JPS61294850A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野］ 本発明は半導体集積回路装置に関し、特にトランス結合
を有する半導体集積回路装置に関する。

［従来の技術］ 従来、半導体集積回路装置にＩ・ランス結合を必要とす
る場合は、外付けによりトランス部品を搭載する方法が
用いられていた。

［発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、トランス部品を搭載すると半導体集積回
路装置が大型化するという不都合がある。

従って、半導体集積回路装置を設計する場合には、トラ
ンス回路を用いないようにするのが一般的であり、この
ため半導体集積回路装置設計の自由度が小さくなるとい
う欠点がある。

本発明の目的は、上記欠点を除去し、回路設計上の自由
度の大きな半導体集積回路装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板上に上層配
線と絶縁層と強磁性体層と絶縁層と下層配線とを順次積
層した構造を有している。強磁性体層の上下の配線は強
磁性体層を間にしてトランス結合となるような位置関係
をもっている。

［実施例］ 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は半導体基
板面からみた下面図、第３図は平面図である。

第１図〜第３図において、半導体基板１の上には、一層
目配線３と二層目配線４の間に絶縁層２を介してフェラ
イトやパーマロイからなる強磁性体層５が形成されてい
る。一層目配線３と二層目配線４はスパイラル形状かあ
るいはループ形状をしており、その中心が一致する位置
関係にしである。

このように構成することにより、一層目配線３と強磁性
体層５と二層目配線４によって半導体基板上にトランス
が形成される。従って、半導体集積回路装置に外付けに
よらないトランス結合回路を設けることができる。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば強磁性体層を配線で
サンドイッチした構造として半導体集積回路上にトラン
ス結合を設けた半導体集積回路装置が得られるので回路
設計上の自由度が大きくなるという効゛果がある。また
、強磁性体層と接した配線のどちらか一方を用いれば大
きなインダクタンス分有するコイルとしても使用できる
という効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は同実施例
の下面図、第３図は同実施例の平面図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁層、３・・・一層目
配線、４・・・二層目配線、５・・・強磁性体層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に設けられた上層配線と下層配線との間に
   絶縁層を介して強磁性体層を設けたことを特徴とす半導
   体集積回路装置。