DE102008028693A1 - Metallkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 324
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 321
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 82
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 69
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Chemical compound [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 3
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 claims description 2
- AGLSQWBSHDEAHB-UHFFFAOYSA-N azane;boric acid Chemical compound N.OB(O)O AGLSQWBSHDEAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 3
- 230000027950 fever generation Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
-
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
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Abstract
Description
- HINTERGRUND
- 1. Gebiet
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Metallkondensator und ein Verfahren zu dessen Herstellung und insbesondere auf einen Metallkondensator, bei dem die elektrische Leitfähigkeit signifikant verbessert ist.
- 2. Hintergrund
- Ein Aluminiumelektrolytkondensator wird verwendet, um eine Leistungsabgabe von einer Leistungsschaltung auf einen vorbestimmten Wert zu glätten oder er wird als eine Umgehung für niedere Frequenzen verwendet. Nachfolgend wird ein Verfahren für die Herstellung des Aluminiumelektrolytkondensators kurz beschrieben.
- Ein Ätzverfahren zum Ätzen der Oberfläche einer Aluminiumfolie wird ausgeführt, um ein Oberflächengebiet der Aluminiumfolie zu vergrößern und dadurch die elektrische Kapazität zu erhöhen. Wenn das Ätzverfahren abgeschlossen ist, wird ein Formungsverfahren des Ausbildens einer dielektrischen Substanz auf der Aluminiumfolie ausgeführt. Wenn Kathoden- und Anodenfolien durch das Ätzverfahren und das Formungsverfahren hergestellt worden sind, wird ein Schneideverfahren zum Schneiden der hergestellten Aluminiumfolie und eines Trennstücks (Separators) auf die Länge einer gewünschten Breite auf der Basis der Länge eines Produkts ausgeführt. Wenn das Schneideverfahren beendet ist, wird ein Heftverfahren (stitching process) für das Anfügen einer Aluminiumanschlussfläche, die einen Leitungsanschluss darstellt, bei der Aluminiumfolie ausgeführt.
- Wenn das Schneiden der Aluminiumfolie und des Trennstücks beendet ist, wird ein Wickelverfahren der Anordnung des Trennstücks zwischen der Anodenaluminiumfolie und der Kathodenaluminiumfolie und dem anschließenden Wickeln der Aluminiumfolien zu einer zylindrischen Form und das Anbringen eines Bandes daran, damit sich diese nicht abwickeln, ausgeführt. Wenn das Wickelverfahren abgeschlossen ist, wird ein Imprägnierverfahren des Einschiebens der gewickelten Vorrichtung in ein Aluminiumgehäuse und des Injizierens eines Elektrolyten ausgeführt. Wenn das Injizieren des Elektrolyten beendet ist, wird ein Aushärtungsverfahren des Abdichtens des Aluminiumgehäuses unter Verwendung eines Dichtungsmaterials ausgeführt. Wenn das Aushärtungsverfahren beendet ist, wird ein Alterungsverfahren zum Beseitigen einer Beschädigung der dielektrischen Substanz ausgeführt. Damit ist der Zusammenbau des Aluminiumelektrolytkondensators beendet.
- Durch die aktuelle Entwicklung bei der Digitalisierung und der Dünnheit von elektronischen Vorrichtungen gibt es beim Verwenden des konventionellen Aluminiumelektrolytkondensators einige der folgenden Probleme.
- Da der Aluminiumelektrolytkondensator das Elektrolyt verwendet, ist die elektrische Leitfähigkeit verhältnismäßig niedrig, und somit wird die Lebensdauer des Aluminiumelektrolytkondensators im Hochfrequenzbereich reduziert. Es gibt auch einige Einschränkungen bei der Verbesserung der Zuverlässigkeit, des Hochfrequenzverhaltens, eines niedrigen Ersatzserienwiderstands (ESR) und der Impedanz. Auch gibt es durch eine vergleichsweise hohe Wellenpyrexie einige Einschränkungen bei der Stabilität und bei Umgebungen, wie Rauch und Feuer.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung wurde erdacht, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen und somit einen Metallkondensator, bei dem durch das Verwenden eines Metallmaterials für einen Elektrolyten die elektrische Leitfähigkeit um das ungefähr 10.000 bis 1.000.000-fache im Vergleich zur Verwendung eines konventionellen Elektrolyten oder eines organi schen Halbleiters verbessert ist, einen mehrlagigen Metallkondensator, der den Metallkondensator verwendet und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu liefern.
- Die vorliegende Erfindung liefert auch einen Metallkondensator, der durch die Verwendung eines Metallmaterials für einen Elektrolyten die Miniaturisierung verbessert, einen niedrigen Ersatzserienwiderstand (ESR) liefert, eine Reduktion in der Welligkeitspyrexie aufweist, eine lange Lebensdauer und eine Hitzefestigkeit besitzt, der in der Umgebung nicht raucht, nicht brennt, und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Metallkondensator geliefert, umfassend: ein Metallelement, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche aufweist; ein Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet ist; eine Isolierschicht, die auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um das Metallelement und das Dichtungselektrodenelement zu isolieren; und ein Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen.
- Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Metallkondensators geliefert, wobei das Verfahren umfasst: Maskieren einer anderen Oberfläche eines Metallelements unter Verwendung eines Harzfilms; Ausbilden einer Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche des Metallelements unter Verwendung einer Gleichstromätzung (DC), wenn die andere Oberfläche des Metallelements maskiert ist; Ausbilden eines Metalloxidfilms auf dem Metallelement unter Verwendung einer Anodisierungsweise, wenn die Vielzahl der Vertiefungen auf dem Metallelement ausgebildet ist; Ausbilden einer Isolierschicht auf dem Dichtungselektrodenelement und dem Metalloxidfilm unter Verwendung einer chemischen Abscheidung aus der Dampfphase (CVD); und Ausbilden eines Dichtungselektrodenelements, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, die auf dem Metallelement ausgebildet sind, durch die Verwendung einer chemischen Beschichtung oder einer Elektroplattierung.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die Ausführungsformen werden im Detail unter Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, bei denen gleiche Bezugszahlen sich auf gleiche Elemente beziehen.
- Die
1A bis1E zeigen einen Metallkondensator gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; - Die
2A bis2C zeigen eine andere Ausführungsform des in1A gezeigten Metallkondensators; - Die
3A bis3C zeigen eine nochmals andere Ausführungsform des in1A gezeigten Metallkondensators; - Die
4A bis4D zeigen einen Metallkondensator gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und - Die
5A bis5D zeigen einen Metallkondensator gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- (Erste Ausführungsform)
- Nachfolgend wird eine Konfiguration eines Metallkondensators gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
-
1A ist eine Aufsicht auf den Metallkondensator gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.1B bis1E sind Schnittansichten entlang der Linie A1–A2 des in1A gezeigten Metallkondensators. - Wie in den
1A bis1E gezeigt ist, umfasst ein Metallkondensator10 ein Metallelement11 , einen Metalloxidfilm12 , ein Dichtungselektrodenelement13 und eine Isolierschicht14 . Nachfolgend wird eine Konfiguration davon beschrieben. - Das Metallelement
11 umfasst eine Vielzahl von Vertiefungen11a auf seiner Oberfläche. Der Metalloxidfilm12 ist auf dem Metallelement11 ausgebildet. Das Dichtungselektrodenelement13 ist auf dem Metalloxidfilm ausgebildet, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen. Die Isolierschicht14 ist auf dem Metalloxidfilm12 ausgebildet, um das Metallelement11 und das Dichtungselektrodenelement13 zu isolieren. Die Isolierschicht14 kann nach dem Ausbilden des Dichtungselektrodenelements13 ausgebildet werden. Dann wird die Isolierschicht15 auf einem Metalloxidfilm12 und/oder dem Dichtungselektrodenelement13 ausgebildet. - Nachfolgend wird jede Konfiguration des Metallkondensators
10 gemäß der ersten Ausführungsform weiter im Detail beschrieben. - Das Metallelement
11 ist als Folie oder in einer planaren Form ausgebildet und verwendet Aluminium (Al), Niob (Nb), Tantal (Ta), Zirkonium (Zr) oder Titan (Ti). Der Metalloxidfilm12 wird auf der gesamte Oberfläche des Metallelements11 ausgebildet, wie das in den1C bis1D gezeigt ist, oder er wird auf einer Oberfläche ausgebildet, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet ist, wie das in1E gezeigt ist. Der Metalloxidfilm12 verwendet Aluminiumoxid (Al2O3), Niobpentoxid (Nb2O5), Niobmonoxid (NbO), Tantalpentoxid (Ta2O5), Zirkoniumdioxid (ZrO2) oder Titandioxid (TiO2). - Das Dichtungselektrodenelement
13 kann Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Zink (Zn), Silber (Ag), Nickel (Ni), Zinn (Sn), Indium (In), Palladium (Pd), Platin (Pt), Kobalt (Co), Ruthenium (Ru) oder Gold (Au) verwenden. Es werden ferner eine Vielzahl erster externer Elektroden21 , wie das in1D gezeigt ist, oder eine Vielzahl zweiter externer Elektroden22 , wie das in1E gezeigt ist, vorgesehen, damit sie mit dem Metallelement11 und dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden werden. Die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 kann mit dem Metallelement11 beziehungsweise dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden werden, um somit den Metallkondensator10 unabhängig von der Polarität zu verwenden. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist eine Anodenelektrode, und die andere ist eine Kathodenelektrode, was sich von der Vielzahl der ersten externen Elektroden21 unterscheidet. Die Vielzahl der zweiten externen Elektroden ist mit dem Metallelement11 beziehungsweise dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden, um es somit dem Metallkondensator zu ermöglichen, dass er eine Polarität aufweist. Insbesondere ist, wenn die zweite externe Elektrode22 , die mit dem Metallelement11 oder dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden ist, die Anodenelektrode ist, die andere zweite externe Elektrode die Kathodenelektrode. Im Gegensatz dazu ist, wenn die zweite externe Elektrode22 , die mit dem Metallelement11 oder dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden ist, die Kathodenelektrode ist, die andere zweite externe Elektrode22 die Anodenelektrode. - Wie in
1D gezeigt ist, ist eine Saatelektrodenschicht15 zwischen dem Metalloxidfilm12 und dem Dichtungselektrodenelement13 angeordnet, um das Dichtungselektrodenelement13 in der Vielzahl der Vertiefungen11a des Metallelements11 auszubilden. Die Saatelektrodenschicht15 verwendet Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Zink (Zn), Silber (Ag), Nickel (Ni), Zinn (Sn), Indium (In), Palladium (Pd), Platin (Pt), Kobalt (Co), Ruthenium (Ru) oder Gold (Au). Die Saatelektrodenschicht15 ist vorgesehen, damit das Dichtungselektrodenelement13 leicht in die Vielzahl der Vertiefungen11a des Metallelements11 gefüllt werden kann und ein strengeres Anhaften am Metalloxidfilm12 aufweist. - Die Isolierschicht
14 ist auf dem Metalloxidfilm12 und dem Dichtungselektrodenelement13 ausgebildet, um die Seite des Dichtungselektrodenelements13 zu umgeben, um somit das Metallelement11 und das Dichtungselektrodenelement13 zu isolieren. Das Formungselement31 ist vorgesehen, um das Metallelement11 unter Verwendung eine Formungsmaterials, wie einer Epoxydharzformungsverbindung (EMC), abzudichten. Wenn das Metallelement11 geformt wird, formt das Formungselement31 das Metallelement11 in eine planare oder eine zylindrische Form. Wenn das Metallelement11 in die planare Form geformt wird, montiert das Formungselement das Metallelement11 oder einen Chip in einem Oberflächenmontagetyp. Wenn das Metallelement11 in die zylindrische Form geformt wird, formt und wickelt das Formungselement31 das zu montierende Metallelement in Form eines Leitertyps. - Nachfolgend wird eine andere Ausführungsform des in den
1A bis1E gezeigten Metallkondensators10 unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. - Die
2A bis2C zeigen eine andere Ausführungsform des in1A gezeigten Metallkondensators.2A ist eine Aufsicht auf den Metallkondensator. Die2B und2C sind Schnittansichten entlang der Linie B1-B2 des in2A gezeigten Metallkondensators. - Wie in den
2A bis2C gezeigt ist, kann gemäß der anderen Ausführungsform des Metallkondensators10 die Vielzahl der Vertiefungen11a , die auf dem Metallelement11 ausgebildet sind, in die Form eines Polygons, wie eines Quadrats oder eines Kreises, wie in1A gezeigt ist, gebracht werden. Das Metallelement11 , das eine Vielzahl von quadratischen Vertiefungen11b einschließt, kann einen Elektrodenrückzugsteil (electrode withdrawing portion) m einschließen, wie das in den2B und2C gezeigt ist. Der Elektrodenrückzugsteil m wird durch das Erweitern des Metallelements11 um den Elektrodenrückzugsteil m ausgebildet. Der Elektrodenrückzugsteil m ist vorgesehen, um die erste externe Elektrode21 oder die zweite externe Elektrode mit dem Metallelement11 leichter zu verbinden. Das Metallelement11 , das mit dem Elektrodenrückzugsteil m ausgebildet ist, ist auf der gesamte Oberfläche des Metalloxidfilms12 ausgebildet, oder es ist auf einer Oberfläche ausgebildet, wo die Vielzahl der quadratischen Vertiefungen11b ausgebildet ist. - Nachfolgend wird eine nochmals andere Ausführungsform des in den
1A bis1E gezeigten Metallkondensators10 unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. - Die
3A bis3C zeigen eine nochmals andere Ausführungsform des in1A gezeigten Metallkondensators10 .3A ist eine Aufsicht auf den Metallkondensator. Die3B und3C sind Schnittansichten entlang der Linie C1-C2 des in3A gezeigten Metallkondensators. - Wie in den
3A bis3C gezeigt ist, kann gemäß einer nochmals anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Vielzahl der Vertiefungen11a , die auf dem Metallelement11 ausgebildet sind, in der Form eines Polygons, wie eines Sechsecks oder eines Kreises, in1A gezeigt, ausgebildet sein. Das Metallelement11 , das eine Vielzahl von sechseckigen Vertiefungen11 einschließt, kann mindestens einen Elektrodenrückzugsteil einschließen, wie das in den3B und3C gezeigt ist. In den3B und3C umfasst das Metallelement11 zwei Elektrodenrückzugsteile m. Die erste externe Elektrode21 oder die zweite externe Elektrode können mit jedem der Elektrodenrückzugsteile m verbunden sein, um somit den Metallkondensator, der zwei Anschlüsse oder drei Anschlüsse besitzt, zu konstruieren. Der Metalloxidfilm12 , der auf dem Metallelement11 ausgebildet ist, wo mindestens ein Elektrodenrückzugsteil m ausgebildet ist, um den Metallkondensator11 , der zwei oder drei Anschlüsse aufweist, zu konstruieren, umfasst den Elektrodenrückzugsteil m und ist auf der gesamte Oberfläche oder auf einer Oberfläche ausgebildet, wo die Vielzahl der polygonalen Vertiefungen11c ausgebildet ist. - (Zweite Ausführungsform)
- Nachfolgend wird eine Konfiguration eines Metallkondensators gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
- Die
4A bis4D zeigen einen Metallkondensator gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Wie in den
4A bis4D gezeigt ist, sind Metallkondensatoren110 ,120 ,130 und140 gemäß der zweiten Ausführungsform als eine Vielzahl von einschichtigen Metallkapazitätselementen10a konstruiert. Jedes aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a umfasst ein Metallelement11 , ein Metalloxidelement12 , ein Dichtungselektrodenelement13 und ein Isolationselement14 . Deren Konfigurationen sind dieselben wie die des Metallelements11 , des Metalloxidfilms12 , des Dichtungselektrodenelements13 und der Isolationsschicht14 gemäß der ersten in den1A bis1E gezeigten Ausführungsform. Somit werden weitere detaillierte Beschreibungen hier weggelassen. - Die Metallkondensatoren
110 ,120 ,130 und140 , die als die Vielzahl eines einschichtigen Metallkapazitätselements10a gemäß der zweiten Ausführungsform konstruiert sind, werden unter Bezug auf die4A bis4D der Reihe nach beschrieben. - Wie in
4A gezeigt ist, umfasst der Metallkondensator110 gemäß der zweiten Ausführungsform die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a und eine Vielzahl von externen Elektroden21 . - Jedes einschichtige Metallkapazitätselement
10a umfasst das Metallelement11 , den Metalloxidfilm12 , das Dichtungselektrodenelement13 und die Isolierschicht14 . Die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a ist parallel vorgesehen, um mit dem Dichtungselektrodenelement13 kontaktiert zu werden. Der Metalloxidfilm12 von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a ist auf der gesamten Oberfläche des Metallelements11 ausgebildet. Wie in4A gezeigt ist, ist die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 mit der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a verbunden, um es zu ermöglichen, dass der Metallkondensator110 unabhängig von einer Polarität verwendet werden kann. - Der Metallkondensator
110 , bei dem eine Vielzahl von einschichtigen Metallkapazitätselementen10a parallel vorgesehen ist, ist mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden, was durch die gestrichelten Linien in4A dargestellt ist. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist eine Anodenelektrode, und die andere ist eine Kathodenelektrode. Die Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist mit dem Metallkondensator verbunden, um dem Metallkondensator110 die Polarität zu geben. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist mit dem Metallelement11 jedes einschichtigen Metallkapazitätselements10a verbunden, und die andere ist mit dem kontaktierenden Dichtungselektrodenelement13 verbunden. - Ein leitendes Klebeelement
16 ist weiter zwischen der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a angeordnet, um die Klebefähigkeit zu verbessern. Das leitende Klebeelement16 verwendet Kleber wie ein leitende Lötpaste und dergleichen. Die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a umfasst weiter ein Formungselement31 . Das Formungselement31 formt die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a in eine planare Form oder eine zylindrische Form. Wenn das Metallelement11 in die zylindrische Form geformt wird, wickelt und formt das Formungselement31 die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a . - Wie in
4B gezeigt ist, umfasst der Metallkondensator120 gemäß der zweiten Ausführungsform die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a und eine Vielzahl erster externer Elektroden21 . Der in4B gezeigten Metallkondensator120 weist dieselbe Konfiguration wie der in4A gezeigte Metallkondensator110 auf, und somit wird eine weitere detaillierte Beschreibung hier weggelassen. Der Unterschied zwischen ihnen besteht darin, dass die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a parallel vorgesehen ist, um die Metallelemente11 in Kontakt miteinander zu bringen. Da die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a parallel vorgesehen ist, um zu bewirken, dass sich die Metallelemente11 kontaktieren, ist die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 mit dem Dichtungselektrodenelement13 jedes einschichtigen Metallkapazitätselements10a verbunden. Auch wird, wenn die Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden wird, eine davon mit dem Dichtungselektrodenelement13 des einschichtigen Metallkapazitätselements10a verbunden, und eine andere davon wird mit dem kontaktierenden Metallelement11 verbunden. - Wie in
4C gezeigt ist, umfasst der Metallkondensator130 gemäß der zweiten Ausführungsform eine Vielzahl von ersten parallelen mehrschichtigen Körpern110a , eine Vielzahl von zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körpern120a und eine Vielzahl von zweiten externen Elektroden21 . - Die Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper
110a ist parallel vorgesehen, so dass unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a das Dichtungselektrodenelement13 eines ungeradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselements10a in Kontakt mit dem Dichtungselektrodenelement13 eines ungeradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselements10a kommen kann. Die Vielzahl der zweiten parallelen mehrschichtigen Körper120a ist parallel vorgesehen, so dass unter die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a das Metallelement11 des ungeradzahligen einschichten Metallkapazitätselements10a mit dem Metallelement11 des geradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselements10a in Kontakt treten kann. - Die Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper
110a und die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a , die in obiger Weise konstruiert sind, sind in Serie/parallel vorgesehen, so dass das Metallelement11 des geradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselements10a des ersten, parallelen, mehrschichtigen Körpers110a mit dem Dichtungselektrodenelement13 des ungeradzahligen, einschichten Metallkapazitätselements10a des zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körpers120a in Kontakt treten kann. Insbesondere wird, wenn die Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper110a und die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a parallel vorgesehen sind, der Metallkondensator130 in Serie/parallel vorgesehen, indem sequentiell in Serie der erste, parallele, mehrschichtige Körper110a und der zweite, parallele, mehrschichtige Körper120a vorgesehen werden. - Die Vielzahl der ersten externen Elektroden
21 ist mit dem Metallelement11 des ungeradzahligen, einschichtigen, Metallkapazitätselements10a eines zuerst lokalisierten ersten parallelen mehrschichtigen Körpers110a unter der Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper110a verbunden, und das Metallelement11 des geradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselements10a eines zuletzt lokalisierten zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körpers120a unter der Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a verbunden. Die Ausdrücke "ungeradzahlig", "geradzahlig", "erste" und "letzte" sind auf der Basis des ersten, parallelen, mehrschichtigen Körpers110a , der an untersten Stelle angeordnet ist, wie das in4C gezeigt ist, definiert. Beispielsweise wird angenommen, dass wenn der erste, parallele, mehrschichtige Körper110a , der an unterster Stelle angeordnet ist, wie das in4C gezeigt ist, einen ersten Ort darstellt, das einschichtige Metallkapazitätselement10a , das an einem unteren Platz des sich an erster Stelle befindlichen, parallelen, mehrschichtigen Körpers110a angeordnet ist, an einem ungeradzahligen Ort angeordnet ist. - Die Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper
110a und die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a , die mit der Vielzahl der ersten externen Elektroden21 verbunden sind, sind mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden, wie das durch gestrichelte Linien dargestellt ist, wie das in4C gezeigt ist. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist eine Anodenelektrode und die andere ist eine Kathodenelektrode. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist mit dem Metallelement11 von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a der Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper11a verbunden, und die andere ist mit dem kontaktierenden Dichtungselektrodenelement13 verbunden. Die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a , die mit der Vielzahl der ersten externen Elektroden21 verbunden ist, ist mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden, was durch die gestrichelten Linien, die in4D gezeigt sind, dargestellt ist. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist mit dem Dichtungselektrodenelement13 von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a der Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrsichtigen Körper120a verbunden, und die andere ist mit dem kontaktierenden Metallelement11 verbunden. - Da die Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper
110a und die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a mit der Vielzahl der zweiten, externen Elektroden22 verbunden sind, kann der in4C gezeigte Metallkondensator130 konstruiert sein, um die Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper110a oder die Vielzahl der zweiten, parallelen mehrschichtigen Körper120a als eine einzelne Kondensatorvorrichtung anzuwenden. Der Metallkondensator130 umfasst weiter ein leitendes Klebeelement16 , das zwischen jedem aus der Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper110a und jedem aus der Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a angeordnet ist. Bei der Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper110a und der Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper120a , die weiter das leitende Klebeelement16 einschließen, ist der Metalloxidfilm12 jedes einschichtigen Metallkapazitätselements10a auf der gesamten Oberfläche des Metallelements11 ausgebildet. - Wie in
4D gezeigt ist, umfasst der Metallkondensator gemäß einer nochmals anderen Ausführungsform der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a und die Vielzahl der ersten, externen Elektroden21 . - Wie in
4D gezeigt ist, ist die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a in Serie vorgesehen, um zu bewirken, dass jedes Metallelement11 einen Kontakt mit dem Dichtungselektrodenelement13 ausbildet. Die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 ist mit den Metallelementen11 der ersten und der letzten, einschichtigen Metallkapazitätselemente10a unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a verbunden. - Die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente
10a , die mit der Vielzahl der ersten externen Elektroden21 verbunden sind, ist mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden, wobei eine davon eine Anodenelektrode und die andere davon eine Kathodenelektrode ist. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist mit dem Metallelement11 des ersten einschichtigen Metallkapazitätselements10a unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a verbunden, und das andere davon ist mit dem Dichtungselektrodenelement13 des letzten einschichtigen Metallkapazitätselements10a verbunden. Wie oben beschrieben wurde, wird der Metalloxidfilm12 von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a , die den Metallkondensator140 bilden, bei dem die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a in Serie vorgesehen ist, auf der gesamten Oberfläche des Metallelements11 ausgebildet. - (Dritte Ausführungsform)
- Die
5A bis5D zeigen einen Metallkondensator gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Metallkondensatoren
210 ,220 ,230 und240 , wie sie in den5A bis5D gezeigt sind, weisen dieselbe Konfiguration wie der Metallkondensator110 ,120 ,130 und140 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie sie in den4A bis4D gezeigt ist, auf. Insbesondere ist der in5C gezeigte Metallkondensator230 durch das Vorsehen einer Vielzahl von ersten, parallelen, mehrschichtigen Körpern210a und einer Vielzahl von zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körpern220a in Serie, wie die Vielzahl der ersten, parallelen, mehrschichtigen Körper110a und die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper, die in4C gezeigt sind, konstruiert. - Der Metalloxidfilm
12 jedes einzelnen Metallkapazitätselements10 , das die Metallkondensatoren210 ,220 ,230 und240 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bildet, das dieselbe Konfiguration wie die Metallkondensatoren110 ,120 ,130 und140 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat, wird auf eine andere Weise aus dem Metalloxidfilm12 jedes einzelnen Metallkapazitätselements10a der Metallkondensatoren110 ,120 ,130 und140 gemäß der zweiten in den4A bis4D gezeigten Ausführungsform ausgebildet. Insbesondere bilden, wie das in den4A bis4D gezeigt ist, die Metallkondensatoren110 ,120 ,130 und140 den Metalloxidfilm12 auf der gesamten Oberfläche des Metallelements. Andererseits bilden, wie das in den5A bis5D gezeigt ist, die Metallkondensatoren210 ,220 ,230 und240 den Metalloxidfilm12 auf einer Oberfläche des Metallelements11 , wo die Vielzahl der Vertiefungen11a ausgebildet ist. - Da der Metalloxidfilm
12 auf einer Oberfläche des Metallelements11 ausgebildet ist, wo die Vielzahl der Vertiefungen11a ausgebildet ist, können die Metallkondensatoren210 ,220 ,230 und240 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Rauschkomponenten, wie eine parasitäre Kapazität und dergleichen, die durch den Metalloxidfilm12 verursacht werden, reduziert, wenn die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente10a vorgesehen wird. - Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung eines Metallkondensators gemäß der vorliegenden Erfindung, der in obiger Weise konstruiert, ist, unter Bezug auf die
1A bis1E beschrieben. - Eine andere Oberfläche des Metallelements
11 wird unter Verwendung eines (nicht gezeigten) Harzfilms maskiert, um eine Vielzahl von Vertiefungen11a auszubilden, indem nur eine Oberfläche des Metallelements11 geätzt wird. Zusätzlich zu einem Schema des Befestigens eines auf Harz basierenden Films auf der anderen Oberfläche des Metallelements11 und dadurch die Maskierung, verwendet das Maskierverfahren ein Schema des Anwendens eines Photoresists und eines Trägers, um die andere Oberfläche des Metallelements zu maskieren. Wenn der Elektrodenrückzugsteil m auf dem Metallelement11 , wie er in den2B oder3B gezeigt ist, während des Verfahrens des Maskierens der anderen Oberfläche des Metallelements11 gebildet wird, wird nur eine Oberfläche des Metallelements11 , die dem Elektrodenrückzugsteil m entspricht, maskiert. - Wenn die andere Oberfläche des Metallelements
11 maskiert wird, wird die Vielzahl der Vertiefungen11a ausgebildet, um auf einer Oberfläche des Metallelements11 angeordnet zu werden, unter Verwendung einer Gleichstromätzung (DC), wie das in1B gezeigt ist. Hier sprüht die DC-Ätzung isolierende, auf Öl basierende Tinte (nicht gezeigt) auf die Oberfläche einer zu ätzenden Aluminiumfolie. In diesem Fall kann eine Tintensprühregion unter Verwendung eines Siebdrucks begrenzt werden, um somit einen Belichtungsteil sicher zu stellen. Die DC-Ätzung trocknet die Aluminiumfolie, die mit der isolierenden, auf Öl basierenden Tinte besprüht ist, bei einer Temperatur von ungefähr 50°C bis 200°C, erzeugt einen anodisierenden Film in der wässrigen Lösung eines Amoniumadipats von 15% bei 10 bis 20 V bei einer Temperatur von 70°C bis 90°C. Das DC-Ätzen platziert die Aluminiumfolie, die mit dem anodisierenden Film ausgebildet ist, in einem organischen Lösungsmittel, wie Äthanol, Azeton, Benzen und dergleichen, um dadurch die isolierende, auf Öl basierende Tinte zu entfernen, und dann wieder in einem deionisierten Wasser. Als nächstes wird die Aluminiumfolie geätzt. - Während des Ätzverfahrens unter Verwendung der DC-Ätzung wird die Vielzahl der Vertiefungen
11a in der Form eines Kreises, wie das in1a gezeigt ist, ausgebildet, oder sie wird in der Form eines Polygons, wie als die quadratische Vertiefung11b oder die sechseckige Vertiefung11c ausgebildet, wie das in2a oder3a gezeigt ist. Wenn die Vielzahl der Vertiefungen11a in verschiedenen Formen in zylindrischer Form ausgebildet wird, beträgt deren Durchmesser ungefähr 1 μm bis ungefähr 100 μm. Das Ätzschema verwendet ein Wechselstromätzen (AC) oder ein Nassätzen zusätzlich zum DC-Ätzen. - Wenn die Vielzahl der Vertiefungen
11a auf dem Metallelement11 ausgebildet ist, wird der Metalloxidfilm12 auf dem Metallelement11 unter Verwendung eines Anodisierverfahrens ausgebildet. Das Verfahren zur Ausbildung des Metalloxidfilms12 bildet den Metalloxidfilm12 auf der gesamten Oberfläche des Metallelements11 aus, wie das in den1C ,2B oder3B gezeigt ist, oder nur auf einer Oberfläche, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet wird, wie das in1E ,2C oder3C gezeigt ist. - Das Anodisierverfahren entfernt ein Siedeverfahren, bildet eine erste Oxidation in einer wässrigen Lösung von Bor und Borsäureammonium mit 140 Volt und bildet eine Vielzahl von Oxidationen mit einer Änderung der Konzentration und der Spannung der wässrigen Lösung. Das Anodisierverfahren führt eine thermische Behandlung in der vorbestimmten Temperatur aus, um ein Reformierverfahren auszuführen. Auch bildet das Anodisierverfahren einen Metalloxidfilm mit einer verzögerten Erzeugung (restraining generation) eines Hydroxidfilms bis zum Maximum, durch das Erhöhen der ersten und der zweiten Stromdichte um das 1,5-fache bis dreifache. Das Anodisierverfahren kann eine Nebenproduktbehandlung ausführen, um das Nebenprodukt, das im Reformierverfahren erzeugt wird, zu entfernen und wei ter das Reformierverfahren und die thermische Behandlung je nach Anforderung eines Benutzers fortzusetzen. Auch setzt sich das Anodisierverfahren mit einem vorbestimmten Reinigungsverfahren fort, um die Borsäure oder die Phosphorsäure zu reinigen.
- Wie in
1C gezeigt ist, wird die Isolierschicht14 auf dem Metalloxidfilm12 und/oder einem Dichtungselektrodenelement13 unter Verwendung eines chemischen Abscheidens aus der Gasphase (CVD) ausgebildet, wie das in1C gezeigt ist. Obwohl hier ein CVD verwendet wird, ist es möglich, ein Tauchverfahren unter Verwendung eines isolierenden Harzes oder einer isolierenden Tinte, ein Sprühverfahren unter Verwendung eines Tintenstrahldrucks oder eines Siebdrucks oder ein Stempelverfahren (stamping process) anzuwenden. - Ein Dichtungselektrodenelement
13 wird ausgebildet, um die Vielzahl der Vertiefungen11a , die auf dem Metallelement11 ausgebildet sind, über eine Vielzahl von Saatelektrodenschichten durch die Verwendung einer Elektroplattierung oder einem chemischen Beschichten zu füllen, wie das in1D gezeigt ist. In der Saatelektrodenschicht findet eine vorbestimmte Menge von Schwefelsäurepalladium als Aktivator Anwendung. Auch wird ein Reinigungsverfahren ausgeführt, um den Aktivator zu entfernen, nachdem eine vorbestimmte Zeit vergangen ist. - Ein Verfahren zur Ausbildung der Saatelektrodenschicht
15 , um das Dichtungselektrodenelement13 leichter in die Vielzahl der Vertiefungen11a zu füllen, wird weiter zwischen einem Verfahren zum Ausbilden des Dichtungselektrodenelements13 und einem Verfahren zur Ausbildung des Metalloxidfilms12 vorgesehen. Das Ausbilden der Saatelektrodenschicht15 verwendet CVD, ein Metall-organisches CVD (MOCVD) oder eine Molekularstrahlepitaxie (MBE). Die Saatelektrodenschicht15 kann jedoch in Abhängigkeit von den Anforderungen des Benutzers entfernt und nicht angewandt werden. - Die Vielzahl der ersten externen Elektroden
21 wird mit dem Metallelement11 oder dem Dichtungselektrodenelement13 verbunden, wie das in1D gezeigt ist. In diesem Verfahren wird die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 verbunden, wie das in1E gezeigt ist. Die Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 wird mit dem Metallelement11 beziehungsweise dem Dichtungs elektrodenelement13 verbunden. Eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 ist eine Anodenelektrode und eine andere ist hier eine Kathodenelektrode. Wie in1E gezeigt ist, wird weiter ein Verfahren des Ausbildens des leitenden Klebeelements16 , um die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 oder die Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 leichter mit dem Metallelement11 oder dem Dichtungselektrodenelement13 zu verbinden, weiter zwischen dem Verfahren des Ausbildens einer solchen Elektrode und einem Verfahren zur Ausbildung der Isolierschicht14 vorgesehen. Das Ausbilden des leitenden Klebeelements16 verwendet Metallkleber, Lötpaste, ein chemisches Beschichten oder ein Elektroplattieren. - Wie in
1E gezeigt ist, wird, wenn die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 oder die Vielzahl der zweiten externen Elektroden verbunden ist, das Metallelement11 unter Verwendung eines Dichtungsteils abgedichtet, um die Vielzahl der ersten externen Elektroden21 oder die Vielzahl der zweiten externen Elektroden22 nach außen freizulegen. Das Verfahren zum Abdichten des Metallelements11 unter Verwendung des Dichtungselements dichtet das Metallelement11 unter Verwendung eines Formungsmaterials oder eines Abdeckungselements mit einer leeren Innenseite ab. Dadurch wird der Metallkondensator10 hergestellt. - Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die elektrische Leitfähigkeit um das ungefähr 10.000-fache bis zu 1.000.000-fache durch das Verwenden eines Metallmaterials für einen Elektrolyten zu verbessern, wenn man es vergleicht mit der Verwendung eines konventionellen Elektrolyten oder eines organischen Halbleiters. Da auch eine serielle Mehrfachschichtung möglich ist, wird eine hohe Spannung ermöglicht. Da die Polarität keine Richtungsgebundenheit aufweist, wird eine relativ höhere Sicherheit geboten. Auch ist es möglich, die Miniaturisierung zu verbessern, einen niedrigen Ersatzserienwiderstand (ESR) zu bieten, eine Reduktion einer Welligkeitspyrexie zu ermöglichen, eine lange Lebensdauer und eine Hitzefestigkeit zu gewährleisten und eine Rauchfestigkeit und eine Feuerfestigkeit zu erhalten.
- Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf "eine Ausführungsform", "Ausführungsform", "beispielhafte Ausführungsform" etc. bedeutet, dass ein spezielles Merkmal, eine spezielle Struktur oder eine Eigenschaft, die in Verbindung mit dieser Ausführungsform beschrieben ist, in mindestens eine Ausführungsform der Erfindung eingeschlossen ist. Das Auftauchen solcher Wendungen an verschiedenen Plätzen in der Beschreibung bezieht sich nicht notwendigerweise auf dieselbe Ausführungsform. Weiter wird, wenn ein spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft in Verbindung mit irgend einer Ausführungsform beschrieben wird, angenommen, dass es im Können eines Fachmanns liegt, ein solches Merkmal, eine solche Struktur oder eine solche Eigenschaft in Verbindung mit anderen Ausführungsformen zu verwenden.
- Obwohl Ausführungsformen unter Bezug auf eine Anzahl illustrierender Ausführungsformen beschrieben worden sind, sollte verständlich sein, dass viele andere Modifikationen und Ausführungsformen, die unter die Idee und den Umfang der Prinzipien dieser Offenbarung fallen, von Fachleuten ins Auge gefasst werden können. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen bei den Bauteilen und/oder Anordnungen der gegenständlichen Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Beschreibung, der Zeichnungen und der angefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen bei den Bauteilen und/oder Anordnungen werden für Fachleute alternative Verwendungsarten erkennbar sein.
Claims (32)
- Metallkondensator umfassend: ein Metallelement, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche aufweist; einen Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet ist; eine Isolierschicht, die auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um das Metallelement und das Dichtungselektrodenelement zu isolieren; und ein Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei das Metallelement als eine Folie oder in einer planaren Form ausgebildet ist und Aluminium (Al), Niobium (Nb), Tantal (Ta), Zirkonium (Zr) oder Titan (Ti) verwendet.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl der Vertiefungen, die auf dem Metallelement ausgebildet ist, in Form eines Kreises oder eines Polygons ausgebildet ist, und der Durchmesser der Vertiefung ungefähr 1 μm bis ungefähr 100 μm beträgt.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei das Metallelement weiter mindestens einen Elektrodenrückzugsteil einschließt.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei der Metalloxidfilm auf der gesamte Oberfläche des Metallelements ausgebildet wird, oder auf einer Oberfläche, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet ist, und der Metalloxidfilm Aluminiumoxid (Al2O3), Niobpentoxid (Nb2O5), Niobmonoxid (NbO), Tantalpentoxid (Ta2O5), Zirkoniumdioxid (ZrO2) oder Titandioxid (TiO2) verwendet.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, bei dem das Dichtungselektrodenelement Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Zink (Zn), Silber (Ag), Nickel (Ni), Zinn (Sn), Indium (In), Palladium (Pd), Platin (Pt), Kobalt (Co), Ruthenium (Ru) oder Gold (Au) verwendet.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei der Metallkondensator weiter umfasst: eine Saatelektrodenschicht, die zwischen dem Metalloxidfilm und dem Dichtungselektrodenelement angeordnet ist, um das Dichtungselektrodenelement in die Vielzahl der Vertiefungen des Metallelements zu füllen und zu formen, wobei die Saatelektrodenschicht Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Zink (Zn), Silber (Ag), Nickel (Ni), Zinn (Sn), Indium (In), Palladium (Pd), Platin (Pt), Kobalt (Co), Ruthenium (Ru) oder Gold (Au) verwendet.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei weiter eine Vielzahl von ersten externen Elektroden oder eine Vielzahl von zweiten externen Elektroden vorgesehen ist, um mit dem Metallelement und dem Dichtungselektrodenelement verbunden zu werden, und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden eine Anodenelektrode ist, und eine andere eine Kathodenelektrode ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 1, wobei das Metallelement durch ein Formungselement abgedichtet wird, und das Formungselement das Metallelement in einer planaren Form oder einer zylindrischen Form formt, und wenn das Metallelement in die zylindrische Form geformt wird, das Formungselement das Metallelement wickelt und formt.
- Metallkondensator umfassend: eine Vielzahl von einschichtigen Metallkapazitätselementen, wobei jedes ein Metallelement, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche einschließt, einen Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet wird, ein Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm geformt wird, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, und eine Isolierschicht, die auf dem Dichtungselektrodenelement und/oder dem Metalloxidfilm ausgebildet wird, umfasst, um das Metallelement und/oder das Dichtungselektrodenelement zu isolieren; und eine Vielzahl von ersten externen Elektroden, die jeweils mit dem Metallelement von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden sind; wobei jedes aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente parallel vorgesehen ist, um das Dichtungselektrodenelement zu kontaktieren.
- Metallkondensator nach Anspruch 10, wobei der Metalloxidfilm von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente auf der gesamten Oberfläche des Metallelements ausgebildet ist, oder er auf einer Oberfläche, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet ist, ausgeformt ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 10, wobei die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente mit einer Vielzahl von zweiten externen Elektroden verbunden ist, von denen eine eine Anodenelektrode ist, und eine andere eine Kathodenelektrode ist, und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden mit dem Metallelement von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden ist, und eine andere von diesen mit dem kontaktierenden Dichtungselektrodenelement verbunden ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 10, wobei ein leitendes Klebeelement weiter zwischen der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente angeordnet ist, um die Klebefähigkeit zu erhöhen.
- Metallkondensator nach Anspruch 10, wobei die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente weiter ein Formungselement umfasst, und das Formungselement die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente in eine planare Form oder eine zylindrische Form formt, und wenn das Metallelement in die zylindrische Form geformt wird, das Formungselement die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente wickelt und formt.
- Metallkondensator umfassend: eine Vielzahl von einschichtigen Metallkapazitätselementen, wobei jedes ein Metallelement, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche einschließt, einen Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet ist, ein Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, und eine Isolierschicht, die auf dem Dichtungselektrodenelement und/oder dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um das Metallelement und das Dichtungselektrodenelement zu isolieren, einschließt; und eine Vielzahl von ersten externen Elektroden, die jeweils mit dem Dichtungselektrodenelement von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden ist, wobei jedes aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente parallel vorgesehen ist, um das Metallelement zu kontaktieren.
- Metallkondensator nach Anspruch 15, wobei die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente mit einer Vielzahl von zweiten externen Elektroden verbunden ist, von denen eine eine Anodenelektrode und eine andere eine Kathodenelektrode ist, und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden mit dem Dichtungselektrodenelement von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden ist, und eine andere mit dem kontaktierenden Metallelement verbunden ist.
- Metallkondensator umfassend: eine Vielzahl von ersten parallelen mehrschichtigen Körpern, die parallel vorgesehen sind, so dass unter einer Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente jedes ein Metallelement, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche aufweist, einen Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet ist, ein Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgeformt ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, und eine Isolierschicht, die auf dem Dichtungselektrodenelement und/oder dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um das Metallelement und das Dichtungselektrodenelement zu isolieren, wobei ein Dichtungselektrodenelement eines ungeradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselements einen Kontakt mit einem Dichtungselektrodenelement eines geradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselement herstellen kann, umfasst; eine Vielzahl von zweiten parallelen mehrschichtigen Körpern, die parallel vorgesehen sind, so dass unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente jedes das Metallelement umfasst, das die Vielzahl der Vertiefungen auf einer Oberfläche einschließt, den Metalloxidfilm, der auf dem Metallelement ausgebildet ist, das Dichtungselektrodenelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, und die Isolierschicht, die auf dem Dichtungselektrodenelement und dem Metalloxidfilm ausgebildet wird, um das Metallelement und das Dichtungselektrodenelement zu isolieren, wobei ein Metallelement des ungeradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselements in Kontakt mit einem Metallelement des geradzahligen einschichtigen Metallkapazitätselement treten kann; und eine Vielzahl von ersten externen Elektroden, die mit dem Metallelement des ungeradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselement an einem zuerst angeordneten, ersten parallelen mehrschichtigen Körper unter der Vielzahl der ersten parallelen mehrschichtigen Körper, und das Metallelement des geradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselements eines zuletzt angeordneten zweiten parallelen mehrschichtigen Körper unter der Vielzahl der zweiten parallelen, mehrschichtigen Körper verbunden sind; wobei die Vielzahl der ersten parallelen mehrschichtigen Körper und die Vielzahl der zweiten parallelen mehrschichtigen Körper in Serie/parallel vorgesehen sind, so dass das Metallelement des geradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselements des ersten parallelen mehrschichtigen Körpers in Kontakt mit dem Abdichtungselektrodenelement des ungeradzahligen, einschichtigen Metallkapazitätselement des zweiten parallelen mehrschichtigen Körpers treten kann.
- Metallkondensator nach Anspruch 17, wobei die Vielzahl der parallelen, mehrschichtigen Körper mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden verbunden ist, von denen eine eine Anodenelektrode und eine andere eine Kathodenelektrode ist; und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden mit dem Metallelement von jedem aus der Vielzahl der einzelnen Metallkapazitätselemente aus der Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper verbunden ist, und die andere mit dem kontaktierenden Dichtungselektrodenelement verbunden ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 17, wobei die Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper mit der Vielzahl der zweiten externen Elektroden verbunden ist, von denen eine eine Anodenelektrode und die andere eine Kathodenelektrode ist, und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden mit dem Dichtungselektrodenelement von jedem aus der Vielzahl der einzelnen Metallkapazitätselemente aus der Vielzahl der zweiten, parallelen, mehrschichtigen Körper verbunden ist, und die andere mit dem kontaktierenden Metallelement verbunden ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 17, wobei ein leitendes Klebeelement weiter zwischen jedem aus der Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper und jedem aus der Vielzahl der zweiten parallelen mehrschichtigen Körper angeordnet ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 17, wobei der Metalloxidfilm von jedem aus der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente, die auf der Vielzahl der ersten parallelen, mehrschichtigen Körper ausgebildet sind, und die Vielzahl der zweiten parallelen, mehrschichtigen Körper auf der gesamte Oberfläche des Metallelements ausgebildet ist oder auf einer Oberfläche, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet ist.
- Metallkondensator umfassend: eine Vielzahl von einschichtigen Metallkapazitätselementen, wobei jedes ein Metallelement umfasst, das eine Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche einschließt, ein Metallelement, das auf dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um die Vielzahl der Vertiefungen zu füllen, und eine Isolierschicht, die auf dem Dichtungselektrodenelement und dem Metalloxidfilm ausgebildet ist, um das Metallelement und/oder das Dichtungselektrodenelement zu isolieren; und eine Vielzahl von ersten externen Elektroden, die mit dem Metallelement der ersten und der letzten einschichtigen Metallkapazitätselemente unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden ist; wobei die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente in Serie vorgesehen ist, um jedes Metallelement mit jedem Dichtungselektrodenelement in Kontakt zu bringen.
- Metallkondensator nach Anspruch 22, wobei die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente mit einer Vielzahl von zweiten externen Elektroden verbunden ist, von denen eine eine Anodenelektrode und eine andere eine Kathodenelektrode ist; und eine aus der Vielzahl der zweiten externen Elektroden mit dem Metallelement eines ersten einschichtigen Metallkapazitätselements unter der Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente verbunden ist, und eine andere mit dem Dichtungselektrodenelement des letzten einschichtigen Metallkapazitätselements verbunden ist.
- Metallkondensator nach Anspruch 22, wobei der Metalloxidfilm, der die Vielzahl der einschichtigen Metallkapazitätselemente bildet, auf der gesamten Oberfläche des Metallelements ausgebildet wird, oder er auf einer Oberfläche, wo die Vielzahl der Vertiefungen ausgebildet ist, ausgeformt wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Metallkondensators, wobei das Verfahren umfasst: Maskieren einer anderen Oberfläche eines Metallelements unter Verwendung eines Harzfilms; Ausbilden einer Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche des Metallelements durch die Verwendung einer Gleichstromätzung (DC), wenn die andere Oberfläche des Metallelements maskiert ist.; Ausbilden eines Metalloxidfilms auf dem Metallelement unter Verwendung eines Anodisierverfahrens, wenn die Vielzahl der Vertiefungen auf dem Metallelement ausgebildet ist; Ausbilden einer Isolierschicht auf dem Dichtungselektrodenelement und/oder dem Metalloxidfilm unter Verwendung einer chemischen Abscheidung aus der Gasphase (CVD); und Ausbilden eines Dichtungselektrodenelements, um die Vielzahl der Vertiefungen, die auf dem Metallelement ausgebildet sind, zu füllen, durch die Verwendung einer chemischen Beschichtung oder einer Elektroplattierung.
- Verfahren zur Herstellung eines Metallkondensators, wobei das Verfahren umfasst: Maskieren einer anderen Oberfläche eines Metallelements unter Verwendung eines Harzfilms; Ausbilden einer Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche des Metallelements unter Verwendung eines Gleichstromätzverfahrens (DC); Ausbilden eines Metalloxidfilms auf dem Metallelement unter Verwendung eines Anodisierverfahrens; Ausbilden einer Isolierschicht auf dem Dichtungselektrodenelement und dem Metalloxidfilm unter Verwendung einer CVD; Ausbilden eines Dichtungselektrodenelements, um die Vielzahl der Vertiefungen, die auf dem Metallelement ausgebildet sind, über eine Vielzahl von Saatelektrodenschichten unter Verwendung einer Elektroplattierung zu füllen; Verbinden einer Vielzahl von ersten externen Elektroden mit dem Metallelement oder dem Dichtungselektrodenelement; und Abdichten des Metallelements unter Verwendung eines Dichtungselements, um die Vielzahl der ersten externen Elektroden nach außen freizulegen.
- Verfahren nach Anspruch 26, wobei im Formungsverfahren einer Vielzahl von Vertiefungen auf einer Oberfläche des Metallelements unter Verwendung eines Gleichstromätzverfahrens, das Gleichstromätzen eine Aluminiumfolie trocknet, die mit einer isolierenden, of Öl basierenden Tinte besprüht ist, bei einer Temperatur von ungefähr 50°C bis 200°C, einen Anodisierungsfilm in einer wässrigen Lösung von 15% Ammoniumadipat bei 10 bis 20 V bei einer Temperatur von 70°C bis 90°C erzeugt, die Aluminiumfolie, die mit dem Anodisierungsfilm ausgebildet ist, in einem organischen Lösungsmittel, wie Äthanol, Azeton, Benzen, platziert, um somit die isolierende, auf Öl basierende Tinte zu entfernen und um sie wieder in deionisiertem Wasser zu reinigen und die Aluminiumfolie zu ätzen.
- Verfahren nach Anspruch 26, worin im Formungsverfahren ein Metalloxidfilm auf dem Metallelement unter Verwendung eines Anodisierverfahrens ausgebildet ist, wobei das Anodisierverfahren ein Siedeverfahren entfernt, eine erste Oxidation einer wässrigen Lösung von Bor und Borsäureammonium ausführt, und eine Vielzahl von Oxidationen mit einer Änderung der Konzentration und einer Spannung der wässrigen Lösung ausführt, und eine thermische Behandlung bei der vorbestimmten Temperatur ausführt, um ein Reformierverfahren durchzuführen, und einen Metalloxidfilm mit einer gehemmten Erzeugung eines Hydroxidfilms bildet, und eine Nebenproduktbehandlung ausführt, um ein Nebenprodukt, das in einem Reformierverfahren erzeugt wurde, zu entfernen, und ein vorbestimmtes Reinigungsverfahren ausführt, um die Borsäure oder die Phosphorsäure zu reinigen.
- Verfahren nach Anspruch 26, wobei ein Verfahren zur Ausbildung der Saatelektrodenschicht weiter zwischen dem Verfahren des Ausbildens des Metalloxidfilms und dem Verfahren des Ausbildens des Saatelektrodenelements vorgesehen wird, und das Verfahren zur Ausbildung der Saatelektrodenschicht eine CVD, eine metallisch-organische CVD (MOCVD), oder eine Molekularstrahlepitaxie (MBE) verwendet, und eine vorbestimmte Menge von Schwefelsäurepalladium als ein Aktivator verwendet und ein Reinigungsverfahren ausführt, um den Aktivator zu entfernen, nachdem eine vorbestimmte Zeit vergangen ist.
- Verfahren nach Anspruch 26, wobei weiter ein Verfahren zur Ausbildung eines leitenden Klebeelements zwischen dem Verfahren zur Ausbildung der Isolierschicht und dem Verfahren zur Ausbildung der Elektrode vorgesehen wird, und das Verfahren zur Ausbildung des leitenden Klebeelements Metallkleber, Lötpaste, ein chemisches Beschichten oder eine Elektroplattierung verwendet.
- Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Verfahren zur Ausbildung der Elektrode mit dem Metallelement und dem Dichtungselektrodenelement eine Vielzahl von zweiten externen Elektroden, von denen eine eine Anodenelektrode und die andere eine Kathodenelektrode ist, verbindet.
- Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Verfahren zum Abdichten des Metallelements unter Verwendung des Dichtungselements das Metallelement unter Verwendung eines Formungsmaterials oder eine Abdeckungselements mit einer leeren Innenseite abdichtet.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2008-0003420 | 2008-01-11 | ||
KR1020080003420A KR100942121B1 (ko) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 금속 커패시터 |
KR1020080048003A KR101012930B1 (ko) | 2008-05-23 | 2008-05-23 | 금속 커패시터 제조방법 |
KR10-2008-0048003 | 2008-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008028693A1 true DE102008028693A1 (de) | 2009-07-23 |
DE102008028693B4 DE102008028693B4 (de) | 2021-07-15 |
Family
ID=40785994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008028693.1A Active DE102008028693B4 (de) | 2008-01-11 | 2008-06-17 | Metallkondensator |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8203823B2 (de) |
JP (1) | JP2009170861A (de) |
DE (1) | DE102008028693B4 (de) |
TW (1) | TWI419187B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278343A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサを用いた電子機器、及び固体電解コンデンサの製造方法。 |
US10044390B2 (en) * | 2016-07-21 | 2018-08-07 | Qualcomm Incorporated | Glass substrate including passive-on-glass device and semiconductor die |
US10431389B2 (en) * | 2016-11-14 | 2019-10-01 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for high voltage environments |
CN110326073B (zh) * | 2017-03-24 | 2021-09-21 | 株式会社村田制作所 | 电容器 |
JP7430718B2 (ja) | 2018-10-18 | 2024-02-13 | スモルテク アクティエボラーグ | ディスクリート金属-絶縁体-金属(mim)エネルギー蓄積部品及びその製造方法 |
WO2021079566A1 (ja) | 2019-10-24 | 2021-04-29 | 株式会社村田製作所 | 複合キャパシタ |
CN112151536B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-04-12 | 复旦大学 | 一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 |
CN112201655B (zh) * | 2020-09-10 | 2022-04-29 | 复旦大学 | 一种纳米电容三维集成结构及其制作方法 |
CN113764193A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-07 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种固态电容器及其制作方法 |
WO2023127023A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58164215A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | エルナ−株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
JP3096055B2 (ja) * | 1990-10-16 | 2000-10-10 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2727823B2 (ja) * | 1991-09-12 | 1998-03-18 | エルナー株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JPH05166687A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Nippon Chemicon Corp | コンデンサ |
JPH0817146B2 (ja) * | 1992-10-13 | 1996-02-21 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
US6166899A (en) | 1997-12-18 | 2000-12-26 | Nippon Chemi-Con Corporation | Electrolyte for electrolytic capacitor and electrolytic capacitor having the same |
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TW408345B (en) * | 1998-04-21 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Capacitor and its manufacturing method |
JP3656612B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2005-06-08 | 株式会社村田製作所 | 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4604403B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6421224B1 (en) * | 2001-10-23 | 2002-07-16 | Industrial Technology Research Institute | Micro-structure capacitor |
JP2004063543A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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WO2006013812A1 (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法およびエッチング用アルミニウム箔 |
JP4450378B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-04-14 | Necトーキン株式会社 | 表面実装型コンデンサ及びその製造方法 |
JP4605361B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-01-05 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 箔及びその製造方法 |
JP2006196871A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Kyocera Corp | 薄膜コンデンサおよび可変容量コンデンサならびに電子部品 |
CN101107686B (zh) * | 2005-01-24 | 2010-08-11 | 松下电器产业株式会社 | 片式固体电解电容器 |
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JP4738299B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2011-08-03 | 富士通株式会社 | キャパシタ、その製造方法、および電子基板 |
KR100779263B1 (ko) | 2007-02-06 | 2007-11-27 | 오영주 | 무극성 금속 전해 커패시터 및 그의 제조방법 |
US8159811B2 (en) * | 2007-10-19 | 2012-04-17 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
US7626802B2 (en) * | 2007-10-19 | 2009-12-01 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
US7965492B2 (en) * | 2007-10-19 | 2011-06-21 | Oh Young Joo | Metal capacitor and manufacturing method thereof |
US8116062B2 (en) * | 2007-10-19 | 2012-02-14 | Oh Young Joo | Metal capacitor to improve electric conductivity |
-
2008
- 2008-06-10 US US12/155,770 patent/US8203823B2/en active Active
- 2008-06-12 TW TW097121894A patent/TWI419187B/zh active
- 2008-06-17 DE DE102008028693.1A patent/DE102008028693B4/de active Active
- 2008-06-17 JP JP2008157790A patent/JP2009170861A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8203823B2 (en) | 2012-06-19 |
DE102008028693B4 (de) | 2021-07-15 |
TW200931459A (en) | 2009-07-16 |
JP2009170861A (ja) | 2009-07-30 |
TWI419187B (zh) | 2013-12-11 |
US20090180239A1 (en) | 2009-07-16 |
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CN101483100A (zh) | 金属电容器及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: V. FUENER EBBINGHAUS FINCK HANO, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMWHA ELECTRIC CO., LTD., CHEONGJU-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: OH, YOUNG JOO, SEOUL, KR Effective date: 20150114 Owner name: KOREA JCC CO., LTD., CHEONGJU-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: OH, YOUNG JOO, SEOUL, KR Effective date: 20150114 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: V. FUENER EBBINGHAUS FINCK HANO, DE Effective date: 20150114 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |