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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum Herstellen
von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung.
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Beschreibung zum Stand der
Technik
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Siliziumcarbid
(SiC) erlaubt die Herstellung von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung,
welche, verglichen mit der Verwendung von herkömmlichem
Silizium (Si), eine höhere Durchschlagspannung-Charakterisik
hat, und welches als ein Material für eine Hochleistungs-Halbleitervorrichtung
der nächsten Generation angesehen wird. Bei der Herstellung
von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung aus einem solchen
Siliziumcarbid, wird, um dessen Leitfähigkeitstyp und Leitfähigkeit
zu steuern, eine n-Typ- oder eine p-Typ-Störstelle in einen
Siliziumcarbid-Wafer ionenimplantiert, welcher Siliziumcarbidschichten
enthält, welche durch ein Epitaxie-Kristallwachstum auf
einem Siliziumcarbid-Substrat ausgebildet sind. Nach der Ionenimplantation wird,
um das implantierte Ion zu aktivieren und Kristalldefekte zu entfernen,
welche aufgrund von der Ionenimplantation erzeugt wurden, der Siliziumcarbid-Wafer
durch eine Ausglühbehandlung verarbeitet, bei welcher der
Wafer einer heißen Atmosphäre von einem Edelgas,
wie beispielsweise Argon (Ar), ausgesetzt wird. Eine solche Ausglühbehandlung von
einem Siliziumcarbid-Wafer wird vorzugsweise bei einer Temperatur
durchgeführt, welche so hoch wie möglich ist,
in den meisten Fällen bei mehr als 1500°C, vorzugsweise
bei mehr als 1600°C, um die Eigenschaft davon zu stabilisieren.
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Das
Ausglühen eines Siliziumcarbid-Wafers bei einer solch hohen
Temperatur erzeugt jedoch eine Unebenheit, welche eine Stufenbündelung
genannt wird, auf der Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer.
Der Grund für die Erzeugung von einer Stufenbündelung
ist wie folgt.
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Ein
Siliziumcarbid-Wafer wird typischerweise durch die Ausbildung von
Silizium-Schichten durch ein Epitaxie-Kristallwachstum auf einem
Siliziumcarbid-Substrat erlangt. Das Epitaxie-Kristallwachstum wird
auf eine solche Art und Weise durchgeführt, indem die Kristallachse
um ungefähr vier oder acht Grad mit Bezug auf die C-Achse,
welche zu der (0001)-Kristallebene senkrecht ist, geneigt wird,
um zu verhindern, dass Kristalle von beispielsweise dem 6H- und
4H-Typ gemischt auf der gleichen Kristalloberfläche wachsen.
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Wenn
der Siliziumcarbid-Wafer, welcher derart mit seiner geneigten Kristallachse
kristallisiert ist, bei den Ausglüh-Behandlungen einer
solch hohen Temperatur ausgesetzt wird, verdampfen das Silizium
(Si) und der Kohlenstoff (C), welche die ausbildenden Elemente davon
sind, von der Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer.
Bei dem Verdampfen unterscheiden sich die Verdampfungsraten von
Silizium und Kohlenstoff zueinander in der Oberfläche von dem
Siliziumcarbid-Wafer, da Silizium und Kohlenstoff unterschiedliche
Verdampfungsbedingungen haben und die Kristallachse geneigt ist.
Daraus folgend wird eine Stufenbündelung auf der Siliziumcarbid-Wafer-Oberfläche
erzeugt.
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Die
somit erzeugte Stufenbündelung gestaltet sich als ein Hindernis
bei der Ausbildung eines Gate-Oxidfilms auf dem Siliziumcarbid-Wafer,
welcher ausgeglüht wurde, und gestaltet sich ferner als ein
Hindernis beim Ausbilden von einer Gate-Elektrode auf dem Gate-Oxidfilm.
Es gibt beispielsweise eine Möglichkeit von einer Kontaktfähigkeit-Reduktion
und von einer Leckeigenschaft-Verschlechterung aufgrund von einer
Unebenheit in den Grenzoberflächen zwischen dem Siliziumcarbid-Wafer
und dem Gate-Oxidfilm oder dem Gate-Oxidfilm und der Gate-Elektrode.
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Aus
diesem Grund wurde die Verhinderung oder Reduktion der Stufenbündelung
ein Hauptanliegen zur Qualitätsstabilisierung von Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtungen
und zur Verbesserung ihrer Herstellungserträge.
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Als
ein Verfahren zum Verhindern oder Reduzieren von einer solchen Stufenbündelung
wurde eine Technologie beispielsweise im Patentdokument 1 (
japanische Patentnummer 3760688 )
offenbart, bei welcher ein diamantenförmiger Kohlenstofffilm
oder ein organischer Film auf der Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer
als ein Schutzfilm ausgebildet wird, welcher ein Verdampfen von
Silizium und Kohlenstoff während einer Ausglüh-Behandlung
verhindert.
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Eine
weitere Technologie wurde im Patentdokument 2
(japanische Patentanmeldung-Veröffentlichung
Nr. 2005-353771 ) offenbart, bei welcher ein Kohlenstoff-Film
auf einer innenimplantierten Seite von einem Siliziumcarbid-Wafer
durch ein Sputter-Verfahren als ein Schutzfilm ausgebildet wird, welcher
das Verdampfen von Silizium und Kohlenstoff während einer
Ausglüh-Behandlung verhindert.
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Bei
dem Verfahren von Patentdokument 1 wird jedoch ein carbonisierter
Fotolack als ein Schutzfilm verwendet. Ein Schutzfilm enthält
für gewöhnlich eine Anzahl von Elementen, welche
sich von Kohlenstoff und Wasserstoff unterscheiden, um dessen optische
Aktivität und Kontaktfähigkeit zu verbessern.
Diese Elemente, welche sich von Kohlenstoff und Wasserstoff unterscheiden,
verbleiben als Kontaminationen in dem Schutzfilm, welcher aus dem
carbonisierten Fotolack ausgebildet ist. Aus diesem Grund werden
die Kontaminationen während einer Ausglüh-Behandlung
verdampft oder verstreut, wobei sie eine Kontaminations-Quelle auf
die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung werden.
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Darüber
hinaus wird bei dem Verfahren von Patentdokument 2, während
ein Kohlenstofffilm, welcher durch ein Sputter-Verfahren ausgebildet
ist, als ein Schutzfilm verwendet wird, ein Sputter-Verfahren ebenfalls
ein Teil von Materialien versprühen (beispielsweise Metallmaterialien,
wie beispielsweise Aluminium und rostfreier Stahl), welche die Sputter-Einrichtung
ausmachen.
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Demgemäß verstreuen
sich diese versprühten Materialien als Kontaminationen,
wobei sie eine Kontaminations-Quelle auf die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
werden.
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Ferner
wird bei den Verfahren von den Patentdokumenten 1 und 2 ein Schutzfilm
auf einer Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet,
genauer gesagt auf einer Seite, welche mit einer Störstelle
ionenimplantiert ist, von dem Siliziumcarbid-Wafer. Wenn ein Schutzfilm
somit lediglich auf einer Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet wird, wird eine unausgeglichene Wärmebelastung
in dem Siliziumcarbid-Wafer während einer Ausglüh-Behandlung
aufgrund von einem Temperaturgradienten, welcher darin erzeugt wird,
und einer Differenz zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten
von dem Siliziumcarbid-Wafer und dem Schutzfilm erzeugt, welches
zu einer Zunahme von Kristalldefekten in dem Siliziumcarbid-Wafer
führt.
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Ein
solcher Zugang von Kontaminationen und eine solche Zunahme von Kristalldefekten
sind Faktoren, welche zu einer instabilen Qualität von
Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtungen als auch zu einer Reduktion
bei Herstellungserträgen davon beitragen.
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Umriss der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung dient zum Lösen der obigen Probleme,
und es ist eine Aufgabe von der Erfindung ein Verfahren zum Ausbilden
eines Schutzfilms auf einem Siliziumcarbid-Wafer bereitzustellen,
welcher eine extrem geringe Kontamination hat und keine unausgeglichenen
Wärmebelastungen in dem Siliziumcarbid-Wafer bewirkt, um
die Erzeugung von einer Stufenbündelung während
einer Ausglühbehandlung zu verhindern, und dadurch ein
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
zu erlangen, welche in ihrer Qualitätsstabilität
und ihren Herstellungserträgen Verbesserungen erzielt.
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Ein
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
gemäß der vorliegenden Erfindung enthält
einen Schritt einer Ionenimplantation von einer Störstelle
in eine Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer; einen
Schritt zum Ausbilden eines Kohlenstoff-Schutzfilms von einer vorbestimmten
Dicke über die gesamte Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer,
welcher mit der Störstelle ionenimplantiert ist, durch
ein chemisches Dampf-Ablagerungsverfahren, welches einen Film durch
Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases ablagert; und einen Schritt
zum Ausglühen des Siliziumcarbid-Wafers, welcher mit dem
Kohlenstoff-Schutzfilm ausgebildet wurde.
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Gemäß der
Erfindung enthält ein Verfahren zum Herstellen von einer
Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung einen Schritt zum Ausbilden
eines Kohlenstoff-Schutzfilms von einer vorbestimmten Dicke über
die gesamte Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer,
welcher mit einer Störstelle ionenimplantiert ist, unter
Verwendung eines chemischen Dampf-Ablagerungsverfahrens, welches
einen Film durch Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases ablagert.
Dadurch kann ein Kohlenstoff-Schutzfilm von einer hohen Reinheit
und einer hohen Qualität erlangt werden, welches verhindert,
dass die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung kontaminiert wird.
Darüber hinaus, da ebenfalls eine unausgeglichene Wärmebelastung,
welche in dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt wird, unterdrückt
werden kann, wird ein Anstieg von Kristalldefekten in Zusammenhang
mit der Wärmebelastung in dem Siliziumcarbid-Wafer verhindert. Daher
kann ein Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
erlangt werden, welches Verbesserungen in ihrer Qualitätsstabilität und
ihren Herstellungserträgen erzielt.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in einem Verfahren zum Herstellen
von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der vorliegenden Erfindung.
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2 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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3 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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4 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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5 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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6 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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7 ist
eine Darstellung eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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8 ist
eine Darstellung. eines Ablaufs in dem Verfahren zum Herstellen
von der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsformen 1
bis 4 von der Erfindung.
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9 ist
eine schematische Ansicht, welche eine Ablagerungseinrichtung gemäß Ausführungsform
2 von der Erfindung darstellt.
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10 ist
eine schematische Ansicht, welche eine Ablagerungseinrichtung gemäß Ausführungsform
3 von der Erfindung darstellt.
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11 ist
eine schematische Ansicht, welche eine Ausglüheinrichtung
gemäß Ausführungsform 5 von der Erfindung
darstellt.
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Genaue Beschreibung von den bevorzugten
Ausführungsformen
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Ausführungsform 1
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Ein
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
gemäß Ausführungsform 1 von der vorliegenden
Erfindung wird beschrieben. Hier wird ein Verfahren zum Herstellen
eines Leistungs-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (Leistungs-MOSFET)
als ein Beispiel mit Bezug auf 1 bis 8 erläutert.
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Zunächst
wird eine n–-Typ (ein erster Leitfähigkeitstyp)
Siliziumcarbid-Schicht 2, welche aus Siliziumcarbid erstellt
ist, auf einer Oberfläche von einem n+-Typ
(ein erster Leitfähigkeitstyp) Halbleitersubstrat 1 durch
ein Epitaxie-Kristallwachstum ausgebildet, wie in 1 gezeigt.
Als das Halbleitersubstrat 1 ist beispielsweise ein n+-Typ-Siliziumcarbid-Substrat bevorzugt.
Ein Siliziumcarbid-Wafer wird aus dem Halbleitersubstrat 1 und
der Siliziumcarbid-Schicht 2 erstellt.
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Als
Nächstes wird eine p-Typ (ein zweiter Leitfähigkeitstyp)
Well-Region 3 durch eine Ionenimplantation von einer Störstelle
in eine Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer unter Verwendung
von einem Fotolack als eine Maske für die Well-Region ausgebildet.
Genauer gesagt, wird die Störstelle selektiv in einen Abschnitt
außerhalb eines vorbestimmten Radius auf der Oberfläche
von der Siliziumcarbid-Schicht 2, welche den Siliziumcarbid-Wafer ausbildet,
ionenimplantiert, wie in 2 gezeigt. Als eine Störstelle,
welche ein p-Typ in der Siliziumcarbid-Schicht 2 wird,
wird beispielsweise Bor (B) oder Aluminium (Al) vorgegeben. Der
Fotolack wird nach der Ionenimplantation entfernt.
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Als
Nächstes wird eine n-Typ (ein erster Leitfähigkeitstyp)
Source-Region 4 durch eine Ionenimplantation von einer
Störstelle, selektiv in die Oberfläche von der
Well-Region 3 unter Verwendung eines Fotolacks als eine
Maske für die Source-Region ausgebildet, wie in 2 gezeigt.
Als eine Störstelle, welche ein n-Typ in der Well-Region 3 wird,
wird beispielsweise Phosphor (P) oder Stickstoff (N) vorgegeben.
Nach der Ionenimplantation wird der Fotolack entfernt.
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Als
Nächstes wird eine p+-Typ (ein
zweiter Leitfähigkeitstyp) Kontaktregion 5 zusammenhängend
mit dem Außenumfang von der Source-Region 4 durch
eine Ionenimplantation von einer p-Typ (ein zweiter Leitfähigkeitstyp)
Störstelle in die Oberfläche von der Well-Region 3 unter
Verwendung eines Fotolacks als eine Maske für die Kontakt-Region
ausgebildet, wie in 2 gezeigt. Eine Konzentration
von der Störstelle in der Kontakt-Region 5 wird
hier derart eingestellt, so dass sie relativ höher als
jene in der Well-Region 3 ist. Als eine Störstelle,
welche ein p-Typ in der Well-Region 3 wird, wird beispielsweise Bor
(B) oder Aluminium (Al) vorgegeben. Nach der Ionenimplantation wird
der Fotolack entfernt.
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Als
Nächstes wird ein Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer durch
ein chemisches Dampf-Ablagerung(CVD)-Verfahren oder dergleichen
unter Verwendung eines Kohlenwasserstoffgases, wie beispielsweise
Acetylen (C2H2),
Methan (CH4) und Propan (C3H8) ausgebildet, wie in 3 gezeigt.
Genauer gesagt, wird die Innenseite von der Ablagerungseinrichtung,
welche die CVD durchführt, auf eine Temperatur im Bereich
zwischen 900°C bis 1000°C unter einem atmosphärischen
oder reduziertem Druck ausgebildet, während ein Edelgas,
wie beispielsweise Argon (Ar) als ein Trägergas zum Einfluss
in die Ablagerungseinrichtung eingeführt wird. Die Erwärmungszeit
beträgt ungefähr 20 Minuten. Danach wird das Kohlenwasserstoffgas
mit einer Konzentration von ungefähr 10% in das Fließ-Trägergas
eingeführt, und wird das Kohlenwasserstoffgas pyrolisiert.
Dadurch wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 auf eine vorbestimmte
Dicke über der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet. Die vorbestimmte Dicke beträgt hierbei vorzugsweise
von ein Nanometer, bei welcher die Wirkung von dem Schutzfilm herbeigeführt
wird, bis zu eintausend Nanometer, bei welcher Brüche aufgrund
der Wärmebelastung, welche auf den Siliziumcarbid-Wafer
auferlegt wird, und der Temperaturdifferenz, welche darin auftritt,
nicht in dem Schutzfilm erzeugt werden. Ein Bereich von zehn bis
fünfhundert Nanometern ist weiter bevorzugt, wobei die
Dicke in diesem Bereich einfach zu steuern ist. Da ein Kohlenwasserstoffgas
von einer hohen Reinheit somit in einem CVD-Verfahren oder dergleichen
verwendet werden kann, wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 derart
ausgebildet, dass er von einer hohen Qualität ist und eine
hohe Reinheit mit wenigen Kontaminationen hat. Die hohe Qualität
erliegt hier einem fortgeschrittenen Zustand einer Graphitisierung
auf. Darüber hinaus, da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet
ist, kann die Film-Ausbildung in einem Stapelbetrieb durchgeführt
werden. Mit anderen Worten, kann die Film-Ausbildung zusammen für
eine Mehrzahl von Siliziumcarbid-Wafern durchgeführt werden,
indem sie innerhalb einer Ablagerungseinrichtung bei Abständen
platziert werden, so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 gleichförmig über
der gesamten Oberfläche von jedem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet
werden kann, wodurch der Durchsatz von der Film-Ausbildung verbessert
wird.
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Als
Nächstes wird der Siliziumcarbid-Wafer, auf welchem der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über die gesamte Oberfläche
davon abgelagert wurde, in eine Ausglüheinrichtung platziert,
um in einer Edelgas-Atmosphäre ausgeglüht zu werden.
Genauer gesagt, wird der Wafer in einer Argon-Atmosphäre,
nachdem er auf ungefähr 1000°C vorgewärmt
wurde, für eine vorbestimmte Zeit (ungefähr 30
Minuten) bei einer vorbestimmten Temperatur (über 1500°C,
vorzugsweise etwa 1700°C) auf eine vorbestimmte Temperatur
erwärmt und dann unmittelbar gekühlt. Dadurch wird
das implantierte Ion elektrisch aktiviert, und werden Kristalldefekte,
welche aufgrund der Ionenimplantation erzeugt sind, entfernt. Nach
der Ausglüh-Behandlung wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 entfernt,
indem er einer Sauerstoffatmosphäre bei ungefähr
950°C für etwa 30 Minuten ausgesetzt wird. Andererseits
kann der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 ebenfalls entfernt werden,
indem Sauerstoffplasma verascht wird, welches zur Entfernung des
Fotolacks verwendet wird. Während der Ausglüh-Behandlung wird,
da der Siliziumcarbid-Wafer somit mit dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
die gesamte Oberfläche davon bedeckt ist, keine Schrittbündelung
auf der Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt. Eine
Messung über die Unebenheit auf der Oberfläche
von dem Siliziumcarbid-Wafer durch eine Atom-Mikroskopie (AFM),
nachdem der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 entfernt ist, enthüllt,
dass, während eine Unebenheit auf das Ausmaß von
mehreren dutzend Nanometer über der gesamten Oberfläche
von einem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt wurde, in einem Fall ohne
den Kohlenstoff-Schutzfilm 6, eine Unebenheit von weniger
als ein Nanometer, in dem Fall mit dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6,
gemäß der Erfindung erzeugt wurde, wodurch die
Wirkung von dem Film verifiziert wurde. Darüber hinaus,
da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher eine hohe Reinheit
mit wenigen Kontaminationen hat, ausgebildet ist, wird die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
nicht kontaminiert. Ferner wird, da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet
ist, eine unausgeglichene Wärmebelastung, welche darin
während der Ausglüh-Behandlung erzeugt wird, entlastet,
so dass eine in dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugte Störung reduziert
wird. Aus diesem Grund nehmen Kristalldefekte, welche in dem Siliziumcarbid-Wafer
erzeugt sind, nicht zu.
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Als
Nächstes wird ein Gate-Oxidfilm 7, welcher aus
Siliziumdioxid (SiO2) erstellt ist, auf
einer Oberfläche, genauer gesagt auf der ionenimplantierten
Seite von dem Siliziumcarbid-Wafer, ausgebildet, von welchem der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 durch die Wärmeoxidation
entfernt wurde, wie in 4 gezeigt. Der somit bei diesem
Ablauf ausgebildete Gate-Oxidfilm 7 ist ein Wärmeoxidationsfilm.
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Als
Nächstes wird ein Polysiliziumfilm zeitweilig auf dem Gate-Oxidfilm 7 durch
ein CVD-Verfahren ausgebildet. Dann wird eine Gate-Elektrode 8 ausgebildet,
nachdem ein unnötiger Abschnitt von dem Polysiliziumfilm
durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren,
wie beispielsweise ein Reaktionsion-Ätzen (RIE), entfernt
wurde, unter Verwendung von einem Fotolack als eine Maske für
die Gate-Elektrode, wie in 5 gezeigt.
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Als
Nächstes wird ein Zwischenschicht-Isolierfilm, welcher
aus Siliziumdioxid (SiO2) erstellt ist, auf
dem Gate-Oxidfilm 7 und der Gate-Elektrode 8 durch
ein CVD-Verfahren unter Verwendung von einem Tetraethoxysilan(TEOS)-Gas
ausgebildet, wie in 6 gezeigt. Der Zwischenschicht-Isolierfilm 9, welcher
in diesem Ablauf ausgebildet ist, ist ein TEOS-Oxidfilm.
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Als
Nächstes werden der Zwischenschicht-Isolierfilm 9 und
der Gate-Oxidfilm 7 durch ein Nassätz-Verfahren
oder ein Trockenätz-Verfahren, wie beispielsweise ein RIE,
unter Verwendung von einem Fotolack als eine Maske, zum Belichten der
Kontakt-Region 5 und eines Teils von der Source-Region 4 entfernt,
wie in 7 gezeigt. Danach wird der Fotolack ebenfalls
entfernt.
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Als
Nächstes wird ein Leitfilm auf der Kontakt-Region 5 und
dem Teil von der Source-Region 4, welche durch ein Entfernen
von dem Zwischenschicht-Isolierfilm 9 und dem Gate-Oxidfilm 7 belichtet
wurden, durch ein physikalisches Dampfablagerungsverfahren (PVD-Verfahren),
wie beispielsweise ein Sputterverfahren, ausgebildet. Danach wird
eine Source-Elektrode 10 (eine erste Hauptelektrode) auf der
Kontakt-Region 5 und dem Teil von der Source-Region 4 durch
ein Entfernen eines unnötigen Abschnittes von dem Leitfilm,
welcher auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm 9 ausgebildet
wurde, durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren, wie
beispielsweise RIE, unter Verwendung von einem Fotolack als eine
Maske für die Source-Elektrode, ausgebildet, wie in 8 gezeigt.
Die Source-Elektrode 10 ist elektrisch mit der Kontakt-Region 5 und
der Source-Region 4 verbunden. Es wird Nickel (Ni) oder
Aluminium (Al) als ein Material für die Source-Elektrode 10 angegeben.
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Schließlich
wird eine Drain-Elektrode 11 (eine zweite Hauptelektrode),
welche aus einem Leitfilm erstellt ist, auf der Siliziumcarbid-Wafer-Oberfläche gegenüberliegend
zu der Source-Elektrode durch ein PVD-Verfahren, wie beispielsweise
ein Sputter-Verfahren, ausgebildet, wie in 8 gezeigt.
Es wird Nickel (Ni) oder Aluminium (Al) als ein Material für
die Drain-Elektrode 11 angegeben.
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Durch
den oben beschriebenen Ablauf wird der Hauptteil von dem MOSFET,
d. h. die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gemäß Ausführungsform
1 von der Erfindung, vollendet.
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Ein
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
gemäß Ausführungsform 1 von der Erfindung
enthält einen Ablauf zum Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm
von einer vorbestimmten Dicke über der gesamten Oberfläche
von einem Siliziumcarbid-Wafer, welcher mit einer Störstelle
durch ein CVD-Verfahren ionenimplantiert wurde, welches einen Film
durch ein Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases ablagert. Da der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher eine hohe Qualität
und eine hohe Reinheit mit wenigen Kontaminationen hat, dadurch
erlangt werden kann, kann verhindert werden, dass die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
kontaminiert wird. Darüber hinaus, da eine unausgeglichene
Wärmebelastung, welche in dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt
ist, unterdrückt werden kann, kann ein Anstieg von Kristalldefekten im
Zusammenhang mit der Wärmebelastung in dem Siliziumcarbid-Wafer
ebenfalls verhindert werden. Daher kann das Verfahren zum Herstellen
von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung erlangt werden, welches
Verbesserungen in ihrer Qualitätsstabilität und
ihren Herstellungserträgen erzielt.
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Ausführungsform 2
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In
Ausführungsform 1 wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 von
einer hohen Qualität und einer hohen Reinheit über
der gesamten Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer
durch ein Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases, wie beispielsweise Acetylen
oder Methan, bei einer Temperatur im Bereich zwischen 900°C
und 1000°C ausgebildet. Darüber hinaus wird in
Ausführungsform 1 angenommen, dass die Pyrolyse von dem
Kohlenwasserstoffgas und die Ausbildung von dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 in
einer CVD-Ablagerungseinrichtung zur gleichen Zeit und im gleichen
Ablauf durchgeführt werden. Im Gegensatz dazu ist Ausführungsform
2 dadurch gekennzeichnet, dass eine CVD-Ablagerungseinrichtung durch
einen Gas-Pyrolyseofen und einen Ablagerungsofen, jeweils auf der
Stromaufwärts- und der Stromabwärts-Seite mit
Bezug auf einen Kohlenwasserstoffgasfluss, gebildet ist, um die
Pyrolyse von dem Kohlenwasserstoffgas und die Ausbildung von einem
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 in unterschiedlichen Abläufen
in den jeweiligen Öfen durchzuführen. Im Folgenden
wird ein Verfahren zum Ausbilden des Kohlenstoff-Schutzfilmes 6 gemäß Ausführungsform 2
mit Bezug auf die Darstellung von der Ablagerungseinrichtung, wie
in 9 gezeigt, erläutert. In Ausführungsform
2 sind Abläufe, welche sich von der Ausbildung des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 durch
Pyrolyse des Kohlenwasserstoffgases unterscheiden, gleich jenen,
wie in Ausführungsform 1 erläutert, wobei Erläuterungen
derer ausgelassen werden.
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Eine
Ablagerungseinrichtung 20 zur Ausbildung des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 ist
in 9 dargestellt. Die Ablagerungseinrichtung 20 ist
mit einem Gaspyrolyseofen 21 zum Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases,
wie beispielsweise Acetylen und Methan, einem Ablagerungsofen 22 zum
Ablagern des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 über der
gesamten Oberfläche von einem Siliziumcarbid-Wafer, einer Verbindungsröhre 23 zum
Einführen des Gases von dem Gaspyrolyseofen 21 in
den Ablagerungsofen 22, welches von dem Kohlenwasserstoffgas
pyrolisiert wurde, einer Gaseinlassröhre 24 zum
Einführen des Kohlenwasserstoffgases in den Gaspyrolyseofen 21, und
einer Abgasröhre 25 zum Ausstoßen des
pyrolisierten Kohlenwasserstoffgases in den Ablagerungsofen 22 bereitgestellt.
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Der
Gaspyrolyseofen 21 ist mit einem Erwärmer 26 und
Wärmespreizern 27 zur gleichförmigen Erwärmung
des Innenraumes des Gaspyrolyseofens 21 durch ein Aufnehmen
von einer Wärme von dem Erwärmer 26 bereitgestellt.
Der Erwärmer 26 ist um den Innenumfang von dem
Gaspyrolyseofen 21 derart angeordnet, so dass er nicht
direkt dem Kohlenwasserstoffgas ausgesetzt ist. Die Wärmespreizer 27 sind
aus Quarzglas oder Keramiken erstellt und in dem Gaspyrolyseofen 21 angeordnet.
Der somit aufgebaute Gaspyrolyseofen 21 überführt
die Wärme gleichförmig von dem Erwärmer 26 zu
dem Kohlenwasserstoffgas über die Wärmespreizer 27,
wodurch eine vollständige Pyrolyse von dem Kohlenwasserstoffgas
ermöglicht wird.
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Der
Ablagerungsofen 22 ist mit einem Erwärmer 27,
welcher um den Innenumfang davon derart angeordnet ist, so dass
er nicht direkt dem pyrolisierten Kohlenstoffwassergas ausgesetzt
ist, und einem Wafer-Boot, in der Figur nicht angezeigt, bereitgestellt,
auf welchem Siliziumcarbid-Wafer für einen Stapelbetrieb
platziert werden, so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
der gesamten Oberfläche von jedem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet werden kann.
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Der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 wird auf die folgende Art und
Weise durch eine solche Ablagerungseinrichtung 20 ausgebildet.
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Ein
Edelgas, wie beispielsweise Argon (Ar), wird als ein Trägergas
in den Innenraum von der Ablagerungseinrichtung 20 über
die Gaseinlassröhre 24 eingeführt. Der
Druck innerhalb der Ablagerungseinrichtung 20 wird durch
Einstellen der Abgasrate an der Abgasröhre 25 derart
gesteuert, so dass er ein atmosphärischer oder ein reduzierter
Druck ist. Die Innenräume von dem Gaspyrolyseofen 21 und
dem Ablagerungsofen 22 werden für etwa 20 Minuten
auf eine Temperatur von ungefähr 800°C und auf
eine Temperatur im Bereich von 500°C bis 800°C
jeweils unter dem atmosphärischen oder dem reduzierten Druck
in der Ablagerungseinrichtung 20 erwärmt. Danach
wird ein Kohlenwasserstoffgas, wie beispielsweise Acetylen oder
Methan, bei einer Konzentration von ungefähr 10% in das
Flussträgergas eingeführt, um in dem Gaspyrolyseofen 21 pyrolisiert
zu werden. Das Kohlenwasserstoffgas kann derart eingeführt werden,
so dass es von Beginn an in dem Trägergas fließt.
Das Kohlenwasserstoffgas wird fast vollständig aufgrund
der Wärmespreizer 27 pyrolisiert. Das Kohlenwasserstoffgas,
welches in dem Gaspyrolyseofen 21 pyrolisiert wurde, wird
dann über die Verbindungsröhre 23 in
den Ablagerungsofen 22 eingeführt. Das in den
Ablagerungsofen 22 eingeführte pyrolisierte Kohlenwasserstoffgas
wird über der gesamten Oberfläche von jedem Siliziumcarbid-Wafer,
welcher in dem Ablagerungsofen 22 platziert ist, abgelagert,
so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher von einer hohen
Qualität und einer hohen Reinheit mit wenigen Kontaminationen
ist, auf eine vorbestimmte Dicke ausgebildet wird. Die vorbestimmte
Dicke liegt vorzugsweise im Bereich von ein Nanometer, wobei oberhalb
dessen die Wirkung von dem Schutzfilm erbracht wird, bis eintausend
Nanometer, wobei unterhalb dessen keine Brüche aufgrund
der Wärmebelastung, welche auf den Siliziumcarbid-Wafer
auferlegt wird, und der Temperaturdifferenz, welche darin auftritt,
in dem Schutzfilm erzeugt werden. Es wird am meisten bevorzugt,
dass sie zehn bis fünfhundert Nanometer beträgt,
wobei die Dicke in diesem Bereich einfach zu steuern ist. Zusätzlich
legt die hohe Qualität einen fortgeschrittenen Zustand
einer Graphitisierung auf. Nachdem der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 mit
der vorbestimmten Dicke ausgebildet ist, wird das Gas innerhalb
der Ablagerungseinrichtung 20 unmittelbar ausgestoßen,
und wird der Innenraum von der Ablagerungseinrichtung 20 gleichzeitig
auf eine Temperatur herabgekühlt, bei welcher der Siliziumcarbid-Wafer
daraus entnommen werden kann.
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Gemäß der
Ausführungsform 2, da eine Ablagerungseinrichtung in den
Gaspyrolyseofen 21 und den Ablagerungsofen 22 unterteilt
ist, und ein Ablauf zum Pyrolisieren eines Kohlenwasserstoffgases,
wie beispielsweise Acetylen oder Methan, zuvor vor der Ausbildung
des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 bereitgestellt ist, kann
ein Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher eine Wirkung gleich
jener von Ausführungsform 1 hat, bei einer Temperatur ausgebildet
werden, welche geringer ist als jene darin. Daher kann ein Verfahren
zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung erlangt
werden, welches Verbesserungen in ihrer Qualitätsstabilität
und ihren Herstellungserträgen erzielt.
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Darüber
hinaus, wenn der Innenraum von dem Ablagerungsofen 22 auf
eine Temperatur von beispielsweise gleich jener von Ausführungsform
1 eingestellt wird, kann der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 erlangt
werden, welcher eine höhere Qualität hat, genauer
gesagt, verglichen mit Ausführungsform 1, eine verbesserte
Graphitisierung hat. Daher kann ein Verfahren zum Herstellen von
einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung erlangt werden, welches weitere
Verbesserungen in ihrer Qualitätsstabilität und
ihren Herstellungserträgen erzielt.
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Ausführungsform 3
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Während
in der Ausführungsform 1 und der Ausführungsform
2 die Fälle der Verwendung eines Kohlenwasserstoffgases,
wie beispielsweise Acetylen, Methan und Propan, als Beispiele erläutert
wurden, kann ebenfalls ein geringerer Alkohol, wie beispielsweise
Ethylalkohol (C2H5OH:
Ethanol) und Methylalkohol (CH3OH: Methanol),
welcher einer von sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffen ist, verwendet
werden. Hier wird ein Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
unter Verwendung von Ethanol oder Methanol für einen Fall
mit einem Leistungs-MOSFET als ein Beispiel beschrieben. Das Verfahren
zum Herstellen des Leistungs-MOSFET ist, mit Ausnahme eines Ablaufes
zum Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm, gleich jenem wie
in 1 bis 8 in der Ausführungsform
1 gezeigt, wodurch somit die Beschreibung mit Bezug auf 1 bis 8 vorgenommen wird.
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Zunächst
wird eine n–-Typ (ein erster Leitfähigkeitstyp)
Siliziumcarbidschicht 2, welche aus Siliziumcarbid erstellt
ist, auf einer Oberfläche von einem n+-Typ
(ein erster Leitfähigkeitstyp) Halbleitersubstrat 1 durch
ein Epitaxie-Kristallwachstum ausgebildet, wie in 1 gezeigt.
Als Halbleitersubstrat 1 ist beispielsweise ein n+-Typ-Siliziumcarbid-Substrat bevorzugt.
Ein Siliziumcarbid-Wafer wird aus dem Halbleitersubstrat 1 und
der Siliziumcarbid-Schicht 2 erstellt.
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Als
Nächstes wird eine p-Typ (ein zweiter Leitfähigkeitstyp)
Well-Region 3 durch eine Ionenimplantation von einer Störstelle
in eine Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer unter Verwendung
eines Fotolacks als ein Muster für die Well-Region ausgebildet.
Genauer gesagt, wird die Störstelle selektiv in einen Abschnitt
außerhalb eines vorbestimmten Radius auf die Oberfläche
von der Siliziumcarbidschicht 2, welche den Siliziumcarbid-Wafer
ausbildet, ionenimplantiert, wie in 2 gezeigt.
Als eine Störstelle, welche ein p-Typ in der Siliziumcarbidschicht 2 wird, wird
beispielsweise Bor (B) oder Aluminium (Al) angegeben. Der Fotolack
wird nach der Ionenimplantation entfernt.
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Als
Nächstes wird eine n-Typ (ein erster Leitfähigkeitstyp)
Source-Region 4 durch eine Ionenimplantation von einer
Störstelle, selektiv in die Oberfläche von der
Well-Region 3, unter Verwendung von einem Fotolack als
eine Maske für die Source-Region ausgebildet, wie in 2 gezeigt.
Als eine Störstelle, welche ein n-Typ in der Well-Region 3 wird,
wird beispielsweise Phosphor (P) oder Stickstoff (N) angegeben.
Nach der Ionenimplantation wird der Fotolack entfernt.
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Als
Nächstes wird eine p+-Typ (ein
zweiter Leitfähigkeitstyp) Kontaktregion 5 durchgängig
mit dem Außenumfang von der Source-Region 4 durch eine
Ionenimplantation von einer p-Typ (ein zweiter Leitfähigkeitstyp)
Störstelle in die Oberfläche von der Well-Region 3 unter
Verwendung eines Fotolacks als eine Maske für die Kontaktregion
ausgebildet, wie in 2 gezeigt. Eine Konzentration
von der Störstelle in der Kontaktregion 5 wird
hier derart eingestellt, so dass sie in Relation höher
ist als jene in der Well-Region 3. Als eine Störstelle,
welche ein p-Typ in der Well-Region 3 wird, wird beispielsweise
Bor (B) oder Aluminium (Al) angegeben. Nach der Ionenimplantation
wird der Fotolack entfernt.
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Als
Nächstes wird ein Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über
der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer durch
ein CVD-Verfahren oder dergleichen unter Verwendung eines sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgases,
wie beispielsweise Ethanol und Methanol, ausgebildet, wie in 3 gezeigt.
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Genauer
gesagt, während ein Edelgas, wie beispielsweise Argon (Ar),
als ein Trägergas zum Einfluss in die Ablagerungseinrichtung,
welche ein CVD durchführt, eingeführt wird, wird
der Innenraum von der Ablagerungseinrichtung auf eine Temperatur im
Bereich von 850°C bis 1000°C unter einem reduzierten
Druck unterhalb von 1,33 × 104 Pa
(100 Torr), vorzugsweise unterhalb von 6,67 × 103 Pa (50 Torr), weiter bevorzugt unterhalb
von 1,33 × 103 Pa (10 Torr) erwärmt.
Die Erwärmungszeit beträgt ungefähr zwanzig
Minuten. Danach wird, während das Trägergas abgesperrt
ist oder fließt, das sauerstoffhaltige Kohlenwasserstoffgas
zugeführt, und wird das Kohlenwasserstoffgas dann unter
dem oben erwähnten reduzierten Druck pyrolisiert, wobei
der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 auf eine vorbestimmte Dicke
oberhalb der gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet wird. Die vorbestimmte Dicke beträgt hier vorzugsweise
von ein Nanometer, oberhalb dessen die Wirkung des Schutzfilms erbracht wird,
bis eintausend Nanometer, unterhalb dessen Brüche aufgrund
der Wärmebelastung, welche auf den Siliziumcarbid-Wafer
auferlegt wird, und der Temperaturdifferenz, welche darin auftritt,
nicht in dem Schutzfilm erzeugt werden. Es ist weiter bevorzugt,
dass sie zehn bis fünfhundert Nanometer beträgt,
wobei in diesem Bereich die Dicke einfach zu steuern ist. Da das
Kohlenwasserstoffgas einer hohen Reinheit somit in einem CVD-Verfahren
oder dergleichen verwendet werden kann, wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 von
einer hohen Qualität und einer hohen Reinheit mit wenigen
Kontaminationen ausgebildet. Die hohe Qualität erlegt hier
einen fortgeschrittenen Zustand einer Graphitisierung auf. Darüber
hinaus, da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb der gesamten
Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist,
kann die Filmausbildung in einem Stapelbetrieb durchgeführt
werden. Mit anderen Worten, kann die Filmausbildung für
eine Mehrzahl von Siliziumcarbid-Wafern zusammen durchgeführt
werden, indem sie innerhalb einer Ablagerungseinrichtung bei Abständen
platziert werden, so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 gleichförmig
oberhalb der gesamten Oberfläche von jedem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet werden kann, wodurch der Durchsatz von der Filmausbildung
verbessert wird.
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Hier
wird eine Ablagerungseinrichtung, welche zur Ausbildung des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 geeignet
ist, in 6 als ein Beispiel in Ausführungsform
3 dargestellt.
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Bezug
nehmend auf 10, dient eine Ablagerungseinrichtung 30 zur
Ausbildung des Kohlenstoff-Schutzfilms 6. Die Ablagerungseinrichtung 30 ist
mit einer Gaseinlassröhre 31 zum Einführen
eines sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgases, wie beispielsweise
Ethanol und Methanol, in die Ablagerungseinrichtung; einem Ablagerungsofen 32 zum Ausbilden
des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 oberhalb der gesamten Oberfläche
von einem Siliziumcarbid-Wafer; einer Abgasröhre 33 zum
Ausstoßen des pyrolisierten Kohlenwasserstoffgases; einem
Erwärmer 34, welcher um den Umfang von dem Ablagerungsofen 32 derart
angeordnet ist, so dass er dem Kohlenwasserstoffgas nicht direkt
ausgesetzt ist, zum Pyrolisieren des Kohlenwasserstoffgases; und einem
Substrathalter 35 zum Halten der Siliziumcarbid-Wafer auf
eine derartige Art und Weise, so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb
der gesamten Oberfläche von jedem Wafer in einem Stapelbetrieb ausgebildet
werden kann, bereitgestellt. Es ist vorstellbar, dass der Substrathalter 35 die
Siliziumcarbid-Wafer hält, indem ihre Umfänge
beispielsweise an drei Punkten von jedem Umfang gelagert werden. Zusätzlich
hat der Substrathalter 35 eine Funktion gleich jener von
dem Wafer-Boot für Siliziumcarbid-Wafer, welche darauf
platziert werden, welche in Ausführungsform 1 und Ausführungsform
2 erwähnt ist.
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Die
Ausbildung des Kohlenstoff-Schutzfilms 6 durch die Ablagerungseinrichtung 30 ist
wie folgt.
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Ein
Edelgas, wie beispielsweise Argon (Ar), wird als ein Trägergas
in den Innenraum von dem Ablagerungsofen 32 über
die Gaseinlassröhre 31 eingeführt. Der
Druck innerhalb des Ablagerungsofens 32 wird durch ein
Einstellen der Rate des Abgases an der Abgasröhre 33 derart
gesteuert, um in einem reduzierten Druckzustand zu sein (unterhalb
von 1,33 × 104 Pa (100 Torr), vorzugsweise
unterhalb von 6,67 × 103 Pa (50
Torr), weiter bevorzugt unterhalb von 1,33 × 103 Pa (10 Torr)). Der Innenraum des Ablagerungsofens 32 wird
durch den Erwärmer 34 für ungefähr
dreißig Minuten auf eine Temperatur im Bereich von 800°C
bis 1000°C unter der Bedingung des oben erwähnten
reduzierten Drucks erwärmt. Zu dem Zeitpunkt, bei welchem
der Innenraum des Ablagerungsofens 32 eine vorbestimmte
Temperatur erreicht, wird der Trägergasfluss abgesperrt.
Dann wird das sauerstoffhaltige Kohlenwasserstoffgas, wie beispielsweise
Ethanol und Methanol, über die Gaseinlassröhre 31 in
den Ablagerungsofen 32 eingeführt, und wird der
Innenraum davon auf einen vorbestimmten Druck eingestellt, beispielsweise
auf den oben erwähnten reduzierten Druck. Das sauerstoffhaltige
Kohlenwasserstoffgas, welches in dem Ablagerungsofen 32 eingeführt
ist, wird darin pyrolisiert, so dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6,
welcher eine hohe Qualität und hohe Reinheit mit wenigen
Kontaminationen hat, auf die vorbestimmte Dicke oberhalb der gesamten Oberfläche
von jedem von einer Mehrzahl von solchen Siliziumcarbid-Wafern,
welche auf dem Substrathalter 35 platziert sind, ausgebildet
wird. Die vorbestimmte Dicke ist hier, wie oben erwähnt,
vorzugsweise von ein Nanometer, oberhalb dessen die Wirkung von
dem Schutzfilm erbracht wird, bis eintausend Nanometer, unterhalb
dessen Brüche aufgrund von der Wärmebelastung,
welche auf den Siliziumcarbid-Wafer auferlegt wird, und die Temperaturdifferenz,
welche darin auftritt, in dem Schutzfilm nicht erzeugt werden. Es
ist weiter bevorzugt, dass sie zehn bis fünfhundert Nanometer
beträgt, wobei die Dicke in diesem Bereich einfach zu steuern
ist. Zusätzlich erlegt die hohe Qualität einen
fortgeschrittenen Zustand einer Graphitisierung auf. Nachdem der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 von der vorbestimmten Dicke ausgebildet
ist, wird das Gas innerhalb der Ablagerungseinrichtung 32 unmittelbar
ausgestoßen, und wird das Trägergas gleichzeitig
abermals eingeführt, und wird der Innenraum davon auf eine
Temperatur herabgekühlt, bei welcher die Siliziumcarbid-Wafer daraus
entnommen werden können. Auf diese Art und Weise wird der
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 der hohen Qualität und
der hohen Reinheit mit wenigen Kontaminationen auf die vorbestimmte
Dicke oberhalb der gesamten Oberfläche von jedem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet. Zusätzlich kann der Aufbau von der in 10 gezeigten
Ablagerungseinrichtung 30 ebenfalls zur Ausbildung von
dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6, wie in Ausführungsform
1 gezeigt, angewendet werden. Es ist zu erwähnen, dass
der Aufbau von der in 10 gezeigten Ablagerungseinrichtung 30 nur
ein Beispiel ist, wodurch somit keine spezifische Beschränkung
auf den Aufbau auferlegt wird. Eine Ablagerungseinrichtung kann
mit einem Aufbau bereitgestellt werden, welcher äquivalent
zu jenem von der in 10 gezeigten Ablagerungseinrichtung 30 ist.
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Als
Nächstes wird der Siliziumcarbid-Wafer, welcher mit dem
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb der gesamten Oberfläche
davon abgelagert wurde, in eine Ausglüheinrichtung platziert,
um bei einer Edelgas-Atmosphäre ausgeglüht zu
werden.
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Genauer
gesagt, wird der Wafer in einer Argon-Atmosphäre, nachdem
er bei ungefähr 1000°C zuvor erwärmt
wurde, für eine vorbestimmte Zeit (ungefähr 30
Minuten) bei einer vorbestimmten Temperatur (oberhalb von 1500°C,
vorzugsweise etwa 1700°C) erwärmt, und wird dann
unmittelbar abgekühlt. Dadurch wird das implantierte Ion
elektrisch aktiviert und werden Kristalldefekte, welche durch die Ionenimplantation
erzeugt sind, entfernt.
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Nach
der Ausglühbehandlung wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 entfernt,
indem er einer Sauerstoff-Atmosphäre bei ungefähr
950°C für ungefähr dreißig Minuten
ausgesetzt wird. Andererseits kann der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 ebenfalls
durch Veraschung unter Verwendung von Sauerstoff-Plasma entfernt
werden, welches zur Entfernung des Fotolacks verwendet wird.
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Während
der Ausglühbehandlung wird, da der Siliziumcarbid-Wafer
mit dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 bedeckt ist, welcher oberhalb
der gesamten Oberfläche davon abgelagert ist, keine Stufenbündelung
auf der Siliziumcarbid-Wafer-Oberfläche erzeugt. Eine Messung
der Unebenheit auf der Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer
durch eine Atom-Mikroskopie (AFM) nach dem Entfernen von dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 enthüllt,
dass, während eine Unebenheit auf das Ausmaß von
mehreren dutzend Nanometern oberhalb der gesamten Oberfläche
von dem Siliziumcarbid-Wafer in einem Fall ohne den Kohlenstoff-Schutzfilm 6 erzeugt
wurde, eine Unebenheit von weniger als ein Nanometer in dem Fall mit
dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 gemäß der
Erfindung erzeugt wurde, wodurch die Wirkung von dem Film verifiziert
wurde. Darüber hinaus, da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6,
welcher eine hohe Reinheit mit wenigen Kontaminationen hat, ausgebildet
ist, wird die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung nicht kontaminiert.
Ferner, da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb der gesamten
Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer ausgebildet ist,
wird eine unausgeglichene Wärmebelastung, welche darin
während der Ausglühbehandlung erzeugt ist, entspannt,
so dass eine Störung, welche in dem Siliziumcarbid-Wafer
erzeugt ist, reduziert wird. Aus diesem Grund steigen Kristalldefekte,
welche in dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt sind, nicht an.
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Als
Nächstes wird ein Gate-Oxidfilm 7, welcher aus
Siliziumdioxid (SiO2) erstellt ist, an einer Oberfläche
von speziell einer ionenimplantierten Seite von dem Siliziumcarbid-Wafer
ausgebildet, wobei der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 von dieser
Seite durch die Wärmeoxidation, wie in 4 gezeigt,
entfernt wurde. Der somit in diesem Ablauf ausgebildete Gate-Oxidfilm 7 ist
ein Wärmeoxidationsfilm.
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Als
Nächstes wird ein Polysiliziumfilm zeitweilig auf dem Gate-Oxidfilm 7 durch
ein CVD-Verfahren ausgebildet. Dann wird eine Gate-Elektrode 8 ausgebildet,
nachdem ein unnötiger Abschnitt von dem Polysiliziumfilm
durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren,
wie beispielsweise ein Reaktiv-Ion-Ätzen (RIE), unter Verwendung
von einem Fotolack als eine Maske für die Gate-Elektrode entfernt
wurde, wie in 5 gezeigt.
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Als
Nächstes wird ein Zwischenschicht-Isolierfilm 9,
welcher aus Siliziumdioxid (SiO2) erstellt
ist, auf dem Gate-Oxidfilm 7 und der Gate-Elektrode 8 durch
ein CVD-Verfahren unter Verwendung von einem TEOS-Gas ausgebildet,
wie in 6 gezeigt. Der Zwischenschicht-Isolierfilm 9,
welcher in diesem Ablauf ausgebildet ist, ist ein TEOS-Oxidfilm.
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Als
Nächstes werden der Zwischenschicht-Isolierfilm 9 und
der Gate-Oxidfilm 7 durch ein Nassätzverfahren
oder ein Trockenätzverfahren, wie beispielsweise ein RIE,
unter Verwendung von einem Fotolack als eine Maske zum Belichten
von der Kontaktregion 9 und einem Teil von der Source-Region 4 entfernt,
wie in 4 gezeigt. Danach wird der Fotolack ebenfalls
entfernt.
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Als
Nächstes wird ein leitfähiger Film auf der Kontaktregion 5 und
dem Teil von der Source-Region 4, welche belichtet wurden,
ausgebildet, indem der Zwischenschicht-Isolierfilm 9 und
der Gate-Oxidfilm 7 durch ein PVD-Verfahren, wie beispielsweise
ein Sputterverfahren, entfernt werden. Danach wird eine Source-Elektrode 10 (eine
erste Hauptelektrode) auf der Kontaktregion 5 und dem Teil
von der Source-Region 4 ausgebildet, indem ein unnötiger
Abschnitt von dem leitfähigen Film, welcher auf dem Zwischenschicht-Isolierfilm 9 ausgebildet
ist, durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren,
wie beispielsweise ein RIE, unter Verwendung von einem Fotolack
als eine Maske für die Source-Elektrode entfernt wird,
wie in 8 gezeigt. Die Source-Elektrode 10 ist
elektrisch mit der Kontakt-Region 5 und der Source-Region 4 verbunden.
Es wird Nickel (Ni) oder Aluminium (Al) als ein Material für
die Source-Elektrode 10 angegeben.
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Schließlich
wird eine Drain-Elektrode 11 (eine zweite Hauptelektrode),
welche aus einem leitfähigen Film erstellt ist, auf der
Siliziumcarbid-Wafer-Oberfläche entgegengesetzt zur Source-Elektrode
durch ein PVD-Verfahren, wie beispielsweise ein Sputterverfahren,
ausgebildet, wie in 8 gezeigt. Es wird Nickel (Ni)
oder Aluminium (Al) als ein Material für die Drain-Elektrode 11 angegeben.
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Durch
den oben beschriebenen Ablauf wird der Hauptteil von dem Leistungs-MOSFET,
das heißt die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung, gemäß Ausführungsform
3 von der Erfindung vollendet.
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Ein
Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
gemäß Ausführungsform 3 von der Erfindung
enthält einen Ablauf zum Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm
von einer vorbestimmten Dicke über der gesamten Oberfläche
von einem Siliziumcarbid-Wafer, welcher mit einer Störstelle
ionenimplantiert wurde, durch ein CVD-Verfahren, welches einen Film
durch ein Pyrolisieren von einem sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgas
ablagert. Da der Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher eine
hohe Qualität und eine hohe Reinheit mit wenigen Kontaminationen
hat, dadurch erlangt werden kann, kann verhindert werden, dass die
Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung kontaminiert wird. Darüber
hinaus, da eine unausgeglichene Wärmebelastung, welche
in dem Siliziumcarbid-Wafer erzeugt wird, unterdrückt werden
kann, können Kristalldefekte in Zusammenhang mit der Wärmebelastung
in dem Siliziumcarbid-Wafer ebenfalls daran gehindert werden, anzusteigen.
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Daher
kann das Verfahren zum Herstellen von einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
erlangt werden, welches Verbesserungen in ihrer Qualitätsstabilität
und ihren Herstellungserträgen erzielt.
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Darüber
hinaus hat der Kohlenstoff-Schutzfilm, welcher von einem sauerstoffhaltigen
Kohlenwasserstoffgas abgelagert wurde, weniger Defekte als jener,
welcher von einem allgemeinen Kohlenwasserstoffgas ohne Sauerstoff
abgelagert wurde.
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Dies
liegt anhand der Tatsache, dass aktivierter Sauerstoff, welcher
während der Pyrolyse von dem sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgas
bei einer hohen Temperatur erzeugt wurde, mit dem abgelagerten amorphen
Kohlenstoff reagiert, um Kohlenstoffmonoxid zu erzeugen, welches
zur Reduktion von Defekten in dem Kohlenstoff-Schutzfilm beiträgt.
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Darüber
hinaus verringert eine Verwendung eines sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgases zum
Ausbilden von einem Kohlenstoff-Schutzfilm die Erzeugung von nicht
reagiertem Kohlenwasserstoff während der Ausbildung von
dem Kohlenstoff-Schutzfilm durch ein CVD, welches ein Anhaften von
dem nicht reagierten Kohlenstoff und einem höheren Kohlenwasserstofffilm
zur Innenseite von der Ablagerungseinrichtung reduziert. Daher wird
ebenfalls eine Wirkung erbracht, welche eine Wartung von der Ablagerungseinrichtung
verbessert.
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Obwohl
der Fall der Verwendung eines geringeren Alkohols, wie beispielsweise
Ethanol und Methanol, als ein sauerstoffhaltiges Kohlenwasserstoffgas
als ein Beispiel in Ausführungsform 3 erläutert ist,
kann ein Gas, welches Sauerstoff, Kohlenstoff und Wasserstoff enthält,
als ein sauerstoffhaltiges Kohlenwasserstoffgas verwendet werden,
beispielsweise kann ein höherer Alkohol, wie beispielsweise Cetanol,
eine Hydroxylsäure, eine Carboxylsäure, ein Keton,
ein Aldehyd, ein Phenol, ein Ester oder ein Ether, ebenfalls durch
ein Aufdampfen derer verwendet werden. Für einen solchen
Fall ist ein Herstellungsverfahren, welches jenem von Ausführungsform
3 äquivalent ist, verwendbar und kann die gleiche Wirkung
erbringen. Es ist zu erwähnen, dass in der praktischen
Anwendung ein höher sauerstoffhaltiger Kohlenwasserstoff
eher ungewünscht ist; ein geringeres, welches zehn oder
weniger Kohlenstoffe in einem Molekül enthält,
vorteilhaft ist, und zusätzlich ein geringeres, welches
einen höheren Dampfdruck hat, weiter bevorzugt ist. Von
diesem Gesichtspunkt aus betrachtet, kann angegeben werden, dass ein
geringerer Alkohol, wie beispielsweise Ethylalkohol und Methylalkohol,
vorteilhaft ist.
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Ausführungsform 4
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Während
in Ausführungsform 3 eine Erläuterung über
die Ausbildung von dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 unter Verwendung
von einem sauerstoffhaltigen Kohlenwasserstoffgas, wie beispielsweise
Ethanol und Methanol, in einem Fall einer Verwendung von einer zyklischen
Ether-Zusammensetzung, wie beispielsweise Tetrahydrofuran (THF),
als ein sauerstoffhaltiges Kohlenwasserstoffgas abgegeben wurde,
wird ein Kohlenstoff-Schutzfilm 6 unter leicht unterschiedlichen
Bedingungen ausgebildet. Ein Ablauf, welcher sich von jenem bei
dem Verfahren zum Herstellen von der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
in Ausführungsform 3 unterscheidet, das heißt
die Ausbildung von dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 unter Verwendung
von Tetrahydrofuran, wird im Folgenden mit Bezug auf 1 bis 8 und 10 erläutert.
Die weiteren Abläufe bei dem Verfahren zum Herstellen von
der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung sind gleich jenen wie in
Ausführungsform 3 erläutert, wobei ihre Erläuterungen
daher ausgelassen werden.
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Nachdem
ein Siliziumcarbid-Wafer bis zu der in 2 in Ausführungsform
3 angezeigten Stufe hergestellt ist, wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 über der
gesamten Oberfläche von dem Siliziumcarbid-Wafer unter
Verwendung von Tetrahydrofuran als ein sauerstoffhaltiges Kohlenwasserstoffgas
durch ein CVD-Verfahren oder dergleichen ausgebildet, wie in 3 gezeigt.
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Genauer
gesagt, während ein Edelgas, wie beispielsweise Argon (Ar),
als ein Trägergas zum Einfluss in dem Ablagerungsofen 32,
welcher ein CVD durchführt, eingeführt wird, wird
der Innenraum von der Ablagerungseinrichtung auf eine Temperatur im
Bereich von 850°C bis 1000°C unter Verwendung des
Erwärmers 34 unter einem reduzierten Druck erwärmt.
Die Erwärmungszeit beträgt ungefähr 20
Minuten. Danach wird ein mit Druck beaufschlagtes Tetrahydrofuran
stufenförmig in einem Verdampfer von einem Zuführer,
welche nicht angezeigt sind, zugeführt, um in dem Verdampfer
bei 120°C zu verdampfen, und wird dann in den Ablagerungsofen 32 über die
Gaseinlassröhre 31 eingeführt. Um eine
Kondensation zu verhindern, werden die Röhren von dem Verdampfer
zu dem Ablagerungsofen 32, welche die Gaseinlassröhre 31 enthalten,
durch die Erwärmer, welche nicht angezeigt sind, welche
um die Röhren herum bereitgestellt sind, auf mehr als 100°C
erwärmt. Das Tetrahydrofuran muss unter einem Druck von
weniger als 1,33 × 104 Pa (100
Torr) im Ablagerungsofen 32 pyrolisiert und abgelagert
werden. Weiter bevorzugt wird der Druck darin auf 7 × 103 Pa (52,5 Torr) eingestellt, welches die
Ablagerungsrate erhöht. Auf diese Art und Weise wird das
sauerstoffhaltige Kohlenwasserstoffgas, welches in dem Ablagerungsofen 32 eingeführt
ist, darin pyrolisiert, um die Kohlenstoff-Schutzfilme 6,
welche von hoher Qualität und hoher Reinheit mit wenigen
Kontaminationen sind, auf eine vorbestimmte Dicke oberhalb der gesamten
Oberfläche von jedem von einer Mehrzahl von Siliziumcarbid-Wafern,
welche auf dem Substrathalter 35 platziert sind, auszubilden.
Die vorbestimmte Dicke beträgt hier, wie zuvor erwähnt,
ein Nanometer, wobei oberhalb dessen die Wirkung von dem Schutzfilm
erbracht wird, bis eintausend Nanometer, unterhalb dessen Brüche
aufgrund von der Wärmebelastung, welche auf dem Siliziumcarbid-Wafer
auferlegt wird, und der Temperaturdifferenz, welche darin auftritt,
nicht in dem Schutzfilm erzeugt werden. Es ist weiter bevorzugt,
dass sie zehn bis fünfhundert Nanometer beträgt,
wobei die Dicke in diesem Bereich einfach zu steuern ist. Zusätzlich erlegt
die hohe Qualität einen fortgeschrittenen Zustand von einer
Graphitisierung auf. Nachdem der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 von
der vorbestimmten Dicke ausgebildet ist, wird die Zufuhr des Tetrahydrofuran
von dem Zuführer beendet, und wird der Innenraum von dem
Ablagerungsofen 32 auf eine Temperatur herabgekühlt,
bei welcher die Siliziumcarbid-Wafer daraus entnommen werden können.
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Dadurch
kann der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 ausgebildet werden, welcher
die gleiche Wirkung wie jene von Ausführungsform 3 erbringt.
Abläufe, welche jenen nachfolgen, sind gleich der Ausglühbehandlung
und jenen danach nachfolgenden in Ausführungsform 3.
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Ausführungsform 5
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Gemäß Ausführungsform
1 bis Ausführungsform 4 werden, nachdem der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb
der gesamten Oberfläche von jedem von den Siliziumcarbid-Wafern
in der Ablagerungseinrichtung ausgebildet wurde, die Siliziumcarbid-Wafer in
die Ausglüheinrichtung überführt. Aus
diesem Grund kann der Kohlenstoff-Schutzfilm 6, welcher
auf den Siliziumcarbid-Wafer-Oberflächen ausgebildet ist,
einem Abziehen oder einer Teilbeschädigung aufgrund von
einer Reibung während der Überführung unterzogen
werden, welches ein Anlass für ein Bedenken gibt, dass
die Qualität und Herstellungserträge von der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
abnehmen.
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Ein
Verfahren zum Verhindern von solchen Beschädigungen liegt
darin, einen Substrathalter 35 zwischen der Ablagerungseinrichtung,
welche den Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb der gesamten Oberfläche
von den Siliziumcarbid-Wafer ablagert, und der Ausglüheinrichtung,
welche die Siliziumcarbid-Wafer ausglüht, welche mit dem
Kohlenstoff-Schutzfilm 6 darauf abgelagert wurden, gemeinsam
zu benutzen.
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Mit
anderen Worten, wird der Substrathalter 35, welcher ermöglicht,
dass der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 oberhalb der gesamten
Oberfläche von jedem von der Mehrzahl von Siliziumcarbid-Wafern
abzulagern ist, und ermöglicht, dass die Wafer für
einen Stapelbetrieb auf dem Halter platziert werden, sowohl in der
Ablagerungs- und Ausglüheinrichtung, wie in Ausführungsform
1 bis Ausführungsform 4 gezeigt, verwendbar bereitgestellt.
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11 zeigt
ein Beispiel von einer typischen Ausglüheinrichtung. In 11 wird
eine Ausglüheinrichtung 40 mit einem Ausglühofen 41,
einer Gaseinlassröhre 42 zum Einführen
eines Edelgases, wie beispielsweise Argon, in den Ausglühofen 41,
und einer Abgasröhre 43 zum Ausstoßen
von Gasen innerhalb des Ausglühofens 41 dadurch,
dem Substrathalter 35, auf welchem die Mehrzahl von Siliziumcarbid-Wafern
platziert werden kann, und welcher ebenfalls für die Ablagerungseinrichtung
verwendbar ist, einem Erwärmer 44, wie beispielsweise
ein Kohlenstoff-Erwärmer, welcher derart angeordnet ist,
so dass er den Substrathalter 35 umgibt, Wärmespreizern 45,
welche aus Quarz, Keramik oder dergleichen erstellt sind, welche
zumindest um den Erwärmer 44 herum angeordnet
sind, um gleichförmig eine Wärme von dem Erwärmer 44 zu
dem Siliziumcarbid-Wafern zu überführen, und einer
Spule 46, welche um den Umfang von dem Ausglühofen 41 herum angeordnet
ist, um den Erwärmer 44 durch Induktion zu erwärmen,
bereitgestellt.
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Bei
einem Verwenden einer derart aufgebauten Ausglüheinrichtung 40 wird
nach einem Ausstoßen von Gasen innerhalb des Ausglühofens 41,
Argongas über die Gaseinlassröhre 42 eingeführt. Dann
wird eine Wärme von dem Erwärmer 44,
welcher durch die Spule 46 induktiv erwärmt ist,
gleichförmig durch die Wärmespreizer 45 verteilt,
so dass die Siliziumcarbid-Wafer, welche auf dem Substrathalter 35 platziert
sind, isothermisch in der Argon-Atmosphäre erwärmt
werden, welche auf einen vorbestimmten Druck eingestellt ist, wobei
eine gewünschte Ausglühbehandlung durchgeführt
wird. Zusätzlich wurde der Substrathalter 35,
welcher bei der Ausglühbehandlung verwendet ist, in der
Ablagerungseinrichtung verwendet.
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Auf
diese Art und Weise können durch ein gemeinsames Verwenden
des Substrathalters 35 zwischen dem Ablagerungs- und Ausglühablauf,
die Siliziumcarbid-Wafer, welche auf dem Substrathalter 35 platziert
sind, von der Ablagerungseinrichtung zu der Ausglüheinrichtung überführt
werden, ohne den Substrathalter zu wechseln. Daher wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6,
welcher auf jeder Siliziumcarbid-Wafer-Oberfläche ausgebildet
ist, keinem Abziehen oder keiner Teilbeschädigung aufgrund
von einer Reibung während der Überführung
unterworfen, welches weitere Verbesserungen bei der Qualitätsstabilität
und bei den Herstellungserträgen von der Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung
erzielt. Darüber hinaus, da die Innenräume von
der Ablagerungs- und Ausglüheinrichtung weniger kontaminiert
werden, kann die Produktionswirksamkeit ebenfalls verbessert werden.
-
Es
ist zu erwähnen, dass der Siliziumcarbid-Wafer in jeder
Ausführungsform durch den Substrathalter während
einer Ablagerung von dem Kohlenstoff-Schutzfilm 6 gelagert
wird. Aus diesem Grund wird der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 nicht
oder spärlich auf Abschnitten ausgebildet, bei welchen
der Substrathalter den Siliziumcarbid-Wafer berührt. Jedoch sind
jene Kontaktabschnitte ein kleiner Bereich mit Bezug auf den gesamten
Bereich von dem Siliziumcarbid-Wafer, welches die Wirkung von der
Erfindung überhaupt nicht beeinflusst. Daher enthält
der Ausdruck "der Siliziumcarbid-Wafer, welcher mit dem Kohlenschutz-Schutzfilm 6 über der
gesamten Oberfläche davon ausgebildet ist", wie in der
Erfindung angegeben, ebenfalls einen Siliziumcarbid-Wafer, welcher
Abschnitte hat, bei welchen der Substrathalter ihn berührt,
auf welchen der Kohlenstoff-Schutzfilm 6 nicht ausgebildet
wird oder bei einem dünneren Film ausgebildet wird, und
zwar aufgrund von einer Schwierigkeit bei der Ablagerung.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 3760688 [0008]
- - JP 2005-353771 [0009]