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Application filed by Gen ElectricfiledCriticalGen Electric
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Publication of AT215036BpublicationCriticalpatent/AT215036B/de
Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields
(AREA)
Description
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Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers bzw.
Verbundmaterials
EMI1.1
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Silber der Gehalt an Zinn auf etwa 5% beschränkt oder unter 510 gehalten werden, wodurch die Bindung bei einer Temperatur von etwa 8750C hergestellt werden kann. Bei Anwendung einer Kombination von Zinn und Kupfer kann gemäss der vorliegenden Erfindung ein gutes Ergebnis dadurch erreicht werden, dass Zinn in einer so beschränkten Menge verwendet wird, dass die mit dem Metallmaterial gebildete Legierung 5'%) oder weniger Zinn enthält und dadurch eine Bindung bei einer Temperatur von etwa 1000 C erhalten werden kann.
Claims (1)
PATENTANSPRUCH :
Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers bzw. Verbundmaterials nach Anspruch 4 des Stammpatentes Nr. 209446, dadurch gekennzeichnet, dass als niedrig schmelzendes duktiles Lot Zinn verwendet wird.
AT424759A1958-06-111959-06-08Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers bzw. Verbundmaterials
AT215036B
(de)
Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen aus Silicium od. dgl. durch Anwendung eines chemischen AEtzvorganges an der Stelle des p-n-UEberganges