CH354168A - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte HalbleitervorrichtungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US427098A US2817798A (en) | 1954-05-03 | 1954-05-03 | Semiconductors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH354168A true CH354168A (de) | 1961-05-15 |
Family
ID=23693481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH354168D CH354168A (de) | 1954-05-03 | 1955-05-02 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2817798A (de) |
BE (1) | BE537841A (de) |
CH (1) | CH354168A (de) |
FR (1) | FR1123706A (de) |
GB (1) | GB808973A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL113882C (de) * | 1952-06-13 | |||
US2919389A (en) * | 1955-04-28 | 1959-12-29 | Siemens Ag | Semiconductor arrangement for voltage-dependent capacitances |
DE1170555B (de) * | 1956-07-23 | 1964-05-21 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements mit drei Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitungstyps |
NL242895A (de) * | 1958-09-02 | |||
US3124493A (en) * | 1959-01-26 | 1964-03-10 | Method for making the same | |
NL266513A (de) * | 1960-07-01 | |||
US3235957A (en) * | 1964-05-20 | 1966-02-22 | Rca Corp | Method of manufacturing a thermoelectric device |
CN115975745A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-18 | 四川晶科能源有限公司 | 籽晶酸洗的配方和方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2485069A (en) * | 1944-07-20 | 1949-10-18 | Bell Telephone Labor Inc | Translating material of silicon base |
US2538593A (en) * | 1949-04-30 | 1951-01-16 | Rca Corp | Semiconductor amplifier construction |
US2731704A (en) * | 1952-12-27 | 1956-01-24 | Raytheon Mfg Co | Method of making transistors |
-
0
- BE BE537841D patent/BE537841A/xx unknown
-
1954
- 1954-05-03 US US427098A patent/US2817798A/en not_active Expired - Lifetime
-
1955
- 1955-03-11 FR FR1123706D patent/FR1123706A/fr not_active Expired
- 1955-04-13 GB GB10698/55A patent/GB808973A/en not_active Expired
- 1955-05-02 CH CH354168D patent/CH354168A/de unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB808973A (en) | 1959-02-18 |
US2817798A (en) | 1957-12-24 |
FR1123706A (fr) | 1956-09-26 |
BE537841A (de) | 1900-01-01 |
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