AT193944B - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104070B (de) * 1959-01-27 1961-04-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer eine eigenleitende oder nahezu eigenleitende Zone aufweisenden Halbleitertriode
DE1126998B (de) * 1960-05-25 1962-04-05 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung einer Tunneldiode

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1104070B (de) * 1959-01-27 1961-04-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer eine eigenleitende oder nahezu eigenleitende Zone aufweisenden Halbleitertriode
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