JPS61265857A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61265857A JPS61265857A JP10756885A JP10756885A JPS61265857A JP S61265857 A JPS61265857 A JP S61265857A JP 10756885 A JP10756885 A JP 10756885A JP 10756885 A JP10756885 A JP 10756885A JP S61265857 A JPS61265857 A JP S61265857A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance
- spiral
- spiral inductance
- semiconductor device
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波集積回路半導体装置に関するもので
ある。
ある。
従来の技術
最近、通信情報網がますます広が９、通信や放送に使用
する高周波もＶ）ＨＦ帯やＵＨＦ帯からＳＨＦ帯へと広
がりを見せている。これら通信機器には、マイクロ波集
積回路が用いられるが、近年−半導体上に１チップ化し
ｔマイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）が使用
されようとしている。特に、高周波で優れた特性を有す
る化合物半導体ＧＩＬＡ！ｉ ｉ用い２ＭＭＩＣが有望
視されている。
する高周波もＶ）ＨＦ帯やＵＨＦ帯からＳＨＦ帯へと広
がりを見せている。これら通信機器には、マイクロ波集
積回路が用いられるが、近年−半導体上に１チップ化し
ｔマイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）が使用
されようとしている。特に、高周波で優れた特性を有す
る化合物半導体ＧＩＬＡ！ｉ ｉ用い２ＭＭＩＣが有望
視されている。
ＭＭＩＣには、基本回路構成素子として、インダクタン
スやキャパシタンス（容量）が用いられる。
スやキャパシタンス（容量）が用いられる。
第３図は、従来のうず状（スパイラル）インダクタンス
を示すものである。第３図において、１は配線、７はう
す状配線の上に絶縁膜をはさんで形成された上層配線で
ある。２はその両者の接触を行なうコンタクト窓である
。配線は、抵抗値を小さくする必要があシ、金を蒸着し
て形成しｔす、さらに、これを金めっきして、配線抵抗
を下げる努力がなされる。インダクタンスの値は、この
スパイラル状配線の巻数及び、線間隔等で決まる。
を示すものである。第３図において、１は配線、７はう
す状配線の上に絶縁膜をはさんで形成された上層配線で
ある。２はその両者の接触を行なうコンタクト窓である
。配線は、抵抗値を小さくする必要があシ、金を蒸着し
て形成しｔす、さらに、これを金めっきして、配線抵抗
を下げる努力がなされる。インダクタンスの値は、この
スパイラル状配線の巻数及び、線間隔等で決まる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、大きなインダク
タンス値を得ようとすると、非常に大きくなってしまう
。例えば、線幅１０μｍ、線間隔１０μｍで設計したス
パイラル状インダクタンスは、５ｎＨという小さい値を
得ようとするだけで、３００μｍ角という大きな面積を
必要とする。専有面積を減らすために、線間隔を減らす
と浮遊容量が増加し、２ＧＨ２以上の高周波で、使用で
きなくなる。まｔ、線幅を細くすると、直列抵抗が増し
、損失が増加する。つまり、従来の技術で、高周波で使
用できるインダクタンスを作るには、非常に大きな専有
面積が必要という問題点を有していｔｏ 本発明は上記問題点に鑑み、非常に小さい専有面積で、
必要なインダクタンスを実現することのできる半導体装
置を提供するものである。
タンス値を得ようとすると、非常に大きくなってしまう
。例えば、線幅１０μｍ、線間隔１０μｍで設計したス
パイラル状インダクタンスは、５ｎＨという小さい値を
得ようとするだけで、３００μｍ角という大きな面積を
必要とする。専有面積を減らすために、線間隔を減らす
と浮遊容量が増加し、２ＧＨ２以上の高周波で、使用で
きなくなる。まｔ、線幅を細くすると、直列抵抗が増し
、損失が増加する。つまり、従来の技術で、高周波で使
用できるインダクタンスを作るには、非常に大きな専有
面積が必要という問題点を有していｔｏ 本発明は上記問題点に鑑み、非常に小さい専有面積で、
必要なインダクタンスを実現することのできる半導体装
置を提供するものである。
問題点を解決する几めの手段
上記問題点を解決するｔめに、本発明の半導体装置は第
１のうず状インダクタンス上に、絶縁膜を介して第２の
うず状インダクタンスを形成し、両者を直列接続する構
成としている。
１のうず状インダクタンス上に、絶縁膜を介して第２の
うず状インダクタンスを形成し、両者を直列接続する構
成としている。
作用
この構成によって、スパイラル・インダクタンスに要す
る専有面積を小さく保つ定まま、インダクタンス値を非
常に高く上げることができる。
る専有面積を小さく保つ定まま、インダクタンス値を非
常に高く上げることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図ａは、本発明の実施例における半導体装置の下層
のスパイラル・インダクタンス金示すものである。第１
図ｂＦｉ、第１図＆のスパイラル・インダクタンス上に
絶縁膜を介して形成した上層のスパイラル・インダクタ
ンスを示すものである。
のスパイラル・インダクタンス金示すものである。第１
図ｂＦｉ、第１図＆のスパイラル・インダクタンス上に
絶縁膜を介して形成した上層のスパイラル・インダクタ
ンスを示すものである。
１は配線で、抵抗を下げる几めに、金めつきがほどこさ
れており、２は、上層のスパイラル・インダクタンスと
下層のスパイラル・インダクタンスとを直列接続するコ
ンタクト窓である。つまり。
れており、２は、上層のスパイラル・インダクタンスと
下層のスパイラル・インダクタンスとを直列接続するコ
ンタクト窓である。つまり。
第１図すのスパイラル・インダクタンスが、絶縁膜を介
して第１図ａのスパイラル・インダクタンスの真上に、
形成され、真中のコンタクト窓で接続される。
して第１図ａのスパイラル・インダクタンスの真上に、
形成され、真中のコンタクト窓で接続される。
以上のように構成されｔ半導体装置について以下にその
動作を説明する。下層のスパイラル・インダクタンスと
、上層のスパイラル・インダクタンスはそれぞれインダ
クタンスとして働き、全体のインダクタンス値はその和
としてあられされる。
動作を説明する。下層のスパイラル・インダクタンスと
、上層のスパイラル・インダクタンスはそれぞれインダ
クタンスとして働き、全体のインダクタンス値はその和
としてあられされる。
友だ、スパイラル状インダクタンスの問題点は、配線間
の浮遊容量にあり、高周波になるほど純粋なインダクタ
ンスから値がずれることにある。特に本発明の実施例に
おける半導体装置においても、この浮遊容量が問題とな
る。そこで、第２図に示すように、半導体基板３上に、
絶縁膜４をのせ、下層の配線６をスパイラル状に設け、
眉間絶縁膜５を介して、互いちがいに上層の配線７を形
成することによって、上下の配線間容量を減らしている
。
の浮遊容量にあり、高周波になるほど純粋なインダクタ
ンスから値がずれることにある。特に本発明の実施例に
おける半導体装置においても、この浮遊容量が問題とな
る。そこで、第２図に示すように、半導体基板３上に、
絶縁膜４をのせ、下層の配線６をスパイラル状に設け、
眉間絶縁膜５を介して、互いちがいに上層の配線７を形
成することによって、上下の配線間容量を減らしている
。
以上のように本実施例によれば、スパイラル・インダク
タンスに要する専有面積の小さいインダクタンスを形成
することができる。
タンスに要する専有面積の小さいインダクタンスを形成
することができる。
なお、本実施例では、角型のスパイラル・インダクタン
スで示しｔが、円型のスパイラル・インダクタンスでも
同様の効果が得られることは言うまでもない。まｔ１本
実施例では２段の重ねあわせとしたが、より多段にする
ことにより一層専有面積削減の効果が向上する。
スで示しｔが、円型のスパイラル・インダクタンスでも
同様の効果が得られることは言うまでもない。まｔ１本
実施例では２段の重ねあわせとしたが、より多段にする
ことにより一層専有面積削減の効果が向上する。
発明の効果
以上のように本発明は、第１のうず状インダクタンス上
に絶縁膜を介して第２のうず状インダクタンスを形成し
、両者を直列接続することにより、非常に専有面積を小
さくでき、従来より小さな専有面積でインダクタンスを
形成することができ、その実用的効果は大なるものがあ
る。
に絶縁膜を介して第２のうず状インダクタンスを形成し
、両者を直列接続することにより、非常に専有面積を小
さくでき、従来より小さな専有面積でインダクタンスを
形成することができ、その実用的効果は大なるものがあ
る。
第１図ａ、ｂはそれぞれ本発明の一実施例における半導
体装置の第１および第２のスパイラル・インダクタンス
を示す図、第２図は本実施例の半導体装置のスパイラル
・インダクタンスの断面図、第３図は従来の半導体装置
のスパイラル・インダクタンスを示す図である。 １・・・・・・配線、２・・・・・・コンタクト窓、３
・・・・・・半導体基板、４・・・・・・絶縁膜、５・
・・・・・層間絶縁膜、６・・・・・・下層の配線、７
・・・・・・上層の配線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （１≦ン・ン
体装置の第１および第２のスパイラル・インダクタンス
を示す図、第２図は本実施例の半導体装置のスパイラル
・インダクタンスの断面図、第３図は従来の半導体装置
のスパイラル・インダクタンスを示す図である。 １・・・・・・配線、２・・・・・・コンタクト窓、３
・・・・・・半導体基板、４・・・・・・絶縁膜、５・
・・・・・層間絶縁膜、６・・・・・・下層の配線、７
・・・・・・上層の配線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （１≦ン・ン
Claims (2)
- （１）第１のうず状インダクタンスと前記第１のうず状
インダクタンスの上に絶縁膜を介して形成された第２の
うず状インダクタンスとを有し、前記第１のうず状イン
ダクタンスと前記第２のうず状インダクタンスが直列接
続されてなる半導体装置。 - （２）第１のうず状インダクタンスの配線と第２のうず
状インダクタンスの配線が絶縁膜を介して対向しない部
分を有する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10756885A JPS61265857A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10756885A JPS61265857A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265857A true JPS61265857A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14462468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10756885A Pending JPS61265857A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265857A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0319358A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路 |
| JPH0377360A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2006351687A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP2007013120A (ja) * | 2005-05-30 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2008016089A1 (fr) | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Nec Corporation | Élément inducteur, procédé de fabrication d'élément inducteur et dispositif à semi-conducteur sur lequel est monté l'élément inducteur |
| US8357598B2 (en) | 2005-05-31 | 2013-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing antenna and method for manufacturing semiconductor device |
| CN104733426A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 螺旋差分电感器 |
| JP2015126023A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS434247Y1 (ja) * | 1964-11-05 | 1968-02-23 | ||
| JPS5032467A (ja) * | 1973-07-27 | 1975-03-29 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10756885A patent/JPS61265857A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS434247Y1 (ja) * | 1964-11-05 | 1968-02-23 | ||
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| US8339230B2 (en) | 2006-08-01 | 2012-12-25 | Renesas Electronics Corporation | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon |
| US9923045B2 (en) | 2006-08-01 | 2018-03-20 | Renesas Electronics Corporation | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon |
| US10192951B2 (en) | 2006-08-01 | 2019-01-29 | Renesas Electronics Corporation | Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon |
| CN104733426A (zh) * | 2013-12-19 | 2015-06-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 螺旋差分电感器 |
| JP2015126023A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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