DE1089074B - Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels EinlegierenInfo
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- 238000005275 alloying Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N [Sb].[Au] Chemical compound [Sb].[Au] KAPYVWKEUSXLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B30—PRESSES
- B30B—PRESSES IN GENERAL
- B30B11/00—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses
- B30B11/34—Presses specially adapted for forming shaped articles from material in particulate or plastic state, e.g. briquetting presses, tabletting presses for coating articles, e.g. tablets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/02—Alloys based on gold
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49204—Contact or terminal manufacturing
- Y10T29/49208—Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts
- Y10T29/4921—Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts with bonding
- Y10T29/49211—Contact or terminal manufacturing by assembling plural parts with bonding of fused material
- Y10T29/49213—Metal
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12889—Au-base component
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
- Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren Gegenstand eines früheren Vorschlages ist ein Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium mittels Einlegieren eines Metalls oder einer Metallegierung, das dadurch gekennzeichnet ist, daß der flüssigen Siliziumlegierung festes Bor zugesetzt wird. Zweckmäßigerweise wird das Bor in amorpher Form in eine Goldfolie eingewalzt und diese unter Anwendung von mechanischem Druck in die eine Flachseite einer Siliziumscheibe einlegiert. Das Bor kann auch in Form einer Verbindung, z. B. Borsäure, zugegeben werden oder als loses Pulver auf die Goldfolie vor Beginn des Legierungsvorganges aufgestreut werden.
- Durch die Verwendung von Bor zur p-Dotierung von Silizium wird eine höhere Dotierungskonzentration als bei Verwendung von Aluminium erreicht, weil Bor eine höhere Löslichkeit im wiedererstarrenden Silizium hat (der Verteilungskoeffizient ist nahezu 1). Es ergibt sich der weitere Vorteil, daß die Lebensdauer der Minoritätsträger weniger stark herabgesetzt wird, da der Legierungsvorgang sich bei wesentlich geringeren Temperaturen als bei der Aluminiumdotierung abspielt. Außerdem ist es erwünscht. auch bei der p-Dotierung Gold als Kontaktierungsmetall wie bei der n-Dotierung (Auflegieren einer Gold-Antimon-Folie) zu verwenden, damit die Notwendigkeit der unterschiedlichen Behandlung der p- und der n-seitigen Elektroden zwecks Anbringung der Stromanschlüsse entfällt.
- Das Verfahren nach dem früheren Vorschlag ist auch einem bekannten Diffusionsverfahren, bei dem Bor durch Erhitzen eines Siliziumkörpers in Gegenwart von gasförmigen Borverbindungen in Silizium eingebracht wird, im Hinblick auf die dabei zur Anwendung kommenden Temperaturen überlegen. Während bei dem erwähnten Diffusionsverfahren Temperaturen von 900 bis 1300° C verwendet werden, die die Lebensdauer der Minoritätsträger erheblich herabsetzen, genügen bei dem früher vorgeschlagenen Legierungsverfahren Temperaturen von 400 bis 500° C.
- Den gleichen Vorteil weist das Verfahren nach vorliegender Erfindung auf und bringt darüber hinaus eine weitere Verbesserung mit sich. Die Erfindung betrifft demgemäß ein Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium mittels Einlegieren eines Metalls oder einer Metallegierung, wobei der Siliziulegierung Bor zugesetzt wird.
- Erfindungsgemäß werden dem einzulegierenden Metall geringe Mengen mindestens eines weiteren Elementes der III. Gruppe des Periodischen Systems zugesetzt. Zweckmäßigerweise handelt es sich dabei um Indium und/oder Gallium. Vorteilhaft wird das Bor mit den weiteren Zusätzen in Gold eingeschmolzen und dieses in Form einer Folie ausgewalzt. Ein Stück dieser Folie wird einer Wärmebehandlung unterzogen und schließlich auf eine Siliziumscheibe auflegiert.
- Beispielsweise werden 20 g reines Gold, 1 mg Bor und 100 mg Indium oder Gallium bei 1200° C im Vakuum oder unter Schutzgas, z. B. Argon, zusammengeschmolzen, dann zu einer Folie ausgewalzt und diese bei etwa 300° C noch mindestens 3 Stunden getempert. Vor dem Einlegieren des Bors und des Indiums bzw. Galliums in das Gold werden diese Elemente zweckmäßigerweise mechanisch innig gemischt, z. B. indem Gallium (Schmelzpunkt 29° C) leicht erwärmt und mit dem Borpulver in einer Reibschale zusammengerieben wird. Wesentlich ist, daß das Gold keinen merklichen Gehalt an n-dotierenden Aktivatorstoffen, wie insbesondere Arsen oder Antimon, enthält.
- Das Indium oder Gallium ist nur in geringem Maße an der p-Dotierung beteiligt, in der Hauptsache erfolgt diese durch die Einlegierung des Bors. Das Indium oder Gallium erleichtert aber die Benetzung und Legierungsbildung ganz beträchtlich, wodurch eine wesentlich größere Sicherheit in der Beherrschung des Verfahrens erzielt wird.
Claims (5)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Erzeugung eines hochdotiexten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung reit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium mittels Einlegieren eines Metalls oder einer Metallegierung, wobei der Siliziumlegierung Bor zugesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß dem einzulegierenden Metall geringe Mengen mindestens eines weiteren Elementes der III. Gruppe des Periodischen Systems zugesetzt werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß geringe Mengen von Gallium und/ oder Indium zugesetzt werden.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bor und geringe Mengen eines weiteren Elementes der III. Gruppe des Periodischen Systems in eine Goldfolie eingebracht werden, worauf diese auf den Grundkörper aus Silizium auflegiert wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3; dadurch gekennzeichnet, daB Gold mit den Zusätzen bei etwa 1200° C, insbesondere im Vakuum oder unter Schutzgas, zusammengeschmolzen und darauf zu einer Folie ausgewalzt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, da;ß sich an das Walzen eine Temperung bei etwa 300° C von mindestens 3 Stunden Dauer anschließt. In Betracht gezogene Druckschriften: Österreichische Patentschrift Nr. 187 556; französische Patentschrift Nr. 1 126 742; »Nachrichtentechn. Fachber.«, Beiheft 1, 1955, S.31/32.
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL237782D NL237782A (de) | 1958-02-04 | ||
| NL235479D NL235479A (de) | 1958-02-04 | ||
| DENDAT1067936D DE1067936B (de) | 1958-02-04 | ||
| DES57723A DE1089074B (de) | 1958-02-04 | 1958-04-05 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren |
| CH6876859A CH369519A (de) | 1958-02-04 | 1959-01-27 | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten p-Bereiches an einem Halbleiterkörper |
| FR785697A FR1228852A (fr) | 1958-02-04 | 1959-02-03 | Procédé d'obtention d'un dispositif semi-conducteur comportant au moins une jonction du type p-n |
| US790877A US3009840A (en) | 1958-02-04 | 1959-02-03 | Method of producing a semiconductor device of the junction type |
| GB4002/59A GB905553A (en) | 1958-02-04 | 1959-02-04 | Improvements in or relating to the production of semi-conductor devices |
| CH7147959A CH375450A (de) | 1958-02-04 | 1959-04-02 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes an einem Halbleiterkörper |
| FR791213A FR75437E (fr) | 1958-02-04 | 1959-04-03 | Procédé d'obtention d'un dispositif semi-conducteur comportant au moins une jonction du type p-n |
| GB11405/59A GB907303A (en) | 1958-02-04 | 1959-04-03 | Improvements in or relating to the production of semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0056823 | 1958-02-04 | ||
| DES57723A DE1089074B (de) | 1958-02-04 | 1958-04-05 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1089074B true DE1089074B (de) | 1960-09-15 |
Family
ID=25995480
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1067936D Pending DE1067936B (de) | 1958-02-04 | ||
| DES57723A Pending DE1089074B (de) | 1958-02-04 | 1958-04-05 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DENDAT1067936D Pending DE1067936B (de) | 1958-02-04 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3009840A (de) |
| CH (2) | CH369519A (de) |
| DE (2) | DE1089074B (de) |
| FR (1) | FR1228852A (de) |
| GB (2) | GB905553A (de) |
| NL (2) | NL235479A (de) |
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