CH338906A - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
CH338906A
CH338906A CH338906DA CH338906A CH 338906 A CH338906 A CH 338906A CH 338906D A CH338906D A CH 338906DA CH 338906 A CH338906 A CH 338906A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
manufactured according
device manufactured
semiconductor
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Douglas Colson Ian
David Knott Ralph
Platten Young Michael Rupert
Original Assignee
Gen Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric Co Ltd filed Critical Gen Electric Co Ltd
Publication of CH338906A publication Critical patent/CH338906A/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
CH338906D 1954-12-23 1955-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung CH338906A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB37200/54A GB785467A (en) 1954-12-23 1954-12-23 Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH338906A true CH338906A (de) 1959-06-15

Family

ID=10394592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH338906D CH338906A (de) 1954-12-23 1955-12-23 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2830920A (de)
CH (1) CH338906A (de)
FR (1) FR1140519A (de)
GB (1) GB785467A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (de) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1446221A1 (de) * 1951-01-28 1969-09-25 Philips Patentverwaltung Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen
NL86185C (de) * 1951-06-08 1900-01-01
BE557039A (de) * 1956-04-27
US2914716A (en) * 1956-05-25 1959-11-24 Gen Electric Semiconductor mounting
US2943005A (en) * 1957-01-17 1960-06-28 Rca Corp Method of alloying semiconductor material
US2981875A (en) * 1957-10-07 1961-04-25 Motorola Inc Semiconductor device and method of making the same
US3090116A (en) * 1957-11-04 1963-05-21 Gen Electric Co Ltd Method of cold bonding metallic parts
US2947925A (en) * 1958-02-21 1960-08-02 Motorola Inc Transistor and method of making the same
US3080510A (en) * 1959-01-19 1963-03-05 Rauland Corp Semi-conductor mounting apparatus
NL252974A (de) * 1959-07-24
US3186065A (en) * 1960-06-10 1965-06-01 Sylvania Electric Prod Semiconductor device and method of manufacture
US3030561A (en) * 1960-07-01 1962-04-17 Sprague Electric Co Transistors and method of making
US3217213A (en) * 1961-06-02 1965-11-09 Slater Electric Inc Semiconductor diode construction with heat dissipating housing
US3134699A (en) * 1961-07-25 1964-05-26 Nippon Electric Co Method of manufacturing semiconductor devices
US3363308A (en) * 1962-07-30 1968-01-16 Texas Instruments Inc Diode contact arrangement
US3358364A (en) * 1963-04-25 1967-12-19 Talon Inc Method of making electrical contacts by cold welding soldering and coining
CN115655832A (zh) * 2022-12-09 2023-01-31 华芯半导体研究院(北京)有限公司 一种化合物半导体外延片霍尔样品制备装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2697269A (en) * 1950-07-24 1954-12-21 Bell Telephone Labor Inc Method of making semiconductor translating devices
US2731704A (en) * 1952-12-27 1956-01-24 Raytheon Mfg Co Method of making transistors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1148660B (de) * 1960-01-06 1963-05-16 Pacific Semiconductors Inc Verfahren zum Zusammenbau einer Halbleiter-Kristallanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
GB785467A (en) 1957-10-30
US2830920A (en) 1958-04-15
FR1140519A (fr) 1957-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH367896A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH336128A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH338906A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH380247A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium
CH347268A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH505470A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH349346A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen
CH335766A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergerätes
CH381329A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH391111A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH403991A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH395349A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH363416A (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CH362149A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH334860A (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Vorrichtung
CH411799A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH354168A (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH418466A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH368240A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH350722A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung
CH399598A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH362751A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH350723A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH359484A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Flächen-Gleichrichter-Vorrichtung und gemäss dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
CH468081A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung