 1954-06-24 | 1957-11-12 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature gradient zone-melting |
US2770761A (en) * | 1954-12-16 | 1956-11-13 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translators containing enclosed active junctions |
US2792540A (en) * | 1955-08-04 | 1957-05-14 | Bell Telephone Labor Inc | Junction transistor |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1185729B (de) * | 1961-03-01 | 1965-01-21 | Siemens Ag | Esaki-Diode mit Oberflaechenschutz des pn-UEbergangs |
DE1197986B (de) * | 1961-03-10 | 1965-08-05 | Comp Generale Electricite | Halbleiterbauelement mit mindestens vier Zonen abwechselnden Leitungstyps im Halbleiterkoerper |
DE1295088B (de) * | 1961-04-27 | 1969-05-14 | Nat Res Dev | Halbleiterdiode |
DE1207502B (de) * | 1961-05-18 | 1965-12-23 | Int Standard Electric Corp | Flaechenhaftes Halbleiterbauelement mit mindestens einem sperrenden pn-UEbergang und Verfahren zum Herstellen |
DE1208408B (de) * | 1961-06-05 | 1966-01-05 | Gen Electric | Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement mit vier Schichten abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps |
DE1300164B (de) * | 1967-01-26 | 1969-07-31 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Herstellen von Zenerdioden |
Also Published As
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