JPH0319358A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0319358A JPH0319358A JP15217189A JP15217189A JPH0319358A JP H0319358 A JPH0319358 A JP H0319358A JP 15217189 A JP15217189 A JP 15217189A JP 15217189 A JP15217189 A JP 15217189A JP H0319358 A JPH0319358 A JP H0319358A
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は,マイクロ波などの高周波通信機器に不可欠な
インダクタを含む半導体集積回路に関するものである。
インダクタを含む半導体集積回路に関するものである。
(従来の技術)
近年,通信情報網が多様化し.CATV,衛星放送,衛
星通信などのニューメディアが注目されている.これら
の高周波を用いる通信機器では,その小形化のために,
IC化が進んでいる。
星通信などのニューメディアが注目されている.これら
の高周波を用いる通信機器では,その小形化のために,
IC化が進んでいる。
?来、VHF/UHF帯以上の通信用送受信回路では,
インダクタすなわちL或分は,寸法が大きくなるため.
IC化されず単品を外付けすることが多かった。しかし
ながら、マイクロ波帯域等では,どうしてもインダクタ
をIC化せざるを得ない場合があり.GaAs!板を使
った半導体集積回路(MMIC)等でインダクタのIC
化が行われている。
インダクタすなわちL或分は,寸法が大きくなるため.
IC化されず単品を外付けすることが多かった。しかし
ながら、マイクロ波帯域等では,どうしてもインダクタ
をIC化せざるを得ない場合があり.GaAs!板を使
った半導体集積回路(MMIC)等でインダクタのIC
化が行われている。
この種の従来のIC化されたインダクタについて.第4
図により説明する。
図により説明する。
第4図(a)および(b)は、インダクタの要部拡大断
面図および平面図で,(a)図に示すように、従来のイ
ンダクタは、半導体基板1の表面に金属膜配A!2を形
戒した上に,上記の金属膜配線2の末端部に連通孔3a
を設けた絶縁膜3を形成し、さらにその表面に,上記の
連通孔3aで金属膜配線2と接続する渦巻き状の金属膜
コイル4を形成したものである。一般に半導体基板工に
はSLやGaAsが,絶縁膜3にはSiO■やSi■N
4が、金属膜配線2および金属膜コイル4には蒸着スパ
ッタあるいはめっきによるAlt.Ti−Au等がそれ
ぞれ用いられる。
面図および平面図で,(a)図に示すように、従来のイ
ンダクタは、半導体基板1の表面に金属膜配A!2を形
戒した上に,上記の金属膜配線2の末端部に連通孔3a
を設けた絶縁膜3を形成し、さらにその表面に,上記の
連通孔3aで金属膜配線2と接続する渦巻き状の金属膜
コイル4を形成したものである。一般に半導体基板工に
はSLやGaAsが,絶縁膜3にはSiO■やSi■N
4が、金属膜配線2および金属膜コイル4には蒸着スパ
ッタあるいはめっきによるAlt.Ti−Au等がそれ
ぞれ用いられる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記の構成では,インダクタの設計性は
良いが、その大きさが数百μm角で,インダクタンス値
は数十nHであり、100nH以上のインダクタの形成
は難しいという問題があった.また、回路には、インダ
クタを用いた結合器やバラン素子も用いられているが、
寸法が大きくなり、また、大きなインダクタンス値が得
れないため、実用化されていないという問題もあった。
良いが、その大きさが数百μm角で,インダクタンス値
は数十nHであり、100nH以上のインダクタの形成
は難しいという問題があった.また、回路には、インダ
クタを用いた結合器やバラン素子も用いられているが、
寸法が大きくなり、また、大きなインダクタンス値が得
れないため、実用化されていないという問題もあった。
本発明では,上記の問題を解決するもので、小形で高イ
ンダクタンスのインダクタ、結合器あるいはバラン素子
を有する半導体集積回路を提供するものである。
ンダクタンスのインダクタ、結合器あるいはバラン素子
を有する半導体集積回路を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
上記の課題を解決するため、本発明は、半導体基板上に
,強磁性体をはさんだ2層以上の多層の金属膜コイルを
用い、インダクタ、結合器あるいはバラン素子を構或す
るものである。
,強磁性体をはさんだ2層以上の多層の金属膜コイルを
用い、インダクタ、結合器あるいはバラン素子を構或す
るものである。
(作 用)
強磁性体を挟んだ多層の金属膜コイルを用いることによ
り,インダクタの大きさが従来の数十分の一から数百分
の一以下に小形化できる.また、小形化が可能になった
ため、従来,困難であった結合器やバラン素子も実現で
きる。
り,インダクタの大きさが従来の数十分の一から数百分
の一以下に小形化できる.また、小形化が可能になった
ため、従来,困難であった結合器やバラン素子も実現で
きる。
(実施例)
本発明の実施例三例を第1図ないし第3図により説明す
る。
る。
まず、本発明による第上の実施例である。半導体集積回
路のインダクタについて第1図により説明する。
路のインダクタについて第1図により説明する。
第1図(a)は、インダクタ部の模型的な断面図,第1
図(b), CC)および(d)はそれぞれ下層、中間
層および上層を示す模型的な平面図である。
図(b), CC)および(d)はそれぞれ下層、中間
層および上層を示す模型的な平面図である。
第1図(a)において、半導体基板1の表面に形成した
、強磁性体の4層5a,5b,5cおよび5dからなる
多層絶縁膜5の間に、第1図(b). (c)および(
d)に示すように、図のように巻いた渦巻状の金属膜コ
イル4a,4bおよび4Cを挟み込むように、また、金
属膜配m2をその表面に、それぞれ順次形成し,さらに
、上記の最下層を除く絶縁膜5b,5cおよび5dに設
けた連通孔6a, 6b,および6cにより,相隣接す
る金属膜コイル4aと4bおよび4bと4cならびに最
上層の金属膜コイル4cと金属膜配IiA2とをそれぞ
れ電気的に接続したものである。
、強磁性体の4層5a,5b,5cおよび5dからなる
多層絶縁膜5の間に、第1図(b). (c)および(
d)に示すように、図のように巻いた渦巻状の金属膜コ
イル4a,4bおよび4Cを挟み込むように、また、金
属膜配m2をその表面に、それぞれ順次形成し,さらに
、上記の最下層を除く絶縁膜5b,5cおよび5dに設
けた連通孔6a, 6b,および6cにより,相隣接す
る金属膜コイル4aと4bおよび4bと4cならびに最
上層の金属膜コイル4cと金属膜配IiA2とをそれぞ
れ電気的に接続したものである。
なお,上記の多層絶縁膜5は,高周波でも高い透磁率を
示し,且つ電気的に絶縁性を有するMn−Znフェライ
トを用いスパッタで形成した。その他の半導体基板l,
金属膜配,l%2および金属膜コイル4の材質と形成方
法は、従来と変わらないのでその説明を省略する。
示し,且つ電気的に絶縁性を有するMn−Znフェライ
トを用いスパッタで形成した。その他の半導体基板l,
金属膜配,l%2および金属膜コイル4の材質と形成方
法は、従来と変わらないのでその説明を省略する。
次に、本発明の第2の実施例である結合器について第2
図により説明する。ここで結合器と呼んだが、変圧器と
しても働くことはいうまでもない。
図により説明する。ここで結合器と呼んだが、変圧器と
しても働くことはいうまでもない。
第2図(.)は,本発明による結合器を示す模型的断面
図、第2図(b)および(c)は、その下層および上層
のインダクタの平面図、第2図(d)はその等価回路図
である。
図、第2図(b)および(c)は、その下層および上層
のインダクタの平面図、第2図(d)はその等価回路図
である。
第2図(a)において.本実施例の結合器は,半導体基
板lの上に形成した、強磁性体の3層5a,5bおよび
5cからなる多層絶縁膜5の各層間に,第2図(b)お
よび(c)に示したように、それぞれ独立した、同一方
向に巻いた渦巻き状の2個の金属膜コイル4aおよび4
bを形成し、#!縁膜5aおよび5cに設けた連通孔6
aおよび6bによって、それぞれ半導体基板1および上
記の多層絶縁膜5の表面に形成された金属膜配線2aお
よび2bと接続されている。
板lの上に形成した、強磁性体の3層5a,5bおよび
5cからなる多層絶縁膜5の各層間に,第2図(b)お
よび(c)に示したように、それぞれ独立した、同一方
向に巻いた渦巻き状の2個の金属膜コイル4aおよび4
bを形成し、#!縁膜5aおよび5cに設けた連通孔6
aおよび6bによって、それぞれ半導体基板1および上
記の多層絶縁膜5の表面に形成された金属膜配線2aお
よび2bと接続されている。
第2図(d)は,上記のような構成の結合器の等価回路
である。
である。
なお,本実施例では,2組の金属膜コイル4aおよび4
bを一層ずつとしたが,それぞれ多層にしたり、この多
層化した2組を交互に挟み込んでもよく、このようにす
ればさらに結合効率が高められることはいうまでもない
。
bを一層ずつとしたが,それぞれ多層にしたり、この多
層化した2組を交互に挟み込んでもよく、このようにす
ればさらに結合効率が高められることはいうまでもない
。
次に、本発明の第3の実施例として、バラン素子につい
て第3図により説明する。ここでいうパラン素子とは非
平衡回路をさすが、3ポートの変圧器として働くことは
いうまでもない.第3図(a)は,本発明によるバラン
素子を示す模型的断面図、第3図(b)ないし(d)は
、最下層から順に示した平面図、第3図(e)はその等
価回路図である。第3図(a)において、本実施例のバ
ラン素子は、半導体基板1の上に形成した2本の金属膜
配線2aおよび2bの上に、強磁性体の4層5a,5b
,5cおよび5dからなる多層絶縁膜5を形成し、さら
に上記の絶縁膜5aと5b、および絶縁膜5Cと5dの
間にそれぞれ第3図(b)ないし(d)に示すように、
図のように巻いて、その外周端で接続した2giの金属
膜コイル4aおよび4Cを、また、絶@g5bと50の
間に,第3図(c)に示した金属膜コイル4bをそれぞ
れ形成したものである.なお、金属膜コイル4aは連通
孔6a,6cおよび6dで,それぞれ金属膜配線2aと
20および金属膜コイル4Cと,金属膜コイル4bは連
通孔6bで金属膜配線2bと、金属膜コイル4Cは連通
孔6Cおよび6dで金属膜コイル4aおよび金属膜配線
2dと、それぞれ接続されている. なお、第2および第3の実施例の半導体基板1、金属膜
配線2および金属膜コイル4の材質およびその形成方法
は第1の実施例と変わらないのでその説明を省略する. また、本実施例では、多層絶[!J5を4層としたが、
さらに絶縁膜を重ねて、それぞれ多層の金属膜コイルを
連結してもよい。
て第3図により説明する。ここでいうパラン素子とは非
平衡回路をさすが、3ポートの変圧器として働くことは
いうまでもない.第3図(a)は,本発明によるバラン
素子を示す模型的断面図、第3図(b)ないし(d)は
、最下層から順に示した平面図、第3図(e)はその等
価回路図である。第3図(a)において、本実施例のバ
ラン素子は、半導体基板1の上に形成した2本の金属膜
配線2aおよび2bの上に、強磁性体の4層5a,5b
,5cおよび5dからなる多層絶縁膜5を形成し、さら
に上記の絶縁膜5aと5b、および絶縁膜5Cと5dの
間にそれぞれ第3図(b)ないし(d)に示すように、
図のように巻いて、その外周端で接続した2giの金属
膜コイル4aおよび4Cを、また、絶@g5bと50の
間に,第3図(c)に示した金属膜コイル4bをそれぞ
れ形成したものである.なお、金属膜コイル4aは連通
孔6a,6cおよび6dで,それぞれ金属膜配線2aと
20および金属膜コイル4Cと,金属膜コイル4bは連
通孔6bで金属膜配線2bと、金属膜コイル4Cは連通
孔6Cおよび6dで金属膜コイル4aおよび金属膜配線
2dと、それぞれ接続されている. なお、第2および第3の実施例の半導体基板1、金属膜
配線2および金属膜コイル4の材質およびその形成方法
は第1の実施例と変わらないのでその説明を省略する. また、本実施例では、多層絶[!J5を4層としたが、
さらに絶縁膜を重ねて、それぞれ多層の金属膜コイルを
連結してもよい。
このバラン素子もさらに多層化できるのはいうまでもな
い. (発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、強磁性体を挾ん
で2層以上の金属膜コイルが積層されるので,インダク
タの大きさは従来の数十分の一から数百分の一の小形と
なり、1(10nH以上の容量も可能となる。また、小
形化が可能になるので,結合器やバラン素子を含む半導
体集積回路も実現が可能となる.
い. (発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、強磁性体を挾ん
で2層以上の金属膜コイルが積層されるので,インダク
タの大きさは従来の数十分の一から数百分の一の小形と
なり、1(10nH以上の容量も可能となる。また、小
形化が可能になるので,結合器やバラン素子を含む半導
体集積回路も実現が可能となる.
第1図(a)は本発明による半導体集積回路のインダク
タを模型的に示した側面断面図、第l図(b)ないし(
d)はその下,中,上各層の平面図、第2図(a)は本
発明による第2の実施例の結合器を模型的に示した側面
断面図,第2図(b)および(C)はその下,上2層を
示す平面図.第2図(d)はその等価回路図、第3図(
a)は本発明による第3の実施例のバラン素子を模型的
に示した側面断面図,第3図(b)ないし(d)はそれ
ぞれ下,中,上各層の平面図、第3図(e)はその等価
回路図,第4図は従来の半導体集積回路のインダクタを
模型的に示す側面断面図および平面図である。 1 ・・・半導体基板、 2,2a,2b,2e,2d
−=金属膜配線. 3,5a,5b,5c,5d=・
絶#膜、 3a, 6a, 6b, 6c,6d−・・
連通孔, 4,4a,4b,4c −金属膜コイル、
5・・・多層絶縁膜。
タを模型的に示した側面断面図、第l図(b)ないし(
d)はその下,中,上各層の平面図、第2図(a)は本
発明による第2の実施例の結合器を模型的に示した側面
断面図,第2図(b)および(C)はその下,上2層を
示す平面図.第2図(d)はその等価回路図、第3図(
a)は本発明による第3の実施例のバラン素子を模型的
に示した側面断面図,第3図(b)ないし(d)はそれ
ぞれ下,中,上各層の平面図、第3図(e)はその等価
回路図,第4図は従来の半導体集積回路のインダクタを
模型的に示す側面断面図および平面図である。 1 ・・・半導体基板、 2,2a,2b,2e,2d
−=金属膜配線. 3,5a,5b,5c,5d=・
絶#膜、 3a, 6a, 6b, 6c,6d−・・
連通孔, 4,4a,4b,4c −金属膜コイル、
5・・・多層絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に形成した強磁性体からなる多層絶縁
膜の層間に、渦巻状の金属膜コイルを形成し、上記の絶
縁膜に設けた連通孔を介して、電気的に接続して構成し
たインダクタ、結合器あるいはバラン素子を含むことを
特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15217189A JPH0319358A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15217189A JPH0319358A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0319358A true JPH0319358A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15534592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15217189A Pending JPH0319358A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0319358A (ja) |
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-
1989
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