AT217127B - Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode

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  Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die
Emissionsschicht einer Oxydkathode 
 EMI1.1

Claims (1)

  1. dassPATENTANSPRÜCHE : 1. Verfahren zur Herstellung eines Trägers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode, der aus Nik- kel mit unter anderem Magnesium als Verunreinigung besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger auf eine Temperatur von 1000 bis 12000 C erhitzt und jene Oberfläche des Trägers, welche der für die Emissionsschicht bestimmten Oberfläche gegenüberliegt, der Einwirkung von Sauerstoff ausgesetzt wird, wodurch dieser in das Nickel eindiffundiert, bis wenigstens das im Nickel vorhandene Magnesium grösstenteils, jedoch nicht völlig, von Sauerstoff gebunden ist.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, zur Herstellung eines rohrförmigen Nickelträgers, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger vorher auf 1000-1200 C erhitzt wird, wobei die Oberfläche, auf der die emittierende Oxydschicht angebracht werden muss, sich in einer reduzierenden Atmosphäre befindet und während der Erhitzung durch den rohrförmigen Träger Luft hindurchgeleitet wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass während 20 Minuten auf 11000 C erhitzt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche, die der als Träger für die Emitsionstchicht bestimmten Oberfläche gegenüberliegt, vor der Erhitzung mit einer dünnen Oxydschicht bedeckt wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhitzung des mit der zur Bindung des Magnesiums an Sauerstoff bestimmten Oxydschichte versehenen Trägers im Vakuum gleichzeitig mit dem Formieren der emittierenden Oxydschicht erfolgt.
AT166660A 1959-03-06 1960-03-03 Verfahren zur Herstellung eines Nickelträgers für die Emissionsschicht einer Oxydkathode AT217127B (de)

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