AT210480B - Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer HalbleiteranordnungInfo
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<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung EMI1.1 <Desc/Clms Page number 2> Die Verwendung von Gallium oder Indium als p-dotierende Substanz ist an sich bekannt. Bei dem vorliegenden Verfahren ist aber das Indium oder Gallium nur in geringem Masse an der p-Dotierung beteilig, in der Hauptsache erfolgt diese durch die Einlegierung des Bors. Das Indium oder Gallium erleichtert aber die Benetzung und Legierungsbildung ganz beträchtlich, wodurch eine wesentlich grössere Sicher- heit in der Beherrschung des Verfahrens erzielt wird. PATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen Grundkörper aus Silizium mittelsEinlegieren eines Metalles oder einer Metallegierung, wobei der Siliziumlegierung Bor zugesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass dem einzulegierenden Metall geringe Mengen von Gallium und/oder Indium zugesetzt werden.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bor und geringe Mengen von Gallium und/oder Indium in eine Goldfolie eingebracht werden, worauf diese auf den Grundkörper aus Silizium auflegiert wird.3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Gold mit den Zusätzen bei etwa 1200oC, insbesondere in Vakuum oder unter Schutzgas, zusammengeschmolzen und darauf zu einer Folie ausgewalzt wird.4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass sich an das Walzen eine Temperung bei etwa 3000C von mindestens 3 Stunden Dauer anschliesst.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT210480B true AT210480B (de) | 1960-08-10 |
Family
ID=3550590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT344559A AT210480B (de) | 1959-05-08 | 1959-05-08 | Verfahren zur Erzeugung eines hochdotierten p-Bereiches und des zugehörigen Kontaktes einer Halbleiteranordnung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT210480B (de) |
-
1959
- 1959-05-08 AT AT344559A patent/AT210480B/de active
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