WO2013125369A1 - 分波装置 - Google Patents

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WO2013125369A1
WO2013125369A1 PCT/JP2013/053010 JP2013053010W WO2013125369A1 WO 2013125369 A1 WO2013125369 A1 WO 2013125369A1 JP 2013053010 W JP2013053010 W JP 2013053010W WO 2013125369 A1 WO2013125369 A1 WO 2013125369A1
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WO
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wiring
ladder
inductance element
acoustic wave
circuit board
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PCT/JP2013/053010
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English (en)
French (fr)
Inventor
哲朗 奥田
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to a demultiplexer, and more particularly, to a demultiplexer including a ladder type filter and an inductance element.
  • duplexers are widely used that use a surface acoustic wave (SAW) filter to separate a transmission signal and a reception signal according to a difference in frequency.
  • SAW surface acoustic wave
  • the pass band of the duplexer which is a frequency band through which a transmission signal and a reception signal pass, can be widened.
  • the pass band width of a ladder filter in which a resonator is formed using a piezoelectric substrate is mainly determined by the electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric material of the piezoelectric substrate on which the resonator is formed.
  • the substrate material of the piezoelectric substrate cannot actually freely select an electromechanical coupling coefficient optimum for the pass band width of the ladder type filter in consideration of other characteristics such as sound speed and temperature coefficient. For this reason, when there is a demand to further increase the passband, a configuration in which an inductance element is added to the ladder type filter instead of changing the electromechanical coupling coefficient is used.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of a ladder filter to which an inductance element is added.
  • the ladder type filter shown in FIG. 9 is a ladder type surface acoustic wave filter 211 using a surface acoustic wave resonator as a resonator as an embodiment.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter 211 includes a series arm resonator 211a and a parallel arm resonator 211b.
  • the surface acoustic wave resonator can be regarded as equivalent to an LC resonance circuit including an equivalent inductance L1, an equivalent series capacitance C1, and a parallel capacitance C0.
  • the pass characteristic of the ladder-type surface acoustic wave filter 211 is formed by connecting surface acoustic wave resonators in series and in parallel.
  • An inductance element is added in series with the GND potential for one of such parallel arm resonators 211b.
  • the inductance element added in this way is called an extension coil 212.
  • LC resonance is generated by the parallel capacitance C0 of the parallel arm resonator 211b and the extension coil 212.
  • the attenuation pole generated by this LC resonance is called a sub-resonance point.
  • the extension coil 212 is formed by wiring in a package on a circuit board of a duplexer.
  • a distributed capacitor 214 is generated between the wires of the extension coil 212.
  • the combined inductance of the LC resonance circuit is increased by the inductance of the extension coil 212, so that both the resonance point and the sub-resonance point are shifted to the low frequency side.
  • FIG. 10A is an enlarged view of the pass characteristic in the vicinity of the resonance point, showing the influence of the inductance of the extension coil 212 on the pass characteristic of the ladder-type surface acoustic wave filter 211.
  • FIG. 10B is an overall view of the pass characteristic including the resonance point and the sub-resonance point, showing the influence of the inductance of the extension coil 212 on the pass characteristic of the ladder-type surface acoustic wave filter 211.
  • the inductance L of the extension coil 212 and the capacitance of the distributed capacitor 214 generated between the wires are distributed capacitors C. 10A and 10B, the distributed capacitance C is constant, and the inductance L is 2.0 nH in the waveform i, 1.0 nH in the waveform j, and 0 nH in the waveform k. As the inductance L increases, it can be confirmed that both the resonance point and the sub-resonance point shift to the low frequency side.
  • FIG. 11A is an enlarged view of the pass characteristics in the vicinity of the resonance point, showing the effect of the distributed capacity C of the distributed capacity 214 on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter 211.
  • FIG. 11B is an overall view of the pass characteristics including the resonance point and the sub-resonance point, showing the effect of the distributed capacity C of the distributed capacity 214 on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter 211.
  • the inductance L is constant at 2.0 nH
  • the distributed capacitance C is 0.6 pF in the waveform l, 0.3 pF in the waveform m, and 0 pF in the waveform n.
  • the amount of increase in the distributed capacitance C is very small, in pF units, it can be confirmed that both the resonance point and the sub-resonance point shift to the low frequency side as the distribution capacitance C increases.
  • FIG. 12A is an enlarged view of the pass characteristic in the vicinity of the resonance point, showing the influence of the inductance L of the extension coil 212 and the distributed capacity C of the distributed capacity 214 of the inductance L on the pass characteristic of the ladder-type surface acoustic wave filter 211. It is.
  • FIG. 12B shows the effect of the inductance L of the extension coil 212 and the distributed capacitance C of the distributed capacitance 214 of the inductance L on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter 211, including the resonance point and the sub-resonance point.
  • FIG. 12A is an enlarged view of the pass characteristic in the vicinity of the resonance point, showing the influence of the inductance L of the extension coil 212 and the distributed capacity C of the distributed capacity 214 of the inductance L on the pass characteristic of the ladder-type surface acoustic wave filter 211.
  • FIG. 12B shows the effect of the inductance L of the extension coil 212 and the distributed capacitance C
  • the inductance L is adjusted to match the frequency at the resonance point.
  • Inductance L and distributed capacitance C are 1.7 nH and 0.6 pF in waveform o, 1.85 nH and 0.3 pF in waveform p, and 2.0 nH and 0 pF in waveform q. It can be seen that the shift amount of the sub-resonance point can be adjusted by adjusting the distributed capacitance C while fixing the resonance point to a specific frequency by adjusting the inductance L.
  • Patent Document 1 discloses a duplexer including a ladder type filter and an extension coil.
  • the extension coil is formed in a spiral shape on a single layer of the circuit board of the duplexer.
  • FIG. 13 is a plan view and a cross-sectional view of an extension coil of a conventional duplexer.
  • FIG. 13A is a plan view
  • FIG. 13B is a cross-sectional view.
  • the inductance element is formed in a spiral shape on a single layer of the circuit board 230 as shown in FIG. 13, if the area for routing the wiring pattern 240 is reduced, the distance between the wirings is shortened and the distributed capacitance is increased. It becomes too much. For this reason, the sub-resonance point on the high frequency side of the pass band shifts from the frequency band requiring a large amount of attenuation to the low frequency side, and the duplexer cannot obtain a sufficiently large amount of attenuation.
  • An object of the present invention is to provide a demultiplexing device that can be used.
  • a branching device includes a circuit board on which a plurality of wiring layers are stacked, and at least one series arm resonance mounted on a main surface of the circuit board.
  • a ladder-type filter including a child and a plurality of parallel arm resonators; and a first filter having one end connected to at least two parallel arm resonators of the plurality of parallel arm resonators and the other end connected to a ground potential.
  • An inductance element In the first inductance element, the first wiring pattern formed in the plurality of wiring layers is formed in a spiral shape.
  • At least a part of the first wiring pattern does not overlap each other when the main surface of the circuit board is seen through the plane.
  • the first wiring pattern has a wiring width different between the wiring layers.
  • the branching device further includes a second inductance element having one end connected to one of the parallel arm resonators and the other end connected to the ground potential.
  • the second wiring patterns formed in the plurality of wiring layers are formed in a spiral shape, and when the main surface of the circuit board is seen through the plane, the second wiring patterns are mutually connected. Match.
  • the inductance element having one end connected to at least two parallel arm resonators of the ladder type filter, the wiring pattern formed on the plurality of wiring layers of the circuit board is formed in a spiral shape.
  • the distance between the wirings of each wiring layer and shift the attenuation pole to a desired frequency band while reducing the area occupied by the wiring pattern when the main surface of the circuit board is seen through the plane. Can be adjusted. Therefore, it is possible to realize a demultiplexing device that has a small mounting area and can obtain a desired attenuation in a necessary frequency band.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a branching device according to Embodiment 1 of the present invention. It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the branching apparatus which concerns on Embodiment 1 of this invention. It is the plane perspective view and sectional drawing of the inductance element of the branching device which concern on Embodiment 1 of this invention.
  • FIG. 10 is a plan perspective view and a cross-sectional view of an inductance element in which at least a part of wiring patterns do not overlap with each other in the branching device according to the second embodiment of the present invention. It is an enlarged view showing a pass characteristic in the vicinity of a pass band of the branching device according to the first and second embodiments of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan perspective view and a cross-sectional view of an inductance element in which at least a part of wiring patterns do not overlap with each other in the branching device according to the second embodiment of the present invention. It is an enlarged view showing a pass characteristic in the vicinity of
  • FIG. 3 is an overall view of pass characteristics of the branching device according to the first and second embodiments of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing the temperature characteristic of the pass characteristic of the branching device according to the second embodiment of the present invention in the case of “with wiring overlap”.
  • FIG. 10 is a diagram showing the temperature characteristics of the pass characteristics of the branching device according to the second embodiment of the present invention in the case of “no wiring overlap”. It is a figure which shows the temperature characteristic of the frequency of the resonance point of the branching apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention. It is a figure which shows the temperature characteristic of the attenuation amount of the Rx band of the branching apparatus which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing the temperature characteristic of the pass characteristic of the branching device according to the second embodiment of the present invention in the case of “with wiring overlap”.
  • FIG. 10 is a diagram showing the temperature characteristics of the pass characteristics of the branching device according to the second embodiment of the present invention in
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of an inductance element in which a wiring width differs between wiring layers in the branching device according to the third embodiment of the present invention. It is a circuit diagram which shows the equivalent circuit of the ladder type filter to which the inductance element was added. When an inductance element is added in series with the GND potential for one of the parallel arm resonators, the influence of the inductance of the inductance element on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter is shown. It is an enlarged view of a passage characteristic.
  • Resonance point and sub-resonance point which shows the effect of distributed capacitance on the pass characteristics of a ladder-type surface acoustic wave filter when an inductance element is added in series with a GND potential for one of the parallel arm resonators FIG.
  • an inductance element is added in series with the GND potential for one of the parallel arm resonators, the influence of the inductance of the inductance element and the distributed capacity of the inductance element on the pass characteristics of the ladder filter is shown. It is an enlarged view of the pass characteristic near the resonance point.
  • Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to FIGS.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a duplexer according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the duplexer according to the embodiment of the present invention.
  • a duplexer 1 that demultiplexes a transmission signal and a reception signal which is one embodiment of the demultiplexing device shown in FIG. 2, includes an antenna terminal 2 connected to an antenna, an antenna terminal matching coil 3, and a transmission side.
  • Other embodiments of the demultiplexing device include, for example, a diplexer that demultiplexes a mobile communication reception signal into two signals and a multiplexer that demultiplexes into three or more signals.
  • the antenna terminal matching coil 3 is added between the antenna terminal 2 and the GND potential (ground potential) for the purpose of impedance matching between the antenna terminal 2 and the transmission side filter 10 and the reception side filter 20.
  • the transmission filter 10 is connected between the antenna terminal 2 and the transmission terminal 4.
  • the transmission signal is input to the transmission terminal 4, passes through the transmission-side filter 10, and is output from the antenna terminal 2.
  • the transmission-side filter 10 includes a ladder type surface acoustic wave filter 11, an extension coil 12 (second inductance element), and a polarized coil 13 (first inductance element).
  • the ladder-type surface acoustic wave filter 11 is a bandpass filter that realizes a wide passband by connecting a plurality of surface acoustic wave resonators in a ladder shape.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter 11 includes at least one series arm resonator 111 and a plurality of parallel arm resonators 112.
  • the series arm resonator 111 and the parallel arm resonator 112 are surface acoustic wave resonators formed on a piezoelectric substrate such as lithium niobate (LiNbO 3 ) or lithium tantalate (LiTaO 3 ).
  • the extension coil 12 is added in series between one parallel arm resonator 112 and the GND potential among the plurality of parallel arm resonators 112. By adding the extension coil 12, it is possible to widen the pass band of the ladder-type surface acoustic wave filter 11, and to increase the attenuation in a frequency band that requires a large attenuation.
  • the polarized coil 13 is a coil that is added in series between two or more parallel arm resonators 112 and the GND potential among the plurality of parallel arm resonators 112.
  • the combined capacity of the parallel arm resonators becomes larger than before the connection. Therefore, even if the wiring length is short, it is possible to widen the pass band of the ladder-type surface acoustic wave filter 11 and increase the attenuation in a frequency band where a large attenuation is required, similarly to the extension coil 12. it can.
  • the area occupied by the wiring pattern when the main surface of the circuit board 30 is seen through the plane can be made smaller than when only the extension coil 12 is used, and the mounting area of the duplexer 1 can be reduced. Can be reduced. Furthermore, since the wiring length is shortened, the wiring resistance is reduced, and deterioration of the Q value of the ladder-type surface acoustic wave filter 11 can be suppressed.
  • the reception filter 20 is connected between the antenna terminal 2 and the reception terminal 5 that are used in common with the transmission filter 10.
  • the reception signal is input to the antenna terminal 2, passes through the reception-side filter 20, and is output from the reception terminal 5.
  • the reception-side filter 20 includes a surface acoustic wave resonator 21, a longitudinally coupled resonator 22, and a coil 23.
  • the circuit board 30 is made of a lamination technique such as low temperature co-fired ceramics (Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCC)) and is composed of a plurality of wiring layers.
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramics
  • the ladder type surface acoustic wave filter 11 is mounted with electrodes 42.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter 11 and the circuit board 30 are sealed with a sealing resin 50 and housed in a package 60.
  • a surface acoustic wave filter and other peripheral components corresponding to different frequencies may be integrated into one package so that communication is possible with many communication methods and frequencies.
  • the first wiring layer 30a to the sixth wiring layer 30f are stacked on the circuit board 30 with an insulating layer (not shown) interposed therebetween.
  • wiring is formed in at least two different wiring layers.
  • at least a part of the wiring pattern made of these wirings includes a coil formed by electrically connecting wirings of at least two different wiring layers with via electrodes or the like.
  • the first wiring layer 30a to the sixth wiring layer 30f are formed with the first wiring layer wiring 40a to the sixth wiring layer wiring 40f, respectively.
  • the wiring pattern 40 including the wiring 40a of the first wiring layer to the wiring 40f of the sixth wiring layer is electrically coupled by the via electrode to form the spiral polarized coil 13.
  • the shape of the polarized coil 13 is a substantially string-wound spiral shape in which wiring patterns that rotate uniformly in the wiring layer are stacked in the stacking direction.
  • FIG. 3 is a plan perspective view and a cross-sectional view of the polarized coil 13 of the duplexer 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • 3A is a plan perspective view
  • FIG. 3B is a cross-sectional view.
  • a wiring pattern 40 including a wiring 40a of the first wiring layer to a wiring 40f of the sixth wiring layer is formed in a spiral shape.
  • the wiring 40a of the first wiring layer, the wiring 40c of the third wiring layer, and the wiring 40e of the fifth wiring layer coincide with each other.
  • the wiring 40b in the second wiring layer and the wiring 40d in the fourth wiring layer coincide with each other.
  • the wiring pattern 40 is connected to the ladder-type surface acoustic wave filter 11 (not shown) by the via electrode 41a, and is connected to the GND potential by the via electrode 41b.
  • the wiring pattern 40 occupies when the main surface of the circuit board 30 is seen through the plane as compared with the case where the wiring pattern shown in FIG. 13 is formed in a spiral shape on a single layer of the circuit board. Area to be minimized. For this reason, the mounting area of the duplexer 1 can be reduced most. Further, the distributed capacity can be adjusted by changing the distance between the wirings of each wiring layer in the stacking direction. For this reason, the sub-resonance point on the high side of the pass band shifts from the frequency band where a large amount of attenuation is required to the low frequency side as in the case where the wiring pattern is formed in a spiral shape on a single layer of the circuit board There is no end to it.
  • Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG.
  • symbol is attached
  • FIG. 4 is a plan perspective view and a sectional view of the polarized coil 13 in which at least a part of the wiring pattern 40 does not overlap each other in the duplexer 1 according to the second embodiment of the present invention.
  • 4A is a plan perspective view
  • FIG. 4B is a cross-sectional view.
  • the wiring pattern 40 including the wiring 40 a of the first wiring layer to the wiring 40 f of the sixth wiring layer is formed in a spiral shape when the main surface of the circuit board 30 is seen through.
  • the wiring 40a of the first wiring layer, the wiring 40d of the fourth wiring layer, and the wiring 40e of the fifth wiring layer do not overlap each other.
  • the wiring 40c of the third wiring layer and the wiring 40d of the fourth wiring layer do not overlap each other.
  • the wiring pattern 40 is connected to the ladder-type surface acoustic wave filter 11 (not shown) by the via electrode 41a, and is connected to the GND potential by the via electrode 41b.
  • the wiring pattern 40 When the wiring pattern 40 is formed in this manner, the area occupied by the wiring pattern when the main surface of the circuit board 30 is seen through the plane is smaller than when the inductance element is formed in a spiral shape on a single layer of the circuit board. Become. For this reason, the mounting area of the duplexer 1 can be reduced.
  • the second embodiment of the present invention can obtain a large amount of attenuation in a frequency band that requires a large amount of attenuation and good temperature characteristics as compared with the first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 5A and 5B to 7. FIG.
  • the wiring 40a of the first wiring layer to the wiring 40f of the sixth wiring layer coincide with each other as in the first embodiment of the present invention. This is called “wiring overlap”.
  • the fact that at least a part of the wiring 40a of the first wiring layer to the wiring 40f of the sixth wiring layer does not overlap each other is referred to as “no wiring overlap”.
  • the GPS band (1600 MHz band) exists on the low band side of the pass band (2000 MHz band), and the Rx band (2100 MHz band) and the WLAN band (2400 MHz band) exist on the high band side.
  • the Rx band (2100 MHz band) and the WLAN band (2400 MHz band) exist on the high band side.
  • the resonance point may be adjusted to the GPS band by using the polarized coil 13. Further, the sub-resonance point may be adjusted in the vicinity of the Rx band and the WLAN band.
  • FIG. 5A is an enlarged view showing pass characteristics in the vicinity of the pass band of duplexer 1 according to Embodiments 1 and 2 of the present invention.
  • FIG. 5B is an overall view of pass characteristics of the duplexer 1 according to Embodiments 1 and 2 of the present invention.
  • a waveform a represents a transmission signal “with wiring overlap” of the polarized coil 13
  • a waveform b represents a transmission signal with “no wiring overlap”.
  • a signal distributed only in the vicinity of the passband is a received signal
  • a waveform c represents a received signal with “wiring overlap”
  • a waveform d represents a received signal with “no wiring overlap”.
  • the inductance of the polarized coil 13 is adjusted so that “wiring overlap” and “wiring overlap” The frequencies of the resonance points are matched.
  • “no wiring overlap” is larger than “wiring overlap”.
  • the distributed capacity of the polarized coil 13 can be adjusted by changing the distance between the wirings of each wiring layer of the polarized coil 13.
  • the shift amount of the sub-resonance point can be adjusted so that a desired attenuation amount can be obtained in the required frequency band.
  • FIG. 6A is a diagram showing the temperature characteristics of the pass characteristics of the duplexer 1 according to the second embodiment of the present invention in the case of “wiring overlap”.
  • FIG. 6B is a diagram illustrating a temperature characteristic of a pass characteristic of the duplexer 1 according to the second embodiment of the present invention in the case of “no wiring overlap”.
  • the temperature of the duplexer 1 is changed to + 85 ° C., + 25 ° C., and ⁇ 30 ° C.
  • FIG. 7A is a diagram showing a temperature characteristic of the frequency at the resonance point of the duplexer 1 according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 7B is a diagram showing a temperature characteristic of the attenuation amount in the Rx band of the duplexer 1 according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the straight line e is a regression line of the frequency at the resonance point in the case of “wiring overlap” and the straight line f is “no wiring overlap”.
  • the straight line g is a regression line of the attenuation amount in the Rx band in the case of “wiring overlap” and the straight line h is “no wiring overlap”.
  • the frequency temperature coefficient (Temperature Coefficient of Frequency (TCF)) indicating the temperature characteristic of the frequency at the resonance point is obtained based on FIGS. 6A and 6B.
  • “No wiring overlap” has a frequency temperature coefficient reduced from ⁇ 196 ppm / ° C. to ⁇ 158 ppm / ° C. compared to “wiring overlap”.
  • the amount of change accompanying the temperature change of the attenuation at the sub-resonance point adjusted to the Rx band is reduced from ⁇ 0.029 dB / ° C. to ⁇ 0.018 dB / ° C.
  • the frequency of the resonance point is higher than that of “wiring overlap”.
  • the change of the amount of shift and the amount of attenuation at the sub-resonance point with the temperature change become small. Therefore, even if the temperature of the duplexer 1 changes, the possibility that the required specifications will not be reduced is reduced, and the duplexer 1 can be applied to a wide temperature range.
  • the spiral radius of the wiring pattern 40 increases as the wiring layer 40 is closer to the wiring layer on which the ladder-type surface acoustic wave filter 11 is mounted. Is not to be done. The closer to the wiring layer on which the ladder-type surface acoustic wave filter 11 is mounted, the smaller the spiral radius may be. Alternatively, the increase / decrease of the spiral radius of the wiring pattern 40 may change in the middle of the wiring layer of the circuit board 30.
  • the wiring does not overlap each other when the main surface of the circuit board 30 is seen through the plane between all the wiring layers.
  • the present invention is not limited to this. It is sufficient that at least a part of the wiring does not overlap each other between at least two wiring layers.
  • the frequency band is not limited to the above. (Modification)
  • the three-dimensional structure of the extension coil 12 will be described.
  • the wiring pattern of the extension coil 12 is formed in a spiral shape in the first wiring layer 30a to the sixth wiring layer 30f, similarly to the wiring pattern 40 of the polarized coil 13.
  • the extension coil 12 has less influence on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter 11 compared to the polarized coil 13. Therefore, in order to adjust the distributed capacitance generated between the wirings of each wiring layer of the extension coil 12, it is not always necessary to form the wirings without “overlapping of wirings”. However, by forming the extension coil 12 with “wiring overlap”, the area occupied by the wiring pattern when the main surface of the circuit board 30 is seen through can be reduced. Thereby, the mounting area of the duplexer 1 can be further reduced.
  • the extension coil 12 may not be provided.
  • the antenna terminal matching coil 3 has a small influence on the pass characteristics of the ladder-type surface acoustic wave filter 11. Therefore, the wiring pattern of the antenna terminal matching coil 3 is also formed in a spiral shape in the first wiring layer 30a to the sixth wiring layer 30f. However, it is desirable to form the wiring pattern with “overlapping wiring” from the viewpoint of saving mounting area. .
  • Embodiment 3 according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • symbol is attached
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the polarized coil 13 having different wiring widths between the wiring layers in the duplexer 1 according to the third embodiment of the present invention.
  • the wiring pattern 40 composed of the wiring 40a of the first wiring layer to the wiring 40f of the sixth wiring layer is formed in a spiral shape.
  • the wiring 40a of the first wiring layer, the wiring 40c of the third wiring layer, and the wiring 40e of the fifth wiring layer are aligned with each other at the center of the wiring.
  • the wiring width differs between the wiring layers.
  • the wiring 40b of the second wiring layer and the wiring 40d of the fourth wiring layer have the same center position, but the wiring width differs between the wiring layers.
  • the wiring pattern 40 is connected to the ladder-type surface acoustic wave filter 11 (not shown) via the via electrode 41a (not shown) and to the GND potential via the via electrode 41b (not shown).
  • the capacity can be adjusted. By adjusting the distributed capacity, the shift amount of the sub-resonance point can be adjusted so that a desired attenuation amount can be obtained in the required frequency band.
  • the mounting area of the duplexer 1 can be reduced.
  • the duplexer 1 In the duplexer 1 according to the third embodiment of the present invention, the case where the wiring widths of all the wiring layers are different when the main surface of the circuit board 30 is seen through the plane is described.
  • the present invention is not limited to this. Absent. It is sufficient that the wiring width is different between at least two wiring layers.
  • a bulk wave resonator, a surface acoustic wave resonator, or a boundary acoustic wave resonator may be used as a resonator constituting the ladder filter.
  • the scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

 本発明は、複数の配線層(30a~30f)が積層された回路基板(30)と、回路基板(30)の主面上に実装された、少なくとも1つの直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを含むラダー型弾性表面波フィルタ(11)と、一端を、複数の並列腕共振子のうち、少なくとも2つの並列腕共振子にそれぞれ接続し、他端を接地電位に接続したインダクタンス素子(13)とを備える分波装置である。インダクタンス素子(13)では、複数の配線層(30a~30f)に形成した配線パターンがらせん状に構成されている。

Description

分波装置
 本発明は、分波装置に関し、特に、ラダー型フィルタとインダクタンス素子とを備えた分波装置に関する。
 携帯電話やスマートフォンなどのモバイル端末において、弾性表面波(Surface Acoustic Wave(SAW))フィルタなどを用いて、送信信号および受信信号を周波数の違いにより分離する、デュプレクサが広く利用されている。複数の弾性表面波共振子などの共振子をラダー型(梯子型)に接続することで、送信信号と受信信号とを通過させる周波数帯域である、デュプレクサの通過帯域を広帯域化することができる。
 圧電基板を用いて共振子を形成したラダー型フィルタの通過帯域幅は、主に共振子が形成される圧電基板の圧電材料の電気機械結合係数により定まる。しかし、圧電基板の基板材料は、音速や温度係数など他の特性との兼ね合いから、実際にはラダー型フィルタの通過帯域幅について最適な電気機械結合係数を自由に選択することはできない。そのため、通過帯域を一層広帯域化する要求がある場合には、電気機械結合係数を変更する代わりに、インダクタンス素子をラダー型フィルタに付加する構成が用いられている。
 図9は、インダクタンス素子が付加されたラダー型フィルタの等価回路を示す回路図である。
 図9に示すラダー型フィルタは、その実施の形態として、共振子として弾性表面波共振子を用いたラダー型弾性表面波フィルタ211とする。ラダー型弾性表面波フィルタ211は、直列腕共振子211aと並列腕共振子211bとを含む。弾性表面波共振子は、等価インダクタンスL1と、等価直列容量C1と、並列容量C0とからなるLC共振回路と等価と見なせる。ラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性は、弾性表面波共振子を直列および並列に接続することによって形成する。
 インダクタンス素子は、このような並列腕共振子211bの1つについて、GND電位との間に直列に付加される。このように付加されたインダクタンス素子を伸長コイル212という。並列腕共振子211bの並列容量C0と伸長コイル212によりLC共振が発生する。このLC共振によって生じる減衰極を副共振点という。伸長コイル212は、デュプレクサの回路基板上にパッケージ内配線で形成される。伸長コイル212の配線間には、分布容量214が発生する。
 伸長コイル212を付加することにより、LC共振回路の合成インダクタンスは伸長コイル212のインダクタンスの分だけ増加するため、共振点と副共振点は、いずれも低周波側にシフトする。
 図10Aは、伸長コイル212のインダクタンスがラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。図10Bは、伸長コイル212のインダクタンスがラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点および副共振点を含む通過特性の全体図である。
 伸長コイル212のインダクタンスL、配線間に発生する分布容量214の静電容量を分布容量Cとする。図10Aおよび図10Bでは、分布容量Cは一定であり、インダクタンスLは、波形iでは2.0nHであり、波形jでは1.0nHであり、波形kでは0nHである。インダクタンスLが大きくなるにつれて、共振点と副共振点がいずれも低周波側にシフトすることを確認できる。
 しかしながら、共振点および副共振点を低周波側に十分シフトさせるだけのインダクタンスLを得るためには、伸長コイル212の半径を大きくしたり巻き数を増やしたりする必要がある。そうすると、配線パターンを引き回す面積が大きくなり、デュプレクサの実装面積が増加してしまう。また、配線長が長くなると、配線抵抗の増加により、ラダー型弾性表面波フィルタ211のQ値が劣化してしまう。そこで、共振点と副共振点とを低周波側にシフトさせるために、配線間に発生する分布容量214を積極的に活用する。
 図11Aは、分布容量214の分布容量Cがラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。図11Bは、分布容量214の分布容量Cがラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点と副共振点とを含む通過特性の全体図である。
 図11Aおよび図11Bでは、インダクタンスLは2.0nHで一定であり、分布容量Cは、波形lでは0.6pFであり、波形mでは0.3pFであり、波形nでは0pFである。分布容量Cの増加量はpF単位と非常にわずかであるものの、分布容量Cが大きくなるにつれて、共振点と副共振点がいずれも低周波側にシフトすることを確認できる。
 図12Aは、伸長コイル212のインダクタンスLと、インダクタンスLの分布容量214の分布容量Cとが、ラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。図12Bは、伸長コイル212のインダクタンスLと、インダクタンスLの分布容量214の分布容量Cとが、ラダー型弾性表面波フィルタ211の通過特性に与える影響を示す、共振点および副共振点を含む通過特性の全体図である。
 図12Aおよび図12Bでは、図11Aおよび図11Bに示した3通りの分布容量Cについて、インダクタンスLを加減して、共振点の周波数を一致させている。インダクタンスLおよび分布容量Cは、波形oでは1.7nHおよび0.6pFであり、波形pでは1.85nHおよび0.3pFであり、波形qでは2.0nHおよび0pFである。インダクタンスLの加減により共振点を特定の周波数に固定しながら、分布容量Cの加減により副共振点のシフト量を調整できることがわかる。
 特開平7-231242号公報(特許文献1)に、ラダー型フィルタと伸長コイルとを備えたデュプレクサが開示されている。特許文献1に開示されているデュプレクサでは、伸長コイルがデュプレクサの回路基板の単層上に、渦巻線(スパイラル)形状で形成されている。
 図13は、従来のデュプレクサの伸長コイルの平面図および断面図である。図13(A)は平面図であり、図13(B)は断面図である。
特開平7-231242号公報
 しかしながら、図13のように、インダクタンス素子を回路基板230の単層上にスパイラル形状で形成する場合、配線パターン240を引き回す面積を小さくしようとすると、配線間の距離が短くなり、分布容量が大きくなり過ぎてしまう。そのため、通過帯域の高域側にある副共振点が大きな減衰量を要求される周波数帯域から低周波側にシフトしてしまい、デュプレクサは十分大きな減衰量を得ることができない。
 逆に、副共振点のシフト量を抑えようとすると、配線間に一定の距離を確保することが必要になり、配線パターン240を引き回す面積が大きくなってしまう。そのため、デュプレクサの実装面積を低減することができない。また、配線長が長くなるため配線抵抗が増加して、ラダー型フィルタのQ値が劣化してしまう。
 それゆえに、本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、省実装面積で、かつ、必要とする周波数帯域において所望の減衰量を得られるよう、減衰極のシフト量を調整できる分波装置を提供することを目的とする。
 上記目的を達成するために、本発明のある局面に従うと、分波装置は、複数の配線層が積層された回路基板と、回路基板の主面上に実装された、少なくとも1つの直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを含むラダー型フィルタと、一端を、複数の並列腕共振子のうち、少なくとも2つの並列腕共振子に接続し、他端を接地電位に接続した第1のインダクタンス素子とを備える。第1のインダクタンス素子では、複数の配線層に形成した第1の配線パターンがらせん状に構成されている。
 好ましくは、第1の配線パターンは、回路基板の主面を平面透視した場合に、少なくとも一部分が互いに重ならない。
 好ましくは、第1の配線パターンは、配線幅が配線層の間で異なる。
 好ましくは、分波装置は、一端を並列腕共振子の1つに接続し、他端を接地電位に接続した第2のインダクタンス素子をさらに備える。
 好ましくは、第2のインダクタンス素子では、複数の配線層に形成した第2の配線パターンがらせん状に構成されており、回路基板の主面を平面透視した場合に、第2の配線パターンが互いに一致する。
 本発明に係る分波装置によれば、一端を、ラダー型フィルタの少なくとも2つの並列腕共振子にそれぞれ接続したインダクタンス素子が、回路基板の複数の配線層に形成した配線パターンがらせん状に構成されている。このため、回路基板の主面を平面透視したときに配線パターンが占有する面積を小さくしながらも、各配線層の配線間の距離を確保して、減衰極が所望の周波数帯域にシフトするよう調整できる。したがって、省実装面積で、かつ、必要とする周波数帯域において所望の減衰量を得られる分波装置を実現できる。
本発明の実施の形態1に係る分波装置の断面図である。 本発明の実施の形態1に係る分波装置の回路構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態1に係る分波装置のインダクタンス素子の平面透視図および断面図である。 本発明の実施の形態2に係る分波装置において、配線パターンの少なくとも一部分が互いに重ならないインダクタンス素子の平面透視図および断面図である。 本発明の実施の形態1および2に係る分波装置の通過帯域付近の通過特性を示す拡大図である。 本発明の実施の形態1および2に係る分波装置の通過特性の全体図である。 “配線の重なりあり”の場合に、本発明の実施の形態2に係る分波装置の通過特性の温度特性を示す図である。 “配線の重なりなし”の場合に、本発明の実施の形態2に係る分波装置の通過特性の温度特性を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る分波装置の共振点の周波数の温度特性を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る分波装置のRx帯域の減衰量の温度特性を示す図である。 本発明の実施の形態3に係る分波装置において、配線幅が配線層の間で異なるインダクタンス素子の断面図である。 インダクタンス素子が付加されたラダー型フィルタの等価回路を示す回路図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、インダクタンス素子のインダクタンスがラダー型弾性表面波フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、インダクタンス素子のインダクタンスがラダー型弾性表面波フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点および副共振点を含む通過特性の全体図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、分布容量がラダー型弾性表面波フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、分布容量がラダー型弾性表面波フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点と副共振点とを含む通過特性の全体図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、インダクタンス素子のインダクタンスとインダクタンス素子の分布容量が、ラダー型フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。 並列腕共振子の1つに対して、インダクタンス素子をGND電位との間に直列に付加した場合、インダクタンス素子のインダクタンスとインダクタンス素子の分布容量が、ラダー型フィルタの通過特性に与える影響を示す、共振点付近の通過特性の拡大図である。 従来の分波装置のインダクタンス素子の平面図および断面図である。
  (実施の形態1)
 以下、本発明の実施の形態1について、図1~図3を参照しながら説明する。
 図1は、本発明の実施の形態1に係るデュプレクサの断面図である。
 図2は、本発明の実施の形態に係るデュプレクサの回路構成を示す回路図である。
 図2に示す、分波装置の一つの実施の形態である、送信信号と受信信号とを分波するデュプレクサ1は、アンテナに接続されるアンテナ端子2と、アンテナ端子整合コイル3と、送信側フィルタ10と、受信側フィルタ20と、送信側信号端子(Tx)に接続される送信端子4と、受信側信号端子(Rx1およびRx2)に接続される受信端子5とを備える。なお、分波装置の他の実施の形態として、たとえば移動体通信の受信信号などを2つの信号に分波するダイプレクサおよび3つ以上の信号に分波するマルチプレクサなどがある。
 アンテナ端子整合コイル3は、アンテナ端子2と送信側フィルタ10および受信側フィルタ20とのインピーダンス整合をとる目的で、アンテナ端子2とGND電位(接地電位)との間に付加される。
 送信側フィルタ10は、アンテナ端子2と送信端子4との間に接続される。送信信号は、送信端子4に入力され、送信側フィルタ10を通過して、アンテナ端子2から出力される。送信側フィルタ10は、ラダー型弾性表面波フィルタ11と、伸長コイル12(第2のインダクタンス素子)と、有極コイル13(第1のインダクタンス素子)とを含む。
 ラダー型弾性表面波フィルタ11は、複数の弾性表面波共振子をラダー型に接続することで通過帯域の広帯域化を実現するバンドパスフィルタである。ラダー型弾性表面波フィルタ11は、少なくとも1つの直列腕共振子111および複数の並列腕共振子112を有する。
 直列腕共振子111および並列腕共振子112は、ニオブ酸リチウム(LiNbO)あるいはタンタル酸リチウム(LiTaO)などの圧電基板上に形成される弾性表面波共振子である。
 伸長コイル12は、複数の並列腕共振子112のうち、1つの並列腕共振子112とGND電位との間に直列に付加される。伸長コイル12を付加することにより、ラダー型弾性表面波フィルタ11の通過帯域を広帯域化するとともに、大きな減衰量を要求される周波数帯域での減衰量を大きくすることができる。
 有極コイル13とは、複数の並列腕共振子112のうち、2つ以上の並列腕共振子112とGND電位との間に直列に付加されるコイルのことをいう。2つ以上の並列腕共振子を並列に接続することで、並列腕共振子の合成容量が接続前より大きくなる。そのため、配線長が短くても、伸長コイル12と同様に、ラダー型弾性表面波フィルタ11の通過帯域を広帯域化するとともに、大きな減衰量を要求される周波数帯域での減衰量を大きくすることができる。
 また、有極コイル13を用いることにより、伸長コイル12のみを用いる場合よりも、回路基板30の主面を平面透視したときに配線パターンが占有する面積が小さくて済み、デュプレクサ1の実装面積を低減することができる。さらに、配線長が短くなるため配線抵抗が減少して、ラダー型弾性表面波フィルタ11のQ値の劣化を抑制することができる。
 受信側フィルタ20は、送信側フィルタ10と共通して用いるアンテナ端子2と、受信端子5との間に接続される。受信信号は、アンテナ端子2に入力され、受信側フィルタ20を通過して、受信端子5から出力される。受信側フィルタ20は、弾性表面波共振子21と、縦結合共振子22と、コイル23とを含む。
 以下、本発明の実施の形態1に係るデュプレクサ1の立体構造について、図1を参照しながら説明する。
 回路基板30は、低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co-fired Ceramics(LTCC))などの積層技術で作成され、複数の配線層で構成されている。回路基板30の主面には、ラダー型弾性表面波フィルタ11が電極42で実装されている。ラダー型弾性表面波フィルタ11および回路基板30は、封止樹脂50により封止され、パッケージ60に収められている。なお、パッケージ60には、多くの通信方式や周波数で通信可能なように、異なる周波数に対応する弾性表面波フィルタおよびその他周辺部品を一つのパッケージに集積化してもよい。
 回路基板30には、第1配線層30a~第6配線層30fが、それぞれの間に絶縁層(図示しない)を挟んで積層されている。互いに異なる複数の配線層である第1配線層30a~第6配線層30fには、互いに異なる少なくとも2つの配線層に配線が形成される。さらに、これら配線からなる配線パターンの少なくとも一部には、互いに異なる少なくとも2つの配線層の配線がビア電極などで電気的に結合されて形成されるコイルを含む。図1に示す本発明の実施の形態1において、第1配線層30a~第6配線層30fには、それぞれ第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fが形成されている。第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fからなる配線パターン40は、ビア電極で電気的に結合しており、らせん状の有極コイル13を形成している。この場合、有極コイル13の形状は、配線層内で一定に旋回する配線パターンが積層方向に積み重なる略弦巻線状のらせん形状である。
 以下、有極コイル13の立体構造について、図3を参照しながら説明する。
 図3は、本発明の実施の形態1に係るデュプレクサ1の有極コイル13の平面透視図および断面図である。図3(A)は平面透視図、図3(B)は断面図である。
 有極コイル13は、第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fからなる配線パターン40がらせん状に構成されている。回路基板30の主面を平面透視したとき、第1配線層の配線40aと、第3配線層の配線40cと、第5配線層の配線40eとは、互いに一致している。同様に、第2配線層の配線40bと第4配線層の配線40dとは、互いに一致している。配線パターン40は、ビア電極41aでラダー型弾性表面波フィルタ11(図示しない)に接続し、ビア電極41bでGND電位に接続している。
 このように配線パターン40を形成すると、図13に示す配線パターンを回路基板の単層上にスパイラル形状で形成する場合と比べて、回路基板30の主面を平面透視したときに配線パターンが占有する面積が最小になる。このため、デュプレクサ1の実装面積を最も低減することができる。また、各配線層の配線間の距離を積層方向に変更することで分布容量を加減できる。このため、配線パターンを回路基板の単層上にスパイラル形状で形成する場合のように、通過帯域の高域側にある副共振点が大きな減衰量を要求される周波数帯域から低周波側にシフトしてしまうことがない。
  (実施の形態2)
 本発明の実施の形態1では、回路基板30の主面を平面透視したときに各配線層の配線が互いに一致する場合を説明したが、これに限定されるものではなく、各配線層の配線は互いに重ならなくてもよい。
 以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態1に係るデュプレクサ1と同等の構成要素については、同一の符号を付してその説明を繰返さない。
 図4は、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1において、配線パターン40の少なくとも一部分が互いに重ならない有極コイル13の平面透視図および断面図である。図4(A)は平面透視図、図4(B)は断面図である。
 有極コイル13では、第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fからなる配線パターン40が、回路基板30の主面を平面透視して、らせん状に構成されている。回路基板30の主面を平面透視したとき、第1配線層の配線40aと、第4配線層の配線40dと、第5配線層の配線40eとは、互いに重ならない。同様に、第3配線層の配線40cと第4配線層の配線40dとは、互いに重ならない。配線パターン40は、ビア電極41aでラダー型弾性表面波フィルタ11(図示しない)に接続し、ビア電極41bでGND電位に接続している。
 このように配線パターン40を形成すると、インダクタンス素子を回路基板の単層上にスパイラル形状で形成する場合と比べて、回路基板30の主面を平面透視したときに配線パターンが占有する面積が小さくなる。このため、デュプレクサ1の実装面積を低減することができる。
 以下、本発明の実施の形態2が、本発明の実施の形態1と比べても、大きな減衰量を要求される周波数帯域で大きな減衰量を得られること、および、良好な温度特性を得られることを、図5Aおよび図5B~図7を参照しながら説明する。本明細書において、回路基板30の主面を平面透視したとき、本発明の実施の形態1のように、第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fが互いに一致することを“配線の重なりあり”と呼ぶ。また、本発明の実施の形態2のように、第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fの少なくとも一部分が互いに重ならないことを“配線の重なりなし”と呼ぶ。
 本発明の実施の形態2では、通過帯域(2000MHz帯)の低域側にはGPS帯域(1600MHz帯)が存在し、高域側にはRx帯域(2100MHz帯)およびWLAN帯域(2400MHz帯)が存在する。
 この通過帯域の信号を選択的に通過させるデュプレクサ1では、GPS帯域の減衰量が大きいことが重要であるため、有極コイル13を用いて、共振点をGPS帯域に調整するとよい。また、副共振点をRx帯域およびWLAN帯域付近に調整するとよい。
 図5Aは、本発明の実施の形態1および2に係るデュプレクサ1の通過帯域付近の通過特性を示す拡大図である。図5Bは、本発明の実施の形態1および2に係るデュプレクサ1の通過特性の全体図である。
 図5Aおよび図5Bに示すすべての周波数帯域に分布する信号は送信信号である。波形aは有極コイル13の“配線の重なりあり”の送信信号を表し、波形bは“配線の重なりなし”の送信信号を表す。通過帯域付近にのみ分布する信号は受信信号であり、波形cは“配線の重なりあり”の受信信号を表し、波形dは“配線の重なりなし”の受信信号を表す。
 図5Aおよび図5Bでは、通過帯域の低域側のGPS帯域での減衰量を確保するために、有極コイル13のインダクタンスを加減して、“配線の重なりあり”および“配線の重なりなし”の共振点の周波数を一致させている。このとき、通過帯域の高域側に位置するRx帯域およびWLAN帯域における減衰量を比べると、“配線の重なりなし”の方が“配線の重なりあり”より大きいことがわかる。
 以上、図5Aおよび図5Bからわかるように、有極コイル13の各配線層の配線間の距離を変更することにより、有極コイル13の分布容量を加減することができる。分布容量を加減することで、必要とする周波数帯域に所望の減衰量を得られるよう、副共振点のシフト量を調整できる。
 図6Aは、“配線の重なりあり”の場合に、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1の通過特性の温度特性を示す図である。図6Bは、“配線の重なりなし”の場合に、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1の通過特性の温度特性を示す図である。
 図6Aおよび図6Bでは、デュプレクサ1の温度を+85℃,+25℃,-30℃と変化させている。
 GPS帯域に注目すると、GPS帯域に調整した共振点の周波数の温度変化に伴うシフト量は、“配線の重なりなし”の方が“配線の重なりあり”より小さいことがわかる。また、Rx帯域に注目すると、Rx帯域に調整した副共振点での減衰量の変化(縦軸方向の変化)は、“配線の重なりなし”の方が“配線の重なりあり”より小さいことがわかる。
 図7Aは、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1の共振点の周波数の温度特性を示す図である。図7Bは、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1のRx帯域の減衰量の温度特性を示す図である。直線eは“配線の重なりあり”、直線fは“配線の重なりなし”の場合の共振点の周波数の回帰直線である。直線gは“配線の重なりあり”、直線hは“配線の重なりなし”の場合のRx帯域での減衰量の回帰直線である。
 図7Aでは、図6Aおよび図6Bを基に、共振点の周波数の温度特性を示す周波数温度係数(Temperature Coefficient of Freqency(TCF))を求めている。“配線の重なりなし”は“配線の重なりあり”と比べて、周波数温度係数が-196ppm/℃から-158ppm/℃に減少している。図7Bでは、Rx帯域に調整した副共振点での減衰量の温度変化に伴う変化量が、-0.029dB/℃から-0.018dB/℃に減少している。
 以上、図6A,図6B,図7A,および図7Bからわかるように、有極コイル13を“配線の重なりなし”で形成することで、“配線の重なりあり”と比べて、共振点の周波数のシフト量および副共振点での減衰量の温度変化に伴う変化が小さくなる。そのため、デュプレクサ1の温度が変化しても要求仕様を満たさなくなるおそれが減少し、デュプレクサ1を幅広い温度範囲に適用することができる。
 これは、“配線の重なりなし”の方が“配線の重なりあり”より有極コイル13の各配線層の配線間の距離が長いため、温度変化に伴う各配線層の配線間の距離の変化が相対的に小さく、結果として有極コイル13の分布容量の変化が小さくなることによると考えられる。
 なお、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1では、ラダー型弾性表面波フィルタ11が実装された配線層に近いほど、配線パターン40のらせん半径が大きくなる場合を説明したが、これに限定されるものではない。ラダー型弾性表面波フィルタ11が実装された配線層に近いほど、らせん半径が小さくてもよい。あるいは、回路基板30の配線層の途中で、配線パターン40のらせん半径の増減が転換してもよい。
 また、本発明の実施の形態2に係るデュプレクサ1では、図4を参照しながら、すべての配線層の間で、回路基板30の主面を平面透視したときに配線が全く互いに重ならない場合を説明したが、これに限定されるものではない。少なくとも2つの配線層の間で配線の少なくとも一部分が互いに重ならなければよい。
 また、周波数帯域も、上記に限定されるものではない。
  (変形例)
 以下、伸長コイル12の立体構造について説明する。
 伸長コイル12の配線パターンは、有極コイル13の配線パターン40と同様に、第1配線層30a~第6配線層30fにらせん状に形成される。
 伸長コイル12は、有極コイル13と比べてラダー型弾性表面波フィルタ11の通過特性への影響が小さい。そのため、伸長コイル12の各配線層の配線間に生じる分布容量を加減するために、必ずしも“配線の重なりなし”で形成しなくてもよい。しかし、伸長コイル12を“配線の重なりあり”で形成することで、回路基板30の主面を平面透視したときに配線パターンが占有する面積を小さくできる。これにより、デュプレクサ1の実装面積を一層低減することができる。
 なお、必要とする周波数帯域に所望の減衰量を有極コイル13だけで得られる場合、伸長コイル12を設けなくてもよい。
 また、アンテナ端子整合コイル3では、ラダー型弾性表面波フィルタ11の通過特性への影響が小さい。そのため、アンテナ端子整合コイル3の配線パターンも第1配線層30a~第6配線層30fにらせん状に形成されるが、省実装面積の観点から、“配線の重なりあり”で形成することが望ましい。
  (実施の形態3)
 本発明の実施の形態1および実施の形態2では、各配線層の配線幅が等しい場合を説明したが、これに限定されるものではなく、各配線層の配線幅は異なってもよい。
 以下、本発明に係る実施の形態3について、図8を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態1に係るデュプレクサ1と同等の構成要素については、同一の符号を付してその説明を繰返さない。
 図8は、本発明の実施の形態3に係るデュプレクサ1において、配線幅が配線層の間で異なる有極コイル13の断面図である。
 有極コイル13では、第1配線層の配線40a~第6配線層の配線40fからなる配線パターン40がらせん状に構成されている。回路基板30の主面を平面透視したとき、第1配線層の配線40aと、第3配線層の配線40cと、第5配線層の配線40eとは、配線の中心の位置は互いに一致しているが、配線幅は配線層の間で異なる。同様に、第2配線層の配線40bと第4配線層の配線40dとは、配線の中心の位置は互いに一致しているが、配線幅は配線層の間で異なる。配線パターン40は、ビア電極41a(図示しない)でラダー型弾性表面波フィルタ11(図示しない)に、ビア電極41b(図示しない)でGND電位に、それぞれ接続している。
 このように、有極コイル13の各配線層の配線の重なりを調整するだけでなく、配線幅を配線層の間で変更することでも、各配線層の配線間に生じる有極コイル13の分布容量を加減することができる。分布容量を加減することで、必要とする周波数帯域に所望の減衰量を得られるよう、副共振点のシフト量を調整できる。
 また、回路基板30の主面を平面透視したときに配線パターン40が占有する面積が本発明の実施の形態1と同様に小さくなるため、デュプレクサ1の実装面積を低減することができる。
 なお、本発明の実施の形態3に係るデュプレクサ1では、回路基板30の主面を平面透視したときに、すべての配線層の配線幅が異なる場合を説明したが、これに限定されるものではない。少なくとも2つの配線層の間で配線幅が異なればよい。
 今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。具体的には、ラダー型フィルタを構成する共振子として、バルク波共振子、弾性表面波共振子、または、弾性境界波共振子を用いてもよい。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
 1 デュプレクサ、2 アンテナ端子、3 アンテナ端子整合コイル、4 送信端子、5 受信端子、10 送信側フィルタ、11,211 ラダー型弾性表面波フィルタ、111,211a 直列腕共振子、112,211b 並列腕共振子、12,212 伸長コイル、13 有極コイル、20 受信側フィルタ、21 弾性表面波共振子、22 縦結合共振子、23 コイル、30 回路基板、30a 第1配線層、30b 第2配線層、30c 第3配線層、30d 第4配線層、30e 第5配線層、30f 第6配線層、40 配線パターン、40a 第1配線層の配線、40b 第2配線層の配線、40c 第3配線層の配線、40d 第4配線層の配線、40e 第5配線層の配線、40f 第6配線層の配線、41a,41b ビア電極、42 電極、50 封止樹脂、60 パッケージ、214 分布容量。

Claims (5)

  1.  複数の配線層が積層された回路基板と、
     前記回路基板の主面上に実装された、少なくとも1つの直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを含むラダー型フィルタと、
     一端を、前記複数の並列腕共振子のうち、少なくとも2つの並列腕共振子に接続し、他端を接地電位に接続した第1のインダクタンス素子とを備え、
     前記第1のインダクタンス素子では、前記複数の配線層に形成した第1の配線パターンがらせん状に構成されている、分波装置。
  2.  前記第1の配線パターンは、前記回路基板の前記主面を平面透視した場合に、少なくとも一部分が互いに重ならない、請求項1に記載の分波装置。
  3.  前記第1の配線パターンは、配線幅が前記配線層の間で異なる、請求項1に記載の分波装置。
  4.  一端を前記並列腕共振子の1つに接続し、他端を接地電位に接続した第2のインダクタンス素子をさらに備える、請求項1~3のいずれか一項に記載の分波装置。
  5.  前記第2のインダクタンス素子では、前記複数の配線層に形成した第2の配線パターンがらせん状に構成されており、前記回路基板の前記主面を平面透視した場合に、前記第2の配線パターンが互いに一致する、請求項4に記載の分波装置。
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