DE1246129B - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines HalbleiterbauelementesInfo
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
Int. Cl.:
HOll
DEUTSCHES
AUSLE'
PATENTAMT
CHRIFT 1246129 Deutsche KL: 21 g - 11/02
Nummer: 1246 129
Aktenzeichen: W 33273 VHI c/21 j
Anmeldetag: 6. November 1962
Auslegetag: 3. August 1967
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes,
bei dem die pn-Übergänge durch Legieren erzeugt werden.
Um zu erreichen, daß eine definierte Menge des Legierungsmaterials auf den Halbleiterkörper gelangt
und daß außerdem eine ausreichend gute Lokalisierung der Legierungsfläche zustande kommt, ist
vorgesehen, das Legierungsmaterial als Formkörper mit bestimmten vorgegebenen Abmessungen anzuwenden.
Die Herstellung derartiger Formkörper war jedoch nach den bisher bekannten Verfahren mit
erheblichen Nachteilen und Schwierigkeiten behaftet. So war es bisher notwendig, zur Herstellung derartiger
Formkörper ein Dotierungs- und/oder eine entsprechende Metallegierung zunächst zu schmelzen,
zu gießen und zu dünnen FoHen auszuwalzen oder aber die pulverförmigen Ausgangsmaterialien zu
pressen, anschließend zu sintern und die Sinterkörper zu Fohen auszuwalzen.
Beide Methoden erfordern jedoch einen erheblichen apparativen und materiellen Aufwand. Außerdem
erhält man durch die beim Gießen entstehenden Gußstege einen erheblichen Abfall.
Bekanntlich kann man Metallpulver durch Pressen zu Formkörpern von erheblicher Dicke komprimieren.
Dieses Verfahren wird beispielsweise zur Herstellung von Kontakten angewendet. Die bislangdurch
Pressen erhaltenen Formkörper sind jedoch für die Verwendung in der Halbleitertechnik nicht
geeignet, da die hierbei anf allenden Materialmengen :—■ große Dicke der Formkörper — für die Erzeugung
von pn-Ubergängen zu groß sind. Außerdem wirkt sich eine Wärmebehandlung nach dem Zusammenmischen
der einzelnen Komponenten zum Teil sehr ungünstig aus. Werden nämlich Materialien mit
unterschiedlichem. Dampfdruck verwendet, beispielsweise als Dotierungsmaterialien, so dampft ein Teil
dieser Komponenten ab und die ursprüngliche Einwaage, d. h. das Verhältnis der Komponenten untereinander,
entspricht nicht mehr den vorgegebenen Werten. Da das Abdampfen einzelner Komponenten
nur schwer kontrollierbar ist, ist es unmöglich, auf diese Weise definierte Werte zu erhalten.
Um die im vorhergehenden aufgezeigten Mängel zu vermeiden, wird gemäß der Erfindung vorgeschlagen,
daß das Legierungsmaterial in Form eines durch Zusammenpressen von hämmerbarem, pulverförmigem,
als Lot dienendem Metall und feinverteiltem Dotierungs- und/oder Benetzungsmaterial hergestellten
Formkörpers, dessen Dicke etwa 0,025 bis 0,125 mm beträgt, auf den Halbleiterkörper ohne
Verfahren zum Herstellen eines
Halbleiterbauelementes
Halbleiterbauelementes
Anmelder:
Westinghouse Electric Corporation,
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. R. Barckhaus, Patentanwalt,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
William E. Winter, Murrysville, Pa.;
Robert G. Moss, La Mesa, CaHf. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 28. Dezember 1961
(162953)
V. St. v. Amerika vom 28. Dezember 1961
(162953)
vorhergehende Wärmebehandlung aufgebracht und in diesen einlegiert wird.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens nach der Lehre der Erfindung kann zur Herstellung
des Formkörpers das in Pulverform vorliegende Legierungsmaterial mit Hilfe einer Pulverpresse mit
einem Verdichtungsverhältnis von 9 zu 1 bei einem Druck von etwa 101 pro cm2 ohne nachfolgende
Wärmebehandlung in die kompakte Form übergeführt werden.
Als Lot kann dabei ein Metall aus der Gruppe Gold und Goldbasislegierungen gewählt werden. Als
Dotierungsmaterial eignet sich beispielsweise Arsen, während als Benetzungsmittel Antimon verwendet
werden kann.
Als Lot eignen sich praktisch alle Metalle und Legierungen, die mit den zu behandelnden Stoffen
nicht oder nur wenig reagieren und die außerdem durch Pressen oder Hämmern verdichtet werden
können. Es werden außerdem hauptsächlich solche Materialien als Lot gewählt, die keine Dotierung des.
Halbleiterkörpers hervorrufen. Geeignet als Lot sind durch Pressen zu verdichtende und nur langsam
oxidierende Materialien, wie z. B. Gold und Goldbasislegierungen (etwa 80 % Gold, 20 °/o Silber), Blei
und Bleibasislegierungen (etwa 70 % Blei und 30 0Zo Zinn), Zinn und Zinnbasislegierungen, Silber und
Silberbasislegierungen (etwa 70 % Silber und 30fl/o
709 619/522
Claims (5)
1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, beispielsweise eines Transistors,
bei dem die pn-Übergänge durch Legieren erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß das Legierungsmaterial in Form eines durch
Zusammenpressen von hämmerbarem, pulverförmigem, als Lot dienendem Metall und feinverteiltem
Dotierungs- und/oder Benetzungsmaterial hergestellten Formkörpers, dessen Dicke etwa 0,025 bis 0,125 mm beträgt, auf den Halbleiterkörper
ohne vorhergehende Wärmebehandlung aufgebracht und in diesen einlegiert wird.
2. Verfahren nach Ansprach 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Formkörpers
das in Pulverform vorliegende Legierungsmaterial mit Hilfe einer Pulverpresse mit
einem Verdichtungsverhältnis von 9 zu 1 bei einem Druck von etwa 10 t pro cm2 ohne nachfolgende
Wärmebehandlung in die kompakte Form übergeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Lot ein Metall aus der
Gruppe Gold- und Goldbasislegierungen gewählt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsmaterial
Arsen verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Benetzungsmaterial
Antimon verwendet wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1050 450,
936;
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1050 450,
936;
deutsche Auslegeschrift L 13008 VTIIc/21g
(bekanntgemacht am 27.9.1956);
österreichische Patentschrift Nr. 210 479.
(bekanntgemacht am 27.9.1956);
österreichische Patentschrift Nr. 210 479.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16295361A | 1961-12-28 | 1961-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1246129B true DE1246129B (de) | 1967-08-03 |
Family
ID=22587813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1962W0033273 Pending DE1246129B (de) | 1961-12-28 | 1962-11-06 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1246129B (de) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1050450B (de) * | 1955-05-10 | 1959-02-12 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden |
DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
AT210479B (de) * | 1958-06-14 | 1960-08-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkörpern |
-
1962
- 1962-11-06 DE DE1962W0033273 patent/DE1246129B/de active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1050450B (de) * | 1955-05-10 | 1959-02-12 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden |
DE1067936B (de) * | 1958-02-04 | 1959-10-29 | ||
AT210479B (de) * | 1958-06-14 | 1960-08-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Bereiches in Halbleiterkörpern |
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