JPS61161747A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS61161747A JPS61161747A JP60002891A JP289185A JPS61161747A JP S61161747 A JPS61161747 A JP S61161747A JP 60002891 A JP60002891 A JP 60002891A JP 289185 A JP289185 A JP 289185A JP S61161747 A JPS61161747 A JP S61161747A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000408495 Iton Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波帯送受信機等に用いるモノリシック
マイクロ波集積回路等の半導体集積回路に関するもので
ある。
マイクロ波集積回路等の半導体集積回路に関するもので
ある。
従来の技術
ＵＨＦ帯、ＳＨＦ帯およびＥＨＦ帯のマイクロ波領域で
用いられる半導体集積回路においては、トランジスタや
電界効果トランジスタの整合回路やバイアス回路におい
て、インダクタを必要とすることがしばしばある。その
時、第２図に示すような構成の、いわゆるスパイラルイ
ンダクタが従来用いられてきた。第２図において、１は
半導体基板、２はＳｉＯ２等の絶縁膜、３はスパイラル
を成す第ｉｓ配轢、４は第２Ｍ配線であり、絶縁１１１
２に設けられた貫通孔を通して第１層配置３のスパイラ
ル中央部５に接続されている。図では見やすくするため
に、第１１１配線３と第２層配線４との間の絶縁１Ｉ１
２は一部切断して示されている。
用いられる半導体集積回路においては、トランジスタや
電界効果トランジスタの整合回路やバイアス回路におい
て、インダクタを必要とすることがしばしばある。その
時、第２図に示すような構成の、いわゆるスパイラルイ
ンダクタが従来用いられてきた。第２図において、１は
半導体基板、２はＳｉＯ２等の絶縁膜、３はスパイラル
を成す第ｉｓ配轢、４は第２Ｍ配線であり、絶縁１１１
２に設けられた貫通孔を通して第１層配置３のスパイラ
ル中央部５に接続されている。図では見やすくするため
に、第１１１配線３と第２層配線４との間の絶縁１Ｉ１
２は一部切断して示されている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来構成のスパイラルインダクタでは、マイ
クロ波集積回路でしばしば要求される大きなインダクタ
ンスを得るためには、比較的大きな面積を必要とする。
クロ波集積回路でしばしば要求される大きなインダクタ
ンスを得るためには、比較的大きな面積を必要とする。
例えば、１ｍＨのインダクタンスを得ようとすれば、お
よそ３Ｘ１０’μボの面積を必要とし、半導体集積回路
のチップサイズを小さくする上で大きな障害となってい
た。
よそ３Ｘ１０’μボの面積を必要とし、半導体集積回路
のチップサイズを小さくする上で大きな障害となってい
た。
本発明は上記従来例の不都合に鑑みてなされたものであ
り、大きなインダクタンスを小さな面積で得ることがで
きる半導体集積回路を提供することを目的とするもので
ある。
り、大きなインダクタンスを小さな面積で得ることがで
きる半導体集積回路を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路
は、半導体基板上に設けられた金属線路と、金属線路を
覆うように設けられた強磁性体模とで構成されたもので
ある。
は、半導体基板上に設けられた金属線路と、金属線路を
覆うように設けられた強磁性体模とで構成されたもので
ある。
作用
この構成により、単位面積あたりのインダクタンスを大
きくすることができるものである。
きくすることができるものである。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第１
図ａは見取り図、第１図すは断面図である。第１図にお
いて、１１はＧａＡｓ等の半導体基板、１２はＳｉＯ２
等の絶縁膜、１３はスパイラルを成す第１ＲＩＳｉ！線
、１４は第２１配線であり、第１層配ｓ！！１３と第２
ＦＦ４配線１４の間に層間絶縁膜１５と強磁性体簿膜１
６と層間絶縁膜１７の積層体が介装され、さらに第２層
配置１１１４の上に絶縁膜１８と強磁性体簿膜１９の積
層体が配設されている。第１図ａでは見やすくするため
に、一部の絶縁膜、強磁性体ｆｉｌｌを切りとっている
。第２層配線１４は１５〜１７の積層体に設けられた貫
通孔２０を通して第１層配線１３のスパイラル中央部２
１に接続されている。スパイラルインダクタのインダク
タンスはそれが置かれている周囲の材質の透磁率に比例
するから、上記の構成により、インダクタンスを最大μ
倍（μ：強磁性体薄膜の透磁率）とすることができる。
図ａは見取り図、第１図すは断面図である。第１図にお
いて、１１はＧａＡｓ等の半導体基板、１２はＳｉＯ２
等の絶縁膜、１３はスパイラルを成す第１ＲＩＳｉ！線
、１４は第２１配線であり、第１層配ｓ！！１３と第２
ＦＦ４配線１４の間に層間絶縁膜１５と強磁性体簿膜１
６と層間絶縁膜１７の積層体が介装され、さらに第２層
配置１１１４の上に絶縁膜１８と強磁性体簿膜１９の積
層体が配設されている。第１図ａでは見やすくするため
に、一部の絶縁膜、強磁性体ｆｉｌｌを切りとっている
。第２層配線１４は１５〜１７の積層体に設けられた貫
通孔２０を通して第１層配線１３のスパイラル中央部２
１に接続されている。スパイラルインダクタのインダク
タンスはそれが置かれている周囲の材質の透磁率に比例
するから、上記の構成により、インダクタンスを最大μ
倍（μ：強磁性体薄膜の透磁率）とすることができる。
強磁性体薄膜１６．１９としては、パーマロイなどのＮ
１−Ｆ６合金、ｃｏ 、Ｇｏ−Ｎｉ合金、Ｃ０−Ｃｒ合
金などが用いられる。また、絶縁膜１５゜１７、１８は
配線金属と磁性体との電気的絶縁のために用いられてお
り、強磁性体薄膜が絶縁体である場合には必ずしも必要
ではない。
１−Ｆ６合金、ｃｏ 、Ｇｏ−Ｎｉ合金、Ｃ０−Ｃｒ合
金などが用いられる。また、絶縁膜１５゜１７、１８は
配線金属と磁性体との電気的絶縁のために用いられてお
り、強磁性体薄膜が絶縁体である場合には必ずしも必要
ではない。
なお、上記の実施例では、スパイラルインダクタの上に
強磁性体ｉ＊ｌｌ！ｌをつけているが、スパイラルイン
ダクタに必らず、他の形状のインダクタやまた、直線状
線路を強磁性体５ａｔ−覆う場合も本発明の範囲に含ま
れる。
強磁性体ｉ＊ｌｌ！ｌをつけているが、スパイラルイン
ダクタに必らず、他の形状のインダクタやまた、直線状
線路を強磁性体５ａｔ−覆う場合も本発明の範囲に含ま
れる。
発明の効果
以上のように、本発明は、半導体基板上に設けられた金
属配線よりなるインダクタを強磁性体簿膜で覆うので、
単位面積あたりのインダクタンスを大きくすることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
属配線よりなるインダクタを強磁性体簿膜で覆うので、
単位面積あたりのインダクタンスを大きくすることがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
第１図ａ、ｈは本発明をスパイラルインダクタンスに応
用した一実施例を示す一部切欠き斜視図および断面図、
第２図は半導体基板上のスパイラルインダクタの従来例
を示す一部切欠き斜視図である。 １１・・・半導体基板、１３・・・第１闇配線、１４・
・・第２１１配線、１５．１７・・・層間絶縁膜、１６
・・・強磁性体ｉ１膜、１Ｂ・・・絶縁膜、１９・・・
強磁性体薄膜代理人 森 本 義 仏 師１図 （ｉｔン
用した一実施例を示す一部切欠き斜視図および断面図、
第２図は半導体基板上のスパイラルインダクタの従来例
を示す一部切欠き斜視図である。 １１・・・半導体基板、１３・・・第１闇配線、１４・
・・第２１１配線、１５．１７・・・層間絶縁膜、１６
・・・強磁性体ｉ１膜、１Ｂ・・・絶縁膜、１９・・・
強磁性体薄膜代理人 森 本 義 仏 師１図 （ｉｔン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に設けられた金属配線の上に強磁性体
膜を配設した半導体集積回路。 ２、半導体基板上の金属配線は、螺線形状となつている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002891A JPH0719877B2 (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002891A JPH0719877B2 (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161747A true JPS61161747A (ja) | 1986-07-22 |
| JPH0719877B2 JPH0719877B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=11541979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60002891A Expired - Fee Related JPH0719877B2 (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719877B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03121720U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-12 | ||
| US5387551A (en) * | 1992-03-04 | 1995-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing flat inductance element |
| US5834825A (en) * | 1995-12-27 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor device having spiral wiring directly covered with an insulating layer containing ferromagnetic particles |
| US7414506B2 (en) | 2003-12-22 | 2008-08-19 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS434247Y1 (ja) * | 1964-11-05 | 1968-02-23 | ||
| JPS55110009A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | Inductance element |
| JPS56101369A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-13 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | Coil |
| JPS56125866A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-02 | Toko Inc | Coil |
| JPS56155418U (ja) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 |
-
1985
- 1985-01-10 JP JP60002891A patent/JPH0719877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS434247Y1 (ja) * | 1964-11-05 | 1968-02-23 | ||
| JPS55110009A (en) * | 1979-02-16 | 1980-08-25 | Tohoku Metal Ind Ltd | Inductance element |
| JPS56101369A (en) * | 1980-01-11 | 1981-08-13 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | Coil |
| JPS56125866A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-02 | Toko Inc | Coil |
| JPS56155418U (ja) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03121720U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-12 | ||
| US5387551A (en) * | 1992-03-04 | 1995-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing flat inductance element |
| US5834825A (en) * | 1995-12-27 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor device having spiral wiring directly covered with an insulating layer containing ferromagnetic particles |
| US7414506B2 (en) | 2003-12-22 | 2008-08-19 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719877B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |