JPH0621347A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0621347A JPH0621347A JP17410792A JP17410792A JPH0621347A JP H0621347 A JPH0621347 A JP H0621347A JP 17410792 A JP17410792 A JP 17410792A JP 17410792 A JP17410792 A JP 17410792A JP H0621347 A JPH0621347 A JP H0621347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring metal
- insulating film
- layer
- semiconductor device
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】集積回路上に、他の素子との混在が可能な形
で、且つ通常の集積回路製造プロセスとの整合性を失わ
ない形で、安価に集積することが可能なコイルの構造を
提供する。 【構成】半導体基板の表面に、絶縁膜４で隔てられた１
層目の配線金属１と２層目の配線金属２とを有し、１層
目の配線金属が、前記絶縁膜に設けられた接続孔３を通
して２層目の配線金属に接続されることによって、絶縁
膜を取り巻く螺旋構造を成している。また絶縁膜４の内
部に、フェライトなどの透磁率の高い物質を挟んで、コ
イルのインダクタンスを大きくすることができる。
で、且つ通常の集積回路製造プロセスとの整合性を失わ
ない形で、安価に集積することが可能なコイルの構造を
提供する。 【構成】半導体基板の表面に、絶縁膜４で隔てられた１
層目の配線金属１と２層目の配線金属２とを有し、１層
目の配線金属が、前記絶縁膜に設けられた接続孔３を通
して２層目の配線金属に接続されることによって、絶縁
膜を取り巻く螺旋構造を成している。また絶縁膜４の内
部に、フェライトなどの透磁率の高い物質を挟んで、コ
イルのインダクタンスを大きくすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に集積
回路の半導体基板上に、集積するコイルの構造に関す
る。
回路の半導体基板上に、集積するコイルの構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、半導体基板上にトランジス
タや抵抗器、容量などの素子を集積して、これをアルミ
などの配線金属を用いて相互に接続することで、所定の
機能を有する電気回路を構成するものである。集積回路
には、論理回路などのディジタル的動作をするもののほ
かに、増幅器や発振器などのアナログ的動作をするもの
がある。
タや抵抗器、容量などの素子を集積して、これをアルミ
などの配線金属を用いて相互に接続することで、所定の
機能を有する電気回路を構成するものである。集積回路
には、論理回路などのディジタル的動作をするもののほ
かに、増幅器や発振器などのアナログ的動作をするもの
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】アナログ回路を構成す
る受動素子は、抵抗器、コンデンサ、コイルの３種が代
表的なものであるが、本来集積回路は半導体基板の表面
に平面的に素子を集積する都合上、立体的な構造を必須
とするコイルを他の素子と同一基板上に、集積回路製造
プロセス上無理のない方法で、設置することは、従来、
困難とされてきた。このため、従来の技術においてコイ
ルの存在が不可欠であるような回路を構成する場合は、
コイル以外の部分を含む集積回路と、別部品として製造
された単体のコイルを、回路基板上に実装して接続する
などの方法が用いられており、電子装置の小型化、低コ
スト化を阻む要因のひとつとなってきた。
る受動素子は、抵抗器、コンデンサ、コイルの３種が代
表的なものであるが、本来集積回路は半導体基板の表面
に平面的に素子を集積する都合上、立体的な構造を必須
とするコイルを他の素子と同一基板上に、集積回路製造
プロセス上無理のない方法で、設置することは、従来、
困難とされてきた。このため、従来の技術においてコイ
ルの存在が不可欠であるような回路を構成する場合は、
コイル以外の部分を含む集積回路と、別部品として製造
された単体のコイルを、回路基板上に実装して接続する
などの方法が用いられており、電子装置の小型化、低コ
スト化を阻む要因のひとつとなってきた。
【０００４】本発明は、このような従来の課題に鑑みな
されたものであり、その目的は、集積回路上に、他の素
子との混在が可能な形で、且つ通常の集積回路製造プロ
セスとの整合性を失わない形で、安価に集積することが
可能なコイルの構造を提供することにある。
されたものであり、その目的は、集積回路上に、他の素
子との混在が可能な形で、且つ通常の集積回路製造プロ
セスとの整合性を失わない形で、安価に集積することが
可能なコイルの構造を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明による半導体装置は、半導体基板の表面に、
絶縁膜で隔てられた少なくとも２層の配線金属層を有
し、１層の配線金属が、前記絶縁膜に設けられた接続孔
を通して他の配線金属に接続されることによって、絶縁
膜を取り巻く螺旋構造を成していることを特徴とする。
め、本発明による半導体装置は、半導体基板の表面に、
絶縁膜で隔てられた少なくとも２層の配線金属層を有
し、１層の配線金属が、前記絶縁膜に設けられた接続孔
を通して他の配線金属に接続されることによって、絶縁
膜を取り巻く螺旋構造を成していることを特徴とする。
【０００６】また、本発明による半導体装置は、前項に
おいて、螺旋構造を成す配線金属に取り巻かれた絶縁膜
の内部に、前記配線金属と電気的に絶縁された異なる金
属層を有することを特徴とする。
おいて、螺旋構造を成す配線金属に取り巻かれた絶縁膜
の内部に、前記配線金属と電気的に絶縁された異なる金
属層を有することを特徴とする。
【０００７】また、本発明による半導体装置は、前項に
おいて、配線金属層を隔てる絶縁膜が少なくとも２層構
造であり、螺旋構造を成す配線金属に取り巻かれた部分
の絶縁膜の１層と他の層との間に、前記配線金属と異な
る金属層を有することを特徴とする。
おいて、配線金属層を隔てる絶縁膜が少なくとも２層構
造であり、螺旋構造を成す配線金属に取り巻かれた部分
の絶縁膜の１層と他の層との間に、前記配線金属と異な
る金属層を有することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】図１及び図２は、本発明の実施例を示す概念
図である。以下に、この実施例に基づき、本発明の詳細
について説明する。
図である。以下に、この実施例に基づき、本発明の詳細
について説明する。
【０００９】図１（ｂ）は、本発明によるコイルの平面
図であり、図１（ａ）は、そのＡ−Ａ’線に沿った断面
図である。図からわかるとおり、左に傾いた短冊状の形
状の１層目の配線金属１の上に、同形状で右に傾いた２
層目の配線金属２が、絶縁膜４を挟んで重なり合ってい
る。重なり合った各々の短冊の両端には、接続孔３が設
けてあるため、２つの配線金属層はこの場所で電気的に
接続されている。
図であり、図１（ａ）は、そのＡ−Ａ’線に沿った断面
図である。図からわかるとおり、左に傾いた短冊状の形
状の１層目の配線金属１の上に、同形状で右に傾いた２
層目の配線金属２が、絶縁膜４を挟んで重なり合ってい
る。重なり合った各々の短冊の両端には、接続孔３が設
けてあるため、２つの配線金属層はこの場所で電気的に
接続されている。
【００１０】この構造の両端に電圧を印加すると、電流
は一方の配線金属層から接続孔３を通して他方の配線金
属層へと流れることを繰り返して、結果的に電流経路は
絶縁膜４を取り巻く螺旋状となり、即ちこの構造がコイ
ルとしての機能を持つことがわかる。また、この構造
は、従来の集積回路製造において通常用いられてきた、
アルミなどの材料による多層配線技術を用いて簡単に製
造できるため、通常の製造プロセスとの整合性が良く、
また、製造コストの増加も最小限で済む。
は一方の配線金属層から接続孔３を通して他方の配線金
属層へと流れることを繰り返して、結果的に電流経路は
絶縁膜４を取り巻く螺旋状となり、即ちこの構造がコイ
ルとしての機能を持つことがわかる。また、この構造
は、従来の集積回路製造において通常用いられてきた、
アルミなどの材料による多層配線技術を用いて簡単に製
造できるため、通常の製造プロセスとの整合性が良く、
また、製造コストの増加も最小限で済む。
【００１１】図２は、図１で示した構造において、絶縁
膜４の内部に、フェライトなどの透磁率の高い物質を挟
んで、コア金属５としたものである。この実施例におい
ても、前述したとおり、電流経路はコア金属５とそのま
わりの絶縁膜を取り巻く螺旋状となり、コイルとしての
機能を持つ。コア金属５を追加する分、製造プロセスは
複雑になるが、占有面積に対してコイルのインダクタン
スを大きくすることができ、集積度の向上に寄与するこ
とが可能である。
膜４の内部に、フェライトなどの透磁率の高い物質を挟
んで、コア金属５としたものである。この実施例におい
ても、前述したとおり、電流経路はコア金属５とそのま
わりの絶縁膜を取り巻く螺旋状となり、コイルとしての
機能を持つ。コア金属５を追加する分、製造プロセスは
複雑になるが、占有面積に対してコイルのインダクタン
スを大きくすることができ、集積度の向上に寄与するこ
とが可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、集積回
路上に、他の素子との混在が可能な形で、且つ通常の集
積回路製造プロセスとの整合性を失わない形で、安価
に、コイルを集積することが可能になる。
路上に、他の素子との混在が可能な形で、且つ通常の集
積回路製造プロセスとの整合性を失わない形で、安価
に、コイルを集積することが可能になる。
【図１】本発明によるコイルの構造の例を示す平面図、
及び断面図である。
及び断面図である。
【図２】本発明によるコイルの構造の例を示す平面図で
ある。
ある。
１ １層目の配線金属 ２ ２層目の配線金属 ３ 接続孔（ヴィアホール） ４ 絶縁膜 ５ コア金属 ６ 半導体基板
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に、絶縁膜で隔てられ
た少なくとも２層の配線金属層を有し、１層の配線金属
が、前記絶縁膜に設けられた接続孔を通して他の配線金
属に接続されることによって、絶縁膜を取り巻く螺旋構
造を成していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、螺
旋構造を成す配線金属に取り巻かれた絶縁膜の内部に、
前記配線金属と電気的に絶縁された異なる金属層を有す
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、配
線金属層を隔てる絶縁膜が少なくとも２層構造であり、
螺旋構造を成す配線金属に取り巻かれた部分の絶縁膜の
１層と他の層との間に、前記配線金属と異なる金属層を
有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17410792A JPH0621347A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17410792A JPH0621347A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621347A true JPH0621347A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15972775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17410792A Pending JPH0621347A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621347A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6287931B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-09-11 | Winbond Electronics Corp. | Method of fabricating on-chip inductor |
| KR100328710B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2002-03-20 | 박종섭 | 인덕터 및 그의 제조방법 |
| US6614093B2 (en) * | 2001-12-11 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Integrated inductor in semiconductor manufacturing |
| US7167073B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17410792A patent/JPH0621347A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6287931B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-09-11 | Winbond Electronics Corp. | Method of fabricating on-chip inductor |
| KR100328710B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2002-03-20 | 박종섭 | 인덕터 및 그의 제조방법 |
| US6614093B2 (en) * | 2001-12-11 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Integrated inductor in semiconductor manufacturing |
| US7167073B2 (en) | 2003-10-24 | 2007-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
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