DE102012111786A1 - Hybrid-Verbindungsaufbau und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents
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Abstract
Ein Bauteil umfasst eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert und eine Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert. Das Bauteil umfasst weiterhin eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert sowie eine Aluminium enthaltende Metallleitung über und in elektrischem Kontakt mit der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung. Die Aluminium enthaltende Metallleitung ist in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet.
Description
- Hintergrund
- Moderne integrierte Schaltkreise sind aus Transistoren, Kondensatoren und anderen auf Halbleitersubstraten ausgebildeten Bauteilen aufgebaut. Anfänglich sind diese Bauteile auf einem Substrat voneinander isoliert, werden jedoch später miteinander verbunden, um funktionale Schaltkreise auszubilden. Typische Verbindungsstrukturen umfassen laterale Verbindungen, wie Metallleitungen (Verdrahtungen) und vertikale Verbindungen, wie Durchkontaktierungen und Kontakte. Die Qualität der Verbindungsstrukturen beeinflusst die Leistungsfähigkeit und die Zuverlässigkeit des hergestellten Schaltkreises. Verbindungen bestimmen zunehmend die Grenzen der Leistungsfähigkeit und Dichte moderner integrierter Schaltkreise.
- Die Verbindungsstrukturen können Wolframstecker und Aluminiumleitungen umfassen. Bei neueren Generationen integrierter Schaltkreise werden ebenfalls Demaszen-Strukturen, welche Kupferleitungen und Durchkontaktierungen umfassen, die unter Verwendung eines doppelten Demaszen-Prozesses ausgebildet sind, verwendet, um die Verbindungsstrukturen auszubilden.
- Abriss
- Die Erfindung stellt ein Bauteil bereit, das aufweist: eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert; eine Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und eine Aluminium enthaltende Metallleitung über und elektrisch verbunden mit der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung, wobei die Aluminium enthaltende Metallleitung innerhalb der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet ist.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine leitfähige Sperrschicht auf, wobei die leitfähige Sperrschicht aufweist: einen unteren Abschnitt, der unterhalb der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung liegt; sowie Seitenwandabschnitte auf Seitenwänden der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung.
- Bei zumindest einer Ausführungsform ist die leitfähige Sperrschicht eine kein Kupfer enthaltende Schicht.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine kein Aluminium enthaltende leitfähige Sperrschicht zwischen der Aluminium enthaltenden Metallleitung und der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung auf, wobei die kein Aluminium aufweisende leitfähige Sperrschicht und die Aluminium enthaltende Metallleitung aneinandergrenzen.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine dielektrische Sperrschicht auf, die aufweist: erste Abschnitte auf Seitenwänden der Aluminium enthaltenden Metallleitung; und einen zweiten Abschnitt, der die Aluminium enthaltende Metallleitung überlappt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist der zweite Abschnitt der dielektrischen Sperrschicht eine Unterseite auf, die eine Oberseite der Aluminium enthaltenden Metallleitung berührt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine zusätzliche kein Aluminium enthaltende leitfähige Sperrschicht über und in Kontakt mit der Aluminium enthaltenden Metallleitung auf, wobei der zweite Abschnitt der dielektrischen Sperrschicht eine Unterseite aufweist, die eine Oberseite der zusätzliche kein Aluminium enthaltenden leitfähigen Sperrschicht kontaktiert.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin auf: eine dritte dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und eine Metallleitung sowie eine Durchkontaktierung in der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die Metallleitung und die Durchkontaktierung eine doppelte Demaszen-Struktur ausbilden.
- Die Erfindung stellt weiterhin ein Bauteil zur Verfügung, das aufweist: eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert; eine erste Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und eine erste leitfähige Leitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und in elektrischem Kontakt mit der ersten Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung, wobei die erste leitfähige Leitung aufweist: eine erste leitfähige Sperrschicht; und eine erste Aluminium enthaltende Metallleitung über der ersten leitfähigen Sperrschicht; und eine dielektrische Sperrschicht, die aufweist: erste Abschnitte auf Seitenwänden der ersten Aluminium enthaltenden Metallleitung; einen zweiten Abschnitt, der die erste Aluminium enthaltende Metallleitung überlappt; und einen dritten Abschnitt, der unter der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine Vielzahl Metallschichten über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert auf, wobei sämtliche Metallschichten über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und in den dielektrischen Schichten mit niedrigem k-Wert doppelte Demaszen-Strukturen ausbilden, einher mit entsprechenden darunter liegenden Durchkontaktierungen.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin auf: eine dritte dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert, die unter der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt; eine zweite Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die zweite Kupfer enthaltende Durchkontaktierung eine einzelne Demaszen-Struktur aufweist; eine vierte dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert unterhalb der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und die unterhalb der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt; und eine zweite leitfähige Leitung in der vierten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die zweite leitfähige Leitung aufweist: eine zweite leitfähige Sperrschicht; und eine zweite Aluminium enthaltende Metallleitung über der zweiten leitfähigen Sperrschicht.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist die dielektrische Sperrschicht eine Unterseite auf, die eine Oberseite der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert berührt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin eine Ätzstoppschicht auf, die zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet ist, wobei die dielektrische Sperrschicht aufweist: eine Unterseite, die eine Oberseite der Ätzstoppschicht berührt; und eine Oberseite, die eine Unterseite der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert berührt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Bauteil weiterhin Kanten der ersten leitfähigen Sperrschicht auf, die entlang entsprechender Kanten der ersten Aluminium enthaltenden Metallleitung ausgerichtet sind.
- Die Erfindung stellt weiterhin ein Verfahren bereit, das aufweist: Ausbilden einer ersten Durchkontaktierung in einer ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert unter Verwendung eines einzigen Demaszen-Prozesses; Abscheiden einer Aluminium enthaltenden Schicht über der ersten Durchkontaktierung; Strukturierung der Aluminium enthaltenden Schicht, um eine Aluminium enthaltende Leitung auszubilden, wobei die Aluminium enthaltende Leitung mit der ersten Durchkontaktierung elektrisch verbunden wird; und Ausbilden einer zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die Aluminium enthaltende Leitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet ist.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren weiterhin vor dem Abscheiden der Aluminium enthaltenden Schicht das Ausbilden einer leitfähigen Sperrschicht über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert auf, wobei die leitfähige Sperrschicht und die Aluminium enthaltende Schicht derart strukturiert sind, dass sie aneinandergrenzen.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren weiterhin nach dem Abscheiden der Aluminium enthaltenden Schicht das Ausbilden einer leitfähigen Sperrschicht über der Aluminium enthaltenden Schicht auf, wobei die leitfähige Sperrschicht und die Aluminium enthaltende Schicht derart strukturiert sind, dass sie aneinandergrenzen.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren weiterhin nach dem Schritt des Strukturierens der Aluminium enthaltenden Schicht und vor dem Schritt des Ausbildens der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert das Ausbilden einer dielektrischen Sperrschicht auf, wobei die dielektrische Sperrschicht aufweist: erste Abschnitte auf Seitenwänden der Aluminium enthaltenden Schicht; und einen zweiten Abschnitt, der die Aluminium enthaltende Schicht überlappt.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren weiterhin auf: Ausbilden einer dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und Durchführen eines doppelten Demaszen-Prozesses, der aufweist: Ausbilden einer Durchkontaktierungsöffnung und einer Grabenöffnung in der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; Füllen eines Metall enthaltenden Materials in die Durchkontaktierungsöffnung und die Grabenöffnung; und Durchführen eines chemischmechanischen Polierprozesses (CMP) auf dem Metall enthaltenden Material, wobei verbleibende Anteile des Metall enthaltenden Materials eine zweite Durchkontaktierung in der Durchkontaktierungsöffnung und eine Metallleitung in dem Graben ausbilden.
- Bei zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren weiterhin auf: Ausbilden einer Ätzstoppschicht zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und vor dem Schritt des Abscheidens der Aluminium enthaltenden Schicht Strukturieren der Ätzstoppschicht, um einen Anteil der Ätzstoppschicht zu entfernen, welcher die erste Durchkontaktierung überlappt.
- Kurze Beschreibung der Figuren
- Für ein umfassenderes Verständnis der Ausführungsformen und deren Vorteile wird nunmehr in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen Bezug auf die nachstehende Beschreibung genommen, wobei:
- Die
1 bis11 sind Querschnittsansichten von Zwischenschritten bei der Herstellung einer Verbindungsstruktur gemäß einigen beispielhaften Ausführungsformen. - Detaillierte Beschreibung der veranschaulichenden Ausführungsformen
- Nachstehend sind die Herstellung und die Verwendung der Ausführungsformen der Offenbarung im Detail diskutiert. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die Ausführungsformen eine Vielzahl anwendbarer erfindungsgemäßer Konzepte bereitstellen, die in einer breiten Vielfalt spezifischer Anwendungen verwendet werden können. Die diskutierten spezifischen Ausführungsformen sind lediglich veranschaulichend und beschränken nicht den Umfang der Offenbarung.
- Eine Verbindungsstruktur und das Verfahren zur Ausbildung derselben werden gemäß unterschiedlicher beispielhafter Ausführungsformen dargelegt. Die Zwischenschritte bei der Ausbildung der Verbindungsstruktur werden veranschaulicht. Abwandlungen der Ausführungsformen werden diskutiert. Über die verschiedenen Ansichten und veranschaulichenden Ausführungsformen hinweg werden dieselben Bezugszeichen dazu verwendet, dieselben Elemente zu kennzeichnen.
- Die
1 veranschaulicht einen Wafer100 , welcher ein Halbleitersubstrat10 umfasst. Das Halbleitersubstrat10 kann aus Silizium, Germanium, Silizium-Germanium, III-V-Verbindungshalbleitern oder dergleichen ausgebildet sein. Aktive und passive Bauteile12 , wie Transistoren, Kondensatoren, Widerstände und dergleichen, können angrenzend an die Oberseite des Halbleitersubstrats10 ausgebildet sein. - Die
1 veranschaulicht ebenfalls die Ausbildung des Zwischenschichtdielektrikums (ILD)14 und der Kontaktstecker16 . Das ILD14 kann unter Verwendung von Phospho-Silikat-Glas (PSG), Boro-Silikat-Glas (BSG), Bor-dotiertem Phospho-Silikat-Glas (BPSG), Tetraethyl-Orthosilikat(TEOS)-Oxid oder dergleichen ausgebildet sein. Die Kontaktstecker16 , welche Wolfram aufweisen können, können innerhalb des ILD14 ausgebildet und mit den Bauteilen12 verbunden sein. Eine dielektrische Schicht20 ist über dem ILD14 ausgebildet. Die dielektrische Schicht20 wird alternativ als eine Zwischenmetalldielektrikums(IMD)-Schicht bezeichnet. Bei manchen Ausführungsformen weist die IMD-Schicht20 ein dielektrisches Material mit niedrigem k-Wert auf, welches eine dielektrische Konstante (k-Wert) aufweist, die kleiner als 3,9 ist. Der k-Wert der IMD-Schicht20 kann ebenfalls kleiner als ungefähr 3,0 oder kleiner als ungefähr 2,5 sein. - Metallleitungen
22 sind innerhalb der IMD-Schicht20 ausgebildet. Über die Beschreibung hinweg werden die Metallleitungen in einer IMD-Schicht zusammenfassend als eine Metallschicht bezeichnet. Dementsprechend befinden sich Metallleitungen22 in der unteren Metallschicht M1. Metallleitungen22 können unter Verwendung eines einzigen Demaszen- Prozesses ausgebildet sein, welcher dem in den1 und2 gezeigten ähnelt. Bei manchen Ausführungsformen werden die Metallleitungen22 durch Abscheiden und Ätzen einer Aluminium enthaltenden Schicht (wie AlCu) und Strukturieren der Aluminium enthaltenden Schicht ausgebildet. Bei alternativen Ausführungsformen werden die Metallleitungen22 unter Verwendung eines einzelnen Demaszen-Prozesses ausgebildet und können daher eine Sperrschicht22A und eine Kupfer enthaltende Schicht22B über der Sperrschicht22A aufweisen. Die Sperrschicht22A kann Titan, Titan-Nitrid, Tantal, Tantal-Nitrid oder andere Alternativen aufweisen. Die Metallleitungen22 können beispielsweise eine Dicke T1 zwischen ungefähr 10 nm und ungefähr 50 nm und eine Breite W1 zwischen ungefähr 8 nm und ungefähr 30 nm aufweisen. - Nochmals mit Bezug auf
1 wird die IMD-Schicht24 über der IMD20 ausgebildet. Bei manchen Ausführungsformen weist die IMD-Schicht24 eine dielektrische Konstante (k-Wert) auf, die weniger als ungefähr 3,5 ist und daher über die Beschreibung hinweg als IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert bezeichnet wird. Der k-Wert der IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert kann ebenfalls niedriger als ungefähr 2,8 sein. Bei manchen Ausführungsformen umfasst die IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert Sauerstoff, Silizium, Stickstoff und dergleichen. Die beispielhaften Materialien umfassen Kohlenstoff enthaltende Materialien, Organo-Silikat-Glas, Porogen-enthaltende Materialien und dergleichen. In der IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert können Poren ausgebildet werden, um ihren k-Wert zu verringern. Die IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert kann unter Verwendung eines chemischen Dampfabscheidungsverfahrens (CVD), wie eines plasmaverstärktem CVD (PECVD), abgeschieden werden, obwohl auch andere Abscheidungsverfahren, wie Niederdruck-CVD (LPCVD), CVD atomarer Schichten (ALCVD) und Spin-on ebenfalls verwendet werden können. - Ein einziger Demaszen-Prozess ist in den
1 und2 gezeigt. In1 werden Durchkontaktierungsöffnungen26 in der IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert durch Ätzen der IMD-Schicht24 ausgebildet. Bei manchen Ausführungsformen wird eine Ätzstoppschicht (nicht dargestellt) unterhalb der IMD-Schicht24 und oberhalb der IMD-Schicht20 ausgebildet, wobei die Ätzstoppschicht Nitrid-, ein Silizium- und ein Kohlenstoff-basiertes Dielektrikum, ein Kohlenstoff-dotiertes Oxid oder dergleichen umfassen kann. - Die
2 veranschaulicht das Füllen der Durchkontaktierungsöffnungen26 , um die Durchkontaktierungen32 auszubilden. Bei manchen Ausführungsformen wird zunächst eine Diffusionsstoppschicht28 ausgebildet, welche eine Deckschicht mit Anteilen in den Durchkontaktierungsöffnungen26 und Anteilen über der IMD-Schicht24 ist. Eine Saatschicht (nicht dargestellt, verschmolzen mit Kupfer enthaltendem Material30 ) wird dann oberhalb der Diffusionsstoppschicht28 ausgebildet, gefolgt von einem Platierungsschritt, um Kupfer enthaltendes Material30 auszubilden, so lange, bis die Oberseite des Kupfer enthaltenden Materials30 höher als die Oberseite der IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert ist. Die Diffusionsdeckschicht28 kann Titan, Titan-Nitrid, Tantal, Tantal-Nitrid oder andere Alternativen aufweisen. Das Kupfer enthaltende Material kann bei manchen beispielhaften Ausführungsformen mehr als90 AT%, mehr als95 AT% oder mehr als99 AT% Kupfer aufweisen. Als nächstes wird ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP) angewendet, um überschüssige Anteile des Kupfer enthaltenden Materials30 und der Diffusionsstoppschicht28 , welche oberhalb der IMD-Schicht24 mit niedrigem k-Wert angeordnet sind, zu entfernen, so dass die Durchkontaktierungen32 in der IMD-Schicht24 zurückbleiben. - Als nächstes wird, wie in
3 gezeigt ist, eine ESL34 , welche aus Siliziumnitrid, Siliziumcarbid oder dergleichen ausgebildet sein kann, über der IMD-Schicht24 und den Durchkontaktierungen32 ausgebildet. Bei alternativen Ausführungsformen wird keine ESL34 ausgebildet. Die ESL34 kann beispielsweise eine Dicke T8 zwischen ungefähr 2 nm und ungefähr 20 nm aufweisen. Weiter wird mit Bezug auf4 ein Stapel leitfähiger Schichten, welcher die leitfähige Sperrschicht36 und die Aluminium enthaltende Schicht38 aufweist, durch einen Abscheidungs- und Strukturierungsprozess ausgebildet. Bei manchen Ausführungsformen ist die leitfähige Sperrschicht40 weiterhin auf der Aluminium enthaltenden Schicht38 ausgebildet. Bei alternativen Ausführungsformen ist die Sperrschicht40 nicht ausgebildet. Die leitfähigen Sperrschichten36 und40 (falls vorhanden) können Titan, Titan-Nitrid, Tantal, Tantal-Nitrid oder andere Alternativen aufweisen. Die Aluminium enthaltende Schicht38 kann bei manchen beispielhaften Ausführungsformen mehr als90 AT%, mehr als95 AT% oder mehr als99 AT% Aluminium aufweisen. Die gestapelten Schichten werden daraufhin strukturiert, um Metallleitungen42 auszubilden, welche mit den entsprechenden darunter liegenden Durchkontaktierungen32 elektrisch verbunden sind (und mit diesen in Kontakt stehen können). Da die Schichten36 ,38 und40 unter Verwendung derselben Lithographiemaske strukturiert worden sind, grenzen die Schichten36 ,38 und40 aneinander, derart, dass die übereinstimmenden Kanten36 ,38 und40 zueinander ausgerichtet sind. Über die Beschreibung hinweg werden die Metallleitungen42 gemeinschaftlich als Metallschicht M2 bezeichnet. In dem Strukturierungsschritt kann die ESL34 und/oder die leitfähige Sperre36 als Ätzstoppschichten verwendet werden. Über die Beschreibung hinweg werden die Durchkontaktierungen32 und die darüber liegenden Metallleitungen42 , deren Ausbildung ein hybrider Prozess ist, der einen einzigen Demaszen-Prozess und einen Abscheide- und Strukturierungsprozess umfasst, in Verbindung miteinander als eine Hybridstruktur bezeichnet. Die leitfähige Sperre36 kann eine Dicke T2 zwischen ungefähr 1 nm und ungefähr 20 nm aufweisen. Die Aluminium enthaltende Schicht38 kann eine Dicke T3 zwischen ungefähr 10 nm und ungefähr 50 nm aufweisen. Die leitfähige Sperrschicht40 kann eine Dicke T4 zwischen ungefähr 1 nm und ungefähr 20 nm aufweisen. Die Metallleitungen42 können beispielsweise eine Breite W2 zwischen ungefähr 8 nm und ungefähr 30 nm aufweisen. -
5 veranschaulicht die Ausbildung der dielektrischen Sperre44 , welche Seitenwandabschnitte auf den Seitenwänden der Metallleitungen42 , obere Abschnitte, die die Metallleitungen42 überlappen, und untere Abschnitte auf der ESL34 aufweist. Die dielektrische Sperre44 kann eine Dicke T5 zwischen ungefähr 1 nm und ungefähr 20 nm aufweisen. Bei manchen Ausführungsformen, bei denen keine leitfähige Sperrschicht40 ausgebildet ist, kontaktieren die oberen Abschnitte der dielektrischen Sperre44 die Oberseiten der Aluminium enthaltenden Schichten38 in den Metallleitungen42 . Andererseits kontaktieren die oberen Abschnitte der dielektrischen Sperre44 die Oberseiten der leitfähigen Sperrschicht40 in den Metallleitungen42 , falls eine leitfähige Sperrschicht40 ausgebildet ist. Die dielektrische Sperre44 kann aus AlOx, AlNx, SiCN, SiN oder dergleichen ausgebildet sein, wobei „x“ einen Wert zwischen 0 und 1 hat. Die dielektrische Sperre44 kann beispielsweise unter Verwendung atomarer Schichtabscheidung (ALD) ausgebildet werden. - Die
6 veranschaulicht die Ausbildung der IMD-Schicht46 . Das Material der IMD-Schicht46 kann aus derselben Gruppe verfügbarer Materialien für die Ausbildung der IMD-Schicht24 und/oder der IMD-Schicht20 ausgebildet sein. Bei manchen Ausführungsformen wird die IMD-Schicht26 unter Verwendung eines Spin-on-Dielektrikums (SOD), welches einen niedrigen k-Wert aufweist, ausgebildet. Bei alternativen Ausführungsformen wird die IMD-Schicht46 unter Verwendung chemischer Dampfabscheidung (CVD), wie PECVD, LPCVD, ALCVD oder dergleichen ausgebildet. Aus dem CVD-Verfahren resultiert, dass eine Fehlstelle48 in der IMD-Schicht46 ausgebildet werden kann, wobei zwischen benachbarten Fehlstellen48 der effektive k-Wert der IMD-Schicht46 herabgesetzt werden kann, wodurch ebenfalls die parasitäre Kapazität zwischen den Metallleitungen42 herabgesetzt wird. Bei den Ausführungsformen, bei welchen das CVD-Verfahren zur Ausbildung der IMD-Schicht46 verwendet wird, kann ein CMP-Prozess oder ein Schleifprozess durchgeführt werden, um die Oberseite der IMD-Schicht einzuebnen. Bei den Ausführungsformen, bei denen das SOD für die Ausbildung der IMD-Schicht46 verwendet wird, kann der CMP- oder der Schleifprozess durchgeführt oder weggelassen werden. Die Oberseite der IMD-Schicht46 ist höher als die Oberseite der Metallleitungen42 und die oberen Abschnitte der dielektrischen Sperrschicht44 . - In
7 werden die Durchkontaktierungen50 unter Verwendung eines einzigen Demaszen-Prozesses ausgebildet, wobei die Ausbildung im Wesentlichen dieselbe wie die in den1 und5 gezeigte sein kann. Die Durchkontaktierungen50 werden in der IMD-Schicht46 ausgebildet und sie sind mit den darunter liegenden Metallleitungen42 elektrisch verbunden. Die Durchkontaktierungen50 treten durch die dielektrische Schicht40 hindurch, um sich mit den Metallleitungen42 elektrisch zu verbinden. In einem darauffolgenden Schritt werden, wie es in8 gezeigt ist, die Metallleitungen52 ausgebildet, wobei der Ausbildungsprozess im Wesentlichen derselbe wie der Ausbildungsprozess der Metallleitungen42 sein kann. Die dielektrische Sperrschicht47 kann daraufhin ausgebildet werden, beispielsweise mit Hilfe eines ähnlichen Materials und einer ähnlichen Dicke wie die dielektrische Sperrschicht44 . Die Metallleitungen52 werden gemeinschaftlich als eine Metallschicht M3 bezeichnet. Jede der Metallleitungen52 umfasst eine leitfähige Sperrschicht54 und eine Aluminium enthaltende Schicht56 über der leitfähigen Sperrschicht54 . Die Aluminium enthaltende Schicht56 kann beispielsweise eine Dicke T6 zwischen ungefähr 10 nm und ungefähr 50 nm und eine Breite W3 zwischen ungefähr 8 nm und ungefähr 30 nm aufweisen. Die leitfähige Sperrschicht54 und die Aluminium enthaltende Schicht56 können unter Verwendung des im Wesentlichen selben Verfahrens und derselben Materialien wie die leitfähige Sperrschicht36 bzw. die Aluminium enthaltende Schicht38 ausgebildet werden. In den veranschaulichenden Ausführungsformen ist keine ESL über der IMD-Schicht46 und unterhalb der dielektrischen Schicht47 ausgebildet, obwohl eine ESL (nicht dargestellt) ausgebildet sein kann, wobei die ESL unter Verwendung eines ähnlichen Materials und einer ähnlichen Dicke wie die ESL34 ausgebildet werden kann. Darüber hinaus wird keine leitfähige Sperrschicht in den veranschaulichenden Ausführungsformen ausgebildet, obwohl eine leitfähige Sperrschicht ähnlich der leitfähigen Sperrschicht40 über und angrenzend an die Aluminium enthaltende Schicht56 ausgebildet werden kann. - Die
9 und10 veranschaulichen die Ausbildung des Restes der dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert bis zu der oberen Metallschicht Mtop (siehe10 ), welche die oberste Metallschicht ist, die in einer dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert ausgebildet ist. Das Symbol „top“ in der Bezeichnung „Mtop“ bezeichnet eine ganze Zahl, welche beispielsweise irgendeine ganze Zahl zwischen ungefähr 3 und ungefähr 5 sein kann. Dementsprechend wird die Metallschicht unterhalb der Metallschicht Mtop als eine Metallschicht Mtop-1 bezeichnet. Bei manchen Ausführungsformen weist jede der Metallschichten M2 bis Mtop und jede der entsprechenden darunter liegenden Durchkontaktierungen die Hybridstruktur auf. Die Hybridstruktur umfasst Durchkontaktierungen, welche unter Verwendung eines einzelnen Demaszen-Prozesses ausgebildet werden, sowie Aluminium enthaltende Metallleitungen über und in Kontakt mit den Durchkontaktierungen, wobei die Aluminium enthaltende Metallleitungen unter Verwendung von Abscheidung und Strukturierung anstelle eines einzelnen Demaszenoder eines doppelten Demaszen-Prozesses ausgebildet wurden. Bei alternativen Ausführungsformen bildet jede der unteren Metallschichten M2 bis Mn (nicht dargestellt) und der entsprechenden darunter liegenden Durchkontaktierungen die Hybridstrukturen, wobei jede der oberen Metallschichten M(n + 1) (nicht dargestellt) bis Mtop unter Verwendung eines doppelten Demaszen-Prozesses ausgebildet wurde, wobei die ganze Zahl n irgendeine ganze Zahl zwischen und einschließlich 2 und (top – 1) sein kann. Z.B. veranschaulichen die9 und10 schematisch einen doppelten Demaszen-Prozess für die Ausbildung der oberen Metallschichten. - Mit Bezug auf
9 wird die IMD-Schicht58 , welche eine dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert ist, ausgebildet. Als nächstes werden Durchkontaktierungsöffnungen60 und Graben62 in der IMD-Schicht58 unter Verwendung von Ätzprozessen ausgebildet. Als nächstes werden, wie es in10 gezeigt ist, die Durchkontaktierungsöffnungen60 und die Graben62 gefüllt, gefolgt von einem CMP-Prozess. Das Füllmaterial kann die leitfähige Sperrschicht64 und das leitfähige Material66 über der leitfähigen Sperrschicht64 umfassen. Die leitfähige Sperrschicht64 kann aus Titan, Titannitrid, Tantal, Tantalnitrid oder dergleichen ausgebildet sein. Die Dicke T7 der leitfähigen Sperrschicht64 kann beispielsweise zwischen ungefähr 5 nm und ungefähr 50 nm liegen. Das leitfähige Material66 kann Kupfer oder eine Kupferlegierung aufweisen. Aus dem Füllschritt und dem CMP-Schritt resultiert, dass die Durchkontaktierungen68 und die Metallleitungen70 in den Durchkontaktierungsöffnungen60 bzw. den Graben62 ausgebildet werden. Die Metallleitungen70 können beispielsweise eine Dicke T9 zwischen ungefähr 100 nm und ungefähr 5000 nm und eine Breite W4 zwischen ungefähr 50 nm und ungefähr 5000 nm aufweisen. - Die
11 veranschaulicht die Ausbildung der dielektrischen Schichten72 , welche keinen niedrigen k-Wert aufweisen, welche aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, undotiertem Silikatglas oder dergleichen ausgebildet sein können. Metallführungen (nicht dargestellt) können in den dielektrischen Schichten72 , welche keinen niedrigen k-Wert aufweisen, ausgebildet und mit den darunter liegenden Metallschichten M1 bis Mtop elektrisch verbunden sein. - Bei den Ausführungsformen können die Metallleitungen in den Verbindungsstrukturen Aluminium enthaltende Metallleitungen aufweisen. Die Aluminium enthaltenden Leitungen, welche hauptsächlich aus Aluminium ausgebildet sind, können, wenn sie Leitungsbreiten zwischen ungefähr 40 nm und ungefähr 50 nm oder weniger aufweisen, einen Leitungswiderstand aufweisen, der geringer als der von Kupferleitungen, welche dieselbe Breite aufweisen, ist. Darüber hinaus wird bei weiterer Verringerung der Leitungsbreite der Aluminiumleitungen der Unterschied zwischen dem Leitungswiderstand der Aluminiumleitungen und dem Leitungswiderstand der Kupferleitungen (welche dieselben Breiten aufweisen) bei zunehmender Reduzierung der Leitungsbreiten zunehmend erhöht. Dementsprechend kann das Einsetzen von Aluminiumleitungen bei geringen Leitungsbreiten zu einem verringerten Leitungswiderstand und einer verringerten RC-Verzögerung führen. Auf der anderen Seite werden die darunter liegenden Durchkontaktierungen unter Verwendung eines einzelnen Demaszen-Prozesses anstelle eines doppelten Demaszen-Prozesses ausgebildet, wenn die Aluminiumleitungen durch Deposition und Strukturierung ausgebildet werden. Dementsprechend ist das Lückenfüllen in den Durchkontaktierungsöffnungen einfacher als das Lückenfüllen sowohl der Graben als auch der Durchkontaktierungsöffnungen in doppelten Demaszen-Prozessen.
- Darüber hinaus können die oberen Metallschichten, wie die Metallschicht Mtop eine größere Leitungsbreite als die darunter liegenden Metallschichten aufweisen. Dementsprechend können die oberen Metallschichten doppelte Demaszen-Prozesse einsetzen, wobei die Metallleitungen in den oberen Metallschichten Kupferleitungen aufweisen, während die unteren Metallschichten die Hybridstrukturen einsetzen können. Dementsprechend werden die Werte für den Leitungswiderstand der oberen Metallschichten und der unteren Metallschichten optimiert.
- Gemäß manchen Ausführungsformen umfasst ein Bauteil eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert, und eine Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert. Das Bauteil umfasst weiterhin eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, und eine Aluminium enthaltende Metallleitung über und in elektrischem Kontakt mit der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung. Die Aluminium enthaltende Metallleitung ist in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet.
- Gemäß anderen Ausführungsformen umfasst ein Bauteil eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert, eine erste Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und eine dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, und eine leitfähige Leitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und elektrisch verbunden mit der ersten Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung. Die leitfähige Leitung umfasst eine leitfähige Sperrschicht und eine Aluminium enthaltende Metallleitung über der leitfähigen Sperrschicht. Eine dielektrische Sperrschicht umfasst erste Abschnitt auf Seitenwänden der Aluminium enthaltende Metallleitung, einen zweiten Abschnitt, der die Aluminium enthaltende Metallleitung überlappt und einen dritten Abschnitt, der unter der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt.
- Gemäß noch anderen Ausführungsformen umfasst das Verfahren das Ausbilden einer ersten Durchkontaktierung in einer ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert unter Verwendung eines einzigen Demaszen-Prozesses, das Abscheiden einer Aluminium enthaltenden Schicht über der ersten Durchkontaktierung und das Strukturieren der Aluminium enthaltenden Schicht, um eine Aluminium enthaltende Leitung auszubilden. Die Aluminium enthaltende Leitung ist mit der ersten Durchkontaktierung elektrisch verbunden. Eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert ist über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert ausgebildet, wobei die Aluminium enthaltende Leitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet ist.
- Obwohl die Ausführungsformen und deren Vorteile hier im Detail beschrieben wurden, sollte verstanden werden, dass verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abwandlungen hiervon gemacht werden können, ohne dass dadurch vom Umfang der Ausführungsformen, wie sie in den anhängenden Ansprüchen angegeben sind, abgewichen wird. Darüber hinaus wird nicht beabsichtigt, den Umfang der vorliegenden Anmeldung auf die bestimmten Ausführungsformen des Prozesses, der Maschine, des Herstellungsverfahrens, der Zusammensetzung der Materie, der Mittel, der Verfahren und Schritte, welche in der Beschreibung angegeben sind, zu beschränken. Wie der Fachmann der Offenbarung ohne weiteres entnehmen wird, können auch derartige Prozesse, Maschinen, Herstellungsverfahren, Zusammensetzungen der Materie, Mittel, Verfahren oder Schritte, welche derzeit bereits existieren oder später noch entwickelt werden, und welche im Wesentliche dieselbe Funktion aufweisen oder im Wesentlichen dasselbe Ergebnis erreichen wie die entsprechenden hier beschriebenen Ausführungsformen, ebenfalls gemäß der Offenbarung verwendet werden können. Dementsprechend sind die anhängenden Ansprüche dazu vorgesehen, derartige Prozesse, Maschinen, Herstellungsverfahren, Zusammensetzungen der Materie, Mittel, Verfahren oder Schritte mit zu umfassen. Darüber hinaus begründet jeder Anspruch eine gesonderte Ausführungsform, wobei Kombinationen verschiedener Ansprüche und Ausführungsformen innerhalb des Umfangs oder Offenbarung liegen sollen.
Claims (10)
- Bauteil, das aufweist: eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert; eine Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und eine Aluminium enthaltende Metallleitung über und in elektrischem Kontakt mit der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung, wobei die Aluminium enthaltende Metallleitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert angeordnet ist.
- Bauteil gemäß Anspruch 1, das weiterhin eine leitfähige Sperrschicht aufweist, wobei die leitfähige Sperrschicht aufweist: einen unteren Abschnitt, der unter der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung liegt; und Seitenwandabschnitte auf Seitenwänden der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung, wobei die leitfähige Sperrschicht eine kein Kupfer enthaltende Schicht ist.
- Bauteil nach einem der vorangegangenen Ansprüche, das weiterhin eine kein Aluminium enthaltende leitfähige Sperrschicht zwischen der Aluminium enthaltenden Metallleitung und der Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung aufweist, wobei die kein Aluminium enthaltende leitfähige Sperrschicht und die Aluminium enthaltende Metallleitung aneinandergrenzen.
- Bauteil nach Anspruch 1, das weiterhin eine dielektrische Sperrschicht aufweist, die aufweist: erste Abschnitte auf Seitenwänden der Aluminium enthaltenden Metallleitung; und einen zweiten Abschnitt, der die Aluminium enthaltende Metallleitung überlappt.
- Bauteil nach Anspruch 4, das weiterhin eine zusätzliche kein Aluminium enthaltende leitfähige Sperrschicht über und in Kontakt mit der Aluminium enthaltenden Metallleitung aufweist, wobei der zweite Abschnitt der dielektrischen Sperrschicht eine Unterseite aufweist, die eine Oberseite der zusätzlichen kein Aluminium aufweisenden leitfähigen Sperrschicht berührt.
- Bauteil, das aufweist: eine erste dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert; eine erste Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; eine zweite dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert über der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert; und eine erste leitfähige Leitung in der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, die mit der ersten Kupfer enthaltenden Durchkontaktierung elektrisch in Kontakt steht, wobei die erste leitfähige Leitung aufweist: eine erste leitfähige Sperrschicht; und eine erste Aluminium enthaltende Metallleitung über der ersten leitfähigen Sperrschicht; und eine dielektrische Sperrschicht, die aufweist: erste Abschnitte auf Seitenwänden der ersten Aluminium enthaltenden Metallleitung; einen zweiten Abschnitt, der die erste Aluminium enthaltende Metallleitung überlappt; und einen dritten Abschnitt, der unter der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt.
- Bauteil nach Anspruch 6, das weiterhin eine Vielzahl Metallschichten über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert aufweist, wobei sämtliche Metallschichten über der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert und in den dielektrischen Schichten mit niedrigem k-Wert doppelte Demaszen-Strukturen nebst entsprechenden darunter liegenden Durchkontaktierungen ausbilden.
- Bauteil nach Anspruch 6 oder 7, das weiterhin aufweist: eine dritte dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert, die unter der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt; eine zweite Kupfer enthaltende Durchkontaktierung in der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die zweite Kupfer enthaltende Durchkontaktierung eine einzelne Demaszen-Struktur aufweist; eine vierte dielektrische Schicht mit niedrigem k-Wert unter der ersten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, die unter der dritten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert liegt; und eine zweite leitfähige Leitung in der vierten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert, wobei die zweite leitfähige Leitung aufweist: eine zweite leitfähige Sperrschicht; und eine zweite Aluminium enthaltende Metallleitung über der zweiten leitfähigen Sperrschicht.
- Bauteil nach einem der Ansprüche 6 bis 8, das weiterhin eine Ätzstoppschicht zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert aufweist, wobei die dielektrische Sperrschicht aufweist: eine Unterseite, die eine Oberseite der Ätzstoppschicht berührt; und eine Oberseite, die eine Unterseite der zweiten dielektrischen Schicht mit niedrigem k-Wert berührt.
- Bauteil nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem Kanten der ersten leitfähigen Sperrschicht entlang entsprechender Kanten der ersten Aluminium enthaltenden Metallschicht ausgerichtet sind.
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