AT187556B - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-Verbindung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-VerbindungInfo
- Publication number
- AT187556B AT187556B AT187556DA AT187556B AT 187556 B AT187556 B AT 187556B AT 187556D A AT187556D A AT 187556DA AT 187556 B AT187556 B AT 187556B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor
- manufacturing
- connection
- Prior art date
Links
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US187556XA | 1954-03-05 | 1954-03-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT187556B true AT187556B (de) | 1956-11-10 |
Family
ID=21789618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT187556D AT187556B (de) | 1954-03-05 | 1955-02-15 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-Verbindung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT187556B (de) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
| DE1114941B (de) * | 1958-06-14 | 1961-10-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern |
| DE1131808B (de) * | 1956-05-21 | 1962-06-20 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium |
| DE1159567B (de) * | 1960-10-14 | 1963-12-19 | Telefunken Patent | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden |
| DE1194983B (de) * | 1959-12-09 | 1965-06-16 | Egyesuelt Izzolampa | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbau-elementen, insbesondere Drifttransistoren |
| DE1208411B (de) * | 1962-08-03 | 1966-01-05 | Int Standard Electric Corp | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands |
| DE1222169B (de) * | 1963-06-01 | 1966-08-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas |
| DE1235181B (de) * | 1959-09-24 | 1967-02-23 | Wilhelm Weber | Beschlag fuer einen um eine waagerechte Achse kippbaren und um eine lotrechte Achse schwenkbaren Oberlichtfluegel |
| DE1286644B (de) * | 1959-10-28 | 1969-01-09 | Western Electric Co | Verfahren zum Ausdiffundieren dotierender Fremdstoffe aus einem Halbleiterkoerper |
-
1955
- 1955-02-15 AT AT187556D patent/AT187556B/de active
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1131808B (de) * | 1956-05-21 | 1962-06-20 | Ibm Deutschland | Verfahren zum Herstellen von n-leitenden Halbleiterkoerpern von Transistoren od. dgl. aus Elementen der IV. Gruppe des Periodischen Systems, insbesondere Germanium oder Silizium |
| DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
| DE1089074B (de) * | 1958-02-04 | 1960-09-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehoerigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mittels Einlegieren |
| DE1114941B (de) * | 1958-06-14 | 1961-10-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines mit Bor dotierten Bereiches von einkristallinen Halbleiterkoerpern |
| DE1235181B (de) * | 1959-09-24 | 1967-02-23 | Wilhelm Weber | Beschlag fuer einen um eine waagerechte Achse kippbaren und um eine lotrechte Achse schwenkbaren Oberlichtfluegel |
| DE1286644B (de) * | 1959-10-28 | 1969-01-09 | Western Electric Co | Verfahren zum Ausdiffundieren dotierender Fremdstoffe aus einem Halbleiterkoerper |
| DE1194983B (de) * | 1959-12-09 | 1965-06-16 | Egyesuelt Izzolampa | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbau-elementen, insbesondere Drifttransistoren |
| DE1159567B (de) * | 1960-10-14 | 1963-12-19 | Telefunken Patent | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden |
| DE1208411B (de) * | 1962-08-03 | 1966-01-05 | Int Standard Electric Corp | Durchschlagsunempfindlicher Halbleitergleichrichter mit einer Zone hoeheren spezifischen Widerstands |
| DE1222169B (de) * | 1963-06-01 | 1966-08-04 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben in einem Gas |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH367896A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH453516A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters | |
| CH347268A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH391747A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Farbübertragungsmasse | |
| CH338906A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
| CH336905A (de) | Vorratskathode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Kathode | |
| CH341571A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers der Grenzschichtbauart | |
| CH371187A (de) | Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper | |
| CH349346A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen | |
| CH341572A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergerätes | |
| AT187556B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters mit einer PN-Verbindung | |
| CH362149A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
| CH448516A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Filmbildners | |
| CH350722A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung | |
| CH335547A (de) | Verfahren zur Herstellung eines braunen Tetrakisazofarbstoffes | |
| CH350723A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH368240A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| AT296183B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kleidungsstückes | |
| CH362751A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| CH346949A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichterelementes | |
| CH468081A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT193944B (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung | |
| CH351341A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung | |
| CH348751A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
| AT267198B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters |