AT210480B - Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer HalbleiteranordnungInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> Die Verwendung von Gallium oder Indium als p-dotierende Substanz ist an sich bekannt. Bei dem vorliegenden Verfahren ist aber das Indium oder Gallium nur in geringem Masse an der p-Dotierung beteilig, in der Hauptsache erfolgt diese durch die Einlegierung des Bors. Das Indium oder Gallium erleichtert aber die Benetzung und Legierungsbildung ganz beträchtlich, wodurch eine wesentlich grössere Sicher- heit in der Beherrschung des Verfahrens erzielt wird. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium mittelsEinlegieren eines Metalles oder einer Metallegierung, wobei der Siliziumlegierung Bor zugesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass dem einzulegierenden Metall geringe Mengen von Gallium und/oder Indium zugesetzt werden.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bor und geringe Mengen von Gallium und/oder Indium in eine Goldfolie eingebracht werden, worauf diese auf den Grundkörper aus Silizium auflegiert wird.3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Gold mit den Zusätzen bei etwa 1200oC, insbesondere in Vakuum oder unter Schutzgas, zusammengeschmolzen und darauf zu einer Folie ausgewalzt wird.4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich an das Walzen eine Temperung bei etwa 3000C von mindestens 3 Stunden Dauer anschliesst.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT210480B true AT210480B (de) | 1960-08-10 |
Family
ID=3550590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT210480B (de) |
-
1959
- 1959-05-08 AT AT344559A patent/AT210480B/de active
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