JPH10270248A - スパイラルインダクタ - Google Patents
スパイラルインダクタInfo
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- JPH10270248A JPH10270248A JP8557897A JP8557897A JPH10270248A JP H10270248 A JPH10270248 A JP H10270248A JP 8557897 A JP8557897 A JP 8557897A JP 8557897 A JP8557897 A JP 8557897A JP H10270248 A JPH10270248 A JP H10270248A
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- wiring
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- spiral inductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 占有面積及び直列抵抗を小さくし、且つイン
ダクタンスを大きくすること。 【解決手段】 絶縁基板１上に連続した金属配線をスパ
イラル状に設けることによりインダクタを形成するもの
で、金属配線を下層の第一層の金属配線５１と上層の第
二層の金属配線５２との２層構造とし、第二層の金属配
線５２の配線間隔を第一層の金属配線５１のそれよりも
広く、第二層の金属配線５２の厚みを第一層の金属配線
５１のそれよりも厚くする。そして、スパイラル中心部
Ｃから外部へ引出す引出し配線２１と第一層の金属配線
５１との間に絶縁膜６を設けることにより、引出し配線
２１と第一層の金属配線５１とがスパイラル中心部Ｃ以
外の交差部で接触しないようにしている。
ダクタンスを大きくすること。 【解決手段】 絶縁基板１上に連続した金属配線をスパ
イラル状に設けることによりインダクタを形成するもの
で、金属配線を下層の第一層の金属配線５１と上層の第
二層の金属配線５２との２層構造とし、第二層の金属配
線５２の配線間隔を第一層の金属配線５１のそれよりも
広く、第二層の金属配線５２の厚みを第一層の金属配線
５１のそれよりも厚くする。そして、スパイラル中心部
Ｃから外部へ引出す引出し配線２１と第一層の金属配線
５１との間に絶縁膜６を設けることにより、引出し配線
２１と第一層の金属配線５１とがスパイラル中心部Ｃ以
外の交差部で接触しないようにしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波集積回
路、特に、半導体基板上に形成されるＭＭＩＣ（Monoli
sic Microwave Integrate Circuit ）に用いられるスパ
イラルインダクタンスに関する。
路、特に、半導体基板上に形成されるＭＭＩＣ（Monoli
sic Microwave Integrate Circuit ）に用いられるスパ
イラルインダクタンスに関する。
【０００２】
【従来の技術】スパイラルインダクタは、マイクロ波集
積回路において、インダクタンスを得るために用いられ
ている。従来のスパイラルインダクタＳＩは、図２に示
すように、絶縁基板１上にスパイラル状の連続した金属
配線５を配置することにより、インダクタが形成され
る。このスパイラルインダクタＳＩは、金属配線５の全
長が長い程インダクタンスが大きく、また、その直列抵
抗は金属配線５の幅ａ、厚みｃ及び長さによって決ま
り、その長さが一定の場合には、金属配線５の幅ａ及び
厚みｃが大きい程直列抵抗は小さくなる。スパイラルイ
ンダクタＳＩの特性としては、直列抵抗が小さいもの望
ましい。スパイラルインダクタＳＩの占有面積は金属配
線５の幅ａ及び配線間隔ｂが小さい程小さく、小型化の
観点から占有面積はできるだけ小さいことが望ましいの
で、金属配線５の幅ａ及び配線間隔ｂが小さいものが望
ましい。従来のスパイラルインダクタＳＩは、図２に示
すように、厚みｃは均等で、例えば、８μｍ、幅ａは、
例えば、１５μｍの一層の金属配線５を例えば、５μｍ
の配線間隔ｂで、スパイラル状に形成していた。
積回路において、インダクタンスを得るために用いられ
ている。従来のスパイラルインダクタＳＩは、図２に示
すように、絶縁基板１上にスパイラル状の連続した金属
配線５を配置することにより、インダクタが形成され
る。このスパイラルインダクタＳＩは、金属配線５の全
長が長い程インダクタンスが大きく、また、その直列抵
抗は金属配線５の幅ａ、厚みｃ及び長さによって決ま
り、その長さが一定の場合には、金属配線５の幅ａ及び
厚みｃが大きい程直列抵抗は小さくなる。スパイラルイ
ンダクタＳＩの特性としては、直列抵抗が小さいもの望
ましい。スパイラルインダクタＳＩの占有面積は金属配
線５の幅ａ及び配線間隔ｂが小さい程小さく、小型化の
観点から占有面積はできるだけ小さいことが望ましいの
で、金属配線５の幅ａ及び配線間隔ｂが小さいものが望
ましい。従来のスパイラルインダクタＳＩは、図２に示
すように、厚みｃは均等で、例えば、８μｍ、幅ａは、
例えば、１５μｍの一層の金属配線５を例えば、５μｍ
の配線間隔ｂで、スパイラル状に形成していた。
【０００３】しかしながら、占有面積及び直列抵抗を小
さく且つインダクタンスを大きくするためには、配線間
隔ｂを狭くし、幅ａを小さくし、巻き数を多くすれば良
いが、１０μｍ程度の厚い金属配線５を用いた場合、金
属配線同士の配線間隔を４μｍ以下にする必要があり、
この場合、配線同士の接触による歩留りの低下及び寄生
容量の増大というという製法上の問題があつた。
さく且つインダクタンスを大きくするためには、配線間
隔ｂを狭くし、幅ａを小さくし、巻き数を多くすれば良
いが、１０μｍ程度の厚い金属配線５を用いた場合、金
属配線同士の配線間隔を４μｍ以下にする必要があり、
この場合、配線同士の接触による歩留りの低下及び寄生
容量の増大というという製法上の問題があつた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解消するためになされたもので、本発明の目的
は、占有面積及び直列抵抗が小さく、且つインダクタン
スが大きいスパイラルインダクタを得ること、更に金属
配線同士の接触なしに配線間隔を狭くすることである。
問題点を解消するためになされたもので、本発明の目的
は、占有面積及び直列抵抗が小さく、且つインダクタン
スが大きいスパイラルインダクタを得ること、更に金属
配線同士の接触なしに配線間隔を狭くすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半絶縁基板上
に連続した金属配線がスパイラル状に配置されたスパイ
ラルインダクタにおいて、前記金属配線を、第一層の金
属配線と第二層の金属配線との２層構造としたものであ
る。
に連続した金属配線がスパイラル状に配置されたスパイ
ラルインダクタにおいて、前記金属配線を、第一層の金
属配線と第二層の金属配線との２層構造としたものであ
る。
【０００６】本発明は、半絶縁基板上に連続した金属配
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、第一層の金属配線と第二層の
金属配線との２層構造とし、少なくとも該スパイラルイ
ンダクタのスパイラル中心部から外部へ引出す引出し配
線を設け、該引出し配線と第一層の金属配線との間に絶
縁膜を設けるものである。
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、第一層の金属配線と第二層の
金属配線との２層構造とし、少なくとも該スパイラルイ
ンダクタのスパイラル中心部から外部へ引出す引出し配
線を設け、該引出し配線と第一層の金属配線との間に絶
縁膜を設けるものである。
【０００７】本発明は、半絶縁基板上に連続した金属配
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設け
られた下層としての第二層の金属配線と、該第二層の金
属配線の上層として設けられた第一層の金属配線との２
層構造としたものである。
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設け
られた下層としての第二層の金属配線と、該第二層の金
属配線の上層として設けられた第一層の金属配線との２
層構造としたものである。
【０００８】本発明は、半絶縁基板上に連続した金属配
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設け
られた下層としての第二層の金属配線と、該第二層の金
属配線の上層として設けられた第一層の金属配線との２
層構造とし、少なくとも該スパイラルインダクタのスパ
イラル中心部から外部へ引出す引出し配線を設け、該引
出し配線と第一層の金属配線との間に絶縁膜を設けるも
のである。
線がスパイラル状に配置されたスパイラルインダクタに
おいて、前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設け
られた下層としての第二層の金属配線と、該第二層の金
属配線の上層として設けられた第一層の金属配線との２
層構造とし、少なくとも該スパイラルインダクタのスパ
イラル中心部から外部へ引出す引出し配線を設け、該引
出し配線と第一層の金属配線との間に絶縁膜を設けるも
のである。
【０００９】本発明は、前記スパイラルインダクタにお
いて、第二層の金属配線の配線間の間隔を第一層の金属
配線のそれよりも広く、第二層の金属配線の厚みを第一
層の金属配線のそれよりも厚くしたものである。
いて、第二層の金属配線の配線間の間隔を第一層の金属
配線のそれよりも広く、第二層の金属配線の厚みを第一
層の金属配線のそれよりも厚くしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、金属配線同士の接触な
しに配線間隔を狭くしつつ、占有面積及び直列抵抗が小
さく、且つインダクタンスが大きいスパイラルインダク
タを得るために、金属配線を２層構造とし、第１層の金
属配線はその厚みを薄く、且つその配線間隔を狭くし、
第２層の金属配線はその厚みを第１層の金属配線のそれ
よりも厚く、且つその配線間隔を第１層の金属配線のそ
れよりも広くすると共に、引出し配線と第１層の金属配
線とがインダクタのスパイラル中心部以外の交差部で接
触しないようにスパイラル中心部から外側への引出し配
線と第１層の金属配線との間に絶縁膜を設ける構造にす
る。
しに配線間隔を狭くしつつ、占有面積及び直列抵抗が小
さく、且つインダクタンスが大きいスパイラルインダク
タを得るために、金属配線を２層構造とし、第１層の金
属配線はその厚みを薄く、且つその配線間隔を狭くし、
第２層の金属配線はその厚みを第１層の金属配線のそれ
よりも厚く、且つその配線間隔を第１層の金属配線のそ
れよりも広くすると共に、引出し配線と第１層の金属配
線とがインダクタのスパイラル中心部以外の交差部で接
触しないようにスパイラル中心部から外側への引出し配
線と第１層の金属配線との間に絶縁膜を設ける構造にす
る。
【００１１】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【実施例】本発明のスパイラルインダクタの第一の実施
例を図３を用いて説明する。その構造は、図３（ｄ）に
示すように、本発明のスパイラルインダクタＳＩは、金
属配線を下層である第１層の金属配線５１とその上層で
ある第２層の金属配線５２との２層構造とし、第１層の
金属配線５１はその厚みｃを薄く、且つその配線間隔ｂ
を狭くし、第２層の金属配線５２はその厚みｃを第１層
の金属配線５１のそれよりも厚く、且つその配線間隔ｂ
を第１層の金属配線５１のそれよりも広くすると共に、
スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１
層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパ
イラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引
出し配線２１と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６
を設ける。
例を図３を用いて説明する。その構造は、図３（ｄ）に
示すように、本発明のスパイラルインダクタＳＩは、金
属配線を下層である第１層の金属配線５１とその上層で
ある第２層の金属配線５２との２層構造とし、第１層の
金属配線５１はその厚みｃを薄く、且つその配線間隔ｂ
を狭くし、第２層の金属配線５２はその厚みｃを第１層
の金属配線５１のそれよりも厚く、且つその配線間隔ｂ
を第１層の金属配線５１のそれよりも広くすると共に、
スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１
層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパ
イラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引
出し配線２１と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６
を設ける。
【００１２】前述のような構造を有するスパイラルイン
ダクタＳＩの図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示す工程から
なる製造方法を、以下説明する。
ダクタＳＩの図３（ａ）乃至図３（ｄ）に示す工程から
なる製造方法を、以下説明する。
【００１３】図３（ａ）に示すように、先ず、GaAs等の
化合物半導体からなる半絶縁性基板１上に、スパイラル
インダクタＳＩの引出し電極部となるスパイラル中心部
Ｃから外部への引出し配線２１及びスパイラル外端部の
引出し配線２２を形成する。この引出し配線２は、厚み
ｃが0.5 μｍ、幅ａが10μｍのTi／Au製である。
化合物半導体からなる半絶縁性基板１上に、スパイラル
インダクタＳＩの引出し電極部となるスパイラル中心部
Ｃから外部への引出し配線２１及びスパイラル外端部の
引出し配線２２を形成する。この引出し配線２は、厚み
ｃが0.5 μｍ、幅ａが10μｍのTi／Au製である。
【００１４】次ぎに、図３（ｂ）に示すように、スパイ
ラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と後述第１層
の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイ
ラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように既に形成
された前記引出し配線２１を覆うように絶縁膜６を形成
する。絶縁膜６は、例えば、厚み 3μｍのポリイミド膜
である。
ラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と後述第１層
の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイ
ラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように既に形成
された前記引出し配線２１を覆うように絶縁膜６を形成
する。絶縁膜６は、例えば、厚み 3μｍのポリイミド膜
である。
【００１５】次ぎに、図３（ｃ）に示すように、２層の
金属配線からなるスパイラルインダクタＳＩの中の下層
である第１層の金属配線５１を蒸着法により形成する。
前記金属配線５１は、その材質がTi／Auで、厚みｃが0.
5 μｍ、幅ａが10μｍ、配線間隔ｂが 1μｍである。
金属配線からなるスパイラルインダクタＳＩの中の下層
である第１層の金属配線５１を蒸着法により形成する。
前記金属配線５１は、その材質がTi／Auで、厚みｃが0.
5 μｍ、幅ａが10μｍ、配線間隔ｂが 1μｍである。
【００１６】次ぎに、図３（ｄ）に示すように、第１層
の金属配線５１の上に、第２層の金属配線５２を金メッ
キ法により形成する。前記金属配線５２は、その材質が
Auで、厚みｃが10μｍ、幅ａが 6μｍ、配線間隔ｂが 5
μｍである。
の金属配線５１の上に、第２層の金属配線５２を金メッ
キ法により形成する。前記金属配線５２は、その材質が
Auで、厚みｃが10μｍ、幅ａが 6μｍ、配線間隔ｂが 5
μｍである。
【００１７】その結果、前記のようにインダクタを構成
する金属配線を第１層の金属配線５１とその上に形成さ
れた第２層の金属配線５２との２層とし、スパイラル中
心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１層の金属配線
５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイラル中心部
Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引出し配線２１
と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６を設けた構造
とし、第１層の金属配線５１はその厚みｃが0.5 μｍと
薄いので、配線間隔ｂが 1μｍと狭くしても、一般的な
光リソグラフィー技術を用いた製造方法により、金属配
線間で接触のないパターンを充分形成することができ
る。また、第２層の金属配線５２は配線間隔ｂが 5μｍ
と広いので、厚みｃが10μｍというような厚い金属配線
を選択的に金メッキ形成する際に用いられる厚み約12μ
ｍのフォトレジストパターンを充分形成することができ
る。更に、第２層の金属配線５２は、厚みｃが10μｍと
厚いので、インダクタの低抵抗化を図ることができる。
する金属配線を第１層の金属配線５１とその上に形成さ
れた第２層の金属配線５２との２層とし、スパイラル中
心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１層の金属配線
５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイラル中心部
Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引出し配線２１
と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６を設けた構造
とし、第１層の金属配線５１はその厚みｃが0.5 μｍと
薄いので、配線間隔ｂが 1μｍと狭くしても、一般的な
光リソグラフィー技術を用いた製造方法により、金属配
線間で接触のないパターンを充分形成することができ
る。また、第２層の金属配線５２は配線間隔ｂが 5μｍ
と広いので、厚みｃが10μｍというような厚い金属配線
を選択的に金メッキ形成する際に用いられる厚み約12μ
ｍのフォトレジストパターンを充分形成することができ
る。更に、第２層の金属配線５２は、厚みｃが10μｍと
厚いので、インダクタの低抵抗化を図ることができる。
【００１８】本発明のスパイラルインダクタの第二の実
施例を図４を用いて説明する。その構造は、図４（ｅ）
に示すように、本発明のスパイラルインダクタＳＩは、
金属配線を下層である第２層の金属配線５２とその上層
である第１層の金属配線５１との２層構造とし、第１層
の金属配線５１はその厚みｃを薄く、且つその配線間隔
ｂを狭くし、第２層の金属配線５２はその厚みｃを第１
層の金属配線５１のそれよりも厚く、且つその配線間隔
ｂを第１層の金属配線５１のそれよりも広くすると共
に、スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２と第
１層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのス
パイラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように前記
引出し配線２と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６
を設ける。
施例を図４を用いて説明する。その構造は、図４（ｅ）
に示すように、本発明のスパイラルインダクタＳＩは、
金属配線を下層である第２層の金属配線５２とその上層
である第１層の金属配線５１との２層構造とし、第１層
の金属配線５１はその厚みｃを薄く、且つその配線間隔
ｂを狭くし、第２層の金属配線５２はその厚みｃを第１
層の金属配線５１のそれよりも厚く、且つその配線間隔
ｂを第１層の金属配線５１のそれよりも広くすると共
に、スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２と第
１層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのス
パイラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように前記
引出し配線２と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６
を設ける。
【００１９】前述のような構造を有するスパイラルイン
ダクタＳＩの図４（ａ）乃至図４（ｅ）に示す工程から
なる製造方法を、以下説明する。
ダクタＳＩの図４（ａ）乃至図４（ｅ）に示す工程から
なる製造方法を、以下説明する。
【００２０】図４（ａ）に示すように、先ず、GaAs等の
化合物半導体からなる半絶縁性基板１に第２層の金属膜
５２を埋設するための溝７をエッチング等により形成す
る。この溝７は、前記第一の実施例における第２層の金
属膜５２と同様のもので、平面形状がスパイラル状で、
深さｃが第一の実施例のものの厚みに相当し、配線間隔
ｂである。
化合物半導体からなる半絶縁性基板１に第２層の金属膜
５２を埋設するための溝７をエッチング等により形成す
る。この溝７は、前記第一の実施例における第２層の金
属膜５２と同様のもので、平面形状がスパイラル状で、
深さｃが第一の実施例のものの厚みに相当し、配線間隔
ｂである。
【００２１】次ぎに、図４（ｂ）に示すように、半絶縁
性基板１に形成された溝７を金メッキ法により金で埋設
することにより、第２層の金属配線５２を形成する。前
記金属配線５２は、その材質がAuで、厚みｃが10μｍ、
幅ａが 6μｍ、配線間隔ｂが5μｍである。
性基板１に形成された溝７を金メッキ法により金で埋設
することにより、第２層の金属配線５２を形成する。前
記金属配線５２は、その材質がAuで、厚みｃが10μｍ、
幅ａが 6μｍ、配線間隔ｂが5μｍである。
【００２２】次ぎに、図４（ｃ）に示すように、半絶縁
性基板１の第２層の金属配線５２の上に第１層の金属配
線５１を蒸着法により形成する。前記金属配線５１は、
その材質がTi／Auで、厚みｃが0.5 μｍ、幅ａが10μ
ｍ、配線間隔ｂが 1μｍである。
性基板１の第２層の金属配線５２の上に第１層の金属配
線５１を蒸着法により形成する。前記金属配線５１は、
その材質がTi／Auで、厚みｃが0.5 μｍ、幅ａが10μ
ｍ、配線間隔ｂが 1μｍである。
【００２３】次ぎに、図４（ｄ）に示すように、後述の
スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１
層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパ
イラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように第１層
の金属配線５１を覆うように絶縁膜６を形成する。絶縁
膜６は、例えば、厚み 3μｍのポリイミド膜である。
スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１
層の金属配線５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパ
イラル中心部Ｃ以外の交差部で接触しないように第１層
の金属配線５１を覆うように絶縁膜６を形成する。絶縁
膜６は、例えば、厚み 3μｍのポリイミド膜である。
【００２４】次ぎに、図４（ｅ）に示すように、前記絶
縁膜６を覆うように、スパイラル中心部Ｃから外部への
引出し配線２１及びスパイラル外端部の引出し配線２２
を形成する。この引出し配線２１及び２２は、厚みｃが
0.5 μｍ、幅ａが10μｍのTi／Au製である。
縁膜６を覆うように、スパイラル中心部Ｃから外部への
引出し配線２１及びスパイラル外端部の引出し配線２２
を形成する。この引出し配線２１及び２２は、厚みｃが
0.5 μｍ、幅ａが10μｍのTi／Au製である。
【００２５】その結果、前記のようにインダクタを構成
する金属配線を第２層の金属配線５２とその上に形成さ
れた第１層の金属配線５１との２層とし、スパイラル中
心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１層の金属配線
５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイラル中心部
Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引出し配線２１
と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６を設けた構造
とし、第１層の金属配線５１はその厚みｃが0.5 μｍと
薄いので、配線間隔ｂが 1μｍと狭くしても、一般的な
光リソグラフィー技術を用いた製造方法により、金属配
線間で接触のないパターンを充分形成することができ
る。また、第２層の金属配線５２は配線間隔ｂが 5μｍ
と広いので、厚みｃが10μｍというような厚い金属配線
を選択的に金メッキ形成する際に用いられる厚み約12μ
ｍのフォトレジストパターンを充分形成することができ
る。更に、第２層の金属配線５２は、厚みｃが10μｍと
厚いので、インダクタの低抵抗化を図ることができる。
する金属配線を第２層の金属配線５２とその上に形成さ
れた第１層の金属配線５１との２層とし、スパイラル中
心部Ｃから外部への引出し配線２１と第１層の金属配線
５１とがスパイラルインダクタＳＩのスパイラル中心部
Ｃ以外の交差部で接触しないように前記引出し配線２１
と第１層の金属配線５１との間に絶縁膜６を設けた構造
とし、第１層の金属配線５１はその厚みｃが0.5 μｍと
薄いので、配線間隔ｂが 1μｍと狭くしても、一般的な
光リソグラフィー技術を用いた製造方法により、金属配
線間で接触のないパターンを充分形成することができ
る。また、第２層の金属配線５２は配線間隔ｂが 5μｍ
と広いので、厚みｃが10μｍというような厚い金属配線
を選択的に金メッキ形成する際に用いられる厚み約12μ
ｍのフォトレジストパターンを充分形成することができ
る。更に、第２層の金属配線５２は、厚みｃが10μｍと
厚いので、インダクタの低抵抗化を図ることができる。
【００２６】なお、本実施例においてはスパイラルイン
ダクタＳＩの平面形状を、四角形状のスパイラルとした
が、丸型のスパイラルとしてもよい。
ダクタＳＩの平面形状を、四角形状のスパイラルとした
が、丸型のスパイラルとしてもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、スパイラルインダクタを、金
属配線を下層又は上層である第１層の金属配線と上層又
は下層である第２層の金属配線とからなる２層構造と
し、第１層の金属配線はその厚みｃを薄く、且つその配
線間隔ｂを狭くし、第２層の金属配線はその厚みｃを第
１層の金属配線のそれよりも厚く、且つその配線間隔ｂ
を第１層の金属配線のそれよりも広くすることにより、
スパイラルインダクタの占有面積及び直列抵抗を小さく
しつつ、インダクタンスを大きくすることができる。
属配線を下層又は上層である第１層の金属配線と上層又
は下層である第２層の金属配線とからなる２層構造と
し、第１層の金属配線はその厚みｃを薄く、且つその配
線間隔ｂを狭くし、第２層の金属配線はその厚みｃを第
１層の金属配線のそれよりも厚く、且つその配線間隔ｂ
を第１層の金属配線のそれよりも広くすることにより、
スパイラルインダクタの占有面積及び直列抵抗を小さく
しつつ、インダクタンスを大きくすることができる。
【００２８】更に、本発明は、スパイラル中心部から外
部への引出し配線と第１層の金属配線との間に絶縁膜を
設けることにより、スパイラルインダクタがスパイラル
中心部Ｃ以外の交差部で前記引出し配線と接触すること
がないので、スパイラルインダクタの配線間での接触を
防止することができる。
部への引出し配線と第１層の金属配線との間に絶縁膜を
設けることにより、スパイラルインダクタがスパイラル
中心部Ｃ以外の交差部で前記引出し配線と接触すること
がないので、スパイラルインダクタの配線間での接触を
防止することができる。
【図１】本発明のスパイラルインダクタの第一の実施例
の平面図及び断面図（平面図上のＡ−Ａ’を切断面とし
た場合）である。
の平面図及び断面図（平面図上のＡ−Ａ’を切断面とし
た場合）である。
【図２】従来のスパイラルインダクタの平面図及び断面
図（平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）である。
図（平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）である。
【図３】本発明のスパイラルインダクタを第一の実施例
により製造した場合の各製造工程における状態を示す断
面図（図１の平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）
である。
により製造した場合の各製造工程における状態を示す断
面図（図１の平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）
である。
【図４】本発明のスパイラルインダクタを第二の実施例
により製造した場合の各製造工程における状態を示す断
面図（図１の平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）
である。
により製造した場合の各製造工程における状態を示す断
面図（図１の平面図上のＡ−Ａ’を切断面とした場合）
である。
ＳＩ スパイラルインダクタ Ｃ スパイラル中心部 １ 半絶縁性基板 ２１ スパイラル中心部Ｃから外部への引出し配線 ２２ スパイラル外端部の引出し配線 ５ 金属配線 ５１ 第一層の金属配線 ５２ 第二層の金属配線 ６ 絶縁膜 ７ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 半絶縁基板上に連続した金属配線がスパ
イラル状に配置されたスパイラルインダクタにおいて、
前記金属配線を、第一層の金属配線と第二層の金属配線
との２層構造としたこと特徴とするスパイラルインダク
タ。 - 【請求項２】 半絶縁基板上に連続した金属配線がスパ
イラル状に配置されたスパイラルインダクタにおいて、
前記金属配線を、第一層の金属配線と第二層の金属配線
との２層構造とし、少なくとも該スパイラルインダクタ
のスパイラル中心部から外部へ引出す引出し配線を設
け、該引出し配線と第一層の金属配線との間に絶縁膜を
設けること特徴とするスパイラルインダクタ。 - 【請求項３】 半絶縁基板上に連続した金属配線がスパ
イラル状に配置されたスパイラルインダクタにおいて、
前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設けられた下
層としての第二層の金属配線と、該第二層の金属配線の
上層として設けられた第一層の金属配線との２層構造と
したこと特徴とするスパイラルインダクタ。 - 【請求項４】 半絶縁基板上に連続した金属配線がスパ
イラル状に配置されたスパイラルインダクタにおいて、
前記金属配線を、前記基板内に埋設状態で設けられた下
層としての第二層の金属配線と、該第二層の金属配線の
上層として設けられた第一層の金属配線との２層構造と
し、少なくとも該スパイラルインダクタのスパイラル中
心部から外部へ引出す引出し配線を設け、該引出し配線
と第一層の金属配線との間に絶縁膜を設けること特徴と
するスパイラルインダクタ。 - 【請求項５】 第二層の金属配線の配線間の間隔を第一
層の金属配線のそれよりも広く、第二層の金属配線の厚
みを第一層の金属配線のそれよりも厚くしたこと特徴と
する前記請求項１、２、３又は４記載のスパイラルイン
ダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557897A JPH10270248A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | スパイラルインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8557897A JPH10270248A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | スパイラルインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270248A true JPH10270248A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13862705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8557897A Pending JPH10270248A (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | スパイラルインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270248A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020039016A (ko) * | 2000-11-20 | 2002-05-25 | 황인길 | 멀티라인구조를 갖는 나선형 인덕터 및 제조방법 |
| KR100598113B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 인덕터 및 인덕터 형성 방법 |
| US7176756B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-02-13 | Tdk Corporation | Inductor element containing circuit board and power amplifier module |
| JP2014222707A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 日東電工株式会社 | コイルプリント配線基板、受電モジュール、電池ユニットおよび受電通信モジュール |
-
1997
- 1997-03-21 JP JP8557897A patent/JPH10270248A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020039016A (ko) * | 2000-11-20 | 2002-05-25 | 황인길 | 멀티라인구조를 갖는 나선형 인덕터 및 제조방법 |
| US7176756B2 (en) | 2003-12-26 | 2007-02-13 | Tdk Corporation | Inductor element containing circuit board and power amplifier module |
| US7368998B2 (en) | 2003-12-26 | 2008-05-06 | Tdk Corporation | Inductor element containing circuit board and power amplifier module |
| KR100598113B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | 인덕터 및 인덕터 형성 방법 |
| JP2014222707A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 日東電工株式会社 | コイルプリント配線基板、受電モジュール、電池ユニットおよび受電通信モジュール |
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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| A02 | Decision of refusal |
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