DE10317675A1 - Keramisches Multilayersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Es wird ein keramisches Multilayersubstrat beschrieben, das ausgebildet wird durch vertikales Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, bei denen ein Verbindungsstab in Längsrichtung auf Verbindungsflächen zwischen inneren Mustern und einem äußeren Anschluss jedes keramischen Substrats ausgebildet ist, wodurch verhindert wird, dass metallische leitfähige Schichten der inneren Muster während der Herstellung des äußeren Anschlusses verformt werden und wodurch die inneren Muster stabil an den äußeren Anschluss angeschlossen werden, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Substrats. Das keramische Multilayersubstrat umfasst Musterschichten, ausgebildet auf Oberflächen von Teilen oder allen keramischen Substraten, um festgelegte Schaltkreiselemente auszubilden; Verbindungsstäbe, die in Längsrichtung in den keramischen Substraten ausgebildet sind, innerhalb eines Teils der Musterschichten, der sich bis zu den Kanten der keramischen Substrate erstreckt, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; wenigstens ein Durchgangsloch ist auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate ausgebildet, sodass es nach außen hin geöffnet ist und den Verbindungsstab freilegt; und ein äußerer Anschluss ist auf der Innenwand des Durchgangslochs ausgebildet.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein keramisches Multilayersubstrat mit einer verbesserten Verbindungsstruktur zwischen inneren Schaltungsmustern und einem äußeren Anschluss, und ein Verfahren zur Herstellung des Substrats, und insbesondere ein bei niedriger Temperatur gemeinsam gebranntes keramisches Multilayersubstrat, das durch vertikales Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten gebildet wird, indem ein Verbindungsstab in Längsrichtung auf Verbindungsflächen zwischen inneren Mustern und einem äußeren Anschluss aller keramischen Substrate ausgebildet wird, wodurch verhindert wird, dass metallische leitende Schichten der inneren Muster während der Bearbeitung des äußeren Anschlusses verformt werden, außerdem werden die inneren Muster stabil an den äußeren Anschluss angeschlossen. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung des Substrats.
  • Eine Technik zur Herstellung eines bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannten keramischen Substrats, das im Folgenden als „LTCC" (low temperature co-fired ceramic) bezeichnet wird, ist ein Verfahren, bei dem eine innere Elektrode und passive Bauelemente (Widerstände, Induktivitäten und Kapazitäten) für bestimmte Schaltungen gebildet werden. Ein Grünling wird aus Glaskeramik durch ein Siebdruckverfahren hergestellt, bei dem ein Metall mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit wie Gold, Kupfer oder dergleichen verwendet wird. Eine Mehrzahl dieser Grünlinge wird vertikal gestapelt und anschließend gebrannt (im Allgemeinen bei weniger als 1000 °C), um Multi-Chip-Module (MCM) und Multi-Chip-Pakete herzustellen.
  • Da das keramische Substrat und die metallischen Elemente gemeinsam gebrannt werden, kann die LTCC-Technik die passiven Bauelemente (Widerstand, Induktivität und Kapazität) in einem Modul ausbilden, wodurch ein komplexer Aufbau erhalten wird, der viele Bauteile enthält und im Hinblick auf die Miniaturisierung vorteilhaft ist.
  • Da das LTCC-Substrat die eingebetteten passiven Bauelemente umfasst, kann das LTCC-Substrat als SOP (System-On-Package) ausgebildet werden, wodurch der schädliche Effekt minimiert wird, der in Teilen eines SMD (Surface Mounted Device) erzeugt wird. Ferner verringert das LTCC-Substrat elektrisches Rauschen, das an Lötstellen bei der Befestigung auf Flächen erzeugt wird, wodurch die elektrischen Eigenschaften des hergestellten Geräts verbessert werden, ebenso wird die Anzahl der Lötstellen verringert, wodurch die Zuverlässigkeit des hergestellten Geräts verbessert wird. Darüber hinaus verringert das LTCC-Substrat den Temperaturkoeffizienten der Resonanzfrequenz (Tf) durch Einstellen des thermischen Ausdehnungskoeffizienten, wodurch die Eigenschaften des dielektrischen Resonators gesteuert werden.
  • Das LTCC-Multilayersubstrat wird gebildet, indem Schaltungen in einem einzigen keramischen Substrat ausgebildet werden und durch vertikales Stapeln mehrerer keramischer Substrate. Daher müssen äußere Anschlüsse, die mit der Außenseite zu verbinden sind, auf einer Außenfläche des LTCC-Substrats ausgebildet und elektrisch mit den Schaltungsmustern innerhalb des Substrats verbunden werden.
  • Die 1 und 2 zeigen „ein geschichtetes elektronisches Bauteil", das ein laminiertes, Schichten aufweisendes Substrat mit inneren Schaltungen aufweist. Durchgangslöcher sind in Längsrichtung des Substrats ausgebildet, und externe Elektroden sind ausgebildet durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem Leiter, wie in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. Hei 8-37251 offenbart ist. Wie in den 1 und 2 gezeigt ist, sind Durchgangslöcher 7 in der Schichtstruktur 5 ausgebildet und mit Leitern 9 gefüllt, und die Leiter 9 innerhalb der Durchgangslöcher 7 sind an die inneren Schaltungen angeschlossen. Durchgangslöcher 10 sind in der Schichtstruktur 5 ausgebildet und die Leiter 9 liegen in den Durchgangslöchern 10 frei. Die exponierten Leiter 9 dienen als äußere Elektroden 4 für elektronische Komponenten. Da die Leiter 9, die in den Durchgangslöchern 7 gebildet sind, die externen Elektroden werden, haben die externen Elektroden 4 in dieser japanischen Veröffentlichung die gleichen Maße und Formen und sind leicht herstellbar.
  • Die erwähnte japanische Veröffentlichung hat jedoch das folgende Problem. Die rechteckigen Durchgangslöcher 7 werden gleichzeitig durch mehrere geschichtete Grünlinge in Längsrichtung mit einem Stanzverfahren oder dergleichen hergestellt. In diesem Fall, wie in 3 gezeigt ist, werden die geschichteten Grünlinge in der Richtung des Ausstanzens durch eine Schubspannung komprimiert, und die inneren Metallmuster auf den Grünlingen befinden sich nicht bei den Durchgangslöchern 7. Die inneren Muster müssen sich bei den Durchgangslöchern 7 befinden, sodass sie mit dem Leitern 9 verbunden werden können, die in den Durchgangslöchern 7 gebildet sind und als äußere Elektroden dienen. Die japanische Veröffentlichung löst jedoch nicht das oben beschriebene Problem, wie in den 1 und 2 gezeigt ist.
  • Es gibt verschiedene Verfahren zum Ausbilden äußerer Elektroden bei dem herkömmlichen bei niedriger Temperatur gebrannten keramischen Multilayersubstrat. Erstens, wie in 4 gezeigt ist, wird ein inneres Muster 2a bis zum Rand jedes keramischen Substrats ausgedehnt und der Außenseite ausgesetzt. Dann wird das keramische Multilayersubstrat 3 durch Aufstapeln und Brennen der mehreren keramischen Substrate bei einer hohen Temperatur gebildet, und eine äußere Elektrode 4a wird auf einer Seitenfläche des keramischen Multilayersubstrats 3 gebildet durch eine Ablagerung, ohne dass irgendein Durchgangsloch bei dem keramischen Multilayersubstrat 3 durch das Ausstanzverfahren gebildet wird. Dieses Verfahren stellt die Verbindung zwischen den inneren Mustern und der externen Elektrode sicher. Nachdem die keramische Multilayerstruktur in eine Mehrzahl von keramischen Einheitsmultilayersubstraten 3 geschnitten worden ist, muss die Oberfläche des keramischen Multilayersubstrats 3 jedoch geschliffen werden, um die inneren Muster 2a vor dem Bilden der äußeren Elektrode 4a freizulegen.
  • Dementsprechend macht dieses Verfahren das Herstellungsverfahren des Substrats komplizierter und erfüllt nicht die Anforderungen an eine Massenproduktion.
  • 5 zeigt ein weiteres Verfahren der Herstellung externer Elektroden. Dabei wird ein Durchgangsloch mit der Form eines Viertelkreises auf der Ecke aller keramischen Substrate ausgebildet, sodass er einem inneren Muster 2b gegenüberliegt, und eine externe Elektrode 4b wird in jedem Durchgangsloch ausgebildet. Anschließend wird das keramische Multilayersubstrat 3 durch Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate gebildet, wodurch die externen Elektroden 4b in einen externen Anschluss integriert werden. In diesem Fall ist das Herstellungsverfahren sehr kompliziert, da die externen Elektroden 4b jeweils auf den keramischen Substraten gebildet werden müssen. Da die Maße aller Substrate nicht gleich sind, wegen des Unterschieds der Kontraktionszahlen der einzelnen Substrate, kann das keramische Multilayersubstrat bei einem äußeren Schlag oder dergleichen leicht beschädigt werden. Die Bezeichnung „Muster" wird allgemein für Schaltkreismuster verwendet.
  • 6 stellt ein weiteres Verfahren zur Herstellung externer Elektroden dar. Dabei wird ein Durchgangsloch mit der Form eines Viertelkreises auf der Ecke aller Substrate gebildet, sodass es dem inneren Muster 2c ausgesetzt ist. Dann wird ein keramisches Multilayersubstrat 3 durch Aufschichten einer Mehrzahl der keramischen Substrate gebildet, und externe Elektroden 4c werden gleichzeitig in den mehreren Durchgangslöchern durch Auftragen gebildet. Dieses Verfahren wird allgemein beim Herstellen externer Elektroden bei einem herkömmlichen keramischen Multilayersubstrat benutzt, das bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannt wird. Wie in 6 gezeigt ist, da die Durchgangslöcher des keramischen Multilayersubstrats 3 nicht präzise zueinander ausgerichtet sind, wird das Material zum Herstellen der externen Elektroden nicht gleichmäßig in jedem Durchgangsloch aufgetragen und die Verbindung zwischen den inneren Mustern und den äußeren Anschlüssen ist schlecht.
  • 7 stellt ein weiteres Verfahren zur Herstellung externer Elektroden dar, das ähnlich dem in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. Hei 8-37251 ist. Zunächst wird eine Mehrzahl von keramischen Grünlingen vertikal aufgeschichtet, um das keramische Multilayersubstrat 3 zu bilden. Anschließend wird ein Durchgangsloch auf einer Ecke des keramischen Multilayersubstrats 3 gebildet und eine äußere Elektrode 4d wird in dem Durchgangsloch 4 durch eine Ablagerung gebildet. In diesem Fall, wie in 3 gezeigt ist, werden die inneren Muster 2d nicht bei den Durchgangslöchern in dem Verfahrensschritt des Herstellens der Durchgangslöcher freigelegt, wodurch dasselbe Problem erzeugt wird, das sie nicht an die äußere Elektrode 4d angeschlossen sind.
  • Daher ist ein Verfahren erforderlich, um gleichzeitig Durchgangslöcher auf jeder Lage des keramischen Multilayersubstrats durch ein Stanzverfahren herzustellen, um das Herstellungsverfahren des keramischen Multilayersubstrats zu vereinfachen und die Verbindung zwischen inneren Mustern und der externen Elektrode zu verbessern.
  • Dementsprechend wurde die vorliegende Erfindung im Hinblick auf die oben genannten Probleme gemacht, und es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein keramisches Multilayersubstrat zu schaffen, bei dem die Verbindung zwischen inneren Mustern und einer externen Elektrode aufrechterhalten wird, auch in dem Fall, wenn eine Mehrzahl von keramischen Grünlingen, die mit inneren Mustern versehen sind, vertikal gestapelt wird und wenn ein Durchgangsloch auf einer Fläche für den äußeren Anschluss des keramischen Multilayersubstrats erzeugt wird, ebenso wird ein Verfahren zur Herstellung des Substrats angegeben.
  • Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, ein keramisches Multilayersubstrat zu schaffen, bei dem eine Mehrzahl von keramischen Grünlingen vertikal geschichtet ist und bei dem ein Durchgangsloch auf dem keramischen Multilayersubstrat gebildet ist, um einen äußeren Anschluss zu bilden, wodurch das Herstellungsverfahren des Multilayersubstrat vereinfacht und die Qualität des Multilayersubstrats verbessert wird, ebenso wird ein Verfahren zur Herstellung des Substrats angegeben.
  • Gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung werden die oben genannten und weitere Ziele erreicht durch ein keramisches Multilayersubstrat, das gebildet wird durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, umfassend: Musterschichten, die auf Oberflächen von Teilen oder allen keramischen Substraten gebildet sind, um festgelegte Schaltkreiselemente zu bilden; Verbindungsstäbe, die in Längsrichtung in den keramischen Substraten gebildet sind, innerhalb eines Teils der Musterschichten, die sich bis an die Kanten der keramischen Substrate erstrecken, benachbart zu den Kanten, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; wenigstens ein Durchgangsloch ist auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate ausgebildet, sodass es nach außen offen ist und den Verbindungsstab freilegt; und wenigstens ein externer Anschluss ist auf den inneren Wänden der Durchgangslöcher ausgebildet.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten vorgeschlagen, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, jedes der keramischen Substrate hat eine bestimmte Dicke, Ausbilden von Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substrate, um Schaltkreiselemente zu bilden; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substrate innerhalb eines Teils der Musterschichten, die bis zu den Kanten der keramischen Substrate verlängert sind, benachbart zu den Kanten, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem Material, das elektrisch mit den Musterschichten verbunden ist; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate; Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs in Längsrichtung auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe der Außenseite auszusetzen; und Ausbilden wenigstens eines äußeren Anschlusses in dem Durchgangsloch durch Ablagerung.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten angegeben, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, jedes der keramischen Substrate hat eine festgelegte Dicke; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substrate benachbart zu den Kanten der keramischen Substrate; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitfähigen Material; Ausbilden von Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substrate, um Schaltkreiselemente auszubilden, sodass die Verbindungsstäbe innerhalb eines Teils der Musterschichten angeordnet sind, der bis zu den Kanten der keramischen Substrate verlängert ist, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate; Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs in Längsrichtung der Kanten der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe der Außenseite auszusetzen; und Ausbilden wenigstens eines äußeren Anschlusses in dem Durchgangsloch durch Ablagerung.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten angegeben, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substratlagen, die jeweils mit Anreißlinien versehen sind, sodass sie in eine Mehrzahl von keramischen Substraten geschnitten werden können, die eine bestimmte Dicke haben; Ausbilden einer Mehrzahl von gleichen Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substratlagen, um Schaltkreiselemente zu bilden; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substratlagen innerhalb des Teils der Musterschichten, der sich bis zu den Anreißlinien der keramischen Substratlagen erstreckt, benachbart zu den Anreißlinien, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem Material, das elektrisch mit den Musterschichten verbunden ist; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substratlagen; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der Anreißlinien der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe der Außenseite auszusetzen; Ausbilden von äußeren Anschlüssen in den Durchgangslöchern durch Ablagerung; und Zerschneiden der gestapelten keramischen Substratlagen entlang der Anreißlinien in eine Mehrzahl von keramischen Multilayersubstraten.
  • Gemäß einem weiteren Gesichtpunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten offenbart, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substratlagen, die jeweils mit Anreißlinien versehen sind, sodass sie in eine Mehrzahl von keramischen Substraten geschnitten werden können und eine festgelegte Dicke haben; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substratlagen, benachbart zu den Anreißlinien; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitfähigen Material; Ausbilden einer Mehrzahl gleicher Musterlagen auf Oberflächen der keramischen Substratlagen, um Schaltkreiselemente zu bilden, sodass die Verbindungsstäbe innerhalb eines Teils der Musterschichten angeordnet sind, der sich bis zu den Anreißlinien der keramischen Substrate erstreckt, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substratlagen, Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung auf den Anreißlinien der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe der Außenseite auszusetzen; Ausbilden äußerer Anschlüsse in den Durchgangslöchern durch Ablagerung; und Zerschneiden der gestapelten keramischen Substratlagen entlang der Anreißlinien in eine Mehrzahl von keramischen Multilayersubstraten.
  • Eine Schichtstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung wird gebildet durch Stapeln einer Mehrzahl von Schichten, wodurch ein Paket hergestellt wird. Die Schichten werden passend ausgewählt aus Materialien mit bestimmten elektrischen, dielektrischen und magnetischen Eigenschaften. Insbesondere wird für die Schicht ein keramischer Grünling mit einer festgelegten Dicke benutzt. Eine Musterschicht wird mit einer festgelegten Form auf den Grünlingen durch Ablagern eines Metalls auf dem Grünling erzeugt und dient als Schaltungselement, wenn die Grünlinge gestapelt werden. Die Musterschichten sind aus Metallen wie Silber, Kupfer oder dergleichen hergestellt. Die mehreren keramischen Schichten werden gestapelt und bei einer niedrigen Temperatur gebrannt, dadurch entsteht eine Schichtstruktur, die als bei niedriger Temperatur gemeinsam gebranntes keramisches Multilayersubstrat bezeichnet wird.
  • Die oben genannten und weitere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren erläutert, in denen:
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht eines herkömmlichen Multilayersubstrats nach dem Schneiden, sodass die äußeren Anschlüsse zur Außenseite freiliegen;
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht des herkömmlichen Multilayersubstrats von 1 vor dem Zerschneiden, sodass die äußeren Anschlüsse zur Außenseite freiliegen;
  • 3 ist eine schematische Ansicht und zeigt Probleme, die bei der Herstellung des Multilayersubstrats von 1 entstehen;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht und zeigt ein Multilayersubstrat, das einen äußeren Anschluss umfasst, der nach einem herkömmlichen Verfahren ausgebildet wurde;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht und zeigt ein Multilayersubstrat, umfassend einen äußeren Anschluss, hergestellt durch ein weiteres herkömmliches Verfahren;
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht und zeigt ein Multilayersubstrat, umfassend einen äußeren Anschluss, hergestellt durch ein weiteres herkömmliches Verfahren;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht und zeigt ein Multilayersubstrat, umfassend einen äußeren Anschluss, hergestellt durch ein weiteres herkömmliches Verfahren;
  • 8 ist eine geschnittene Ansicht eines erfindungsgemäßen Multilayersubstrats;
  • 9 ist eine Draufsicht eines keramischen Substrats des erfindungsgemäßen Multilayersubstrats;
  • 10 ist eine perspektivische Ansicht des Multilayersubstrats von 8;
  • 11 ist eine geschnittene Ansicht des erfindungsgemäßen Multilayersubstrats;
  • 12A12G zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Multilayersubstrats gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 13A13G zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Multilayer substrats gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 14A14H zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Multilayer substrats gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und
  • 15A15H zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Multilayer substrats gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
  • Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben. 8 ist eine geschnittene Ansicht eines Multilayersubstrats gemäß der vorliegenden Erfindung, und 9 ist eine Draufsicht eines keramischen Substrats des Multilayersubstrats gemäß der vorliegenden Erfindung. 10 ist eine perspektivische Ansicht des Multilayersubstrats von 8.
  • Wie in den 8 und 9 gezeigt ist, ist eine Musterschicht 102 mit einem festgelegtem Muster auf allen keramischen Substraten 103 ausgebildet. Ein Ende der Musterschicht 102 erstreckt sich bis zu einer Kante des keramischen Substrats 103, um Signale mit der Außenseite auszutauschen. Es ist nicht erforderlich, dieses Muster für den Signalaustausch auf allen keramischen Substraten 103 auszubilden. Dementsprechend kann das Signale austauschende Muster auf Teilen der keramischen Substrate 103 nicht ausgebildet sein. Die vorliegende Erfindung verwendet das keramische Substrat 103, das mit einem Durchgangsloch 105 mit einer Halbkreisform versehen ist. Das Durchgangsloch 105 bildet einen Freiraum zum Ausbilden einer äußeren Elektrode 104 in dem Freiraum. In dem Fall, wenn eine Schichtstruktur durch Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate 103, die aus einer keramischen Substratlage bestehen, gebildet wird, werden die Durchgangslöcher 105 im Inneren der Schichtstruktur ausgebildet, bevor die Schichtstruktur in eine Mehrzahl von keramischen Mehrschichtsubstraten zerschnitten wird, sodass die Außenelektrode einfach hergestellt wird. Das kreisförmige Durchgangsloch 105 wird zwischen zwei benachbarten Substraten 103 ausgebildet und anschließend in eine Halbkreisform gebracht, sodass es zur Außenseite hin offen ist, indem die Schichtstruktur in die mehreren Multilayersubstrate geschnitten wird.
  • Ein Verbindungsstab 110 wird in dem keramischen Substrat 103 ausgebildet durch Füllen eines Durchgangslochs, das zwischen der Musterschicht 102 und dem Durchgangsloch 105 angeordnet ist. Eine Seite des Verbindungsstabs 110 kontaktiert das Durchgangsloch 105, sodass es an seiner inneren Fläche des Durchgangslochs frei liegt, und die andere Seite des Verbindungsstabs 110 kontaktiert die Musterschicht 102. Anders als die Musterschicht 102 ist der Verbin dungsstab 110 in Längsrichtung durch das keramische Substrat 103 ausgebildet und kontaktiert die äußere Elektrode 104 direkt. Die äußere Elektrode 104 ist auf der Innenwand des Durchgangslochs 105 ausgebildet, und an die Musterschicht 102 und den Verbindungsstab 110 angeschlossen, sie dient dazu, äußere Signale mit den inneren Mustern auszutauschen.
  • 10 zeigt das Multilayersubstrat, bei dem die Verbindungsstäbe 110 benutzt werden, bei dem die äußere Elektrode 104 sowohl an die inneren Musterschichten 102 als auch an die Verbindungsstäbe 110 angeschlossen ist.
  • Die Musterschicht 102 ist aus einem metallischen Ablagerungs- bzw. Beschichtungsfilm hergestellt, und der Verbindungsstab 110 ist durch Füllen des Durchgangslochs (nicht gezeigt) mit einem metallischen Leiter gebildet, sodass er elektrisch an die Musterschicht 102 angeschlossen wird. Vorzugsweise hat der Verbindungsstab 110 eine Kreisform. Der Verbindungsstab 110 kann jedoch in unterschiedlichen Formen ausgebildet werden, sodass er an der Wandfläche des Durchgangslochs 105 frei liegt.
  • Vorzugsweise läuft der äußere Umfang des Durchgangslochs 105 durch die Mitte des Verbindungsstabs 110, und der Durchmesser des Verbindungsstabs 110 ist kleiner als die Breite der Musterschicht 102. Da der Verbindungsstab 110 in Längsrichtung des Substrats 103 ausgebildet ist und das Durchgangsloch einen großen Durchmesser hat, ist die Festigkeit des Substrats 103 verringert und die Menge des metallischen Leiters, der das Durchgangsloch auffüllt, ist erhöht, wodurch die Herstellungskosten ebenfalls erhöht sind, was dazu führt, dass die Herstellung des Substrats 103 erschwert ist. Um die obigen Probleme zu lösen, wird es bevorzugt, das Durchgangsloch innerhalb der Fläche der Musterschicht 102 auszubilden.
  • Wie oben beschrieben wurde, wird der Grad der elektrischen Verbindung zwischen der äußeren Elektrode 104 und der inneren Musterschicht 102 verbessert, wenn die externe Elektrode 104 elektrisch über den Verbindungsstab 110 an die Musterschicht 102 angeschlossen ist. Da die Musterschicht lediglich auf der obe ren Fläche des Substrats ausgebildet ist, wird die Verbindung zwischen dem äußeren Anschluss und den inneren Mustern herkömmlich durch einen Linienkontakt erreicht. Da die Kontaktfläche zwischen den inneren Mustern und dem äußeren Anschluss bei der vorliegenden Erfindung, die die Verbindungsstäbe umfasst, vergrößert ist, und da die Verbindung zwischen dem Verbindungsstab und dem äußeren Anschluss durch einen Flächenkontakt erhalten wird, ist der Grad der Verbindung zwischen den inneren Mustern und dem äußeren Anschluss verbessert.
  • Im Vergleich zu dem Stand der Technik verbessert die Ausbildung des Verbindungsstabs das Verfahren zur Herstellung des Multilayersubstrats. Im Folgenden wird gemeinsam mit der Beschreibung der verbesserten Wirkung des Verfahrens ein Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats durch Stapeln einer Mehrzahl von keramischen Substraten gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die 12A bis 12G beschrieben.
    • A) Ein keramisches Substrat 203 mit einer festgelegten Dicke wird hergestellt.
    • B) Eine Musterschicht 202 zum Ausbilden von Schaltkreiselementen wird auf dem keramischen Substrat 203 ausgebildet. Die mehreren Musterschichten 202 der vertikal gestapelten keramischen Substrate 203 bilden verschiedene Schaltkreiselemente. Die Musterschicht 202 ist aus einem Metallauftragungsfilm hergestellt.
    • C) Durchgangslöcher 211 sind an einem Ende der Musterschicht 202 ausgebildet, die sich bis zu einer Kante des keramischen Substrats 203 erstreckt, um Signale mit der Außenseite auszutauschen. Das Durchgangsloch 211 ist in Längsrichtung des keramischen Substrats 203 ausgebildet, benachbart zu der Kante des keramischen Substrats 203. Vorzugsweise ist der Durchmesser des Durchgangslochs 211 etwas kleiner als die Breite der Musterschicht 202. Das Durchgangsloch 211 ist lediglich in einem Teil der Musterschicht 202 bis zur Kante des keramischen Substrats 203 reichend ausgebildet, um Signale mit der Außenseite auszutauschen, und andere nicht gezeigte Durchgangslöcher sind so ausgebildet, dass sie Signale mit anderen inneren Mustern des kera mischen Substrats 203 austauschen. Da die Durchgangslöcher 211 gleichzeitig mit anderen Durchgangslöchern zum Verbinden der auf der oberen und unteren Fläche des keramischen Substrats ausgebildeten Muster miteinander ausgebildet werden, kann das Durchgangsloch 211 einfach hergestellt werden, ohne die Anzahl der Herstellungsschritte zu erhöhen. Vorzugsweise hat das Durchgangsloch 211 denselben Durchmesser wie die Durchgangslöcher zum Anschließen der Muster, die auf den oberen und unteren Flächen des keramischen Substrats 203 ausgebildet sind.
    • D) Das Durchgangsloch 211 ist mit einem Material gefüllt, um elektrisch mit der freiliegenden Musterschicht 202 verbunden zu werden, wodurch der Verbindungsstab 210 gebildet wird. Der Verbindungsstab 210 ist aus einem metallischen Leiter hergestellt, um elektrisch mit der Musterschicht 202 verbunden zu werden.
    • E) Eine Mehrzahl von keramischen Substraten 203, die durch die vorgenannten Schritte hergestellt worden sind, wird vertikal gestapelt. Teile oder alle der gestapelten keramischen Substrate 203 umfassen den Verbindungsstab 210, der durch Füllen des Durchgangslochs 211 gebildet wurde, und der Verbindungsstab 210 ist an die inneren Muster des entsprechenden keramischen Substrats 203 angeschlossen.
    • F) Ein Durchgangsloch 205 ist in Längsrichtung auf der Kante der gestapelten keramischen Substrate 203 ausgebildet, um die Musterschichten 202 und die Verbindungsstäbe 210 freizulegen. Das Durchgangsloch 205 hat eine Halbkreisform, sodass es nach außen offen ist, und läuft durch die Verbindungsstäbe 210. Daher liegen die Verbindungsstäbe 210 an der Innenwand des Durchgangslochs 205 frei. Vorzugsweise läuft der Außenumfang des Durchgangslochs 205 durch die Mitte des Verbindungsstabs 210.
    • G) Ein externer Anschluss 204 ist auf dem inneren Umfang des Durchgangslochs 205 ausgebildet. Der äußere Anschluss 204 ist ausgebildet durch Ablagern ei nes Metalls auf dem inneren Umfang des Durchgangslochs 205, und er ist an die Musterschichten 202 und die Verbindungsstäbe 210 angeschlossen.
  • Da das Durchgangsloch in der gestapelten Struktur ausgebildet ist, die durch Stapeln der mehreren keramischen Substrate gebildet ist, wird die äußere Elektrode durch das oben beschriebene Herstellungsverfahren gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel gleichmäßig erzeugt. Da der metallische Verbindungsstab auf der an die Außenseite angeschlossenen Musterschicht ausgebildet ist, liegt der Verbindungsstab immer noch frei durch die in dem Stanzverfahren erzeugten Schubspannungen, wodurch eine schlechte Verbindung zwischen den inneren Mustern und der äußeren Elektrode wegen der Verformung des keramischen Substrats verhindert wird. Die große Verbindungsfläche zwischen den inneren Mustern und der externen Elektrode verbessert den Grad der Verbindung dazwischen.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Multilayersubstrats der vorliegenden Erfindung kann wie folgt modifiziert werden. Gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann der Schritt des Ausbildens des Durchgangslochs vor dem Schritt des Ausbildens der Musterschicht durchgeführt werden. Die 13A bis 13G zeigen ein Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
    • A) Ein keramisches Substrat 303 mit einer festgelegten Dicke wird hergestellt.
    • B) In Übereinstimmung mit dem Schritt C des ersten Ausführungsbeispiels werden Durchgangslöcher 311 in dem keramischen Substrat 303 ausgebildet. Die Position des Durchgangslochs 311 ist so gewählt, dass das Durchgangsloch 311 innerhalb einer später gebildeten Musterschicht angeordnet ist, und die Anzahl der Durchgangslöcher 311 ist passend festgelegt, sodass die Durchgangslöcher 311 zum Austauschen von Signalen mit der Außenseite innerhalb der Musterschicht angeordnet sind.
    • C) Die Durchgangslöcher 311 sind mit einem metallischen Leiter gefüllt, wodurch sie als Verbindungsstäbe 310 ausgebildet werden. Wie bei dem ersten Ausfüh rungsbeispiel ist der Verbindungsstab 310 in Längsrichtung innerhalb des keramischen Substrats 303 ausgebildet.
    • D) Eine Musterschicht 302 ist auf dem keramischen Substrat 303 ausgebildet, sodass die Verbindungsstäbe 310 innerhalb einer Fläche der Musterschicht 302 angeordnet sind.
    • E) bis G) In Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel wird eine Mehrzahl der keramischen Substrate 303, die durch die vorgenannten Schritte ausgebildet worden sind, vertikal gestapelt, ein Durchgangsloch 305 ist in Längsrichtung auf der Kante der gestapelten keramischen Substrate 303 ausgebildet, und ein externer Anschluss 304 ist an der inneren Kreislinie des Durchgangslochs 305 ausgebildet.
  • Die vorliegende Erfindung schlägt ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats vor, bei dem eine Multilayersubstratplatte hergestellt und dann in mehrere Multilayersubstrate geschnitten wird, sodass eine Massenproduktion von Multilayersubstratprodukten stattfindet. Dieses Verfahren wird durch ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwirklicht, dass nun detailliert unter Bezugnahme auf die 14A bis 14H beschrieben wird.
    • A) Eine keramische Substratplatte 403 mit einer bestimmten Dicke wird hergestellt. Die keramische Substratplatte 403 ist mit Anreißlinien 408 versehen, um in eine Mehrzahl von keramischen Substraten geschnitten zu werden.
    • B) Eine Mehrzahl von denselben Musterschichten 402 zum Ausbilden von Schaltkreiselementen ist auf der keramischen Substratplatte 403 ausgebildet. Die mehreren Musterschichten 402 der vertikal gestapelten keramischen Substratplatten 403 bilden verschiedene Schaltkreiselemente. Die Musterschichten 402 sind aus einem Metallauftragsfilm hergestellt.
    • C) Durchgangslöcher 411 sind innerhalb der Musterschichten 402 ausgebildet und erstrecken sich bis zu den Anreißlinien 408 der keramischen Substrat platte 403, um Signale mit der Außenseite auszutauschen. Die Durchgangslöcher 211 sind in Längsrichtung auf der keramischen Substratplatte 403 benachbart zu den Anreißlinien 408 der keramischen Substratplatte 403 ausgebildet. Vorzugsweise ist der Durchmesser des Durchgangslochs 411 etwas kleiner als die Breite der Musterschicht 402. Das Durchgangsloch 411 ist lediglich in dem Teil der Musterschicht 402 ausgebildet, der sich bis zu den Anreißlinien 408 der keramischen Substratplatte 403 erstreckt, um Signale mit der Außenseite auszutauschen, und andere Durchgangslöcher (nicht gezeigt) sind ausgebildet, um Signale mit anderen inneren Mustern der keramischen Substratplatte 403 auszutauschen. Da die Durchgangslöcher 411 gleichzeitig mit anderen Durchgangslöchern ausgebildet sind, um die Muster, die auf der oberen und der unteren Fläche der keramischen Substratplatte 403 miteinander zu verbinden, wird das Durchgangsloch 411 einfach ausgebildet, ohne die Anzahl der Herstellungsschritte zu erhöhen. Vorzugsweise hat das Durchgangsloch 411 den gleichen Durchmesser wie die Durchgangslöcher zum Verbinden der oberen und unteren Muster.
    • D) Die Durchgangslöcher 411 sind mit einem Material gefüllt, um elektrisch mit den freiliegenden Musterschichten 402 verbunden zu werden, wodurch sie als Verbindungsstäbe 410 ausgebildet werden. Die Verbindungsstäbe 410 sind aus einem metallischen Leiter hergestellt, sodass sie elektrisch mit den Musterschichten 402 verbunden werden.
    • E) Eine Mehrzahl der keramischen Substratplatten 403, die durch die vorgenannten Schritte hergestellt sind, ist vertikal gestapelt. Ein Teil oder alle der gestapelten keramischen Substratplatten 403 umfassen den Verbindungsstab 410, der durch Füllen des Durchgangslochs 411 gebildet ist, und der Verbindungsstab 410 ist an die inneren Muster der entsprechenden keramischen Substratplatte 403 angeschlossen.
    • F) Durchgangslöcher 405 sind in Längsrichtung auf den Anreißlinien 408 der gestapelten keramischen Substratplatten 403 ausgebildet, um die Musterschichten 402 und die Verbindungsstäbe 410 freizulegen. Das Durchgangsloch 405 hat eine Zylinderform und läuft durch die Verbindungsstäbe 410. Die Verbindungsstäbe 410 liegen an der Innenwand des Durchgangslochs 405 frei. Vor zugsweise läuft der äußere Umfang des Durchgangslochs 405 durch die Mitte des Verbindungsstabs 410.
    • G) Äußere Anschlüsse 404 sind auf inneren Kreislinien der Durchgangslöcher 405 ausgebildet. Die äußeren Anschlüsse 404 sind ausgebildet durch Auftragen eines Metalls auf den inneren Kreislinien der Durchgangslöcher 405 und sie sind an die Musterschichten 402 und die Verbindungsstäbe 410 angeschlossen.
    • H) Die gestapelten keramischen Substratlagen 403 werden entlang der Anreißlinien 408 in eine Mehrzahl von keramischen Multilayersubstraten 404 geschnitten, die jeweils eine gewünschte Größe haben.
  • Da ein Durchgangsloch bei der gestapelten Struktur durch Stapeln einer Mehrzahl von Substraten gebildet wird, wird ähnlich wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel durch dieses Herstellungsverfahren gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel die äußere Elektrode gleichmäßig ausgebildet. Da der metallische Verbindungsstab auf der mit der Außenseite verbundenen Musterschicht ausgebildet ist, liegt der Verbindungsstab immer noch frei zur Außenseite infolge von Schubspannungen, die bei dem Stanzverfahren erzeugt werden, somit wird eine schlechte Verbindung zwischen den inneren Mustern und der äußeren Elektrode wegen der Verformung des keramischen Substrats vermieden. Ferner verbessert ein großer Verbindungsbereich zwischen den inneren Mustern und der äußeren Elektrode den Grad der Verbindung. Darüber hinaus werden bei dem Herstellungsverfahren des dritten Ausführungsbeispiels die Schritte zum Ausbilden der Verbindungsstäbe und der Durchgangslöcher bei einer Massenproduktion der Multilayersubstrate angewendet, wodurch eine Massenproduktion eines bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannten keramischen Multilayersubstratprodukts mit den vorgenannten Wirkungen durchgeführt wird.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Multilayersubstrats des dritten Ausführungsbeispiels kann wie folgt modifiziert werden. Gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der Schritt des Ausbildens der Durchgangslöcher vor dem Schritt des Ausbildens der Musterschichten durchgeführt. Die 15A bis 15H stellen das Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar. Ähnlich wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel werden bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel zuerst die Verbindungsstäbe ausgebildet, anschließend werden die Musterschichten ausgebildet.
    • A) In Übereinstimmung mit dem dritten Ausführungsbeispiel wird eine keramische Substratplatte 503 mit einer festgelegten Dicke hergestellt und mit Anreißlinien 508 versehen, sodass sie in eine Mehrzahl von keramischen Substraten geschnitten werden kann.
    • B) In Übereinstimmung mit dem Schritt C des dritten Ausführungsbeispiels werden Durchgangslöcher 511 in der keramischen Substratplatte 503 ausgebildet. die Positionen der Durchgangslöcher 511 sind so festgelegt, dass die Durchgangslöcher 511 innerhalb der später ausgebildeten Musterschichten angeordnet sind, und die Anzahl der Durchgangslöcher 511 ist passend vorher festgelegt, sodass die Durchgangslöcher 511 innerhalb der Musterschichten zum Austausch von Signalen mit der Außenseite angeordnet sind.
    • C) Die Durchgangslöcher 511 sind mit einem metallischen Leiter gefüllt, wodurch sie als Verbindungsstäbe 510 ausgebildet werden. In Übereinstimmung mit dem dritten Ausführungsbeispiel sind die Verbindungsstäbe 511 in Längsrichtung in der keramischen Substratplatte 503 ausgebildet.
    • D) Musterschichten 502 sind auf der keramischen Substratplatte 503 ausgebildet, sodass die Verbindungsstäbe 510 innerhalb der Flächen der Musterschichten 502 angeordnet sind.
    • E) bis G) In Übereinstimmung mit dem dritten Ausführungsbeispiel ist eine Mehrzahl der keramischen Substratplatten 503, die durch die zuvor erwähnten Schritte hergestellt worden sind, vertikal gestapelt, Durchgangslöcher 505 sind in Längsrichtung auf den Anreißlinien 508 der gestapelten keramischen Substratplatten 503 ausgebildet, und äußere Anschlüsse 504 sind auf inneren Kreislinien der Durchgangslöcher 505 ausgebildet.
  • In Übereinstimmung mit den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden Multilayersubstrate hergestellt, die die Verbindung zwischen den inneren Mustern und den äußeren Elektroden stabil bewahren. Im Stand der Technik wurde kein Verfahren zur Herstellung eines Durchgangslochs nach dem Stapeln der keramischen Substrate wegen der erwähnten Probleme benutzt. Wie jedoch in 11 gezeigt ist, liegt bei dem Verfahren zur Herstellung der Multilayersubstrate der Verbindungsstab 110, der innerhalb der inneren Musterschicht 102 ausgebildet ist, immer noch an der Wand des Durchgangsloch frei, wodurch er an die äußere Elektrode 104, die in dem Durchgangsloch ausgebildet ist, angeschlossen wird. Darüber hinaus ist die innere Musterschicht 102 mit dem Verbindungsstab 110 verbunden, wodurch sie stabil elektrisch mit der äußeren Elektrode 104 verbunden wird.
  • Aus der obigen Beschreibung ist ersichtlich, dass die äußere Elektrode gleichmäßig auf dem keramischen Multilayersubstrat ausgebildet wird, da ein Durchgangsloch auf der Stapelstruktur ausgebildet wird, die durch Stapeln einer Mehrzahl von mit Musterschichten versehenen Substrate gebildet wird. Darüber hinaus, da ein metallischer Verbindungsstab auf der mit der Außenseite verbundenen Musterschicht gebildet ist, liegt der Verbindungsstab immer noch nach außen hin frei wegen der Schubspannung, die in dem Verfahrensschritt des Ausstanzens des Durchgangslochs erzeugt wird, wodurch eine schlechte Verbindung zwischen den inneren Mustern und der äußeren Elektrode wegen der Verformung des keramischen Substrats verhindert wird. Darüber hinaus verbessert ein großer Verbindungsbereich zwischen den inneren Mustern und der äußeren Elektrode den Grad der Verbindung dazwischen.
  • Ferner werden bei dem Verfahren zur Herstellung der Multilayersubstrate die Schritte des Ausbildens der Verbindungsstäbe und der Durchgangslöcher bei einer Massenproduktion der Multilayersubstrate angewendet, sodass eine Massenproduktion von bei niedriger Temperatur gemeinsam gebrannten keramischen Multilayersubstratprodukten mit den zuvor beschriebenen Wirkungen durchgeführt wird.
  • Ein bei niedriger Temperatur gemeinsam gebranntes keramisches Multilayersubstrat verbindet die inneren Musterschichten mit der äußeren Elektrode über den auf jedem keramischen Substrat ausgebildeten Verbindungsstab, wodurch der Grad der elektrischen Verbindung zwischen den inneren Musterschichten und der äußeren Elektrode verbessert wird. Im Stand der Technik wird die Verbindung zwischen dem äußeren Anschluss und den inneren Mustern durch einen Linienkontakt erzielt, da die Musterschicht lediglich auf der oberen Fläche des Substrats ausgebildet ist. Da die Kontaktfläche zwischen den inneren Mustern und dem äußeren Anschluss bei der vorliegenden Erfindung, die die Verbindungsstäbe aufweist, vergrößert ist und die Verbindung zwischen dem Verbindungsstab und dem äußeren Anschluss durch einen Flächenkontakt realisiert ist, ist der Grad der Verbindung zwischen den inneren Mustern und dem äußeren Anschluss verbessert.
  • Obwohl bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung für Darstellungszwecke offenbart wurden, ist es für einen Fachmann dieses Gebiets klar, dass vielfältige Modifikationen, Ergänzungen und Ersetzungen möglich sind, ohne den Schutzbereich der Erfindung zu verlassen, der sich durch die Patentansprüche ergibt.

Claims (14)

  1. Keramisches Multilayersubstrat, ausgebildet durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten (103), umfassend: Musterschichten (102), ausgebildet auf Flächen von Teilen oder aller keramischer Substrate (103), um festgelegte Schaltkreiselemente auszubilden; Verbindungsstäbe (110), die in Längsrichtung in den keramischen Substraten (103) ausgebildet sind, innerhalb eines Teils der Musterschichten (102), der bis zu den Kanten der keramischen Substrate (103) reicht, benachbart zu den Kanten, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; wenigstens ein Durchgangsloch (105), das auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate (103) derart ausgebildet ist, dass es nach außen hin offen ist und den Verbindungsstab (110) freilegt; und wenigstens ein externer Anschluss (104), der auf den Innenwänden der Durchgangslöcher (105) ausgebildet ist.
  2. Keramisches Multilayersubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Musterschichten (102) aus einem Metallauftragsfilm und die Verbindungsstäbe (110) durch Füllen von in den keramischen Substraten (103) ausgebildeten Durchgangslöchern (105) mit einem metallischen Leiter ausgebildet sind, sodass sie elektrisch mit den Musterschichten (102) verbunden werden.
  3. Keramisches Multilayersubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Umfangslinie des Durchgangslochs (105) durch die Mitte des Verbindungsstabs (110) läuft.
  4. Keramisches Multilayersubstrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser des Verbindungsstabs (110) nicht größer als der Durchmesser der Musterschicht (102) ist, die bis zu der Kante des keramischen Substrats (103) verlängert ist, um Signale mit der Außenseite auszutauschen.
  5. Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, jedes der keramischen Substrate hat eine festgelegte Dicke; Ausbilden von Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substrate um Schaltkreiselemente auszubilden; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substrate innerhalb eines Teils der keramischen Schichten, der bis zu den Kanten der keramischen Substrate verlängert ist, benachbart zu den Kanten, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem Material, das elektrisch mit den Musterschichten verbunden ist; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate; Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs in Längsrichtung auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe nach außen hin freizulegen; und Ausbilden wenigstens eines äußeren Anschlusses in dem Durchgangsloch durch ein Auftragungsverfahren.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, jedes der keramischen Substrate hat eine festgelegte Dicke; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substrate, benachbart zu den Kanten der keramischen Substrate; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem leitenden Material; Ausbilden von Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substrate um derart Schaltkreiselemente auszubilden, dass die Verbindungsstäbe innerhalb des Teils der Musterschichten angeordnet sind, der bis zu den Kanten des keramischen Substrats verlängert ist, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substrate; Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs in Längsrichtung auf den Kanten der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe zur Außenseite hin freizulegen; und Ausbilden wenigstens eines äußeren Anschlusses in dem Durchgangsloch durch ein Auftragungsverfahren.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Musterschichten aus einem Metallauftragsfilm ausgebildet werden und die Verbindungsstäbe werden ausgebildet durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem metallischen Leiter, sodass sie elektrisch mit den Musterschichten verbunden werden.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsstäbe zylinderförmig ausgebildet werden und die Umfangslinie des Durchgangslochs durch die Mitte des Verbindungsstabs läuft.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Multilayersubstrats nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser des Verbindungsstabs nicht größer als die Breite der Musterschicht ist, die bis zur Kante des keramischen Substrats verlängert ist, um Signale mit der Außenseite auszutauschen.
  10. Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substratplatten, die jeweils mit Anreißlinien versehen sind, sodass sie in eine Mehrzahl von keramischen Substraten geschnitten werden können und eine festgelegte Dicke besitzen; Herstellen einer Mehrzahl von gleichen Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substratplatten, um Schaltkreiselemente auszubilden; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substratplatten innerhalb eines Teils der Musterschichten, der bis zu den Anreißlinien der keramischen Substratplatten reicht, benachbart zu den Anreißlinien, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem Material, das elektrisch mit den Musterschichten verbundnen ist; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substratplatten; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung auf den Anreißlinien der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe nach außen hin freizulegen; Ausbilden von äußeren Anschlüssen in den Durchgangslöchern durch ein Auftragungsverfahren; und Zerschneiden der gestapelten keramischen Substratplatten entlang der Anreißlinien in eine Mehrzahl von keramischen Multilayersubstraten.
  11. Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten durch Stapeln und Brennen einer Mehrzahl von keramischen Substraten, umfassend die folgenden Schritte: Herstellen einer Mehrzahl von keramischen Substratplatten, die jeweils mit Anreißlinien versehen sind, sodass sie in eine Mehrzahl von keramischen Substraten mit einer festgelegten Dicke geschnitten werden können; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung der keramischen Substratplatten, benachbart zu den Anreißlinien; Ausbilden von Verbindungsstäben durch Füllen der Durchgangslöcher mit leitfähigem Material; Ausbilden einer Mehrzahl von gleichen Musterschichten auf Oberflächen der keramischen Substratplatten, um Schaltkreiselemente zu bilden, derart, dass die Verbindungsstäbe innerhalb eines Teils der Musterschichten angeordnet sind, der sich bis zu den Anreißlinien der keramischen Substrate erstreckt, um Signale mit der Außenseite auszutauschen; Stapeln einer Mehrzahl der keramischen Substratplatten; Ausbilden von Durchgangslöchern in Längsrichtung auf den Anreißlinien der gestapelten keramischen Substrate, um die Verbindungsstäbe zur Außenseite hin freizulegen; Ausbilden von äußeren Anschlüssen in den Durchgangslöchern durch ein Auftragungsverfahren; und Zerschneiden der gestapelten keramischen Substratplatten entlang der Anreißlinien in eine Mehrzahl von keramischen Mehrschichtsubstraten.
  12. Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Musterschichten aus einem Metallauftragungsfilm hergestellt werden, und die Verbindungsstäbe werden durch Füllen der Durchgangslöcher mit einem metallischen Leiter ausgebildet, um elektrisch mit den Musterschichten verbunden zu werden.
  13. Verfahren zur Herstellung der Multilayersubstrate nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsstäbe zylinderförmig ausgebildet werden und die Umfangslinie der Durchgangslöcher durch die Mitte der Verbindungsstäbe läuft.
  14. Verfahren zur Herstellung von Multilayersubstraten nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser des Verbindungsstabs nicht größer als die Breite der Musterschicht ist, die bis zur Kante des keramischen Substrats reicht, um Signale mit der Außenseite auszutauschen.
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