JP2021153237A - アイソレータ - Google Patents

Abstract

【課題】特性を向上可能なアイソレータを提供する。【解決手段】アイソレータ１００は、第１電極１１、第２電極１２、第１絶縁部２１、絶縁部２５、絶縁部２７、絶縁部２９、絶縁層４１〜４６及び導電体５０を含む。絶縁部２０は、基板５の上に設けられている。第１電極１１は、絶縁部２０中に設けられている。第１絶縁部２１は、第１電極１１の上に設けられている。第２電極１２は、第１絶縁部２１の上に設けられている。第２電極１２は、第１電極１１とは電気的に分離されている。第１絶縁部２１は、第１電極１１と第２電極１２との間に設けられた空隙を含む。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、アイソレータに関する。

アイソレータは、電流を遮断した状態で、磁界又は電界の変化を利用して信号を伝達する。このアイソレータについて、特性を改善できる技術が求められている。

特表２０１６−５２２５６６号公報

本発明が解決しようとする課題は、特性を改善可能なアイソレータを提供することである。

実施形態に係るアイソレータは、第１電極と、第２電極と、第１絶縁部と、を備える。前記第２電極は、前記第１電極の上に設けられ、前記第１電極とは電気的に分離されている。前記第１絶縁部は、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた空隙を含む。

第１実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。 図１のII−II断面図である。 図２のIII−III断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。 第１実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式図である。 第１実施形態に係るアイソレータの一部を表す断面図である。 第１実施形態の変形例に係るアイソレータの一部を表す断面図である。 第１実施形態の変形例に係るアイソレータの一部を表す断面図である。 第１実施形態の変形例に係るアイソレータの一部を表す断面図である。 第１実施形態の変形例に係るアイソレータの一部を表す断面図である。 第２実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。 第２実施形態に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。 第２実施形態の第１変形例に係るアイソレータを表す平面図である。 図１７のXVIII−XVIII断面図である。 図１７のXIX−XIX断面図である。 第２実施形態の第１変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。 第２実施形態の第２変形例に係るアイソレータを表す平面図である。 第２実施形態の第２変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。 第２実施形態の第３変形例に係るアイソレータを表す模式図である。 第３実施形態に係るパッケージを表す斜視図である。 第３実施形態に係るパッケージの断面構造を表す模式図である。

以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、第１実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。図２は、図１のII−II断面図である。
実施形態に係るアイソレータは、デジタルアイソレータ、ガルバニックアイソレータ、又はガルバニック絶縁素子などと呼ばれるデバイスに関する。

図１及び図２に表したように、第１実施形態に係るアイソレータ１００は、第１回路１、第２回路２、基板５、第１電極１１、第２電極１２、第１絶縁部２１、絶縁部２５、絶縁部２７、絶縁部２９、絶縁層４１〜４６、及び導電体５０を含む。図１では、絶縁部２７及び２９が省略されている。

実施形態の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いる。第１電極１１から第２電極１２に向かう方向をＺ方向（第１方向）とする。Ｚ方向に対して垂直であり、相互に直交する２方向をＸ方向（第２方向）及びＹ方向（第３方向）とする。また、説明のために、第１電極１１から第２電極１２に向かう方向を「上」と言い、その反対方向を「下」と言う。これらの方向は、第１電極１１と第２電極１２との相対的な位置関係に基づき、重力の方向とは無関係である。

図２に表したように、絶縁部２０は、基板５の上に設けられている。第１電極１１は、絶縁部２０中に設けられている。第１絶縁部２１は、第１電極１１の上に設けられている。第２電極１２は、第１絶縁部２１の上に設けられている。第２電極１２は、第１電極１１とは電気的に分離されている。

第１絶縁部２１は、第１絶縁領域２１ａ及び空隙３０を含む。空隙３０は、第１電極１１と第２電極１２との間に設けられている。また、空隙３０は、Ｚ方向に垂直なＸ−Ｙ面（第１面）に沿って第１絶縁領域２１ａの周りに位置する。

第１絶縁部２１は、第２絶縁領域２１ｂ及び第３絶縁領域２１ｃをさらに含んでも良い。第２絶縁領域２１ｂは、第１絶縁領域２１ａ及び空隙３０の下に設けられている。第３絶縁領域２１ｃは、第１絶縁領域２１ａ及び空隙３０の上に設けられている。

絶縁層４１は、第１電極１１と第１絶縁部２１との間に設けられている。例えば、絶縁層４１は、第１電極１１に接している。絶縁層４２は、Ｘ−Ｙ面に沿って第２電極１２底部の周りに設けられている。絶縁部２５は、絶縁層４１の上に設けられている。絶縁部２５は、Ｘ−Ｙ面に沿って第２電極１２の周りに位置する。絶縁層４３は、第２電極１２の上に設けられている。例えば、絶縁層４３は、第２電極１２に接している。

例えば、絶縁部２０の一部は、第１電極１１の内側に設けられている。絶縁部２５の一部は、第２電極１２の内側に設けられている。第１絶縁領域２１ａは、Ｚ方向において、絶縁部２０の当該一部と、絶縁部２５の当該一部と、の間に位置する。

図１及び図２に表した例では、第１電極１１及び第２電極１２は、Ｘ−Ｙ面に沿って螺旋状に設けられたコイルである。第１電極１１及び第２電極１２は、Ｚ方向において互いに対向している。第２電極１２の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第１電極１１の少なくとも一部と並ぶ。

導電体５０は、Ｘ−Ｙ面に沿って第１電極１１及び第２電極１２の周りに設けられている。具体的には、導電体５０は、第１導電部５１、第２導電部５２、及び第３導電部５３を含む。第１導電部５１は、Ｘ−Ｙ面に沿って第１電極１１の周りに設けられている。第２導電部５２は、第１導電部５１の一部の上に設けられている。第２導電部５２は、第１導電部５１に沿って複数設けられている。第３導電部５３は、複数の第２導電部５２の上に設けられている。第３導電部５３は、Ｘ−Ｙ面に沿って第２電極１２の周りに位置する。

絶縁層４４は、Ｘ−Ｙ面に沿って第２導電部５２の底部の周りに設けられている。例えば、絶縁層４４は、第１導電部５１の別の一部、及び第２導電部５２に接する。絶縁層４４は、絶縁層４１と連続的に設けられている。又は、絶縁層４４は、絶縁層４１から離れ、Ｘ−Ｙ面に沿って絶縁層４１の周りに設けられても良い。

絶縁層４５は、第３導電部５３の底部の周りに設けられている。絶縁層４５は、絶縁層４２と連続的に設けられている。又は、絶縁層４５は、絶縁層４２から離れ、Ｘ−Ｙ面に沿って絶縁層４２の周りに設けられても良い。

絶縁層４６は、第３導電部５３の上に設けられている。例えば、絶縁層４６は、第３導電部５３に接している。絶縁層４６は、絶縁層４３と連続的に設けられている。又は、絶縁層４６は、絶縁層４３から離れ、Ｘ−Ｙ面に沿って絶縁層４２の周りに設けられても良い。

アイソレータ１００では、図１に表したように、第１電極１１の一端（コイルの一端）は、配線６０を介して第１回路１と電気的に接続されている。第１電極１１の他端（コイルの他端）は、配線６１を介して第１回路１と電気的に接続されている。

図１及び図２に表したように、第２電極１２の一端（コイルの一端）は、パッド６２と電気的に接続されている。配線６３の一端は、パッド６２に接合されている。第２電極１２の一端は、パッド６２及び配線６３を介して第２回路２と電気的に接続されている。

第２電極１２の一端（コイルの他端）は、パッド６４と電気的に接続されている。配線６５の一端は、パッド６４に接合されている。第２電極１２の他端は、パッド６４及び配線６５を介して第２回路２と電気的に接続されている。

例えば、パッド６２は、第２電極１２の一端の上に設けられている。パッド６４は、第２電極１２の他端の上に設けられている。又は、パッド６２のＺ方向における位置及びパッド６４のＺ方向における位置は、第２電極１２のＺ方向における位置と同じでも良い。パッド６２及び６４は、第２電極１２と一体に形成されても良い。

図２に表したように、導電体５０の上には、パッド６６が設けられている。導電体５０は、パッド６６及び配線６７を介して、不図示の導電部材と電気的に接続される。例えば、導電体５０及び基板５は、基準電位に接続される。基準電位は、例えば接地電位である。これにより、導電体５０が、浮遊電位となることを防止できる。導電体５０の電位の変動により、導電体５０と各電極との間において、予期せぬ絶縁破壊が生じる可能性を低減できる。また、第１回路１は、基板５の上に設けられても良い。この場合、導電体５０が第１回路１の上に設けられることで、基板５及び導電体５０の外部から第１回路１に向けた電磁波に対して、第１回路１が導電体５０により遮蔽される。この結果、第１回路１の動作をより安定化させることができる。

パッド６２及び６６の周りには、Ｘ−Ｙ面に沿って絶縁部２７が設けられている。絶縁部２９は、絶縁部２７の上に設けられている。パッド６２、６４、及び６６は、絶縁部２７及び２９に覆われておらず、外部に露出している。

第３絶縁領域２１ｃ中には、空孔３５が設けられても良い。空孔３５は、Ｚ方向に沿って延び、空隙３０と繋がっている。空孔３５は、例えば、絶縁部２５、絶縁部２７、及び絶縁層４３の少なくともいずれかによって覆われ、閉塞されている。

第１回路１及び第２回路２の一方は、送信回路として用いられる。第１回路１及び第２回路２の他方は、受信回路として用いられる。ここでは、第１回路１が送信回路であり、第２回路２が受信回路である場合について説明する。

第１回路１は、第１電極１１へ、伝達に適した波形の信号（電流）を送る。電流が第１電極１１を流れると、螺旋状の第１電極１１の内側を通る磁界が発生する。第１電極１１の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第２電極１２の少なくとも一部と並ぶ。発生した磁力線の一部は、第２電極１２の内側を通る。第２電極１２の内側における磁界の変化により、第２電極１２に誘導起電力が生じ、第２電極１２を電流が流れる。第２回路２は、第２電極１２を流れる電流を検出し、検出結果に応じた信号を生成する。これにより、第１電極１１と第２電極１２との間で、電流を遮断（絶縁）した状態で、信号が伝達される。

アイソレータ１００の各構成要素の材料の一例を説明する。
基板５は、例えばシリコン基板である。基板５は、例えば、不純物が添加され、導電性を有する。
第１電極１１、第２電極１２、導電体５０、パッド６２、パッド６４、及びパッド６６は、金属を含む。例えば、第１電極１１、第２電極１２、導電体５０、パッド６２、パッド６４、及びパッド６６は、銅及びアルミニウムからなる群より選択された金属を含む。信号を伝達する際の第１電極１１及び第２電極１２における発熱を抑制するために、これらの構成要素の電気抵抗は、低いことが好ましい。電気抵抗の低減の観点から、第１電極１１、第２電極１２、導電体５０、パッド６２、パッド６４、及びパッド６６は、アルミニウム又は銅を含むことが好ましい。
絶縁部２０、第１絶縁部２１、絶縁部２５、及び絶縁部２７は、シリコン及び酸素を含む。例えば、絶縁部２０、第１絶縁部２１、絶縁部２５、及び絶縁部２７は、酸化シリコンを含む。絶縁部２０、第１絶縁部２１、絶縁部２５、及び絶縁部２７は、さらに窒素を含んでも良い。絶縁部２９は、ポリイミド、ポリアミドなどの絶縁性樹脂を含む。
配線６３、６５、及び６７は、アルミニウムなどの金属を含む。

絶縁層４１〜４６は、シリコン及び窒素を含む。例えば、絶縁層４１〜４６は、窒化シリコンを含む。絶縁層４１、４３、４４、及び４６が設けられることで、第１電極１１、第２電極１２、及び導電体５０に含まれる金属材料が隣接する絶縁部へ拡散することを抑制できる。また、絶縁層４１が設けられることで、第１電極１１と第２電極１２との間のリーク電流を低減できる。

第１電極１１は、金属層１１ａ及び１１ｂを含んでも良い。金属層１１ｂは、金属層１１ａと絶縁部２０との間に設けられている。第２電極１２は、金属層１２ａ及び１２ｂを含んでも良い。金属層１２ｂは、金属層１２ａと第１絶縁部２１との間、及び金属層１２ａと絶縁部２５との間に設けられている。金属層１１ａ及び１２ａは、銅を含む。金属層１１ｂ及び１２ｂは、タンタルを含む。金属層１１ｂ及び１２ｂは、タンタルと、窒化タンタルと、の積層膜を含んでも良い。金属層１１ｂ及び１２ｂが設けられることで、金属層１１ａ及び１２ａに含まれる金属材料が隣接する絶縁部へ拡散することを抑制できる。

第１導電部５１は、金属層５１ａ及び５１ｂを含んでも良い。金属層５１ｂは、金属層５１ａと絶縁部２０との間に設けられている。第２導電部５２は、金属層５２ａ及び５２ｂを含んでも良い。金属層５２ｂは、金属層５２ａと第１絶縁部２１との間、及び金属層５２ａと第１導電部５１との間に設けられている。第３導電部５３は、金属層５３ａ及び５３ｂを含んでも良い。金属層５３ｂは、金属層５３ａと第１絶縁部２１との間、金属層５３ａと絶縁部２５との間、及び金属層５３ａと第２導電部５２との間に設けられている。金属層５１ａ〜５３ａは、銅を含む。金属層５１ｂ〜５３ｂは、タンタルを含む。金属層５１ｂ〜５３ｂは、タンタルと、窒化タンタルと、の積層膜を含んでも良い。金属層５１ｂ〜５３ｂが設けられることで、金属層５１ａ〜５３ａに含まれる金属材料が隣接する絶縁部へ拡散することを抑制できる。

図３は、図２のIII−III断面図である。
図３では、Ｘ−Ｙ面における第２電極１２の位置が、破線で表されている。また、Ｘ−Ｙ面における空孔３５の位置が、点線で表されている。

図３に表したように、Ｚ方向から見たとき、空孔３５は、第２電極１２の外側に位置する。例えば、空孔３５は、複数設けられている。複数の空孔３５は、Ｚ方向から見たとき、Ｘ−Ｙ面に沿って第２電極１２の周りに並んでいる。

例えば、破線で表される第２電極１２の内周は、Ｚ方向において第１絶縁領域２１ａと重なっている。破線で表される第２電極１２の外周は、Ｚ方向において空隙３０と重なっている。アイソレータ１００では、第１電極１１と第２電極１２がＺ方向において対向している。このため、第２電極１２と同様に、第１電極１１の内周は、Ｚ方向において第１絶縁領域２１ａと重なっている。第１電極１１の外周は、Ｚ方向において空隙３０と重なっている。換言すると、第１絶縁領域２１ａの一部は、Ｚ方向において、第１電極１１の内周と第２電極１２の内周との間に位置する。空隙３０の一部は、Ｚ方向において、第１電極１１の外周と第２電極１２の外周との間に位置する。

図４〜図８は、第１実施形態に係るアイソレータの製造方法を表す断面図である。
図４〜図８を参照して、第１実施形態に係るアイソレータの製造方法の一例を説明する。図４〜図８は、図１のII−II線で示す位置における製造工程を表している。

基板５を用意する。基板５の上に、化学気相堆積（ＣＶＤ）により絶縁部２０を形成する。絶縁部２０の上面に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、開口ＯＰ１及びＯＰ２を形成する。開口ＯＰ１は、第１電極１１に対応する位置に形成される。開口ＯＰ２は、第１導電部５１に対応する位置に形成される。図４（ａ）に表したように、開口ＯＰ１及びＯＰ２が形成された絶縁部２０の上面に沿って、ＣＶＤにより金属層ＭＬ１を形成する。

金属層ＭＬ１の上に、スパッタリング及びめっきにより、開口ＯＰ１及びＯＰ２を埋め込む別の金属層を形成する。絶縁部２０の上面が露出するまで、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行う。図４（ｂ）に表したように、金属層ＭＬ１及び別の金属層が複数に分断され、第１電極１１及び第１導電部５１が形成される。

第１電極１１及び第１導電部５１の上に、ＣＶＤにより絶縁層ＩＬ１を形成する。絶縁層ＩＬ１は、窒化シリコンを含む。絶縁層ＩＬ１の上に、ＣＶＤにより絶縁層ＩＬ２を形成する。絶縁層ＩＬ２の上に、犠牲層ＳＬを形成する。図４（ｃ）に表したように、犠牲層ＳＬをパターニングする。犠牲層ＳＬは、空隙３０の位置及び形状に合わせてパターニングされている。パターニングされた犠牲層ＳＬは、第１電極１１の上に位置する。絶縁層ＩＬ２の上に、犠牲層ＳＬを覆う絶縁層ＩＬ３を形成する。

絶縁層ＩＬ２、絶縁層ＩＬ３、及び犠牲層ＳＬの材料は、後の工程において、絶縁層ＩＬ１及びＩＬ２に対して犠牲層ＳＬを選択的に除去できるように選択される。例えば、絶縁層ＩＬ２及びＩＬ３は、酸化シリコンを含む。犠牲層ＳＬは、シリコン及びゲルマニウムを含む。又は、犠牲層ＳＬは、多孔質シリコンを含んでも良い。犠牲層ＳＬは、炭素を含んでも良い。

ＲＩＥにより、絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ３を貫通し、第１導電部５１に達する開口ＯＰ３を形成する。図５（ａ）に表したように、絶縁層ＩＬ３の上面及び開口ＯＰ３の内面に沿って、スパッタリングにより金属層ＭＬ２を形成する。

金属層ＭＬ２の上に、スパッタリング及びめっきにより、開口ＯＰ３を埋め込む別の金属層を形成する。絶縁層ＩＬ３の上面が露出するまで、ＣＭＰを行う。これにより、第２導電部５２が形成される。図５（ｂ）に表したように、絶縁層ＩＬ３及び第２導電部５２の上に、ＣＶＤにより絶縁層ＩＬ４を形成する。

絶縁層ＩＬ４の上に、ＣＶＤにより絶縁層ＩＬ５を形成する。ＲＩＥにより、絶縁層ＩＬ４及びＩＬ５を貫通する開口ＯＰ４及びＯＰ５を形成する。このとき、絶縁層ＩＬ４は、ストッパとして機能する。開口ＯＰ４は、第２電極１２に対応する位置に形成され、第１電極１１の上に位置する。開口ＯＰ５は、第１導電部５１に対応する位置に形成され、第２導電部５２の上に位置する。開口ＯＰ５を通して第２導電部５２が露出する。図６（ａ）に表したように、開口ＯＰ１の内面、開口ＯＰ２の内面、及び絶縁層ＩＬ５の上面に沿って、金属層ＭＬ３を形成する。

金属層ＭＬ３の上に、スパッタリング及びめっきにより、開口ＯＰ４及びＯＰ５を埋め込む別の金属層を形成する。絶縁層ＩＬ５の上面が露出するまで、ＣＭＰを行う。これにより、金属層ＭＬ３及び別の金属層が複数に分断され、第２電極１２及び第３導電部５３が形成される。図６（ｂ）に表したように、第２電極１２及び第３導電部５３の上に、ＣＶＤにより絶縁層ＩＬ６を形成する。

図６（ｂ）に表したように、第２電極１２の周りに、絶縁層ＩＬ３〜ＩＬ６を貫通する複数の開口ＯＰ６を形成する。開口ＯＰ６を通して、犠牲層ＳＬが露出する。化学ドライエッチング（ＣＤＥ）、ウェットエッチングなどの等方性エッチングにより、犠牲層ＳＬを除去する。ガス又は薬液は、開口ＯＰ６を通して犠牲層ＳＬに供給される。絶縁層ＩＬ２及びＩＬ３へのエッチングを抑制しつつ、犠牲層ＳＬを選択的に除去することで、図７（ａ）に表したように、空隙３０が形成される。

犠牲層ＳＬが炭素を含む場合、犠牲層ＳＬは、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。犠牲層ＳＬを高エネルギーの酸素（酸素ラジカル）に暴露することで、炭素と酸素が反応して二酸化炭素として気化し、犠牲層ＳＬが分解される。犠牲層ＳＬをウェットエッチングにより除去する場合は、アミン系又はＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）の薬液が用いられる。
犠牲層ＳＬがシリコン及びゲルマニウムを含む場合、犠牲層ＳＬの除去には、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガス、アルゴンガス及び水素ガスの混合ガス、又はクロム酸−硫酸水溶液を用いることができる。犠牲層ＳＬが多孔質シリコンを含む場合、犠牲層ＳＬの除去には、フッ素、塩素、及び臭素からなる群より選択された少なくとも１つのガス、硝酸とフッ酸の混合液、あるいはクロム酸−硫酸水溶液を用いることができる。

図７（ｂ）に表したように、ＣＶＤにより、絶縁層ＩＬ６の上に、開口ＯＰ６を塞ぐ絶縁層ＩＬ７を形成する。このとき、空隙３０への材料の堆積が抑制されるように、絶縁層ＩＬ７を形成する。例えば、ステップカバレッジの悪い条件又は材料を用いることで、開口ＯＰ６の上端が塞がれやすくなり、空隙３０への材料の堆積が抑制される。上端が塞がれた開口ＯＰ６は、空孔３５として残存する。

絶縁層ＩＬ７の上に、パッド６２、パッド６６、及び不図示のパッド６４を形成する。ＣＶＤにより各パッドを覆う絶縁層ＩＬ８を形成し、この絶縁層をパターニングする。図８に表したように、絶縁層ＩＬ８の上に、樹脂を塗布して硬化させることにより絶縁層ＩＬ９を形成する。各パッドにそれぞれ配線を接続する。以上の工程により、アイソレータ１００が製造される。

図８における絶縁層ＩＬ１は、図２に表した絶縁層４１及び４４に対応する。絶縁層ＩＬ２は、第２絶縁領域２１ｂに対応する。Ｘ−Ｙ面に沿って空隙３０に囲まれた絶縁層ＩＬ３の一部は、第１絶縁領域２１ａに対応する。空隙３０よりも上方に位置する絶縁層ＩＬ３の別の一部は、第３絶縁領域２１ｃに対応する。絶縁層ＩＬ４は、絶縁層４２及び４５に対応する。絶縁層ＩＬ５は、絶縁部２５に対応する。絶縁層ＩＬ６は、絶縁層４３及び４６に対応する。絶縁層ＩＬ７及びＩＬ８は、絶縁部２７に対応する。絶縁層ＩＬ９は、絶縁部２９に対応する。

第１実施形態の効果を説明する。
アイソレータについては、第１電極１１と第２電極１２との間の磁気的な結合がより大きく、第１電極１１と第２電極１２との間で信号を破損させることなく伝達できることが望ましい。すなわち、同相過渡電圧耐性（ＣＭＴＩ）が大きいことが望ましい。ＣＭＴＩの向上のためには、第１電極１１と第２電極１２との間のＺ方向における距離が短いことが好ましい。距離が短いほど、第１電極１１と第２電極１２との間の磁気的な結合が強くなる。一方で、距離が短いほど、第１電極１１と第２電極１２との間の容量が大きくなる。信号の伝達時、第１電極１１及び第２電極１２には、容量の起因するノイズが発生する。このため、容量が大きくなるほど、ＣＭＴＩが低下する。

第１実施形態に係るアイソレータ１００では、第１電極１１と第２電極１２との間に空隙３０が設けられている。空隙３０の比誘電率は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの他の絶縁材料の比誘電率よりも小さい。空隙３０が設けられることで、第１電極１１と第２電極１２との間の領域全体に絶縁材料が設けられている場合に比べて、第１電極１１と第２電極１２との間の容量が低下する。第１実施形態によれば、容量の増大を抑制しつつ、ＣＭＴＩを向上できる。又は、ＣＭＴＩを維持したまま、第１電極１１及び第２電極１２のそれぞれのＸ−Ｙ面におけるサイズを小さくできる。これにより、アイソレータ１００を小型化できる。

また、空隙３０が設けられることで、第１電極１１と第２電極１２との間を流れるリーク電流の経路が狭くなる。このため、アイソレータ１００におけるリーク電流を低減できる。

空隙３０を設けた場合、アイソレータ１００の強度が低下する可能性がある。この課題について、アイソレータ１００では、第１電極１１と第２電極１２との間の第１絶縁部２１が、第１絶縁領域２１ａを含む。第１絶縁領域２１ａが設けられることで、アイソレータ１００の強度を向上できる。また、第１絶縁領域２１ａは、Ｘ−Ｙ面に沿って空隙３０の内側に位置する。この位置関係によれば、第１電極１１と第２電極１２との間の領域における強度を全体的に向上でき、当該領域における強度が局所的に大きく低下することを抑制できる。

好ましくは、第２電極１２の一端と電気的に接続されたパッド６２は、第１絶縁領域２１ａの上に位置する。例えば、配線６３は、ワイヤボンディングにより形成される。配線６３をパッド６２に接合する際、パッド６２は、下方に向けて押圧される。パッド６２下の領域の強度が低いと、製造中のアイソレータ１００が破損する可能性がある。パッド６２が第１絶縁領域２１ａの上に設けられることで、配線６３の接合時に押圧される領域の強度を向上できる。この結果、アイソレータ１００の歩留まりを向上できる。

図９は、第１実施形態に係るアイソレータの特性を表す模式図である。
図９では、螺旋状の第２電極１２が、模式的に板状に表されている。図９では、第２電極１２の外周近傍における等電位線ＥＰが表されている。

第１電極１１に対して第２電極１２に電圧が印加されたとき、図９に表したように、第２電極１２外周の下端ＬＥでは、等電位線ＥＰ同士の間隔が狭く、電界の集中が生じる。電界強度が高くなりすぎると、下端ＬＥ近傍で絶縁破壊が生じ、アイソレータ１００が破壊される。

第３絶縁領域２１ｃの比誘電率は、第２絶縁領域２１ｂの比誘電率と同じでも良いが、第２絶縁領域２１ｂの比誘電率よりも高いことが好ましい。第３絶縁領域２１ｃの比誘電率が第２絶縁領域２１ｂの比誘電率よりも高いと、第３絶縁領域２１ｃにおける等電位線ＥＰが、Ｘ−Ｙ面に沿って広がり易くなる。これにより、第２電極１２の下端ＬＥ近傍の電界強度を低減できる。電界の集中によってアイソレータ１００が破壊される可能性を、低減できる。

例えば、第２絶縁領域２１ｂ及び第３絶縁領域２１ｃは、酸素及びシリコンを含む。第３絶縁領域２１ｃは、窒素をさらに含む。第２絶縁領域２１ｂは、窒素を含んでいても良いし、窒素を含んでいなくても良い。第３絶縁領域２１ｃにおける窒素濃度は、第２絶縁領域２１ｂにおける窒素濃度よりも高い。これにより、第３絶縁領域２１ｃの比誘電率を、第２絶縁領域２１ｂの比誘電率よりも高くできる。窒素濃度は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）などにより比較できる。

図１０は、第１実施形態に係るアイソレータの一部を表す断面図である。
図１０に表したように、空隙３０は、第１空間３１及び第２空間３２を含んでいても良い。第２空間３２は、Ｘ−Ｙ面に沿って第１空間３１の周りに設けられている。すなわち、第１空間３１は、空隙３０の内周側に設けられる。第２空間３２は、空隙３０の外周側に設けられる。第２空間３２のＺ方向における寸法Ｄ２は、第１空間３１のＺ方向における寸法Ｄ１よりも長い。例えば、空孔３５は、第２空間３２と繋がっている。

図７（ａ）に表した工程において、犠牲層ＳＬを除去する際、ガス又は薬液は開口ＯＰ６を通して供給される。このとき、ガス又は薬液によって絶縁層ＩＬ２及びＩＬ３が僅かに除去される。犠牲層ＳＬは、開口ＯＰ６に近い部分から順に除去される。絶縁層ＩＬ２及びＩＬ３について、開口ＯＰ６に近い部分ほど、より長い時間ガス又は薬液に曝される。この結果、図１０に表したように、Ｚ方向における寸法が互いに異なる第１空間３１及び第２空間３２が形成される。

空隙３０の外周側に第２空間３２が設けられることで、下端ＬＥの電界強度を低減できる。電界強度のさらなる低減のためには、第２空間３２は、第２電極１２の外周とＺ方向において並ぶことが好ましい。また、空隙３０の内周側に第１空間３１が設けられることで、第１電極１１と第２電極１２との間の強度を高めることができる。例えば、配線６３の接合時に押圧される領域の強度が、向上する。この結果、アイソレータ１００の歩留まりを向上できる。

容量の低減及び強度の維持の観点から、空隙３０のＺ方向における寸法は、例えば、第１電極１１と第２電極１２との間の距離の０．１５倍以上０．４倍以下が好ましい。空隙３０のＺ方向における寸法がＸ方向又はＹ方向において変化している場合は、最も長い寸法が上述した範囲にあることが好ましい。

例えば、第３絶縁領域２１ｃのＺ方向における長さは、第２絶縁領域２１ｂのＺ方向における長さよりも短い。すなわち、第２電極１２と空隙３０との間のＺ方向における距離は、第１電極１１と空隙３０との間のＺ方向における距離よりも短い。この場合、空隙３０を形成するための開口ＯＰ６の深さを浅くできる。空隙３０の形成が容易となり、アイソレータ１００の歩留まりを向上できる。

第３絶縁領域２１ｃのＺ方向における長さは、第２絶縁領域２１ｂのＺ方向における長さよりも長くても良い。すなわち、第２電極１２と空隙３０との間のＺ方向における距離は、第１電極１１と空隙３０との間のＺ方向における距離よりも長くても良い。この場合、空隙３０を第２電極１２からより離すことができる。比誘電率の低い空隙３０が第２電極１２から離れることで、下端ＬＥ近傍の電界強度を低減できる。

空隙３０及び空孔３５は、アイソレータ１００の外部の空間と繋がっていても良い。好ましくは、空隙３０及び空孔３５は、アイソレータ１００の外部の空間とは分離されている。例えば、空隙３０及び空孔３５の圧力は、大気圧よりも低い。又は、空隙３０及び空孔３５における不活性ガスの濃度は、大気中の不活性ガスの濃度よりも高い。これにより、第１電極１１と第２電極１２との間に電圧が印加されたときに、空隙３０及び空孔３５で放電が生じることを抑制できる。不活性ガスは、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び窒素からなる群より選択された少なくとも１つのガスである。

（変形例）
図１１〜図１４は、第１実施形態の変形例に係るアイソレータの一部を表す断面図である。
図１１に表したアイソレータ１１０では、第２絶縁領域２１ｂ及び第３絶縁領域２１ｃが設けられていない。第２電極１２の下面は、空隙３０に露出している。第１電極１１の上面又は絶縁層４１は、空隙３０に露出している。

アイソレータ１１０によれば、アイソレータ１００に比べて、第１電極１１と第２電極１２との間の容量をさらに低減できる。一方で、アイソレータ１００によれば、アイソレータ１１０に比べて、強度を高めることができる。また、アイソレータ１００によれば、アイソレータ１１０に比べて、空隙３０において放電が生じる可能性を低減できる。

図１２に表したアイソレータ１２０では、空隙３０がＸ−Ｙ面に沿って螺旋状に設けられている。図１３に表したアイソレータ１３０では、空隙３０が、第１絶縁領域２１ａから外側に向けて、Ｘ−Ｙ面に沿って放射状に設けられている。アイソレータ１２０及び１３０において、空隙３０同士の隙間には、第１絶縁部２１の一部が設けられている。アイソレータ１２０及び１３０によれば、アイソレータ１００に比べて、強度を高めることができる。一方で、アイソレータ１００によれば、アイソレータ１２０及び１３０に比べて、第１電極１１と第２電極１２との間の容量を低減できる。

図１４に表したアイソレータ１４０では、第１電極１１及び第２電極１２が、渦巻状では無く、平板状である。例えば、第１電極１１と第２電極１２は、第１電極１１の上面と第２電極１２の下面が平行となるように設けられる。

アイソレータ１４０は、磁界の変化に代えて、電界の変化を利用して信号を伝達する。具体的には、第２回路２が第２電極１２へ電圧を印加すると、第１電極１１と第２電極１２との間に電界が発生する。第１電極１１には、電界強度に応じた電荷が蓄積される。第１回路１は、このときの電荷の流れを検出し、検出結果に基づいて信号を生成する。これにより、第１電極１１と第２電極１２との間で、電流を遮断した状態で信号が伝達される。

アイソレータ１４０の構造は、第１電極１１及び第２電極１２に関する構造を除き、アイソレータ１００と同様の構造を適用可能である。アイソレータ１４０によれば、アイソレータ１００と同様に、第１電極１１と第２電極１２との間の容量の増大を抑制しつつ、ＣＭＴＩを向上できる。又は、ＣＭＴＩを維持したまま、第１電極１１及び第２電極１２のそれぞれのサイズを小さくできる。

図１５は、第２実施形態に係るアイソレータを表す平面図である。
図１６は、第２実施形態に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。
第２実施形態に係るアイソレータ２００では、図１５に表したように、配線６１を介して、第１電極１１の一端が導電体５０と電気的に接続されている。第１電極１１の他端は、配線６０を介して第１回路１と電気的に接続されている。

図１６に表したように、第１回路１は、基板５中に設けられている。第２回路２は、基板５から離れた基板６中に設けられている。パッド６２は、配線６３を介して、基板６の上に設けられたパッド６８と電気的に接続されている。パッド６４は、配線６５を介して、基板６の上に設けられたパッド６９と電気的に接続されている。第２回路２は、パッド６８及び６９と電気的に接続されている。

アイソレータ２００において、基板５より上側の構造には、既に説明した各実施形態に係る構造を適用可能である。これにより、例えば、アイソレータ２００のＣＭＴＩを向上できる。

図１７は、第２実施形態の第１変形例に係るアイソレータを表す平面図である。
図１８は、図１７のXVIII−XVIII断面図である。図１９は、図１７のXIX−XIX断面図である。
図２０は、第２実施形態の第１変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。
第１変形例に係るアイソレータ２１０は、図１７に表したように、第１構造体１０−１及び第２構造体１０−２を含む。

第１構造体１０−１は、図１７、図１８、及び図２０に表したように、電極１１−１、電極１２−１、絶縁部２０ａ、絶縁部２１−１、絶縁部２５ａ、絶縁部２７ａ、絶縁部２９ａ、絶縁層４１ａ〜４６ａ、導電体５０ａ、パッド６２ａ、パッド６４ａ、及びパッド６６ａを含む。これらの構成要素の構造は、例えば図２に表した、第１電極１１、第２電極１２、絶縁部２０、第１絶縁部２１、絶縁部２５、２７、及び２９、絶縁層４１〜４６、導電体５０、パッド６２、パッド６４、及びパッド６６の構造とそれぞれ同様である。

第２構造体１０−２は、図１７、図１９、及び図２０に表したように、電極１１−２、電極１２−２、絶縁部２０ｂ、絶縁部２１−２、絶縁部２５ｂ、絶縁部２７ｂ、絶縁部２９ｂ、絶縁層４１ｂ〜４６ｂ、導電体５０ｂ、パッド６２ｂ、パッド６４ｂ、及びパッド６６ｂを含む。これらの構成要素の構造は、例えば図２に表した、第１電極１１、第２電極１２、絶縁部２０、第１絶縁部２１、絶縁部２５、２７、及び２９、絶縁層４１〜４６、導電体５０、パッド６２、パッド６４、及びパッド６６の構造とそれぞれ同様である。

図１７に表したように、パッド６２ａは、配線６３によってパッド６２ｂと電気的に接続されている。パッド６４ａは、配線６５によってパッド６４ｂと電気的に接続されている。

パッド６６ａは、配線６７ａによって別の導電部材と電気的に接続されている。パッド６６ｂは、配線６７ｂによって別の導電部材と電気的に接続されている。

図２０に表したように、第１回路１は、基板５中に設けられている。第１構造体１０−１は、基板５の上に設けられている。第２回路２は、基板６中に設けられている。第２構造体１０−２は、基板６の上に設けられている。電極１１−１の一端は導電体５０ａと電気的に接続されている。電極１１−１の他端は第１回路１と電気的に接続されている。電極１１−２の一端は導電体５０ｂと電気的に接続されている。電極１１−２の他端は第２回路２と電気的に接続されている。

アイソレータ２１０において、基板５より上側の構造及び基板６より上側の構造には、既に説明した各実施形態に係る構造を適用可能である。これにより、例えば、アイソレータ２１０のＣＭＴＩを向上できる。図１７〜図２０に表したアイソレータ２１０では、一対の電極１１−１及び電極１２−１が、一対の電極１１−２及び電極１２−２と直列に接続されている。換言すると、第１回路１と第２回路２との間は、直列に接続された二対の電極によって、二重に絶縁されている。アイソレータ２１０によれば、一対の電極によって一重に絶縁された構造に比べて、絶縁信頼性を向上できる。

図２１は、第２実施形態の第２変形例に係るアイソレータを表す平面図である。
図２２は、第２実施形態の第２変形例に係るアイソレータの断面構造を表す模式図である。
第２実施形態の第２変形例に係るアイソレータ２２０は、図２１及び図２２に表したように、第１電極１１の両端が第１回路１と電気的に接続されている点で、アイソレータ２００と異なる。導電体５０は、第１回路１及び第１電極１１とは電気的に分離されている。導電体５０が基準電位に設定されれば、第１回路１、第１電極１１、及び導電体５０の間の電気的な接続関係は、適宜変更可能である。

図２３は、第２実施形態の第３変形例に係るアイソレータを表す模式図である。
第３変形例に係るアイソレータ２３０は、第１構造体１０−１、第２構造体１０−２、第３構造体１０−３、第４構造体１０−４を含む。第１構造体１０−１は、電極１１−１及び電極１２−１を含む。第２構造体１０−２は、電極１１−２及び電極１２−２を含む。第３構造体１０−３は、電極１１−３及び電極１２−３を含む。第４構造体１０−４は、電極１１−４及び電極１２−４を含む。それぞれの電極は、コイルである。第１回路１は、差動ドライバ回路１ａ、容量Ｃ１、及び容量Ｃ２を含む。第２回路２は、差動受信回路２ａ、容量Ｃ３、及び容量Ｃ４を含む。

例えば、差動ドライバ回路１ａ、容量Ｃ１、容量Ｃ２、電極１１−１、電極１１−２、電極１２−１、及び電極１２−２は、不図示の第１基板の上に形成される。電極１１−１の一端は、第１の定電位に接続される。電極１１−２の他端は、容量Ｃ１に接続される。電極１１−２の一端は、第２の定電位に接続される。電極１１−２の他端は、容量Ｃ２に接続する。

差動ドライバ回路１ａの一方の出力は、容量Ｃ１に接続される。差動ドライバ回路１ａの他方の出力は、容量Ｃ１に接続される。容量Ｃ１は、差動ドライバ回路１ａと電極１１−１との間に接続される。容量Ｃ２は、差動ドライバ回路１ａと電極１１−２との間に接続される。

絶縁部を挟んで電極１１−１と電極１２−１が積層される。別の絶縁部を挟んで電極１１−２と電極１２−２が積層される。電極１２−１の一端は、電極１２−２の一端と接続されている。

例えば、差動受信回路２ａ、容量Ｃ３、容量Ｃ４、電極１１−３、電極１１−４、電極１２−３、及び電極１２−４は、不図示の第２基板の上に形成される。電極１１−３の一端は、第３の定電位に接続される。電極１１−３の他端は、容量Ｃ３に接続される。電極１１−４の一端は、第４の定電位に接続される。電極１１−４の他端は、容量Ｃ４に接続される。

差動受信回路２ａの一方の入力は、容量Ｃ３に接続される。差動受信回路２ａの他方の入力は、容量Ｃ４に接続される。絶縁部を挟んで電極１１−３と電極１２−３が積層される。別の絶縁部を挟んで、電極１１−４と電極１２−４が積層される。電極１２−３の一端は、電極１２−４の一端と接続されている。

動作について説明する。アイソレータでは、変調された信号が伝送される。図２３では、Ｖｉｎが変調された信号を表す。信号の変調には、例えば、エッジトリガ方式、又はＯｎ−Ｏｆｆ Ｋｅｙｉｎｇ方式が用いられる。いずれの方法においても、Ｖｉｎは、元の信号を高周波帯にシフトさせた信号である。

差動ドライバ回路１ａは、Ｖｉｎに応じて電極１１−１及び電極１１−２に互いに逆方向の電流ｉ０を流す。電極１１−１及び１１−２は、互いに逆向きの磁界（Ｈ１）を発生する。電極１１−１の巻数が電極１１−２の巻数と同じときは、発生する磁界の大きさが互いに等しくなる。

磁界Ｈ１によって電極１２−１に生じる誘導電圧は、磁界Ｈ１によって電極１２−２に生じる誘導電圧と加算される。電極１２−１及び１２−２に、電流ｉ１が流れる。電極１２−１の他端は、電極１２−３の他端とボンディングワイヤで接続されている。電極１２−２の他端は、電極１２−４の他端と別のボンディングワイヤで接続されている。ボンディングワイヤは、例えば金を含む。ボンディングワイヤの直径は、例えば３０μｍである。

電極１２−１及び１２−２で加算された誘導電圧は、電極１２−３及び１２−４に印加される。電極１２−３及び１２−４には、電流ｉ１と同じ電流値の電流ｉ２が流れる。電極１２−３及び１２−４は、互いに逆向きの磁界（Ｈ２）を発生する。電極１２−３の巻数が電極１２−４の巻数と同じときは、発生する磁界の大きさが互いに等しくなる。

磁界Ｈ２によって電極１１−３に生じる誘導電圧の方向は、磁界Ｈ２によって電極１１−４に生じる誘導電圧の方向と逆である。電極１１−３及び１１−４に電流ｉ３が流れる。また、電極１１−３に生じる誘導電圧の大きさは、電極１１−４に生じる誘導電圧の大きさと同じである。差動受信回路２ａには、電極１１−３及び１１−４がそれぞれ発生させる誘導電圧の加算が印加され、変調された信号が伝送される。

図２４は、第３実施形態に係るパッケージを表す斜視図である。
図２５は、第３実施形態に係るパッケージの断面構造を表す模式図である。
第３実施形態に係るパッケージ３００は、図２４に表したように、金属部材８１ａ〜８１ｆ、金属部材８２ａ〜８２ｆ、パッド８３ａ〜８３ｆ、パッド８４ａ〜８４ｆ、封止部９０、及び複数のアイソレータ２３０を含む。

図示した例では、パッケージ３００は、４つのアイソレータ２３０を含む。すなわち、図２３に表した第１構造体１０−１〜第４構造体１０−４の組が、４つ設けられている。

複数の第１構造体１０−１及び複数の第２構造体１０−２は、金属部材８１ａの一部の上に設けられている。例えば、複数の第１構造体１０−１及び複数の第２構造体１０−２は、１つの基板５の上に設けられている。基板５は、金属部材８１ａと電気的に接続されている。基板５中には、複数の第１回路１が設けられている。１つの第１回路１は、１つの第１構造体１０−１と１つの第２構造体１０−２の組に対応して設けられている。

複数の第３構造体１０−３及び複数の第４構造体１０−４は、金属部材８２ａの一部の上に設けられている。複数の第３構造体１０−３及び複数の第４構造体１０−４は、１つの基板６の上に設けられている。基板６は、金属部材８２ａと電気的に接続されている。基板６中には、複数の第２回路２が設けられている。１つの第２回路２は、１つの第３構造体１０−３と１つの第４構造体１０−４の組に対応して設けられている。

金属部材８１ａは、さらにパッド８３ａと電気的に接続されている。パッド８３ａは、各第１構造体１０−１及び各第２構造体１０−２の導電体５０ａと電気的に接続されている。金属部材８２ａは、さらにパッド８４ａと電気的に接続されている。パッド８４ａは、各第３構造体１０−３及び各第４構造体１０−４の導電体５０ｂと電気的に接続されている。

金属部材８１ｂ〜８１ｅは、パッド８３ｂ〜８３ｅとそれぞれ電気的に接続されている。パッド８３ｂ〜８３ｅは、複数の第１回路１とそれぞれ電気的に接続されている。金属部材８１ｆは、パッド８３ｆと電気的に接続されている。パッド８３ｆは、複数の第１回路１と電気的に接続されている。

金属部材８２ｂ〜８２ｅは、パッド８４ｂ〜８４ｅとそれぞれ電気的に接続されている。パッド８４ｂ〜８４ｅは、複数の第２回路２とそれぞれ電気的に接続されている。金属部材８２ｆは、パッド８４ｆと電気的に接続されている。パッド８４ｆは、複数の第２回路２と電気的に接続されている。

封止部９０は、金属部材８１ａ〜８１ｆ及び８２ａ〜８２ｆのそれぞれの一部、パッド８３ａ〜８３ｆ、パッド８４ａ〜８４ｆ、及び複数のアイソレータ２３０を覆っている。

金属部材８１ａ〜８１ｆは、端子Ｔ１ａ〜Ｔ１ｆをそれぞれ有する。金属部材８２ａ〜８２ｆは、端子Ｔ２ａ〜Ｔ２ｆをそれぞれ有する。端子Ｔ１ａ〜Ｔ１ｆ及びＴ２ａ〜Ｔ２ｆは、封止部９０に覆われておらず、外部に露出している。

例えば、端子Ｔ１ａ及びＴ２ａは、基準電位に接続される。端子Ｔ１ｂ〜Ｔ１ｅには、それぞれの第１回路１への信号が入力される。端子Ｔ２ｂ〜Ｔ２ｅには、それぞれの第２回路２からの信号が出力される。端子Ｔ１ｆは、複数の第１回路１を駆動させるための電源と接続される。端子Ｔ２ｆは、複数の第２回路２を駆動させるための電源と接続される。

第３実施形態によれば、パッケージ３００におけるアイソレータのＣＭＴＩを向上できる。これにより、パッケージ３００の特性を向上できる。ここでは、４つのアイソレータ２３０が設けられた例を説明したが、パッケージ３００には、１つ以上の他のアイソレータが設けられても良い。

以上で説明した実施形態によれば、アイソレータの特性を改善できる。特性の改善は、例えば、第１電極１１と第２電極１２との間の容量の低下、ＣＭＴＩの向上、第１電極１１と第２電極１２との間のリーク電流の低下、強度の向上、歩留まりの向上、又は破壊への耐性の向上などを含む。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ 第１回路、 ２ 第２回路、 ５ 基板、 １１ 第１電極、 １１ａ，１１ｂ 金属層、 １２ 第２電極、 １２ａ，１２ｂ 金属層、 ２０ 絶縁部、 ２１ 第１絶縁部、 ２１ａ 第１絶縁領域、 ２１ｂ 第２絶縁領域、 ２１ｃ 第３絶縁領域、 ２５，２７，２９ 絶縁部、 ３０ 空隙、 ３１ 第１空間、 ３２ 第２空間、 ３５ 空孔、 ４１〜４６ 絶縁層、 ５０ 導電体、 ５１ 第１導電部、 ５１ａ，５１ｂ 金属層、 ５２ 第２導電部、 ５２ａ，５２ｂ 金属層、 ５３ 第３導電部、 ５３ａ，５３ｂ 金属層、 ６０，６１，６３，６５，６７ 配線、 ６２，６４，６６ パッド、 １００〜１４０ アイソレータ、 ＥＰ 等電位線、 ＩＬ１〜ＩＬ９ 絶縁層、 ＭＬ１〜ＭＬ３ 金属層、 ＯＰ１〜ＯＰ６ 開口、 ＳＬ 犠牲層

Claims (10)

1. 第１電極と、
   前記第１電極の上に設けられ、前記第１電極とは電気的に分離された第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた空隙を含む第１絶縁部と、
   を備えたアイソレータ。
2. 前記第１絶縁部は、第１絶縁領域を含み、
   前記空隙は、前記第１電極から前記第２電極に向かう第１方向に垂直な第１面に沿って、前記第１絶縁領域の周りに設けられた、請求項１記載のアイソレータ。
3. 前記第２電極と電気的に接続されたパッドと、
   前記パッドに接合されたワイヤと、
   をさらに備え、
   前記パッドの少なくとも一部は、前記第１絶縁領域の上に位置する請求項２記載のアイソレータ。
4. 前記第１絶縁部は、
   前記空隙及び前記第１絶縁領域の下に設けられた第２絶縁領域と、
   前記空隙及び前記第１絶縁領域の上に設けられた第３絶縁領域と、
   をさらに含む、請求項２又は３に記載のアイソレータ。
5. 前記第３絶縁領域の比誘電率は、前記第２絶縁領域の比誘電率よりも高い請求項４記載のアイソレータ。
6. 前記第３絶縁領域中には、前記第１方向に沿って延び、前記空隙とつながった空孔が設けられた請求項４又は５記載のアイソレータ。
7. 前記第１方向から見たときに、前記空孔は、前記第２電極の周りにおいて複数設けられた請求項６記載のアイソレータ。
8. 前記空隙は、第１空間と、前記第１電極から前記第２電極に向かう第１方向に垂直な第１面に沿って前記第１空間の周りに設けられた第２空間と、を含み、
   前記第２空間の前記第１方向における寸法は、前記第１空間の前記第１方向における寸法よりも長い、請求項１〜７のいずれか１つに記載のアイソレータ。
9. 前記第１電極と電気的に接続された第１回路と、
   前記第２電極と電気的に接続された第２回路と、
   をさらに備えた請求項１〜８のいずれか１つに記載のアイソレータ。
10. 前記第１電極及び前記第２電極は、螺旋状に設けられた請求項１〜９のいずれか１つに記載のアイソレータ。

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