JPH05135951A - 平面型トランス - Google Patents
平面型トランスInfo
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- JPH05135951A JPH05135951A JP3300772A JP30077291A JPH05135951A JP H05135951 A JPH05135951 A JP H05135951A JP 3300772 A JP3300772 A JP 3300772A JP 30077291 A JP30077291 A JP 30077291A JP H05135951 A JPH05135951 A JP H05135951A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】結合係数を大きくし伝送損失を低減した平面型
トランスを提供する。 【構成】絶縁体の基板４の上に磁性体ペーストによって
形成した第１の磁性体層１ａを積層する。第１の磁性体
層１ａの上には、コイルパターンを形成した第１の導電
体層２ａとともに絶縁材料よりなる絶縁層３を積層す
る。絶縁層３の上にコイルパターンを形成した第２の導
電体層２ｂとともに磁性体ペーストよりなる第２の磁性
体層１ｂを積層する。第１の導電体層２ａおよび第２の
導電体層２ｂは、それぞれ磁性体層１ａ，１ｂに近接し
ているから、磁性体層１ａ，１ｂの中での磁束密度が大
きくなる。また、コイルパターンの対向面間には磁性体
が存在しないから、磁束の大部分は両コイルパターンに
鎖交することになり、結合係数が大きくなる。
トランスを提供する。 【構成】絶縁体の基板４の上に磁性体ペーストによって
形成した第１の磁性体層１ａを積層する。第１の磁性体
層１ａの上には、コイルパターンを形成した第１の導電
体層２ａとともに絶縁材料よりなる絶縁層３を積層す
る。絶縁層３の上にコイルパターンを形成した第２の導
電体層２ｂとともに磁性体ペーストよりなる第２の磁性
体層１ｂを積層する。第１の導電体層２ａおよび第２の
導電体層２ｂは、それぞれ磁性体層１ａ，１ｂに近接し
ているから、磁性体層１ａ，１ｂの中での磁束密度が大
きくなる。また、コイルパターンの対向面間には磁性体
が存在しないから、磁束の大部分は両コイルパターンに
鎖交することになり、結合係数が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてＴＶ放送周波
数等の高周波領域において、バラン、分配回路、分岐回
路等に用いられる平面型トランスに関するものである。
数等の高周波領域において、バラン、分配回路、分岐回
路等に用いられる平面型トランスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＴＶ放送周波数等の高周波領
域において、伝送線路型トランス、バラン、分配トラン
ス、分岐トランスなど各種のトランスが用いられてい
る。伝送線路型トランスＴ１は、図１１に示すように、
入力端子ＩＮから入力された信号を反転して出力端子Ｏ
ＵＴから送出するものであって、図１２（ａ）（ｂ）に
示すように、ビーズ型、トロイダル型などと称する円筒
状のコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構成さ
れている。
域において、伝送線路型トランス、バラン、分配トラン
ス、分岐トランスなど各種のトランスが用いられてい
る。伝送線路型トランスＴ１は、図１１に示すように、
入力端子ＩＮから入力された信号を反転して出力端子Ｏ
ＵＴから送出するものであって、図１２（ａ）（ｂ）に
示すように、ビーズ型、トロイダル型などと称する円筒
状のコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構成さ
れている。
【０００３】バランは、不平衡線路と平衡線路とを接続
する装置であって、たとえば、７５Ωの同軸ケーブルと
３００Ωの平衡型ケーブルとを接続するバランは、図１
３に示すように、巻比が１：１のトランスＴ２１，Ｔ２
２を２個用いて入出力間のインピーダンス比が１：４に
なるように構成される。このようなトランスＴ２１，Ｔ
２２は、図１４に示すように、一対の貫通孔１３を有す
るめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
する装置であって、たとえば、７５Ωの同軸ケーブルと
３００Ωの平衡型ケーブルとを接続するバランは、図１
３に示すように、巻比が１：１のトランスＴ２１，Ｔ２
２を２個用いて入出力間のインピーダンス比が１：４に
なるように構成される。このようなトランスＴ２１，Ｔ
２２は、図１４に示すように、一対の貫通孔１３を有す
るめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
【０００４】分配回路は、図１５に示すように、入力端
子ＩＮより入力された信号を分配トランスＴ３によって
等分に分配し、２つの出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から
それぞれ均等に出力を送出するものである。分配トラン
スＴ３は、図１６に示すように伝送線路トランスと同様
のビーズ型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
子ＩＮより入力された信号を分配トランスＴ３によって
等分に分配し、２つの出力端子ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から
それぞれ均等に出力を送出するものである。分配トラン
スＴ３は、図１６に示すように伝送線路トランスと同様
のビーズ型と称するコア１１に巻線１２を巻装して構成
される。
【０００５】分岐回路は、たとえば図１７に示すよう
に、巻線ｎ１，ｎ２および巻線ｎ３，ｎ４の巻比がそれ
ぞれ１：３になるように構成された分岐トランスＴ４を
用いて、入力端子ＩＮから入力された信号を出力端子Ｏ
ＵＴおよび分岐出力端子ＢＯＵＴより送出するように構
成される。分岐トランスＴ４は、図１８に示すようにバ
ランと同様のめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻
装して構成される。
に、巻線ｎ１，ｎ２および巻線ｎ３，ｎ４の巻比がそれ
ぞれ１：３になるように構成された分岐トランスＴ４を
用いて、入力端子ＩＮから入力された信号を出力端子Ｏ
ＵＴおよび分岐出力端子ＢＯＵＴより送出するように構
成される。分岐トランスＴ４は、図１８に示すようにバ
ランと同様のめがね型と称するコア１１に巻線１２を巻
装して構成される。
【０００６】上述した各トランスは、いずれも貫通孔を
形成したコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構
成されているものであって、コア１１が筒状でありかさ
ばるものであるから、全体形状が比較的大きなものにな
るという問題が生じる。また、コア１１内に巻線１２を
挿通するから巻線１２を巻く作業を機械化するのが難し
いという問題があり、さらに、巻線１２のコア１１に対
する位置ずれが生じやすく特性にばらつきが多いという
問題がある。
形成したコア１１に巻線１２を挿通する形で巻装して構
成されているものであって、コア１１が筒状でありかさ
ばるものであるから、全体形状が比較的大きなものにな
るという問題が生じる。また、コア１１内に巻線１２を
挿通するから巻線１２を巻く作業を機械化するのが難し
いという問題があり、さらに、巻線１２のコア１１に対
する位置ずれが生じやすく特性にばらつきが多いという
問題がある。
【０００７】このような問題を解決するために、図１９
に示すように、コアとして機能する３枚の磁性体層１
ａ，１ｂ，１ｃを積層し、中央の磁性体層１ｃの表裏両
面に積層した導電体層２ａ，２ｂにそれぞれコイルパタ
ーンを形成することが考えられている。両コイルパター
ンは磁気的に結合されるように配置されており、このコ
イルパターンが巻線として機能するのである。このよう
に形成された平面型トランスは、コイルパターンが磁性
体層１ｃに固定され、かつ磁性体層１ａ，１ｂ，１ｃが
積層されるから、コイルパターンと磁性体層１ａ，１
ｂ，１ｃとの位置ずれがなく、また、コイルパターンの
磁性体層１ｃに対する位置や寸法は印刷配線技術などに
よって精密に管理することが可能であるから、特性が安
定するという利点を有している。
に示すように、コアとして機能する３枚の磁性体層１
ａ，１ｂ，１ｃを積層し、中央の磁性体層１ｃの表裏両
面に積層した導電体層２ａ，２ｂにそれぞれコイルパタ
ーンを形成することが考えられている。両コイルパター
ンは磁気的に結合されるように配置されており、このコ
イルパターンが巻線として機能するのである。このよう
に形成された平面型トランスは、コイルパターンが磁性
体層１ｃに固定され、かつ磁性体層１ａ，１ｂ，１ｃが
積層されるから、コイルパターンと磁性体層１ａ，１
ｂ，１ｃとの位置ずれがなく、また、コイルパターンの
磁性体層１ｃに対する位置や寸法は印刷配線技術などに
よって精密に管理することが可能であるから、特性が安
定するという利点を有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の平面型トランスでは、両コイルパターンの対向面間
に磁性体が存在するものであるから、各コイルパターン
の周囲に生じる磁束の一部は相互に鎖交せずに両コイル
パターンの対向面間で磁性体層１ｃの中を通ることにな
る。このような磁束が存在すると、結合係数が小さくな
り、伝送損失が大きくなるという問題が生じる。すなわ
ち、図１９に示した構成の従来の平面型トランスでは、
伝送損失が大きく実用に向かないという問題がある。
成の平面型トランスでは、両コイルパターンの対向面間
に磁性体が存在するものであるから、各コイルパターン
の周囲に生じる磁束の一部は相互に鎖交せずに両コイル
パターンの対向面間で磁性体層１ｃの中を通ることにな
る。このような磁束が存在すると、結合係数が小さくな
り、伝送損失が大きくなるという問題が生じる。すなわ
ち、図１９に示した構成の従来の平面型トランスでは、
伝送損失が大きく実用に向かないという問題がある。
【０００９】本発明は上記問題点の解決を目的とするも
のであり、小型かつ製造が容易であって、特性が安定し
ているのはもちろんのこと、結合係数を大きくとること
ができて伝送損失の少ない平面型トランスを提供しよう
とするものである。
のであり、小型かつ製造が容易であって、特性が安定し
ているのはもちろんのこと、結合係数を大きくとること
ができて伝送損失の少ない平面型トランスを提供しよう
とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、上
記目的を達成するために、一平面上にコイルパターンを
形成した第１の導電体層と、他平面上にコイルパターン
を形成した第２の導電体層とを磁気的に結合するように
対向させて配置し、第１の導電体層および第２の導電体
層を磁性体層の間に配置した平面型トランスにおいて、
第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターン
の対向面間には磁性体を設けないようにしているのであ
る。
記目的を達成するために、一平面上にコイルパターンを
形成した第１の導電体層と、他平面上にコイルパターン
を形成した第２の導電体層とを磁気的に結合するように
対向させて配置し、第１の導電体層および第２の導電体
層を磁性体層の間に配置した平面型トランスにおいて、
第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターン
の対向面間には磁性体を設けないようにしているのであ
る。
【００１１】請求項２の発明では、第１の導電体層は基
板の上に積層した磁性体ペーストにより形成された第１
の磁性体層の上に絶縁材料よりなる絶縁層に埋設された
形で積層され、第２の導電体層は磁性体ペーストにより
形成された第２の磁性体層に埋設された形で絶縁層の上
に積層されている。請求項３の発明では、請求項２の発
明において、第１の導電体層および第２の導電体層のコ
イルパターンの対向面間を除く部位の少なくとも一部の
絶縁層は磁性体ペーストにより形成されているのであ
る。
板の上に積層した磁性体ペーストにより形成された第１
の磁性体層の上に絶縁材料よりなる絶縁層に埋設された
形で積層され、第２の導電体層は磁性体ペーストにより
形成された第２の磁性体層に埋設された形で絶縁層の上
に積層されている。請求項３の発明では、請求項２の発
明において、第１の導電体層および第２の導電体層のコ
イルパターンの対向面間を除く部位の少なくとも一部の
絶縁層は磁性体ペーストにより形成されているのであ
る。
【００１２】請求項４の発明では、請求項２または請求
項３の発明において、第１の磁性体層と第２の磁性体層
との少なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の
導電体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末
を外部線路に接続可能とするように引き出すようにして
いる。請求項５の発明では、請求項２または請求項３の
発明において、磁性体ペーストをフェライトペーストと
している。
項３の発明において、第１の磁性体層と第２の磁性体層
との少なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の
導電体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末
を外部線路に接続可能とするように引き出すようにして
いる。請求項５の発明では、請求項２または請求項３の
発明において、磁性体ペーストをフェライトペーストと
している。
【００１３】請求項６の発明では、第１の導電体層を表
面に被着した板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層
を表面に被着した板状の第２の磁性体層とを、第１の導
電体層と第２の導電体層とが所定間隔で対向するように
配置しているのである。請求項７の発明では、請求項６
の発明において、第１の導電体層と第２の導電体層との
間に所定厚の絶縁材料よりなる絶縁層を介装している。
面に被着した板状の第１の磁性体層と、第２の導電体層
を表面に被着した板状の第２の磁性体層とを、第１の導
電体層と第２の導電体層とが所定間隔で対向するように
配置しているのである。請求項７の発明では、請求項６
の発明において、第１の導電体層と第２の導電体層との
間に所定厚の絶縁材料よりなる絶縁層を介装している。
【００１４】請求項８の発明では、第１の導電体層を表
面に被着した板状の第１の磁性体層と、第１の磁性体層
における第１の導電体層を形成した面に第１の導電体層
を埋設する形で積層した絶縁材料よりなる絶縁層と、絶
縁層の上に積層した第２の導電体層と、第２の導電体層
を絶縁層との間に挟む第２の磁性体層とを備えているの
である。
面に被着した板状の第１の磁性体層と、第１の磁性体層
における第１の導電体層を形成した面に第１の導電体層
を埋設する形で積層した絶縁材料よりなる絶縁層と、絶
縁層の上に積層した第２の導電体層と、第２の導電体層
を絶縁層との間に挟む第２の磁性体層とを備えているの
である。
【００１５】請求項９の発明では、請求項７または請求
項８の発明において、第１の導電体層および第２の導電
体層のコイルパターンの対向面間を除く部位の少なくと
も一部の絶縁層を磁性体により形成している。請求項１
０の発明では、請求項２または請求項７または請求項８
の発明において、絶縁層をポリイミドで形成しているの
である。
項８の発明において、第１の導電体層および第２の導電
体層のコイルパターンの対向面間を除く部位の少なくと
も一部の絶縁層を磁性体により形成している。請求項１
０の発明では、請求項２または請求項７または請求項８
の発明において、絶縁層をポリイミドで形成しているの
である。
【００１６】請求項１１の発明では、請求項６ないし請
求項８の発明において、第１の磁性体層および第２の磁
性体層にそれぞれ形成した貫通孔を通して、第１の導電
体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を外
部線路に接続可能とするように引き出しているのであ
る。請求項１２の発明では、請求項６ないし請求項８の
発明において、第１の磁性体層および第２の磁性体層
を、フェライトの板材により形成している。
求項８の発明において、第１の磁性体層および第２の磁
性体層にそれぞれ形成した貫通孔を通して、第１の導電
体層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を外
部線路に接続可能とするように引き出しているのであ
る。請求項１２の発明では、請求項６ないし請求項８の
発明において、第１の磁性体層および第２の磁性体層
を、フェライトの板材により形成している。
【００１７】請求項１３の発明では、第１の導電体層お
よび第２の導電体層のコイルパターンの対向面間を空隙
としているのである。請求項１４の発明では、請求項１
３の発明において、第１の導電体層を表面に形成した板
状の第１の磁性体層と、第２の導電体層を表面に形成し
た板状の第２の磁性体層とを、第１の導電体層および第
２の導電体層のコイルパターンの対向面間とは異なる部
位に設けたスペーサを介して対向させ、第１の磁性体層
と第２の磁性体層とを絶縁性を有する磁性体材料により
形成しているのである。
よび第２の導電体層のコイルパターンの対向面間を空隙
としているのである。請求項１４の発明では、請求項１
３の発明において、第１の導電体層を表面に形成した板
状の第１の磁性体層と、第２の導電体層を表面に形成し
た板状の第２の磁性体層とを、第１の導電体層および第
２の導電体層のコイルパターンの対向面間とは異なる部
位に設けたスペーサを介して対向させ、第１の磁性体層
と第２の磁性体層とを絶縁性を有する磁性体材料により
形成しているのである。
【００１８】請求項１５の発明では、請求項１４の発明
において、スペーサを磁性体としているのである。請求
項１６の発明では、請求項１３の発明において、表裏の
一面に絶縁材料よりなる第１の絶縁層を介して第１の導
電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第１の基板を積
層した第１の磁性体層と、表裏の一面に絶縁材料よりな
る第２の絶縁層を介して第２の導電体層を積層し他面に
絶縁材料よりなる第２の基板を積層した第２の磁性体層
とを、第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパ
ターンの対向面間とは異なる部位に設けたスペーサを介
して対向させているのである。
において、スペーサを磁性体としているのである。請求
項１６の発明では、請求項１３の発明において、表裏の
一面に絶縁材料よりなる第１の絶縁層を介して第１の導
電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第１の基板を積
層した第１の磁性体層と、表裏の一面に絶縁材料よりな
る第２の絶縁層を介して第２の導電体層を積層し他面に
絶縁材料よりなる第２の基板を積層した第２の磁性体層
とを、第１の導電体層および第２の導電体層のコイルパ
ターンの対向面間とは異なる部位に設けたスペーサを介
して対向させているのである。
【００１９】請求項１７の発明では、請求項１６の発明
において、スペーサを磁性体としているのである。
において、スペーサを磁性体としているのである。
【００２０】
【作用】請求項１の構成によれば、第１の導電体層と第
２の導電体層とを磁性体層の間に配置するとともに、第
１の導電体層と第２の導電体層とのコイルパターンの対
向面間には磁性体を設けないようにしているのであっ
て、平面型トランスとしては従来構成と同様に、コイル
パターンを印刷配線技術などによって精密に形成するこ
とができて、高周波帯域での特性のばらつきを少なくす
ることができるのはもちろんのこと、両コイルパターン
の対向面間を通る磁束が少なくなり、結合係数が大きく
なって伝送損失を低減できるのである。しかも、両コイ
ルパターンの対向面間には磁性体が存在しないから、磁
性体の内部でのコア損が少なく、このことによっても伝
送損失を低減できるのである。
２の導電体層とを磁性体層の間に配置するとともに、第
１の導電体層と第２の導電体層とのコイルパターンの対
向面間には磁性体を設けないようにしているのであっ
て、平面型トランスとしては従来構成と同様に、コイル
パターンを印刷配線技術などによって精密に形成するこ
とができて、高周波帯域での特性のばらつきを少なくす
ることができるのはもちろんのこと、両コイルパターン
の対向面間を通る磁束が少なくなり、結合係数が大きく
なって伝送損失を低減できるのである。しかも、両コイ
ルパターンの対向面間には磁性体が存在しないから、磁
性体の内部でのコア損が少なく、このことによっても伝
送損失を低減できるのである。
【００２１】請求項２の構成によれば、磁性体層が磁性
体ペーストによって形成されているから、製造が容易に
なるものである。請求項３の構成によれば、第１の導電
体層および第２の導電体層のコイルパターンの対向面間
を除く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体ペースト
により形成しているので、第１の磁性体層と第２の磁性
体層との間に磁性体による磁路が形成されることになり
磁気効率が高くなって、伝送損失を一層低減できる。
体ペーストによって形成されているから、製造が容易に
なるものである。請求項３の構成によれば、第１の導電
体層および第２の導電体層のコイルパターンの対向面間
を除く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体ペースト
により形成しているので、第１の磁性体層と第２の磁性
体層との間に磁性体による磁路が形成されることになり
磁気効率が高くなって、伝送損失を一層低減できる。
【００２２】請求項４の構成は、各コイルパターンの端
末と外部線路との接続に関する望ましい実施態様であ
る。請求項５の構成は、磁性体ペーストの望ましい実施
態様である。請求項６の構成によれば、導電体層が板状
の磁性体層に被着されているので、積層作業が容易にな
るものである。
末と外部線路との接続に関する望ましい実施態様であ
る。請求項５の構成は、磁性体ペーストの望ましい実施
態様である。請求項６の構成によれば、導電体層が板状
の磁性体層に被着されているので、積層作業が容易にな
るものである。
【００２３】請求項７の構成によれば、絶縁層としてシ
ート状の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚
み寸法の管理が容易になって、特性を一層安定化するこ
とができる。請求項８の構成によれば、一方の導電体層
を磁性体層に被着して絶縁層で覆うとともに、絶縁層に
他方の導電体層を積層し、かつ、導電体層を被着してい
ない磁性体層を上記他方の導電体層に積層するのであっ
て、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利
である。
ート状の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚
み寸法の管理が容易になって、特性を一層安定化するこ
とができる。請求項８の構成によれば、一方の導電体層
を磁性体層に被着して絶縁層で覆うとともに、絶縁層に
他方の導電体層を積層し、かつ、導電体層を被着してい
ない磁性体層を上記他方の導電体層に積層するのであっ
て、両導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利
である。
【００２４】請求項９の構成によれば、第１の導電体層
および第２の導電体層のコイルパターンの対向面間を除
く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体により形成し
ているので、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に
磁性体による磁路が形成されることになり磁気効率が高
くなって、伝送損失を一層低減できる。請求項１０の構
成は、絶縁層の形成材料の望ましい実施態様である。
および第２の導電体層のコイルパターンの対向面間を除
く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体により形成し
ているので、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間に
磁性体による磁路が形成されることになり磁気効率が高
くなって、伝送損失を一層低減できる。請求項１０の構
成は、絶縁層の形成材料の望ましい実施態様である。
【００２５】請求項１１の構成は、コイルパターンの端
末と外部線路との接続に関する望ましい実施態様であ
る。請求項１２の構成は、磁性体層の望ましい実施態様
である。請求項１３の構成によれば、両導電体層のコイ
ルパターンの対向面間を空隙としているので、両コイル
パターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイルパタ
ーンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較して浮
遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡状態
を防止できるのである。
末と外部線路との接続に関する望ましい実施態様であ
る。請求項１２の構成は、磁性体層の望ましい実施態様
である。請求項１３の構成によれば、両導電体層のコイ
ルパターンの対向面間を空隙としているので、両コイル
パターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイルパタ
ーンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較して浮
遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡状態
を防止できるのである。
【００２６】請求項１４の構成は、空隙を形成するため
の望ましい実施態様である。請求項１５の構成によれ
ば、両導電体層のコイルパターンの対向面間を除く部位
に磁性体のスペーサを配設しているので、コイルパター
ンの周囲に形成される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さ
くなり、伝送損失を低減できるのである。また、このス
ペーサは、両導電体層の間に空隙を形成する支持材とし
て兼用されているから、少数の部品で磁気効率を高める
効果と、浮遊容量を低減できる効果とが得られるのであ
る。
の望ましい実施態様である。請求項１５の構成によれ
ば、両導電体層のコイルパターンの対向面間を除く部位
に磁性体のスペーサを配設しているので、コイルパター
ンの周囲に形成される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さ
くなり、伝送損失を低減できるのである。また、このス
ペーサは、両導電体層の間に空隙を形成する支持材とし
て兼用されているから、少数の部品で磁気効率を高める
効果と、浮遊容量を低減できる効果とが得られるのであ
る。
【００２７】請求項１６の構成によれば、磁性体層の一
面に絶縁材料よりなる絶縁層を介して導電体層を積層し
ているので、磁性体層には絶縁性のない磁性体材料を用
いることができ、また、磁性体層の他面を絶縁材料より
なる基板で裏打ちしているので、機械的強度を基板によ
って確保できることになる。しかも、磁性体層を基板と
絶縁層とによって挟んでいるので、磁性体層として脆い
材料でも用いることが可能である。
面に絶縁材料よりなる絶縁層を介して導電体層を積層し
ているので、磁性体層には絶縁性のない磁性体材料を用
いることができ、また、磁性体層の他面を絶縁材料より
なる基板で裏打ちしているので、機械的強度を基板によ
って確保できることになる。しかも、磁性体層を基板と
絶縁層とによって挟んでいるので、磁性体層として脆い
材料でも用いることが可能である。
【００２８】請求項１７の構成によれば、両導電体層の
コイルパターンの対向面間を除く部位に磁性体のスペー
サを配設しているので、コイルパターンの周囲に形成さ
れる磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損失
を低減できるのである。また、このスペーサは、両導電
体層の間に空隙を形成する支持材として兼用されている
から、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容量
を低減できる効果とが得られるのである。
コイルパターンの対向面間を除く部位に磁性体のスペー
サを配設しているので、コイルパターンの周囲に形成さ
れる磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくなり、伝送損失
を低減できるのである。また、このスペーサは、両導電
体層の間に空隙を形成する支持材として兼用されている
から、少数の部品で磁気効率を高める効果と、浮遊容量
を低減できる効果とが得られるのである。
【００２９】
【実施例】（実施例１）図１に示すように、ガラス基板
である基板４の表面に磁性体ペーストを塗布することに
より第１の磁性体層１ａが形成される。第１の磁性体層
１ａの上には、コイルパターンを形成した第１の導電体
層２ａが積層される。また、第１の磁性体層１ａの上に
は、絶縁材料よりなる絶縁層３が積層され、絶縁層３の
中に第１の導電体層２ａが埋設されることになる。絶縁
層３の上には、コイルパターンを形成した第２の導電体
層２ｂが積層される。さらに、絶縁層３の上には磁性体
ペーストを塗布することによって第２の磁性体層１ｂが
積層され、第２の磁性体層１ｂの中に第２の導電体層２
ｂが埋設されることになる。第１の導電体層２ａおよび
第２の導電体層２ｂに形成するコイルパターンの形状と
してはリング状、渦巻き状、蛇行状など各種形状が考え
られるが、ここでは渦巻き状を採用しているものとす
る。この場合、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体
層２ｂに形成された各コイルパターンの一端は、第１の
磁性体層１ａまたは第２の磁性体層１ｂと絶縁層３との
間から基板４の上に引き出され、コイルパーンの他端
は、渦巻きの中心部付近で第２の磁性体層１ｂおよび絶
縁層３に貫通孔（図示せず）を形成することによって、
スルーホールメッキ法やワイヤボンディング法を用いて
外部に引き出される。
である基板４の表面に磁性体ペーストを塗布することに
より第１の磁性体層１ａが形成される。第１の磁性体層
１ａの上には、コイルパターンを形成した第１の導電体
層２ａが積層される。また、第１の磁性体層１ａの上に
は、絶縁材料よりなる絶縁層３が積層され、絶縁層３の
中に第１の導電体層２ａが埋設されることになる。絶縁
層３の上には、コイルパターンを形成した第２の導電体
層２ｂが積層される。さらに、絶縁層３の上には磁性体
ペーストを塗布することによって第２の磁性体層１ｂが
積層され、第２の磁性体層１ｂの中に第２の導電体層２
ｂが埋設されることになる。第１の導電体層２ａおよび
第２の導電体層２ｂに形成するコイルパターンの形状と
してはリング状、渦巻き状、蛇行状など各種形状が考え
られるが、ここでは渦巻き状を採用しているものとす
る。この場合、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体
層２ｂに形成された各コイルパターンの一端は、第１の
磁性体層１ａまたは第２の磁性体層１ｂと絶縁層３との
間から基板４の上に引き出され、コイルパーンの他端
は、渦巻きの中心部付近で第２の磁性体層１ｂおよび絶
縁層３に貫通孔（図示せず）を形成することによって、
スルーホールメッキ法やワイヤボンディング法を用いて
外部に引き出される。
【００３０】磁性体ペーストとしては、たとえば、絶縁
性を有するフェライトペーストを採用することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第１の導電体層２ａ、第２の
磁性体層１ｂと第２の導電体層２ｂがそれぞれ直接に接
触していても、コイルパターン内での短絡が生じないよ
うにしてある。絶縁層３は、たとえば、ポリイミドなど
の高分子コーティング材料を塗布したり、ＳｉＯ2 等を
蒸着したりすることによって形成される。
性を有するフェライトペーストを採用することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第１の導電体層２ａ、第２の
磁性体層１ｂと第２の導電体層２ｂがそれぞれ直接に接
触していても、コイルパターン内での短絡が生じないよ
うにしてある。絶縁層３は、たとえば、ポリイミドなど
の高分子コーティング材料を塗布したり、ＳｉＯ2 等を
蒸着したりすることによって形成される。
【００３１】以上の構成によれば、第１の導電体層２ａ
は第１の磁性体層１ａに近接し、また、第２の導電体層
２ｂは第２の磁性体層１ｂに近接しているから、図２に
示すように、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層
２ｂの周囲に生じる磁束φの磁束密度は、第１の磁性体
層１ａおよび第２の磁性体層１ｂの中では高くなる。ま
た、第１の導電体層２ａのコイルパターンと第２の導電
体層２ｂのコイルパターンとの対向面間には磁性体が介
在しないから、上記磁束φの大部分は、第１の導電体層
２ａのコイルパターンと第２の導電体層２ｂのコイルパ
ターンとの対向面間を通ることなく他方の磁性体層１
ａ，１ｂに到達する。その結果、両コイルパターンに鎖
交しない磁束φ1 はほとんど生じないのであり、結合係
数が大きくなるのであって、伝送損失を従来よりも低減
することができるのである。とくに、自己インダクタン
スが大きい場合には、上記磁束φのうちで両コイルパタ
ーンを通らない磁束φ1 が磁性体層１ａ，１ｂの複素透
磁率の損失項（コア損）によって伝送損失を増大させる
ことになるが、従来構成に比較すればこのような磁束φ
1 が少ないとともに、磁性体層１ａ，１ｂの中を通る長
さが半分以下になっているから、コア損の影響が少なく
なって伝送損失を低減できるのである。
は第１の磁性体層１ａに近接し、また、第２の導電体層
２ｂは第２の磁性体層１ｂに近接しているから、図２に
示すように、第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層
２ｂの周囲に生じる磁束φの磁束密度は、第１の磁性体
層１ａおよび第２の磁性体層１ｂの中では高くなる。ま
た、第１の導電体層２ａのコイルパターンと第２の導電
体層２ｂのコイルパターンとの対向面間には磁性体が介
在しないから、上記磁束φの大部分は、第１の導電体層
２ａのコイルパターンと第２の導電体層２ｂのコイルパ
ターンとの対向面間を通ることなく他方の磁性体層１
ａ，１ｂに到達する。その結果、両コイルパターンに鎖
交しない磁束φ1 はほとんど生じないのであり、結合係
数が大きくなるのであって、伝送損失を従来よりも低減
することができるのである。とくに、自己インダクタン
スが大きい場合には、上記磁束φのうちで両コイルパタ
ーンを通らない磁束φ1 が磁性体層１ａ，１ｂの複素透
磁率の損失項（コア損）によって伝送損失を増大させる
ことになるが、従来構成に比較すればこのような磁束φ
1 が少ないとともに、磁性体層１ａ，１ｂの中を通る長
さが半分以下になっているから、コア損の影響が少なく
なって伝送損失を低減できるのである。
【００３２】このような構造の平面型トランスは、伝送
線路トランス、フロートバラン、インピーダンス変換バ
ラン、分岐トランス、分配トランス、パルストランス等
として用いることができる。 （実施例２）上記実施例では、第１の磁性体層１ａと第
２の磁性体層１ｂとが絶縁材料よりなる絶縁層３を介し
て完全に分離されていたが、本実施例では、図３に示す
ように、絶縁層３の一部を磁性体によって形成している
ものである。すなわち、絶縁層３のうちで第１の導電体
層２ａと第２の導電体層２ｂとのコイルパターンの対向
面間を除く部位を磁性体によって形成しているのであ
る。
線路トランス、フロートバラン、インピーダンス変換バ
ラン、分岐トランス、分配トランス、パルストランス等
として用いることができる。 （実施例２）上記実施例では、第１の磁性体層１ａと第
２の磁性体層１ｂとが絶縁材料よりなる絶縁層３を介し
て完全に分離されていたが、本実施例では、図３に示す
ように、絶縁層３の一部を磁性体によって形成している
ものである。すなわち、絶縁層３のうちで第１の導電体
層２ａと第２の導電体層２ｂとのコイルパターンの対向
面間を除く部位を磁性体によって形成しているのであ
る。
【００３３】絶縁層３をこのような形状に形成するに
は、実施例１と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、磁性体ペーストを塗布して第２の磁性体層１ｂと
同時に絶縁層３の一部を磁性体とすればよい。このよう
に絶縁層３の一部を磁性体によって形成することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶
縁層３に入り込んだ磁性体を介して磁気的に結合される
ことになる。その結果、第１の導電体層２ａおよび第２
の導電体層２ｂのコイルパターンの周囲に形成される磁
束に対して、閉磁路に近い磁路が形成されることにな
り、インダクタンスが増大するのである。他の構成は実
施例１と同様である。
は、実施例１と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成
した後に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ
所要箇所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした
後に、磁性体ペーストを塗布して第２の磁性体層１ｂと
同時に絶縁層３の一部を磁性体とすればよい。このよう
に絶縁層３の一部を磁性体によって形成することによっ
て、第１の磁性体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶
縁層３に入り込んだ磁性体を介して磁気的に結合される
ことになる。その結果、第１の導電体層２ａおよび第２
の導電体層２ｂのコイルパターンの周囲に形成される磁
束に対して、閉磁路に近い磁路が形成されることにな
り、インダクタンスが増大するのである。他の構成は実
施例１と同様である。
【００３４】（実施例３）上記各実施例では、第１の磁
性体層１ａおよび第２の磁性体層１ｂをそれぞれ磁性体
ペーストによって形成していたが、本実施例では、図４
に示すように、各磁性体層１ａ，１ｂをそれぞれ絶縁性
を有する磁性体材料の板材によって形成し、また、絶縁
層３をシート状の絶縁材料によって形成する。
性体層１ａおよび第２の磁性体層１ｂをそれぞれ磁性体
ペーストによって形成していたが、本実施例では、図４
に示すように、各磁性体層１ａ，１ｂをそれぞれ絶縁性
を有する磁性体材料の板材によって形成し、また、絶縁
層３をシート状の絶縁材料によって形成する。
【００３５】すなわち、板状である各磁性体層１ａ，１
ｂの一面にコイルパターンを形成した導電体層２ａ，２
ｂがそれぞれ被着されているのであって、両導電体層２
ａ，２ｂが絶縁層３を介して対向するようにして、両磁
性体層１ａ，１ｂを対向させているのである。各導電体
層２ａ，２ｂのコイルパターンは、実施例１と同様に印
刷やエッチングによって形成すればよい。各磁性体層１
ａ，１ｂとしては、フェライトの薄板やグリーンシート
が用いられる。各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターン
の一端は、磁性体層１ａ，１ｂに貫通孔（図示せず）を
形成し、スルーホールメッキ法によって外部に引き出さ
れる。また、コイルパターンの他端は、磁性体層１ａ，
１ｂの側部に設けた端子に接続される。この構成では、
各磁性体層１ａ，１ｂ、絶縁層３の厚み寸法を管理しや
すく、とくに安定した特性が得られるものである。他の
構成は実施例１と同様である。
ｂの一面にコイルパターンを形成した導電体層２ａ，２
ｂがそれぞれ被着されているのであって、両導電体層２
ａ，２ｂが絶縁層３を介して対向するようにして、両磁
性体層１ａ，１ｂを対向させているのである。各導電体
層２ａ，２ｂのコイルパターンは、実施例１と同様に印
刷やエッチングによって形成すればよい。各磁性体層１
ａ，１ｂとしては、フェライトの薄板やグリーンシート
が用いられる。各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターン
の一端は、磁性体層１ａ，１ｂに貫通孔（図示せず）を
形成し、スルーホールメッキ法によって外部に引き出さ
れる。また、コイルパターンの他端は、磁性体層１ａ，
１ｂの側部に設けた端子に接続される。この構成では、
各磁性体層１ａ，１ｂ、絶縁層３の厚み寸法を管理しや
すく、とくに安定した特性が得られるものである。他の
構成は実施例１と同様である。
【００３６】（実施例４）本実施例では、図５に示すよ
うに、コイルパターンを形成した導電体層２ａ，２ｂを
被着した板状の磁性体層１ａ，１ｂを用いて形成される
ものであって、第１の磁性体層１ａの上に第１の導電体
層２ａを埋設する形で絶縁層３を形成した後に、第２の
磁性体層１ｂを絶縁層３の上に積層して形成される。絶
縁層３は、ポリイミドなどの高分子コーティング材を塗
布したり、ＳｉＯ2 を蒸着したりすることによって形成
される。他の構成は実施例３と同様である。
うに、コイルパターンを形成した導電体層２ａ，２ｂを
被着した板状の磁性体層１ａ，１ｂを用いて形成される
ものであって、第１の磁性体層１ａの上に第１の導電体
層２ａを埋設する形で絶縁層３を形成した後に、第２の
磁性体層１ｂを絶縁層３の上に積層して形成される。絶
縁層３は、ポリイミドなどの高分子コーティング材を塗
布したり、ＳｉＯ2 を蒸着したりすることによって形成
される。他の構成は実施例３と同様である。
【００３７】（実施例５）本実施例では、図６に示すよ
うに、コイルパターンを有する第１の導電体層２ａが一
面に被着された板状の第１の磁性体層１ａに、第１の導
電体層２ａを埋設する形で絶縁層３を積層し、この絶縁
層３の上に第２の導電体層２ｂを積層しているのであっ
て、第２の導電体層２ｂを絶縁層３との間に挟むよう
に、板状の第２の磁性体層１ｂが積層される。他の構成
は実施例１と同様である。
うに、コイルパターンを有する第１の導電体層２ａが一
面に被着された板状の第１の磁性体層１ａに、第１の導
電体層２ａを埋設する形で絶縁層３を積層し、この絶縁
層３の上に第２の導電体層２ｂを積層しているのであっ
て、第２の導電体層２ｂを絶縁層３との間に挟むよう
に、板状の第２の磁性体層１ｂが積層される。他の構成
は実施例１と同様である。
【００３８】（実施例６）本実施例では、図７に示すよ
うに、実施例５の構成に対して、両導電体層２ａ，２ｂ
のコイルパターンの対向面間を除く部位の絶縁層３を磁
性体ペーストよりなる磁性体部３ａとして形成したもの
である。絶縁層３をこのような形状に形成するには、実
施例５と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成した後
に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ所要箇
所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした後に、
絶縁材料を設けていない部位に磁性体部３ａを形成すれ
ばよい。磁性体部３ａを形成する方法としては、磁性体
材料をスパッタリングによって蒸着した後にエッチング
を施して所要形状の磁性体部３ａを形成したり、所要形
状のマスキングを施した状態でスパッタリングによって
磁性体材料を被着すればよい。このように絶縁層３の一
部を磁性体によって形成することによって、第１の磁性
体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶縁層３の磁性体
を介して磁気的に結合されることになる。その結果、第
１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂのコイルパ
ターンの周囲に形成される磁束に対して、閉磁路に近い
磁路が形成されることになり、インダクタンスが増大す
るのである。他の構成は実施例５と同様である。
うに、実施例５の構成に対して、両導電体層２ａ，２ｂ
のコイルパターンの対向面間を除く部位の絶縁層３を磁
性体ペーストよりなる磁性体部３ａとして形成したもの
である。絶縁層３をこのような形状に形成するには、実
施例５と同様に絶縁材料によって絶縁層３を形成した後
に絶縁層３の所要箇所を除去したり、あらかじめ所要箇
所を除いて絶縁材料の絶縁層３を形成したりした後に、
絶縁材料を設けていない部位に磁性体部３ａを形成すれ
ばよい。磁性体部３ａを形成する方法としては、磁性体
材料をスパッタリングによって蒸着した後にエッチング
を施して所要形状の磁性体部３ａを形成したり、所要形
状のマスキングを施した状態でスパッタリングによって
磁性体材料を被着すればよい。このように絶縁層３の一
部を磁性体によって形成することによって、第１の磁性
体層１ａと第２の磁性体層１ｂとが、絶縁層３の磁性体
を介して磁気的に結合されることになる。その結果、第
１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂのコイルパ
ターンの周囲に形成される磁束に対して、閉磁路に近い
磁路が形成されることになり、インダクタンスが増大す
るのである。他の構成は実施例５と同様である。
【００３９】（実施例７）本実施例は、図８に示すよう
に、導電体層２ａ，２ｂを空隙を挟んで配置したもので
ある。各導電体層２ａ，２ｂは、それぞれ絶縁性を有す
る磁性体材料よりなる磁性体層１ａ，１ｂに積層されて
いる。各磁性体層１ａ，１ｂは厚み寸法が比較的大きく
十分な強度を有している。両磁性体層１ａ，１ｂの間
で、両導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの対向面間
を除く部位であって渦巻きの内側と外側とには、それぞ
れ磁性体により形成されたスペーサ５ａ，５ｂが配設さ
れる。ここにおいて、コイルパターンは図９のように渦
巻き状に形成され、渦巻きの中心部には上述した構成の
積層体の厚み方向に貫通する貫通孔６が形成されてい
る。渦巻きの内側に配置される第１のスペーサ５ａは略
コ形に形成され、第１のスペーサ５ａの開口部分を通し
て第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂの一端
部が貫通孔６に臨み、貫通孔６を通して外部線路に接続
可能となっている。渦巻きの外側に配置される第２のス
ペーサ５ｂは一部を切欠した矩形状に形成され、この切
欠部分を通して第１の導電体層２ａおよび第２の導電体
層２ｂの他端部が、積層体の側部に引き出されて外部線
路に接続可能となる。
に、導電体層２ａ，２ｂを空隙を挟んで配置したもので
ある。各導電体層２ａ，２ｂは、それぞれ絶縁性を有す
る磁性体材料よりなる磁性体層１ａ，１ｂに積層されて
いる。各磁性体層１ａ，１ｂは厚み寸法が比較的大きく
十分な強度を有している。両磁性体層１ａ，１ｂの間
で、両導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの対向面間
を除く部位であって渦巻きの内側と外側とには、それぞ
れ磁性体により形成されたスペーサ５ａ，５ｂが配設さ
れる。ここにおいて、コイルパターンは図９のように渦
巻き状に形成され、渦巻きの中心部には上述した構成の
積層体の厚み方向に貫通する貫通孔６が形成されてい
る。渦巻きの内側に配置される第１のスペーサ５ａは略
コ形に形成され、第１のスペーサ５ａの開口部分を通し
て第１の導電体層２ａおよび第２の導電体層２ｂの一端
部が貫通孔６に臨み、貫通孔６を通して外部線路に接続
可能となっている。渦巻きの外側に配置される第２のス
ペーサ５ｂは一部を切欠した矩形状に形成され、この切
欠部分を通して第１の導電体層２ａおよび第２の導電体
層２ｂの他端部が、積層体の側部に引き出されて外部線
路に接続可能となる。
【００４０】上述のように、第１の導電体層２ａと第２
の導電体層２ｂとの対向面間を空隙とすることによっ
て、この部分の比誘電率をほぼ１にすることができ、第
１の導電体層２ａと第２の導電体層２ｂとの間に存在す
る浮遊容量を、比誘電率が１よりも大きい絶縁材料で満
たされている場合よりも小さくすることができる。ま
た、スペーサ５ａ，５ｂを磁性体によって形成している
ので、両磁性体層１ａ，１ｂの間の磁気抵抗が小さくな
り、各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの周囲に形
成される磁束が閉磁路に近い経路を通ることになる。そ
の結果、結合係数を大きくすることができ、伝送損失を
低減できるのである。ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、ス
ペーサ５ａ，５ｂには、たとえばフェライトを用いるこ
とができるが、絶縁性を有する磁性体材料であれば他の
磁性体材料を用いてもよい。また、コイルパターンにつ
いても渦巻き状に限定されるものではない。
の導電体層２ｂとの対向面間を空隙とすることによっ
て、この部分の比誘電率をほぼ１にすることができ、第
１の導電体層２ａと第２の導電体層２ｂとの間に存在す
る浮遊容量を、比誘電率が１よりも大きい絶縁材料で満
たされている場合よりも小さくすることができる。ま
た、スペーサ５ａ，５ｂを磁性体によって形成している
ので、両磁性体層１ａ，１ｂの間の磁気抵抗が小さくな
り、各導電体層２ａ，２ｂのコイルパターンの周囲に形
成される磁束が閉磁路に近い経路を通ることになる。そ
の結果、結合係数を大きくすることができ、伝送損失を
低減できるのである。ここに、磁性体層１ａ，１ｂ、ス
ペーサ５ａ，５ｂには、たとえばフェライトを用いるこ
とができるが、絶縁性を有する磁性体材料であれば他の
磁性体材料を用いてもよい。また、コイルパターンにつ
いても渦巻き状に限定されるものではない。
【００４１】（実施例８）本実施例は、図１０に示すよ
うに、実施例７の構成に対して、各磁性体層１ａ，１ｂ
と各導電体層２ａ，２ｂとの間にそれぞれ絶縁材料より
なる絶縁層３ａ，３ｂを介装し、また、各磁性体層１
ａ，１ｂは絶縁材料よりなる基板４ａ，４ｂによってそ
れぞれ裏打ちした点が相違している。このような構成を
採用することによって、磁性体層１ａ，１ｂを形成する
磁性体材料として絶縁性のない磁性体材料でも用いるこ
とができ、また、基板４ａ，４ｂによって強度を確保す
ることができる。したがって、磁性体層１ａ，１ｂとし
てパーマロイの薄板などを用いることができ、スペーサ
５ａ，５ｂにもパーマロイなどを用いることができる。
一方、絶縁層３ａ，３ｂや基板４ａ，４ｂにはガラスな
どを用いることができる。ここに、磁性体層１ａ，１
ｂ、スペーサ５ａ，５ｂには、パーマロイ以外の磁性体
材料を用いることができるのはいうまでもない。他の構
成は実施例７と同様である。
うに、実施例７の構成に対して、各磁性体層１ａ，１ｂ
と各導電体層２ａ，２ｂとの間にそれぞれ絶縁材料より
なる絶縁層３ａ，３ｂを介装し、また、各磁性体層１
ａ，１ｂは絶縁材料よりなる基板４ａ，４ｂによってそ
れぞれ裏打ちした点が相違している。このような構成を
採用することによって、磁性体層１ａ，１ｂを形成する
磁性体材料として絶縁性のない磁性体材料でも用いるこ
とができ、また、基板４ａ，４ｂによって強度を確保す
ることができる。したがって、磁性体層１ａ，１ｂとし
てパーマロイの薄板などを用いることができ、スペーサ
５ａ，５ｂにもパーマロイなどを用いることができる。
一方、絶縁層３ａ，３ｂや基板４ａ，４ｂにはガラスな
どを用いることができる。ここに、磁性体層１ａ，１
ｂ、スペーサ５ａ，５ｂには、パーマロイ以外の磁性体
材料を用いることができるのはいうまでもない。他の構
成は実施例７と同様である。
【００４２】
【発明の効果】請求項１の発明は、第１の導電体層と第
２の導電体層とを磁性体層の間に配置するとともに、第
１の導電体層と第２の導電体層とのコイルパターンの対
向面間には磁性体を設けないようにしているのであっ
て、平面型トランスとしては従来構成と同様に、コイル
パターンを印刷配線技術などによって精密に形成するこ
とができて、高周波帯域での特性のばらつきを少なくす
ることができるのはもちろんのこと、両コイルパターン
の対向面間を通る磁束が少なくなり、結合係数が大きく
なって伝送損失を低減できるという効果を奏する。しか
も、両コイルパターンの対向面間には磁性体が存在しな
いから、磁性体の内部でのコア損が少なく、このことに
よっても伝送損失を低減できるという利点がある。
２の導電体層とを磁性体層の間に配置するとともに、第
１の導電体層と第２の導電体層とのコイルパターンの対
向面間には磁性体を設けないようにしているのであっ
て、平面型トランスとしては従来構成と同様に、コイル
パターンを印刷配線技術などによって精密に形成するこ
とができて、高周波帯域での特性のばらつきを少なくす
ることができるのはもちろんのこと、両コイルパターン
の対向面間を通る磁束が少なくなり、結合係数が大きく
なって伝送損失を低減できるという効果を奏する。しか
も、両コイルパターンの対向面間には磁性体が存在しな
いから、磁性体の内部でのコア損が少なく、このことに
よっても伝送損失を低減できるという利点がある。
【００４３】請求項２の発明は、磁性体層が磁性体ペー
ストによって形成されているから、製造が容易になると
いう利点がある。請求項３および請求項９の発明は、第
１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターンの
対向面間を除く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体
ペーストにより形成しているので、第１の磁性体層と第
２の磁性体層との間に磁性体による磁路が形成され磁気
効率が高くなって、伝送損失を一層低減できるという効
果を奏するのである。
ストによって形成されているから、製造が容易になると
いう利点がある。請求項３および請求項９の発明は、第
１の導電体層および第２の導電体層のコイルパターンの
対向面間を除く部位の少なくとも一部の絶縁層を磁性体
ペーストにより形成しているので、第１の磁性体層と第
２の磁性体層との間に磁性体による磁路が形成され磁気
効率が高くなって、伝送損失を一層低減できるという効
果を奏するのである。
【００４４】請求項６の発明は、導電体層が板状の磁性
体層に被着されているので、積層作業が容易になるとい
う利点がある。請求項７の発明は、絶縁層としてシート
状の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸
法の管理が容易になって、特性を一層安定化することが
できるという効果がある。
体層に被着されているので、積層作業が容易になるとい
う利点がある。請求項７の発明は、絶縁層としてシート
状の絶縁材料などを用いることができ、絶縁層の厚み寸
法の管理が容易になって、特性を一層安定化することが
できるという効果がある。
【００４５】請求項８の発明は、一方の導電体層を磁性
体層に被着して絶縁層で覆うとともに、絶縁層に他方の
導電体層を積層し、かつ、導電体層を被着していない磁
性体層を上記他方の導電体層に積層するのであって、両
導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利になる
という利点がある。請求項１３の発明は、両導電体層の
コイルパターンの対向面間を空隙としているので、両コ
イルパターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイル
パターンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較し
て浮遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡
状態を防止できるという利点がある。
体層に被着して絶縁層で覆うとともに、絶縁層に他方の
導電体層を積層し、かつ、導電体層を被着していない磁
性体層を上記他方の導電体層に積層するのであって、両
導電体層の位置関係を精密に管理する場合に有利になる
という利点がある。請求項１３の発明は、両導電体層の
コイルパターンの対向面間を空隙としているので、両コ
イルパターンの間の比誘電率がほぼ１になり、両コイル
パターンの間が絶縁材料で満たされている場合に比較し
て浮遊容量を低減でき、浮遊容量による高周波的な短絡
状態を防止できるという利点がある。
【００４６】請求項１５および請求項１７の発明は、両
導電体層のコイルパターンの対向面間を除く部位に磁性
体のスペーサを配設しているので、コイルパターンの周
囲に形成される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくな
り、伝送損失を低減できるのである。また、このスペー
サは、両導電体層の間に空隙を形成する支持材として兼
用されているから、少数の部品で磁気効率を高める効果
と、浮遊容量を低減できる効果とが得られるという利点
を有するのである。
導電体層のコイルパターンの対向面間を除く部位に磁性
体のスペーサを配設しているので、コイルパターンの周
囲に形成される磁束を通す磁路の磁気抵抗が小さくな
り、伝送損失を低減できるのである。また、このスペー
サは、両導電体層の間に空隙を形成する支持材として兼
用されているから、少数の部品で磁気効率を高める効果
と、浮遊容量を低減できる効果とが得られるという利点
を有するのである。
【００４７】請求項１６の発明は、磁性体層の一面に絶
縁材料よりなる絶縁層を介して導電体層を積層している
ので、磁性体層には絶縁性のない磁性体材料を用いるこ
とができ、また、磁性体層の他面を絶縁材料よりなる基
板で裏打ちしているので、機械的強度を基板によって確
保できるという効果がある。
縁材料よりなる絶縁層を介して導電体層を積層している
ので、磁性体層には絶縁性のない磁性体材料を用いるこ
とができ、また、磁性体層の他面を絶縁材料よりなる基
板で裏打ちしているので、機械的強度を基板によって確
保できるという効果がある。
【図１】実施例１を示す断面図である。
【図２】実施例１の動作説明図である。
【図３】実施例２を示す断面図である。
【図４】実施例３を示す分解断面図である。
【図５】実施例４を示す分解断面図である。
【図６】実施例５を示す分解断面図である。
【図７】実施例６を示す断面図である。
【図８】実施例７を示す断面図である。
【図９】実施例７を示す平面図である。
【図１０】実施例８を示す断面図である。
【図１１】伝送線路トランスを示す回路図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来の伝送線路トラ
ンスを示す斜視図である。
ンスを示す斜視図である。
【図１３】バランを示す回路図である。
【図１４】従来のバランを示す斜視図である。
【図１５】分配回路を示す回路図である。
【図１６】従来の分配トランスを示す斜視図である。
【図１７】分岐回路を示す回路図である。
【図１８】従来の分岐トランスを示す斜視図である。
【図１９】従来の平面型トランスを示す分解斜視図であ
る。
る。
１ａ 磁性体層 １ｂ 磁性体層 ２ａ 導電体層 ２ｂ 導電体層 ３ 絶縁層 ３ａ 絶縁層 ３ｂ 絶縁層 ４ 基板 ４ａ 基板 ４ｂ 基板 ５ａ スペーサ ５ｂ スペーサ ６ 貫通孔
Claims (17)
- 【請求項１】 一平面上にコイルパターンを形成した第
１の導電体層と、他平面上にコイルパターンを形成した
第２の導電体層とを磁気的に結合するように対向させて
配置し、第１の導電体層および第２の導電体層を磁性体
層の間に配置した平面型トランスにおいて、第１の導電
体層および第２の導電体層のコイルパターンの対向面間
には磁性体を設けないことを特徴とする平面型トラン
ス。 - 【請求項２】 第１の導電体層は基板の上に積層した磁
性体ペーストにより形成された第１の磁性体層の上に絶
縁材料よりなる絶縁層に埋設された形で積層され、第２
の導電体層は磁性体ペーストにより形成された第２の磁
性体層に埋設された形で絶縁層の上に積層されたことを
特徴とする請求項１記載の平面型トランス。 - 【請求項３】 第１の導電体層および第２の導電体層の
コイルパターンの対向面間を除く部位の少なくとも一部
の絶縁層は磁性体ペーストにより形成されたことを特徴
とする請求項２記載の平面型トランス。 - 【請求項４】 第１の磁性体層と第２の磁性体層との少
なくとも一方に形成した貫通孔を通して、第１の導電体
層および第２の導電体層のコイルパターンの端末を外部
線路に接続可能とするように引き出すことを特徴とする
請求項２または請求項３記載の平面型トランス。 - 【請求項５】 上記磁性体ペーストはフェライトペース
トであることを特徴とする請求項２または請求項３記載
の平面型トランス。 - 【請求項６】 第１の導電体層を表面に被着した板状の
第１の磁性体層と、第２の導電体層を表面に被着した板
状の第２の磁性体層とを、第１の導電体層と第２の導電
体層とが所定間隔で対向するように配置したことを特徴
とする請求項１記載の平面型トランス。 - 【請求項７】 第１の導電体層と第２の導電体層との間
に所定厚の絶縁材料よりなる絶縁層を介装したことを特
徴とする請求項６記載の平面型トランス。 - 【請求項８】 第１の導電体層を表面に被着した板状の
第１の磁性体層と、第１の磁性体層における第１の導電
体層を形成した面に第１の導電体層を埋設する形で積層
した絶縁材料よりなる絶縁層と、絶縁層の上に積層した
第２の導電体層と、第２の導電体層を絶縁層との間に挟
む第２の磁性体層とを備えたことを特徴とする請求項１
記載の平面型トランス。 - 【請求項９】 第１の導電体層および第２の導電体層の
コイルパターンの対向面間を除く部位の少なくとも一部
の絶縁層は磁性体により形成されたことを特徴とする請
求項７または請求項８記載の平面型トランス。 - 【請求項１０】 絶縁層はポリイミドであることを特徴
とする請求項２または請求項７または請求項８記載の平
面型トランス。 - 【請求項１１】 第１の磁性体層および第２の磁性体層
にそれぞれ形成した貫通孔を通して、第１の導電体層お
よび第２の導電体層のコイルパターンの端末を外部線路
に接続可能とするように引き出すことを特徴とする請求
項６ないし請求項８のいずれかに記載の平面型トラン
ス。 - 【請求項１２】 第１の磁性体層および第２の磁性体層
は、フェライトの板材により形成されたことを特徴とす
る請求項６ないし請求項８のいずれかに記載の平面型ト
ランス。 - 【請求項１３】 第１の導電体層および第２の導電体層
のコイルパターンの対向面間は空隙であることを特徴と
する請求項１記載の平面型トランス。 - 【請求項１４】 第１の導電体層を表面に形成した板状
の第１の磁性体層と、第２の導電体層を表面に形成した
板状の第２の磁性体層とを、第１の導電体層および第２
の導電体層のコイルパターンの対向面間とは異なる部位
に設けたスペーサを介して対向させ、第１の磁性体層と
第２の磁性体層とは絶縁性を有する磁性体材料により形
成されていることを特徴とする請求項１３記載の平面型
トランス。 - 【請求項１５】 スペーサが磁性体であることを特徴と
する請求項１４記載の平面型トランス。 - 【請求項１６】 表裏の一面に絶縁材料よりなる第１の
絶縁層を介して第１の導電体層を積層し他面に絶縁材料
よりなる第１の基板を積層した第１の磁性体層と、表裏
の一面に絶縁材料よりなる第２の絶縁層を介して第２の
導電体層を積層し他面に絶縁材料よりなる第２の基板を
積層した第２の磁性体層とを、第１の導電体層および第
２の導電体層のコイルパターンの対向面間とは異なる部
位に設けたスペーサを介して対向させたことを特徴とす
る請求項１３記載の平面型トランス。 - 【請求項１７】 スペーサが磁性体であることを特徴と
する請求項１６記載の平面型トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077291A JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30077291A JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135951A true JPH05135951A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3274695B2 JP3274695B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=17888906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30077291A Expired - Lifetime JP3274695B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 平面型トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3274695B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877667A (en) * | 1996-08-01 | 1999-03-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | On-chip transformers |
| US6181232B1 (en) | 1997-08-04 | 2001-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Coil element |
| WO2006123482A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型方向性結合器 |
| JP2007227611A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コモンモードノイズフィルタ |
| JP2012134354A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 変成器 |
| JP2016018926A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換素子およびその製造方法 |
| JP2021153237A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社東芝 | アイソレータ |
| CN113811963A (zh) * | 2019-05-28 | 2021-12-17 | 株式会社自动网络技术研究所 | 变量器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3125777B2 (ja) | 1999-01-28 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びパネル |
| KR101163194B1 (ko) | 2004-08-23 | 2012-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 발광장치 및 조명 시스템 |
| EP1803172B1 (en) | 2004-09-24 | 2017-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN100565963C (zh) | 2004-09-30 | 2009-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| US8415878B2 (en) | 2005-07-06 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
| KR101540037B1 (ko) | 2005-09-12 | 2015-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 퀴녹살린 유도체, 및 퀴녹살린 유도체를 사용한 발광소자, 발광장치, 전자 기기 |
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| JPH01151212A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Tdk Corp | 積層応用部品の構造 |
| JPH03171705A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-25 | Toshiba Corp | 平面トランス |
| JPH04243104A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 積層チップトランス |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP30077291A patent/JP3274695B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7504907B2 (en) | 2005-05-20 | 2009-03-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer directional coupler |
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| JP2016018926A (ja) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換素子およびその製造方法 |
| CN113811963A (zh) * | 2019-05-28 | 2021-12-17 | 株式会社自动网络技术研究所 | 变量器 |
| CN113811963B (zh) * | 2019-05-28 | 2023-10-24 | 株式会社自动网络技术研究所 | 变量器 |
| JP2021153237A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社東芝 | アイソレータ |
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| JP3274695B2 (ja) | 2002-04-15 |
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