CH338906A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

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CH338906A
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David Knott Ralph
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (de) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1446221A1 (de) * 1951-01-28 1969-09-25 Philips Patentverwaltung Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen
BE538791A (de) * 1951-06-08 1900-01-01
BE557039A (de) * 1956-04-27
US2914716A (en) * 1956-05-25 1959-11-24 Gen Electric Semiconductor mounting
US2943005A (en) * 1957-01-17 1960-06-28 Rca Corp Method of alloying semiconductor material
US2981875A (en) * 1957-10-07 1961-04-25 Motorola Inc Semiconductor device and method of making the same
US3090116A (en) * 1957-11-04 1963-05-21 Gen Electric Co Ltd Method of cold bonding metallic parts
US2947925A (en) * 1958-02-21 1960-08-02 Motorola Inc Transistor and method of making the same
US3080510A (en) * 1959-01-19 1963-03-05 Rauland Corp Semi-conductor mounting apparatus
NL252974A (de) * 1959-07-24
US3186065A (en) * 1960-06-10 1965-06-01 Sylvania Electric Prod Semiconductor device and method of manufacture
US3030561A (en) * 1960-07-01 1962-04-17 Sprague Electric Co Transistors and method of making
US3217213A (en) * 1961-06-02 1965-11-09 Slater Electric Inc Semiconductor diode construction with heat dissipating housing
US3134699A (en) * 1961-07-25 1964-05-26 Nippon Electric Co Method of manufacturing semiconductor devices
US3363308A (en) * 1962-07-30 1968-01-16 Texas Instruments Inc Diode contact arrangement
US3358364A (en) * 1963-04-25 1967-12-19 Talon Inc Method of making electrical contacts by cold welding soldering and coining
CN115655832A (zh) * 2022-12-09 2023-01-31 华芯半导体研究院(北京)有限公司 一种化合物半导体外延片霍尔样品制备装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2697269A (en) * 1950-07-24 1954-12-21 Bell Telephone Labor Inc Method of making semiconductor translating devices
US2731704A (en) * 1952-12-27 1956-01-24 Raytheon Mfg Co Method of making transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (de) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung

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Publication number Publication date
FR1140519A (fr) 1957-07-24
US2830920A (en) 1958-04-15
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