JP2727823B2 - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法に関する。
ンサ用電極箔の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の電極箔は次のようにし
て製造されている。先ず、エッチングされ、かつ純水中
でボイル処理されたアルミニウム箔を用意し、このアル
ミニウム箔をリン酸やホウ酸などの水溶液中において一
定の電圧を印加して所望の厚さの酸化皮膜を生成させ
る。そして、酸またはアルカリ水溶液中に浸漬する減極
処理および数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する
熱処理工程を行なう。これら化成処理、減極処理、熱処
理は通常数回繰り返される。
て製造されている。先ず、エッチングされ、かつ純水中
でボイル処理されたアルミニウム箔を用意し、このアル
ミニウム箔をリン酸やホウ酸などの水溶液中において一
定の電圧を印加して所望の厚さの酸化皮膜を生成させ
る。そして、酸またはアルカリ水溶液中に浸漬する減極
処理および数１００℃の高温雰囲気中に数分間放置する
熱処理工程を行なう。これら化成処理、減極処理、熱処
理は通常数回繰り返される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では静電容量を高めるのに限度があり、最近とみに要
望されている、より一層の小形かつ高容量化に応えるこ
とができない。
法では静電容量を高めるのに限度があり、最近とみに要
望されている、より一層の小形かつ高容量化に応えるこ
とができない。
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みなされたも
ので、より高い静電容量が得られることができるように
したアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を
提供することにある。
ので、より高い静電容量が得られることができるように
したアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、請求項１においては、エッチングされたアルミ
ニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処理
した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続い
て少なくともカルボン酸またはその塩を含有するホウ酸
水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して陽極酸化する
ことを特徴としている。
ために、請求項１においては、エッチングされたアルミ
ニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処理
した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続い
て少なくともカルボン酸またはその塩を含有するホウ酸
水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して陽極酸化する
ことを特徴としている。
【０００６】また請求項２では、エッチングされたアル
ミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処
理した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続
いて本化成工程を行ない、さらに再化成工程を行なうア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法におい
て、上記再化成工程では少なくともカルボン酸またはそ
の塩を含有するホウ酸水溶液を用いて陽極酸化を行なう
ことを特徴としている。
ミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬してボイル処
理した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続
いて本化成工程を行ない、さらに再化成工程を行なうア
ルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法におい
て、上記再化成工程では少なくともカルボン酸またはそ
の塩を含有するホウ酸水溶液を用いて陽極酸化を行なう
ことを特徴としている。
【０００７】さらに請求項３においては、エッチングさ
れたアルミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬して
ボイル処理した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸
漬し、続いて本化成工程を行ない、さらに再化成工程を
行なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法
において、上記本化成工程および上記再化成工程のいず
れにおいても、少なくとも一度はカルボン酸またはその
塩を含むホウ酸水溶液中で化成することを特徴としてい
る。
れたアルミニウム箔を高温の純水中に所定時間浸漬して
ボイル処理した後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸
漬し、続いて本化成工程を行ない、さらに再化成工程を
行なうアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法
において、上記本化成工程および上記再化成工程のいず
れにおいても、少なくとも一度はカルボン酸またはその
塩を含むホウ酸水溶液中で化成することを特徴としてい
る。
【０００８】本化成および再化成は、必要に応じて数回
繰り返されるが、その場合、例えば最初にアルミニウム
箔をホウ酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して
第１の陽極酸化（本化成処理）を行ない、必要に応じて
減極処理を行なった後、引き続きそのアルミニウム箔を
カルボン酸またはその塩を含有するホウ酸水溶液中に浸
漬し、所定時間電圧を印加して第２の陽極酸化（再化成
処理）を行なう。これとは反対に上記の第１の陽極酸化
工程と第２の陽極酸化工程とを入れ替えてもよい。
繰り返されるが、その場合、例えば最初にアルミニウム
箔をホウ酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して
第１の陽極酸化（本化成処理）を行ない、必要に応じて
減極処理を行なった後、引き続きそのアルミニウム箔を
カルボン酸またはその塩を含有するホウ酸水溶液中に浸
漬し、所定時間電圧を印加して第２の陽極酸化（再化成
処理）を行なう。これとは反対に上記の第１の陽極酸化
工程と第２の陽極酸化工程とを入れ替えてもよい。
【０００９】ここで使用されるカルボン酸としては、例
えばコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸などの脂肪族飽
和ジカルボン酸や、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳
酸、グリコール酸、グリセリン酸などの脂肪族オキシカ
ルボン酸、フマル酸、マレイン酸、シトラコン酸などの
脂肪族不飽和ジカルボン酸、フタル酸、ニトロフタル
酸、テトラヒドロフタル酸などの環状ジカルボン酸、ポ
リアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリエチレンスル
ホン酸、ポリスチレンスルホン酸などの高分子酸などを
使用できる。また、その塩としては例えばこれらのアン
モニウム塩や第１〜３級アミン塩、第４級アンモニウム
塩などを使用できる。上記高分子酸またはその塩の分子
量は２００〜１０００００、溶解のし易さを考慮する
と、一般に分子量は４００〜４００００が好ましい。本
発明においては、カルボン酸またはその塩に代えて、そ
の前駆体を適宜用いてもよい。この場合の前駆体として
は、酸アミド、エステル、酸無水物などが例示される。
えばコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、
スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸などの脂肪族飽
和ジカルボン酸や、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳
酸、グリコール酸、グリセリン酸などの脂肪族オキシカ
ルボン酸、フマル酸、マレイン酸、シトラコン酸などの
脂肪族不飽和ジカルボン酸、フタル酸、ニトロフタル
酸、テトラヒドロフタル酸などの環状ジカルボン酸、ポ
リアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリエチレンスル
ホン酸、ポリスチレンスルホン酸などの高分子酸などを
使用できる。また、その塩としては例えばこれらのアン
モニウム塩や第１〜３級アミン塩、第４級アンモニウム
塩などを使用できる。上記高分子酸またはその塩の分子
量は２００〜１０００００、溶解のし易さを考慮する
と、一般に分子量は４００〜４００００が好ましい。本
発明においては、カルボン酸またはその塩に代えて、そ
の前駆体を適宜用いてもよい。この場合の前駆体として
は、酸アミド、エステル、酸無水物などが例示される。
【００１０】上記カルボン酸またはその塩を含有するホ
ウ酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に設
定される。このホウ酸水溶液中におけるカルボン酸また
はその塩の濃度は０．００２〜１．０ｗｔ％、液温は７
０〜１００℃が好適である。また、ホウ酸の濃度は０．
５〜１０ｗｔ％が好ましい。
ウ酸水溶液のｐＨは３〜９、好ましくは４．５〜７に設
定される。このホウ酸水溶液中におけるカルボン酸また
はその塩の濃度は０．００２〜１．０ｗｔ％、液温は７
０〜１００℃が好適である。また、ホウ酸の濃度は０．
５〜１０ｗｔ％が好ましい。
【００１１】本化成後に、減極処理、熱処理および再陽
極酸化処理（再化成）が少なくとも１回実施される。そ
の場合、再化成には本化成と同様にカルボン酸またはそ
の塩を含有するホウ酸水溶液を用いることが好ましく、
これによれば、従来法に比べて静電容量が約５％以上増
大する。なお、減極処理にはｐＨ７〜９で液温７０℃の
アンモニア水（濃度０．００１〜０．２ｗｔ％）、また
はｐＨ４〜８のリン酸水溶液（濃度０．１〜８ｗｔ％）
などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分間であること
が好ましい。
極酸化処理（再化成）が少なくとも１回実施される。そ
の場合、再化成には本化成と同様にカルボン酸またはそ
の塩を含有するホウ酸水溶液を用いることが好ましく、
これによれば、従来法に比べて静電容量が約５％以上増
大する。なお、減極処理にはｐＨ７〜９で液温７０℃の
アンモニア水（濃度０．００１〜０．２ｗｔ％）、また
はｐＨ４〜８のリン酸水溶液（濃度０．１〜８ｗｔ％）
などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分間であること
が好ましい。
【００１２】
【実施例】［実施例１］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００１３】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００１４】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００１５】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しアジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチ
ング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して１回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しアジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチ
ング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して１回目の本化成を行なった。
【００１６】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しア
ジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同
電圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しア
ジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同
電圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
【００１７】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しアジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加し
てなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度
１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖま
で上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しアジピン酸アンモニウム０．１ｇを添加し
てなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度
１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖま
で上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【００１８】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００１９】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００２０】（Ｉ）上記（Ｄ）と同じ条件の水溶液、す
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しアジピン
酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホ
ウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電
流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を
１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しアジピン
酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホ
ウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電
流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を
１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
【００２１】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００２２】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００２３】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【００２４】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９２２μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９２２μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００２５】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極とし、一方、純度９９．２％で厚さ２０μ
ｍ、エッチング倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍｍ
×３００ｍｍ）を陰極とし、セパレータを介して巻回し
て、コンデンサ素子を作成した。そして、このコンデン
サ素子に電解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格２
５０Ｖ３７μＦの電解コンデンサを作成したところ、そ
の静電容量は４０．７μＦであった。
ｍ）を陽極とし、一方、純度９９．２％で厚さ２０μ
ｍ、エッチング倍率５０倍のアルミニウム箔（１５ｍｍ
×３００ｍｍ）を陰極とし、セパレータを介して巻回し
て、コンデンサ素子を作成した。そして、このコンデン
サ素子に電解液を含浸させ、ケース内に封入し、定格２
５０Ｖ３７μＦの電解コンデンサを作成したところ、そ
の静電容量は４０．７μＦであった。
【００２６】なお、上記工程（Ｌ）と工程（Ｍ）との間
に、液温３０℃、８５ｗｔ％のリン酸水溶液であって、
アンモニア水でｐＨ６．５に調整した溶液に４分間浸漬
処理を行なう工程を介在させてもよい。この工程を追加
した電解コンデンサは例えば１０５℃、１０００時間の
高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化を防止
できる。
に、液温３０℃、８５ｗｔ％のリン酸水溶液であって、
アンモニア水でｐＨ６．５に調整した溶液に４分間浸漬
処理を行なう工程を介在させてもよい。この工程を追加
した電解コンデンサは例えば１０５℃、１０００時間の
高温貯蔵試験における製品の漏れ電流による劣化を防止
できる。
【００２７】［実施例２］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００２８】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００２９】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００３０】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しクエン酸アンモニウム０．１ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチン
グ箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して１回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しクエン酸アンモニウム０．１ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチン
グ箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して１回目の本化成を行なった。
【００３１】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しク
エン酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しク
エン酸アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
【００３２】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しクエン酸アンモニウム０．１ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで
上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しクエン酸アンモニウム０．１ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで
上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【００３３】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００３４】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００３５】（Ｉ）上記（Ｄ）と同じ条件の水溶液、す
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しクエン酸
アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流
を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１
３分間印加して１回目の再化成を行なった。
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しクエン酸
アンモニウム０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ
酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流
を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１
３分間印加して１回目の再化成を行なった。
【００３６】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００３７】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００３８】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【００３９】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９３５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９３５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００４０】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４１．２μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４１．２μＦであった。
【００４１】［実施例３］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００４２】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００４３】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００４４】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しフタル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しフタル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
【００４５】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
タル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
タル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
【００４６】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフタル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフタル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
【００４７】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００４８】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００４９】（Ｉ）上記（Ｄ）と同じ条件の水溶液、す
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフタル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフタル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
【００５０】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００５１】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００５２】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【００５３】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９１５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９１５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００５４】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．４μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．４μＦであった。
【００５５】［実施例４］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００５６】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００５７】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００５８】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
【００５９】（Ｅ）続いて、同アルミニウムエッチング
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマ
ル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して２回目の本化成を行なった。
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマ
ル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して２回目の本化成を行なった。
【００６０】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
【００６１】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。
【００６２】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００６３】（Ｉ）上記（Ｄ）と同じ条件の水溶液、す
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
【００６４】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、ｐＨ７〜９に調整したアンモニア水に
３分間浸漬し、減極処理を行なった。
【００６５】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００６６】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【００６７】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９１４μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９１４μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００６８】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．３μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．３μＦであった。
【００６９】［実施例５］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００７０】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００７１】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００７２】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
【００７３】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
マル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
マル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
【００７４】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
【００７５】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００７６】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００７７】（Ｉ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
【００７８】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００７９】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００８０】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【００８１】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９２７μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９２７μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００８２】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．９μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．９μＦであった。
【００８３】［実施例６］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００８４】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００８５】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【００８６】（Ｄ）次に、水１リットルにホウ酸２０ｇ
を溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃の
ホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を１
５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１回目
の本化成を行なった。
を溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃の
ホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、
電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を１
５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１回目
の本化成を行なった。
【００８７】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
マル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフ
マル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分
間印加して２回目の本化成を行なった。
【００８８】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５
℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ
2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同
電圧を４０分間印加した。
【００８９】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００９０】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００９１】（Ｉ）上記（Ｄ）と同じ条件の水溶液、す
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
なわち純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマル酸
０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
【００９２】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【００９３】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【００９４】（Ｌ）引き続き、純水１リットルにホウ酸
２０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで
上昇させ、同電圧を１３分間印加して２回目の再化成を
行なった。
２０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加して
なる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで
上昇させ、同電圧を１３分間印加して２回目の再化成を
行なった。
【００９５】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９１８μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９１８μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【００９６】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．５μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．５μＦであった。
【００９７】［実施例７］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【００９８】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【００９９】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【０１００】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
【０１０１】（Ｅ）続いて、同アルミニウムエッチング
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマ
ル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して２回目の本化成を行なった。
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しフマ
ル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して２回目の本化成を行なった。
【０１０２】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．１ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．１ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【０１０３】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１０４】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１０５】（Ｉ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
【０１０６】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１０７】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１０８】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【０１０９】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９２０μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９２０μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【０１１０】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．６μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．６μＦであった。
【０１１１】［実施例８］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【０１１２】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【０１１３】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【０１１４】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しフマル酸０．１ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング箔を浸漬
し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧
を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して１
回目の本化成を行なった。
【０１１５】（Ｅ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しホ
ウ酸アンモニウムを０．５ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しホ
ウ酸アンモニウムを０．５ｇを添加してなる液温８５℃
のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2
の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電
圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
【０１１６】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【０１１７】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１１８】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１１９】（Ｉ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なった。
【０１２０】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１２１】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１２２】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【０１２３】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９１５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９１５μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【０１２４】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．４μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．４μＦであった。
【０１２５】［実施例９］ （Ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【０１２６】（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【０１２７】（Ｃ）ボイル処理したアルミニウムエッチ
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
ング箔を液温５０℃、１．７ｗｔ％のリン酸水溶液に５
分間浸漬処理した。
【０１２８】（Ｄ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４００
０）０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を１５０Ｖまで上
昇させ、同電圧を１０分間印加して１回目の本化成を行
なった。
ｇを溶解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４００
０）０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液
中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を１５０Ｖまで上
昇させ、同電圧を１０分間印加して１回目の本化成を行
なった。
【０１２９】（Ｅ）続いて、同アルミニウムエッチング
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しポリ
アクリル酸アンモニウム（分子量４０００）０．５ｇを
添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電
流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を２５
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して２回目の
本化成を行なった。
箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しポリ
アクリル酸アンモニウム（分子量４０００）０．５ｇを
添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電
流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を２５
０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加して２回目の
本化成を行なった。
【０１３０】（Ｆ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４０
００）０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分
間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４０
００）０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶
液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を４０分
間印加した。
【０１３１】（Ｇ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１３２】（Ｈ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１３３】（Ｉ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４０００）
０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
解しポリアクリル酸アンモニウム（分子量４０００）
０．５ｇを添加してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に
浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成
電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分間印加し
て１回目の再化成を行なった。
【０１３４】（Ｊ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１３５】（Ｋ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１３６】（Ｌ）引き続き、上記（Ｉ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【０１３７】（Ｍ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．９２３μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．９２３μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【０１３８】（Ｎ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．８μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は４０．８μＦであった。
【０１３９】［比較例１］ （ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【０１４０】（ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【０１４１】（ｃ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しホウ酸アンモニウムを０．５ｇ添加してなる
液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング
箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して１回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しホウ酸アンモニウムを０．５ｇ添加してなる
液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッチング
箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、
化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印
加して１回目の本化成を行なった。
【０１４２】（ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しホ
ウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８５℃中
に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化
成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加
して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しホ
ウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８５℃中
に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化
成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０分間印加
して２回目の本化成を行なった。
【０１４３】（ｅ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してな
る液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上
昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【０１４４】（ｆ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１４５】（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１４６】（ｈ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分
間印加して１回目の再化成を行なった。
解しホウ酸アンモニウム０．５ｇを添加してなる液温８
５℃中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流
し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇させ、同電圧を１３分
間印加して１回目の再化成を行なった。
【０１４７】（ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１４８】（ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１４９】（ｋ）引き続き、上記（ｈ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【０１５０】（ｌ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．８４９μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．８４９μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【０１５１】（ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は３７．５μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は３７．５μＦであった。
【０１５２】［比較例２］ （ａ）先ず、純度９９．９９％で厚さ１００μｍのアル
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
ミニウムエッチング箔を用意した。この場合、そのエッ
チング倍率はエッチングしていない平坦箔に対して２０
倍である。
【０１５３】（ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
温９８℃以上の純水中で１５分間ボイル処理した。
【０１５４】（ｃ）次に、純水１リットルにホウ酸２０
ｇを溶解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加し
てなる液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッ
チング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を
流し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０
分間印加して１回目の本化成を行なった。
ｇを溶解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加し
てなる液温８５℃のホウ酸水溶液中にアルミニウムエッ
チング箔を浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を
流し、化成電圧を１５０Ｖまで上昇させ、同電圧を１０
分間印加して１回目の本化成を行なった。
【０１５５】（ｄ）引き続き、同アルミニウムエッチン
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しア
ジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
グ箔を同じく純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶解しア
ジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加してなる液温８
５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流を流し、化成電圧を２５０Ｖまで上昇させ、
同電圧を１０分間印加して２回目の本化成を行なった。
【０１５６】（ｅ）さらに、３回目の本化成として、同
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加
してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖ
まで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
アルミニウムエッチング箔を純水１リットルにホウ酸２
０ｇを溶解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇを添加
してなる液温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密
度１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖ
まで上昇させ、同電圧を４０分間印加した。
【０１５７】（ｆ）本化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１５８】（ｇ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１５９】（ｈ）純水１リットルにホウ酸２０ｇを溶
解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇ添加してなる液
温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なっ
た。
解しアジピン酸アンモニウムを０．１ｇ添加してなる液
温８５℃のホウ酸水溶液中に浸漬し、電流密度１０ｍＡ
／ｃｍ2 の電流を流し、化成電圧を３８０Ｖまで上昇さ
せ、同電圧を１３分間印加して１回目の再化成を行なっ
た。
【０１６０】（ｉ）再化成後のアルミニウムエッチング
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
箔を液温７０℃、３．５ｗｔ％のリン酸水溶液に３分間
浸漬し、減極処理を行なった。
【０１６１】（ｊ）５００℃の加熱雰囲気中で２分間熱
処理した。
処理した。
【０１６２】（ｋ）引き続き、上記（ｈ）と同じ条件で
２回目の再化成を行なった。
２回目の再化成を行なった。
【０１６３】（ｌ）水洗いし、乾燥させて化成箔の静電
容量を測定したところ、０．８８４μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
容量を測定したところ、０．８８４μＦ／ｃｍ2 であっ
た。
【０１６４】（ｍ）この化成箔（１５ｍｍ×２７０ｍ
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は３９．０μＦであった。
ｍ）を陽極として、実施例１と同様、定格２５０Ｖ３７
μＦの電解コンデンサを作成したところ、その静電容量
は３９．０μＦであった。
【０１６５】上記各実施例および各比較例で得られた化
成箔の箔の静電容量と、その化成箔を用いて試作した電
解コンデンサ（製品）の静電容量を表にまとめると表１
および表２のようになる。
成箔の箔の静電容量と、その化成箔を用いて試作した電
解コンデンサ（製品）の静電容量を表にまとめると表１
および表２のようになる。
【０１６６】
【表１】
【０１６７】
【表２】
【０１６８】比較例１に示すようにホウ酸水溶液中にて
化成した箔の静電容量は０．８４９μＦ／ｃｍ2 であ
る。次に、比較例２に示すようにカルボン酸またはその
箔を含有するホウ酸水溶液中にて化成した箔の静電容量
は０．８８４μＦ／ｃｍ2 で、比較例１より４．１％の
静電容量の向上を図ることができる。次に、本発明に係
るようにリン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬した後
に、カルボン酸またはその塩を含有するホウ酸水溶液中
にて化成した箔の静電容量は、例えば実施例１による
と、０．９２２μＦ／ｃｍ2 で比較例１より８．９％の
静電容量の向上を図ることができ、さらには比較例２よ
り４．３％の静電容量を図ることができる。
化成した箔の静電容量は０．８４９μＦ／ｃｍ2 であ
る。次に、比較例２に示すようにカルボン酸またはその
箔を含有するホウ酸水溶液中にて化成した箔の静電容量
は０．８８４μＦ／ｃｍ2 で、比較例１より４．１％の
静電容量の向上を図ることができる。次に、本発明に係
るようにリン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬した後
に、カルボン酸またはその塩を含有するホウ酸水溶液中
にて化成した箔の静電容量は、例えば実施例１による
と、０．９２２μＦ／ｃｍ2 で比較例１より８．９％の
静電容量の向上を図ることができ、さらには比較例２よ
り４．３％の静電容量を図ることができる。
【０１６９】
【発明の効果】以上にて説明したように、本発明によれ
ば、エッチングされたアルミニウム箔を純水でボイルし
た後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続いて
本化成および再化成するにあたって、少なくともそのい
ずれかの工程において、カルボン酸もしくはその塩を含
有するホウ酸水溶液中で化成するようにしたことによ
り、静電容量の高い電極箔が製造される。
ば、エッチングされたアルミニウム箔を純水でボイルし
た後、リン酸またはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続いて
本化成および再化成するにあたって、少なくともそのい
ずれかの工程において、カルボン酸もしくはその塩を含
有するホウ酸水溶液中で化成するようにしたことによ
り、静電容量の高い電極箔が製造される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽賀 昇 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナ−株式会社内 (72)発明者 佐々木 幹夫 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号 旭硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 昭48−25166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−153319（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−89796（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】エッチングされたアルミニウム箔を高温の
純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、リン酸ま
たはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続いて少なくともカル
ボン酸またはその塩を含有するホウ酸水溶液中にそのア
ルミニウム箔を浸漬して陽極酸化することを特徴とする
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項２】エッチングされたアルミニウム箔を高温の
純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、リン酸ま
たはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続いて本化成工程を行
ない、さらに再化成工程を行なうアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔の製造方法において、上記再化成工程で
は少なくともカルボン酸またはその塩を含有するホウ酸
水溶液を用いて陽極酸化を行なうことを特徴とするアル
ミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】エッチングされたアルミニウム箔を高温の
純水中に所定時間浸漬してボイル処理した後、リン酸ま
たはリン酸塩水溶液中に浸漬し、続いて本化成工程を行
ない、さらに再化成工程を行なうアルミニウム電解コン
デンサ用電極箔の製造方法において、上記本化成工程お
よび上記再化成工程のいずれにおいても、少なくとも一
度はカルボン酸またはその塩を含むホウ酸水溶液中で化
成することを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用
電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261063A JP2727823B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261063A JP2727823B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574663A JPH0574663A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2727823B2 true JP2727823B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=17356566
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261063A Expired - Fee Related JP2727823B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727823B2 (ja) |
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