AT187556B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-Verbindung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-VerbindungInfo
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US187556XA | 1954-03-05 | 1954-03-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT187556B true AT187556B (de) | 1956-11-10 |
Family
ID=21789618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
AT187556D AT187556B (de) | 1954-03-05 | 1955-02-15 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-Verbindung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT187556B (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
DE1114941B (de) * | 1958-06-14 | 1961-10-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern |
DE1131808B (de) * | 1956-05-21 | 1962-06-20 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium |
DE1159567B (de) * | 1960-10-14 | 1963-12-19 | Telefunken Patent | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden |
DE1194983B (de) * | 1959-12-09 | 1965-06-16 | Egyesuelt Izzolampa | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbau-elementen, insbesondere Drifttransistoren |
DE1208411B (de) * | 1962-08-03 | 1966-01-05 | Int Standard Electric Corp | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands |
DE1222169B (de) * | 1963-06-01 | 1966-08-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas |
DE1235181B (de) * | 1959-09-24 | 1967-02-23 | Wilhelm Weber | Beschlag fuer einen um eine waagerechte Achse kippbaren und um eine lotrechte Achse schwenkbaren Oberlichtfluegel |
DE1286644B (de) * | 1959-10-28 | 1969-01-09 | Western Electric Co | Verfahren zum Ausdiffundieren dotierender Fremdstoffe aus einem Halbleiterkoerper |
-
1955
- 1955-02-15 AT AT187556D patent/AT187556B/de active
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1131808B (de) * | 1956-05-21 | 1962-06-20 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium |
DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
DE1089074B (de) * | 1958-02-04 | 1960-09-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren |
DE1114941B (de) * | 1958-06-14 | 1961-10-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern |
DE1235181B (de) * | 1959-09-24 | 1967-02-23 | Wilhelm Weber | Beschlag fuer einen um eine waagerechte Achse kippbaren und um eine lotrechte Achse schwenkbaren Oberlichtfluegel |
DE1286644B (de) * | 1959-10-28 | 1969-01-09 | Western Electric Co | Verfahren zum Ausdiffundieren dotierender Fremdstoffe aus einem Halbleiterkoerper |
DE1194983B (de) * | 1959-12-09 | 1965-06-16 | Egyesuelt Izzolampa | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbau-elementen, insbesondere Drifttransistoren |
DE1159567B (de) * | 1960-10-14 | 1963-12-19 | Telefunken Patent | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden |
DE1208411B (de) * | 1962-08-03 | 1966-01-05 | Int Standard Electric Corp | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands |
DE1222169B (de) * | 1963-06-01 | 1966-08-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas |
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