DE102014222768A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Ein erster spiralförmiger Induktor (2) ist auf dem Halbleitersubstrat (1) vorgesehen. Ein dielektrischer Film (3) bedeckt den ersten spiralförmigen Induktor. Ein zweiter spiralförmiger Induktor (4) ist auf dem dielektrischen Film vorgesehen. Ein Verbindungsabschnitt (5) durchdringt den elektrischen Film und verbindet elektrisch den ersten inneren Endabschnitt mit dem zweiten inneren Endabschnitt. Eine Drehrichtung des ersten spiralförmigen Induktors vom ersten äußeren Endabschnitt in Richtung des ersten inneren Endabschnitts ist dieselbe wie eine Drehrichtung des zweiten spiralförmigen Induktors vom zweiten inneren Endabschnitt in Richtung des zweiten äußeren Endabschnitts. Ein zweiter Einstellungsdraht (4c) des zweiten spiralförmigen Induktors ist oberhalb eines ersten Einstellungsdrahts (2c) des ersten spiralförmigen Induktors über den dielektrischen Film vorgesehen. In anderen Teilen als dem ersten und dem zweiten Einstellungsdraht ist ein Draht des zweiten spiralförmigen Induktors in einer Draufsicht in einem Spalt zwischen Drähten des ersten spiralförmigen Induktors angeordnet.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Hochfrequenzvorrichtung, die hauptsächlich für eine Hochfrequenzband-Funkvorrichtung oder Hochfrequenzband-Radarvorrichtung oder dergleichen verwendet wird, und insbesondere auf eine Halbleitervorrichtung, die mit einem spiralförmigen Induktor auf einem Halbleitersubstrat versehen ist.
- In den letzten Jahren mussten Mobilkommunikationsvorrichtungen, die durch tragbare Endgeräte oder dergleichen verkörpert sind, eine Größenverringerung, mehrere Funktionen und eine Kostenverringerung verwirklichen, und Hochfrequenzvorrichtungen, die daran angebracht sind, mussten auch eine Größenverringerung, mehrere Funktionen und eine Kostenverringerung verwirklichen. Für Hochfrequenzvorrichtungen wird häufig eine MMIC (monolithische integrierte Mikrowellenschaltung) verwendet, in der ein aktives Element wie z. B. ein Transistor und eine Anpassungsschaltung einteilig auf einem halbisolierenden Substrat wie z. B. GaAs, SiGe oder Si ausgebildet sind.
- Eine Anpassungsschaltung ist aus passiven Elementen wie z. B. einem Widerstand, einem MIM-Kondensator und einem spiralförmigen Induktor konfiguriert. Der MIM-Kondensator besteht aus einem Metall einer oberen Schicht und einem Metall einer unteren Schicht eines dielektrischen Films. Der spiralförmige Induktor ist ein Spiraldraht. Da der spiralförmige Induktor eine größere Fläche belegt als andere passive Schaltungen in einer Anpassungsschaltung, die insbesondere auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, muss der spiralförmige Induktor eine Größenverringerung verwirklichen.
- Um eine größere Induktivität mit einer kleinen Fläche zu erhalten, ist eine Struktur offenbart, in der zwei spiralförmige Induktoren, die in derselben Richtung gewickelt sind, laminiert sind und ein spiralförmiger Induktor in einer Position angeordnet ist, die einem Spalt bezüglich des anderen gegenüber liegt (z. B. siehe
JP 2003-78017-A 1 ),JP 2013-153011-A 1 ),JP 11-154730 1 )). - Überdies verwendet hinsichtlich tragbarer Endgeräte ein gleiches Endgerät häufig verschiedene Frequenzbänder. Daher muss ein solches Endgerät ein Filter verwenden, um Signale in anderen Frequenzbändern zu entfernen, und erfordert eine Anpassungsschaltung, die dieses Filter bildet (z. B. siehe
JP 2007-318362-A 2 )). - Gemäß
JP 2003-78017-A 1 ),JP 2013-153011-A 1 ),JP 11-154730-A 1 ) sind zwei spiralförmige Induktoren so angeordnet, dass sie nicht einander zugewandt sind, wobei folglich eine Kopplungskapazität zwischen den beiden verringert wird. Aus diesem Grund ist eine Eigenresonanzfrequenz (Grenzfrequenz) (eine Frequenz, bei der eine induktiv-kapazitive Änderung stattfindet) hoch und ein hoher Induktivitätswert wird beim Bilden der Anpassungsschaltung erhalten, und daher ist eine solche Konfiguration zur Anpassung innerhalb eines Bandes vorteilhaft. Diese Konfiguration ist jedoch zum Abweisen von anderen Bändern als einem gewünschten Band, insbesondere eines Bandes auf einer Hochfrequenzbandseite, ungeeignet und daher ist es erforderlich, eine zusätzliche Filterschaltung zu schaffen, die Bänder außerhalb dieses Bandes abweist. Außerdem kann das Konfigurieren eines spiralförmigen Induktors auf einem Halbleitersubstrat als Filterschaltung, um unnötige Bänder abzuweisen, verursachen, dass die Größe der MMIC zunimmt. Ferner erfordert der inJP 11-154730-A 1 ) beschriebene Stand der Technik eine Verdrahtung, die eine Verbindungsleitung von einem inneren Endabschnitt des spiralförmigen Induktors zu einer externen Schaltung bildet, was zu einer Erhöhung der Anzahl von Herstellungsschritten führt. - Angesichts der vorstehend beschriebenen Probleme besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, die Frequenzcharakteristiken von Verstärkungen ohne Ändern der Anzahl von Windungen und der Belegungsfläche der spiralförmigen Induktoren ändern kann.
- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Halbleitervorrichtung nach den Ansprüchen 1 und 3 gelöst.
- Gemäß der vorliegende Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung Folgendes: ein Halbleitersubstrat; einen ersten spiralförmigen Induktor auf dem Halbleitersubstrat, der ein Spiraldraht mit einem ersten inneren Endabschnitt und einem ersten äußeren Endabschnitt ist; einen dielektrischen Film, der den ersten spiralförmigen Induktor bedeckt; einen zweiten spiralförmigen Induktor auf dem dielektrischen Film, der ein Spiraldraht mit einem zweiten inneren Endabschnitt und einem zweiten äußeren Endabschnitt ist; und einen Verbindungsabschnitt, der den dielektrischen Film durchdringt und den ersten inneren Endabschnitt mit dem zweiten inneren Endabschnitt elektrisch verbindet, wobei eine Drehrichtung des ersten spiralförmigen Induktors vom ersten äußeren Endabschnitt in Richtung des ersten inneren Endabschnitts dieselbe wie eine Drehrichtung des zweiten spiralförmigen Induktors vom zweiten inneren Endabschnitt in Richtung des zweiten äußeren Endabschnitts ist, wobei der erste spiralförmige Induktor einen ersten Einstellungsdraht umfasst, der zweite spiralförmige Induktor einen zweiten Einstellungsdraht parallel zum ersten Einstellungsdraht umfasst, der zweite Einstellungsdraht oberhalb des ersten Einstellungsdrahts über den dielektrischen Film angeordnet ist und in anderen Teilen als dem ersten und dem zweiten Einstellungsdraht ein Draht des zweiten spiralförmigen Induktors in einer Draufsicht in einem Spalt zwischen Drähten des ersten spiralförmigen Induktors angeordnet ist.
- Die vorliegende Erfindung ändert die Anzahl von sich überlagernden linearen Drähten der zwei spiralförmigen Induktoren und kann dadurch Frequenzcharakteristiken von Verstärkungen ohne Ändern der Anzahl von Windungen und der Belegungsfläche der spiralförmigen Induktoren ändern.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
-
1 eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. -
2 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in1 . -
3 ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen dem spiralförmigen Induktor der ersten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt. -
4 ein Diagramm, das einen Vergleich von Charakteristiken zwischen einem Verstärker unter Verwendung der spiralförmigen Induktoren der ersten Ausführungsform als Anpassungsschaltung und jenem des Standes der Technik darstellt. -
5 eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. -
6 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in5 . -
7 ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen einem spiralförmigen Induktor der zweiten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt. -
8 ein Diagramm, das einen Vergleich von Charakteristiken zwischen einem Verstärker unter Verwendung des spiralförmigen Induktors der zweiten Ausführungsform als Anpassungsschaltung und jenem des Standes der Technik darstellt. -
9 eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. -
10 eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in9 . -
11 ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen dem spiralförmigen Induktor der dritten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt. - Eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Dieselben Komponenten werden mit denselben Zeichen bezeichnet und auf deren wiederholte Beschreibung kann verzichtet werden.
- Erste Ausführungsform
-
1 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in1 . Ein Halbleitersubstrat1 ist ein GaAs-Substrat, Si-Substrat, SiGe-Substrat, Substrat mit GaN auf SiC oder Substrat mit GaN auf Si oder dergleichen. - Ein spiralförmiger Induktor
2 , der ein Spiralmetalldraht mit einem inneren Endabschnitt2a und einem äußeren Endabschnitt2b ist, ist auf diesem Halbleitersubstrat1 vorgesehen. Ein dielektrischer Film3 , der aus SiN oder SiON besteht, bedeckt den spiralförmigen Induktor2 . Ein spiralförmiger Induktor4 , der ein Spiralmetalldraht mit einem inneren Endabschnitt4a und einem äußeren Endabschnitt4b ist, ist auf dem dielektrischen Film3 vorgesehen. Die spiralförmigen Induktoren2 und4 sind mehrere lineare Drähte, die in einer Spiralform angeordnet sind. - Ein Kontaktloch
5 durchdringt den dielektrischen Film3 und verbindet den inneren Endabschnitt2a und den inneren Endabschnitt4a elektrisch. Der äußere Endabschnitt2b und der äußere Endabschnitt4b sind ein Eingangsanschluss und ein Ausgangsanschluss eines Induktors, der aus den spiralförmigen Induktoren2 und4 besteht. - Eine Halbleiterschaltung
6 ist auf dem Halbleitersubstrat1 vorgesehen. Die Halbleiterschaltung6 ist mit dem äußeren Endabschnitt2b und/oder dem äußeren Endabschnitt4b verbunden. Die Halbleiterschaltung6 umfasst Transistoren wie z. B. Feldeffekttransistoren oder Heterobipolartransistoren, Widerstände, Kondensatoren oder dergleichen. - Die Drehrichtung des spiralförmigen Induktors
2 vom äußeren Endabschnitt2b in Richtung des inneren Endabschnitts2a ist dieselbe wie die Drehrichtung des spiralförmigen Induktors4 vom inneren Endabschnitt4a in Richtung des äußeren Endabschnitts4b . - Der spiralförmige Induktor
2 weist einen linearen Draht2c auf. Der spiralförmige Induktor4 weist einen linearen Draht4c parallel zum linearen Draht2c auf. Der lineare Draht4c ist oberhalb des linearen Drahts2c über den dielektrischen Film3 angeordnet. In anderen Teilen als den linearen Drähten2c und4c ist der Draht des spiralförmigen Induktors in einer Draufsicht in einem Spalt zwischen Drähten des spiralförmigen Induktors2 angeordnet. Das heißt, die Drähte der spiralförmigen Induktoren2 und4 sind abwechselnd angeordnet. Die Verdrahtungsbreite des spiralförmigen Induktors4 ist gleich oder kleiner als das Verdrahtungsintervall des spiralförmigen Induktors2 , -
3 ist ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen dem spiralförmigen Induktor der ersten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt. Im Stand der Technik überlappen zueinander parallele lineare Drähte der zwei spiralförmigen Induktoren nicht. Im Gegensatz dazu sind in der ersten Ausführungsform Teile der zueinander parallelen linearen Drähte der zwei spiralförmigen Induktoren über den dielektrischen Film aufeinander überlagert und dadurch ist es möglich, die Kopplungskapazität zwischen den zwei zu erhöhen und die Grenzfrequenz zu einer niedrigeren Frequenz zu verschieben. Die linearen Drähte2c und4c wirken als Drähte zum Einstellen der Kopplungskapazität. -
4 ist ein Diagramm, das einen Vergleich von Charakteristiken zwischen einem Verstärker unter Verwendung der spiralförmigen Induktoren der ersten Ausführungsform als Anpassungsschaltung und jenem des Standes der Technik darstellt. In der ersten Ausführungsform ist es durch Überlagern von Teilen der zueinander parallelen linearen Drähte der zwei spiralförmigen Induktoren über den dielektrischen Film möglich, die Frequenzcharakteristik der Verstärkungen zu verändern. Aus diesem Grund ist es möglich, leicht eine gewünschte Charakteristik zu erhalten, ohne separat irgendeine Filterschaltung bereitzustellen, die Verstärkungen außerhalb des Bandes entfernt (Hochfrequenzbandseite). - Die vorliegende Ausführungsform ändert die Anzahl von sich überlagernden linearen Drähten der zwei spiralförmigen Induktoren und kann dadurch die Frequenzcharakteristiken von Verstärkungen ändern, ohne die Anzahl von Windungen und die Belegungsfläche der spiralförmigen Induktoren zu ändern.
- Der spiralförmige Induktor gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann als Anpassungsschaltung einer MMIC (monolithischen integrierten Mikrowellenschaltung) unter Verwendung eines Feldeffekttransistors oder Heterobipolartransistors, der auf demselben Substrat ausgebildet ist, verwendet werden. Die Verwendung des spiralförmigen Induktors gemäß der vorliegenden Ausführungsform für nicht nur einen Verstärker, sondern auch für eine MMIC mit anderen Funktionen schafft ähnliche Effekte.
- Zweite Ausführungsform
-
5 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.6 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in5 . Ein linearer Draht4c ist so angeordnet, dass er sich über einen linearen Draht2c und einen Spalt zwischen den Drähten des spiralförmigen Induktors2 erstreckt. Wie im Fall der ersten Ausführungsform ist es möglich, eine Kopplungskapazität zwischen den Drähten vielmehr zu verringern als den linearen Draht4c über dem linearen Draht2c anzuordnen. Daher ist es leichter, die Feineinstellung der Grenzfrequenz durchzuführen, und es ist möglich, den Induktivitätswert leicht zu korrigieren. -
7 ist ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen einem spiralförmigen Induktor der zweiten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt.8 ist ein Diagramm, das einen Vergleich von Charakteristiken zwischen einem Verstärker unter Verwendung des spiralförmigen Induktors der zweiten Ausführungsform als Anpassungsschaltung und jenem des Standes der Technik darstellt. - Die vorliegende Ausführungsform ändert die Art der Überlagerung der linearen Drähte von zwei spiralförmigen Induktoren und kann dadurch eine Frequenzcharakteristik der Verstärkung ohne Ändern der Anzahl von Windungen und der Belegungsfläche der spiralförmigen Induktoren ändern. Daher ist es möglich, Charakteristikschwankungen, die durch Herstellungsvariationen beispielsweise eines Transistors verursacht werden, einzustellen.
- Dritte Ausführungsform
-
9 ist eine Draufsicht, die eine Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.10 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie I-II in9 . In einer Draufsicht ist ein Draht eines spiralförmigen Induktors4 in einem Spalt zwischen Drähten eines spiralförmigen Induktors2 angeordnet. Eine Seitenwand des Drahts des spiralförmigen Induktors4 ist einer Seitenwand des Drahts des spiralförmigen Induktors2 über einen dielektrischen Film3 zugewandt. - In einem Prozess zum Ausbilden des spiralförmigen Induktors
4 wird die Öffnungsbreite eines Resists durch Ändern einer Härtungstemperatur oder dergleichen verbreitert. Die Verdrahtungsbreite des spiralförmigen Induktors4 wird dadurch verbreitert und der spiralförmige Induktor4 wird nahe der Seitenwand des Drahts des spiralförmigen Induktors2 über einen dielektrischen Film angeordnet. -
11 ist ein Diagramm, das einen Vergleich von Frequenzcharakteristiken zwischen dem spiralförmigen Induktor der dritten Ausführungsform und jenem des Standes der Technik darstellt. Die dritte Ausführungsform kann die Kopplungskapazität zwischen Drähten im Vergleich zu jener der ersten Ausführungsform verringern und erleichtert dadurch die Feineinstellung der Grenzfrequenz und die Korrektur eines Induktivitätswerts. Dies ermöglicht, dass die Grenzfrequenz des spiralförmigen Induktors leicht geändert wird ohne Ändern eines Maskenmusters zum Ausbilden des spiralförmigen Induktors4 , und kann dadurch eine Kostenverringerung erreichen. - Ein Beispiel eines spiralförmigen Induktors wurde vorstehend dargestellt, wobei mehrere lineare Drähte in einer Spiralform angeordnet sind, aber die Gesamtform des spiralförmigen Induktors kann auch kreisförmig, elliptisch oder irgendeine gegebene Form sein. In diesem Fall kann der Einstellungsdraht dieselbe gekrümmte Form wie andere Teile aufweisen oder nur dieser Teil kann linear sein.
- Offensichtlich sind viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung angesichts der obigen Lehren möglich. Daher kann die Erfindung selbstverständlich innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche anders als spezifisch beschrieben ausgeführt werden.
- Die gesamte Offenbarung von
JP 2013-267685-A - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 2003-78017- A [0004, 0006]
- JP 2013-153011 A [0004]
- JP 11-154730 [0004]
- JP 2007-318362 A [0005]
- JP 2013-153011- A [0006]
- JP 11-154730- A [0006, 0006]
- JP 2013-267685- A [0043]
Claims (5)
- Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst; ein Halbleitersubstrat (
1 ); einen ersten spiralförmigen Induktor (2 ) auf dem Halbleitersubstrat (1 ), der ein Spiraldraht mit einem ersten inneren Endabschnitt (2a ) und einem ersten äußeren Endabschnitt (2b ) ist; einen dielektrischen Film (3 ), der den ersten spiralförmigen Induktor (2 ) bedeckt; einen zweiten spiralförmigen Induktor (4 ) auf dem dielektrischen Film (3 ), der ein Spiraldraht mit einem zweiten inneren Endabschnitt (4a ) und einem zweiten äußeren Endabschnitt (4b ) ist; und einen Verbindungsabschnitt (5 ), der den dielektrischen Film (3 ) durchdringt und den ersten inneren Endabschnitt (2a ) mit dem zweiten inneren Endabschnitt (4a ) elektrisch verbindet, wobei eine Drehrichtung des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) vom ersten äußeren Endabschnitt (2b ) in Richtung des ersten inneren Endabschnitts (2a ) dieselbe wie eine Drehrichtung des zweiten spiralförmigen Induktors (4 ) vom zweiten inneren Endabschnitt (4a ) in Richtung des zweiten äußeren Endabschnitts (4b ) ist, der erste spiralförmige Induktor (2 ) einen ersten Einstellungsdraht (2c ) umfasst, der zweite spiralförmige Induktor (4 ) einen zweiten Einstellungsdraht (4c ) parallel zum ersten Einstellungsdraht (2c ) umfasst, der zweite Einstellungsdraht (4c ) oberhalb des ersten Einstellungsdrahts (2c ) über den dielektrischen Film (3 ) angeordnet ist, und in anderen Teilen als dem ersten und dem zweiten Einstellungsdraht (2c ,4c ) ein Draht des zweiten spiralförmigen Induktors (4 ) in einer Draufsicht in einem Spalt zwischen Drähten des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) angeordnet ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Einstellungsdraht (
4c ) so angeordnet ist, dass er sich über dem ersten Einstellungsdraht (2c ) und dem Spalt zwischen den Drähten des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) erstreckt. - Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Halbleitersubstrat (
1 ); einen ersten spiralförmigen Induktor (2 ) auf dem Halbleitersubstrat (1 ), der ein Spiraldraht mit einem ersten inneren Endabschnitt (2a ) und einem ersten äußeren Endabschnitt (2b ) ist; einen dielektrischen Film (3 ), der den ersten spiralförmigen Induktor (2 ) bedeckt; einen zweiten spiralförmigen Induktor (4 ) auf dem dielektrischen Film (3 ), der ein Spiraldraht mit einem zweiten inneren Endabschnitt (4a ) und einem zweiten äußeren Endabschnitt (4b ) ist; und einen Verbindungsabschnitt (5 ), der den dielektrischen Film (3 ) durchdringt und den ersten inneren Endabschnitt (2a ) mit dem zweiten inneren Endabschnitt (4a ) elektrisch verbindet, wobei eine Drehrichtung des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) vom ersten äußeren Endabschnitt (2b ) in Richtung des ersten inneren Endabschnitts (2a ) dieselbe wie eine Drehrichtung des zweiten spiralförmigen Induktors (4 ) vom zweiten inneren Endabschnitt (4a ) in Richtung des zweiten äußeren Endabschnitts (4b ) ist, ein Draht des zweiten spiralförmigen Induktors (4 ) in einer Draufsicht in einem Spalt zwischen Drähten des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) angeordnet ist, und eine Seitenwand des Drahts des zweiten spiralförmigen Induktors (4 ) einer Seitenwand des Drahts des ersten spiralförmigen Induktors (2 ) über den dielektrischen Film (3 ) zugewandt ist. - Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste und der zweite spiralförmige Induktor (
2 ,4 ) mehrere lineare Drähte sind, die in einer Spiralform angeordnet sind. - Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die ferner eine Halbleiterschaltung (
6 ) auf dem Halbleitersubstrat (1 ) umfasst, die mit dem ersten und/oder dem zweiten äußeren Endabschnitt (2b ,4b ) verbunden ist.
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