JPH09246111A - アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法Info
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- JPH09246111A JPH09246111A JP8057474A JP5747496A JPH09246111A JP H09246111 A JPH09246111 A JP H09246111A JP 8057474 A JP8057474 A JP 8057474A JP 5747496 A JP5747496 A JP 5747496A JP H09246111 A JPH09246111 A JP H09246111A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電容量の増大および漏れ電流の低減を図る
ことができるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 アジピン酸系化成液を入れた第１の化成
槽１、硼酸系化成液を入れた第２の化成槽２、リン酸系
化成液を入れた第３の化成槽３の順でこれら３つの化成
槽１，２，３を一つの組み合わせとして少なくとも１種
以上配置し、これらの化成槽１，２，３によりエッチン
グされたアルミ電極箔の化成を行うとともに、１つの組
み合わせとなる前記３つの化成槽１，２，３は同一化成
電圧を印加するようにしたものである。
ことができるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 アジピン酸系化成液を入れた第１の化成
槽１、硼酸系化成液を入れた第２の化成槽２、リン酸系
化成液を入れた第３の化成槽３の順でこれら３つの化成
槽１，２，３を一つの組み合わせとして少なくとも１種
以上配置し、これらの化成槽１，２，３によりエッチン
グされたアルミ電極箔の化成を行うとともに、１つの組
み合わせとなる前記３つの化成槽１，２，３は同一化成
電圧を印加するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアルミ電解コンデン
サ用電極箔の化成方法に関するものである。
サ用電極箔の化成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アルミ電解コンデンサは、高純
度のアルミ電極箔に電解エッチング処理を行ってその実
効表面積を拡大させたアルミ電極箔の表面に、陽極化成
処理によって誘電体となる陽極酸化皮膜を形成し、そし
てこの陽極酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔をその間
にセパレータを介在させて巻回することによりコンデン
サ素子を構成し、さらにこのコンデンサ素子に駆動用電
解液を含浸させた後、コンデンサ素子をケース内に封止
することにより構成している。
度のアルミ電極箔に電解エッチング処理を行ってその実
効表面積を拡大させたアルミ電極箔の表面に、陽極化成
処理によって誘電体となる陽極酸化皮膜を形成し、そし
てこの陽極酸化皮膜を形成した陽極箔と陰極箔をその間
にセパレータを介在させて巻回することによりコンデン
サ素子を構成し、さらにこのコンデンサ素子に駆動用電
解液を含浸させた後、コンデンサ素子をケース内に封止
することにより構成している。
【０００３】近年、アルミ電解コンデンサはより一層の
小形化・高容量化・高信頼性化が要求されており、それ
に伴いアルミ電解コンデンサ用電極箔においてもさらな
る静電容量の増大と漏れ電流の低減ならびに劣化特性の
改善が要求されている。
小形化・高容量化・高信頼性化が要求されており、それ
に伴いアルミ電解コンデンサ用電極箔においてもさらな
る静電容量の増大と漏れ電流の低減ならびに劣化特性の
改善が要求されている。
【０００４】以下に従来のアルミ電解コンデンサ用電極
箔の化成方法について説明する。一般にこの種の電極箔
は電解エッチング処理されたアルミ電極箔に燐酸や硼
酸、有機酸等を含む中性水溶液中で、所望の電圧を印加
して陽極酸化皮膜を形成し、所望電圧で一定時間保持す
る。そして欠陥部を修復させるための熱処理、化学溶解
等による減極処理、修復化成工程を繰り返して、所望耐
電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしていた。
箔の化成方法について説明する。一般にこの種の電極箔
は電解エッチング処理されたアルミ電極箔に燐酸や硼
酸、有機酸等を含む中性水溶液中で、所望の電圧を印加
して陽極酸化皮膜を形成し、所望電圧で一定時間保持す
る。そして欠陥部を修復させるための熱処理、化学溶解
等による減極処理、修復化成工程を繰り返して、所望耐
電圧厚さの陽極酸化皮膜を生成させるようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
従来の技術では、市場の要求に対しては不十分であっ
た。すなわち、静電容量の増大と漏れ電流の低減を図る
ためには、陽極酸化皮膜の内部欠陥を減少させなければ
ならないが、上記した従来の技術における減極処理法−
修復化成では暴露−修復されない欠陥が残っていた。一
方、より高い静電容量を得るためには、陽極酸化皮膜の
結晶化度を高めて、耐電圧当たりの陽極酸化皮膜の膜厚
を薄くしなければならないが、陽極酸化皮膜の結晶化を
促進させた場合、欠陥亀裂が増大し、これにより、漏れ
電流の増大と劣化特性の悪化をひき起こしていた。従来
の技術では単一の化成液を使用するか、あるいは複数の
化成液を使用したとしても同一電圧を印加するようなこ
とはなかったため、単独化成液、単独電圧印加による欠
陥亀裂の修復には限界があった。このため、陽極酸化皮
膜の漏れ電流の減少、劣化特性の改善の促進には限界が
あった。
従来の技術では、市場の要求に対しては不十分であっ
た。すなわち、静電容量の増大と漏れ電流の低減を図る
ためには、陽極酸化皮膜の内部欠陥を減少させなければ
ならないが、上記した従来の技術における減極処理法−
修復化成では暴露−修復されない欠陥が残っていた。一
方、より高い静電容量を得るためには、陽極酸化皮膜の
結晶化度を高めて、耐電圧当たりの陽極酸化皮膜の膜厚
を薄くしなければならないが、陽極酸化皮膜の結晶化を
促進させた場合、欠陥亀裂が増大し、これにより、漏れ
電流の増大と劣化特性の悪化をひき起こしていた。従来
の技術では単一の化成液を使用するか、あるいは複数の
化成液を使用したとしても同一電圧を印加するようなこ
とはなかったため、単独化成液、単独電圧印加による欠
陥亀裂の修復には限界があった。このため、陽極酸化皮
膜の漏れ電流の減少、劣化特性の改善の促進には限界が
あった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、静電容量の増大および漏れ電流の低減を図ることが
できるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法を提供
することを目的とするものである。
で、静電容量の増大および漏れ電流の低減を図ることが
できるアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
は、アジピン酸系化成液を入れた第１の化成槽、硼酸系
化成液を入れた第２の化成槽、リン酸系化成液を入れた
第３の化成槽の順でこれら３つの化成槽を一つの組み合
わせとして少なくとも１種以上配置し、これらの化成槽
によりエッチングされたアルミ電極箔の化成を行うとと
もに、１つの組み合わせとなる前記３つの化成槽は同一
の化成電圧を印加するようにしたもので、この化成方法
によれば、静電容量の増大および漏れ電流の低減を図る
ことができるものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
は、アジピン酸系化成液を入れた第１の化成槽、硼酸系
化成液を入れた第２の化成槽、リン酸系化成液を入れた
第３の化成槽の順でこれら３つの化成槽を一つの組み合
わせとして少なくとも１種以上配置し、これらの化成槽
によりエッチングされたアルミ電極箔の化成を行うとと
もに、１つの組み合わせとなる前記３つの化成槽は同一
の化成電圧を印加するようにしたもので、この化成方法
によれば、静電容量の増大および漏れ電流の低減を図る
ことができるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、アジピン酸系化成液を入れた第１の化成槽、硼酸系
化成液を入れた第２の化成槽、リン酸系化成液を入れた
第３の化成槽の順でこれら３つの化成槽を一つの組み合
わせとして少なくとも１種以上配置し、これらの化成槽
によりエッチングされたアルミ電極箔の化成を行うとと
もに、１つの組み合わせとなる前記３つの化成槽は同一
の化成電圧を印加して化成を行うようにしたものであ
り、この製造方法によれば、最初にアジピン酸系化成液
で化成を行うことにより、結晶化が促進されて膜厚当た
りの静電容量が高い化成皮膜が得られ、続いて硼酸系化
成液で化成を行うことにより、化成皮膜の結晶化によっ
て生成された欠陥亀裂を修復することができるととも
に、電圧を保持して結晶化を促進することができ、そし
て最後にリン酸系化成液で化成を行うことにより、化成
皮膜の最外層にリン酸系化成皮膜が生成されて水和劣化
を抑えることができるもので、このように同一の化成電
圧を印加した化成を３種類の化成液を用いて上記順序で
行うことにより、静電容量の増大、漏れ電流の低減、劣
化特性の改善を図ることができるものである。
は、アジピン酸系化成液を入れた第１の化成槽、硼酸系
化成液を入れた第２の化成槽、リン酸系化成液を入れた
第３の化成槽の順でこれら３つの化成槽を一つの組み合
わせとして少なくとも１種以上配置し、これらの化成槽
によりエッチングされたアルミ電極箔の化成を行うとと
もに、１つの組み合わせとなる前記３つの化成槽は同一
の化成電圧を印加して化成を行うようにしたものであ
り、この製造方法によれば、最初にアジピン酸系化成液
で化成を行うことにより、結晶化が促進されて膜厚当た
りの静電容量が高い化成皮膜が得られ、続いて硼酸系化
成液で化成を行うことにより、化成皮膜の結晶化によっ
て生成された欠陥亀裂を修復することができるととも
に、電圧を保持して結晶化を促進することができ、そし
て最後にリン酸系化成液で化成を行うことにより、化成
皮膜の最外層にリン酸系化成皮膜が生成されて水和劣化
を抑えることができるもので、このように同一の化成電
圧を印加した化成を３種類の化成液を用いて上記順序で
行うことにより、静電容量の増大、漏れ電流の低減、劣
化特性の改善を図ることができるものである。
【０００９】以下、本発明の一実施の形態と比較例１，
２，３について説明する。純度９９．９９％、箔厚１０
０μｍのアルミ箔に電解エッチング処理を行ってその実
効表面積を拡大させたアルミエッチング箔を、図１に示
すような化成機を使用して化成を行うもので、この場
合、化成機は図１に示すように構成されている。図１に
おいて、１はアジピン酸系化成液を入れた第１の化成
槽、２は硼酸系化成液を入れた第２の化成槽、３はリン
酸系化成液を入れた第３の化成槽、４はアジピン酸系化
成液を入れた第４の化成槽、５は硼酸系化成液を入れた
第５の化成槽、６はリン酸系化成液を入れた第６の化成
槽、７はアジピン酸系化成液を入れた第７の化成槽、８
は硼酸系化成液を入れた第８の化成槽、９はリン酸系化
成液を入れた第９の化成槽、１０はアルミエッチング
箔、１１は給電ローラ、１２は熱処理炉、１３は化成箔
である。
２，３について説明する。純度９９．９９％、箔厚１０
０μｍのアルミ箔に電解エッチング処理を行ってその実
効表面積を拡大させたアルミエッチング箔を、図１に示
すような化成機を使用して化成を行うもので、この場
合、化成機は図１に示すように構成されている。図１に
おいて、１はアジピン酸系化成液を入れた第１の化成
槽、２は硼酸系化成液を入れた第２の化成槽、３はリン
酸系化成液を入れた第３の化成槽、４はアジピン酸系化
成液を入れた第４の化成槽、５は硼酸系化成液を入れた
第５の化成槽、６はリン酸系化成液を入れた第６の化成
槽、７はアジピン酸系化成液を入れた第７の化成槽、８
は硼酸系化成液を入れた第８の化成槽、９はリン酸系化
成液を入れた第９の化成槽、１０はアルミエッチング
箔、１１は給電ローラ、１２は熱処理炉、１３は化成箔
である。
【００１０】上記構成において、化成方法について説明
する。最初に、アルミエッチング箔１０を液温が７０℃
で、かつアジピン酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液を入れた第１の化成槽１
内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で２５Ｖの化成
電圧を印加する。そして化成電圧が２５Ｖに到達した
後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、液温
が７０℃で、かつ硼酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌ
の硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を
入れた第２の化成槽２内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ
／cm2で２５Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧
が２５Ｖに到達した後、化成電圧の印加を中断して水洗
いし、その後、液温が７０℃で、かつリン酸系化成液で
ある濃度が４ｇ／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液
を入れた第３の化成槽３内に浸漬し、電流密度１００ｍ
Ａ／cm2で２５Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電
圧が２５Ｖに到達した後、化成電圧の印加を中断して水
洗いする。
する。最初に、アルミエッチング箔１０を液温が７０℃
で、かつアジピン酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの
アジピン酸アンモニウム水溶液を入れた第１の化成槽１
内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で２５Ｖの化成
電圧を印加する。そして化成電圧が２５Ｖに到達した
後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、液温
が７０℃で、かつ硼酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌ
の硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を
入れた第２の化成槽２内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ
／cm2で２５Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧
が２５Ｖに到達した後、化成電圧の印加を中断して水洗
いし、その後、液温が７０℃で、かつリン酸系化成液で
ある濃度が４ｇ／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液
を入れた第３の化成槽３内に浸漬し、電流密度１００ｍ
Ａ／cm2で２５Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電
圧が２５Ｖに到達した後、化成電圧の印加を中断して水
洗いする。
【００１１】続いて、液温が７０℃で、かつアジピン酸
系化成液である濃度が５０ｇ／ｌのアジピン酸アンモニ
ウム水溶液を入れた第４の化成槽４内に浸漬し、電流密
度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電圧を印加する。そ
して化成電圧が５０Ｖに到達した後、化成電圧の印加を
中断して水洗いし、その後、液温が７０℃で、かつ硼酸
系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／
ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を入れた第５の化成槽５
内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成
電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した
後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、液温
が７０℃で、かつリン酸系化成液である濃度が４ｇ／ｌ
のリン酸一水素アンモニウム水溶液を入れた第６の化成
槽６内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの
化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達し
た後、化成電圧の印加を中断して水洗いする。
系化成液である濃度が５０ｇ／ｌのアジピン酸アンモニ
ウム水溶液を入れた第４の化成槽４内に浸漬し、電流密
度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電圧を印加する。そ
して化成電圧が５０Ｖに到達した後、化成電圧の印加を
中断して水洗いし、その後、液温が７０℃で、かつ硼酸
系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／
ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を入れた第５の化成槽５
内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成
電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した
後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、液温
が７０℃で、かつリン酸系化成液である濃度が４ｇ／ｌ
のリン酸一水素アンモニウム水溶液を入れた第６の化成
槽６内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの
化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達し
た後、化成電圧の印加を中断して水洗いする。
【００１２】その後、熱処理炉１２により４００℃で１
分間熱処理をし、次いで、液温が７０℃で、かつアジピ
ン酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌのアジピン酸アン
モニウム水溶液を入れた第７の化成槽７内に浸漬し、電
流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電圧を印加す
る。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、化成電圧の
印加を中断して水洗いし、その後、液温が７０℃で、か
つ硼酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が
５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を入れた第８の化
成槽８内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖ
の化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達
した後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、
液温が７０℃で、かつリン酸系化成液である濃度が４ｇ
／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液を入れた第９の
化成槽９内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０
Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到
達した後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、そして
乾燥させることにより化成を行った。
分間熱処理をし、次いで、液温が７０℃で、かつアジピ
ン酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌのアジピン酸アン
モニウム水溶液を入れた第７の化成槽７内に浸漬し、電
流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電圧を印加す
る。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、化成電圧の
印加を中断して水洗いし、その後、液温が７０℃で、か
つ硼酸系化成液である濃度が５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が
５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム水溶液を入れた第８の化
成槽８内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖ
の化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達
した後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、その後、
液温が７０℃で、かつリン酸系化成液である濃度が４ｇ
／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液を入れた第９の
化成槽９内に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０
Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到
達した後、化成電圧の印加を中断して水洗いし、そして
乾燥させることにより化成を行った。
【００１３】（比較例１）本発明の一実施の形態と同様
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が４
ｇ／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液（化成液）中
に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電
圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、
２０分間保持し、その後、４００℃で１分間熱処理をし
た後、液温が７０℃で、かつ濃度が４ｇ／ｌのリン酸一
水素アンモニウム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化
成電圧を５分間印加して再化成を行った。
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が４
ｇ／ｌのリン酸一水素アンモニウム水溶液（化成液）中
に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電
圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、
２０分間保持し、その後、４００℃で１分間熱処理をし
た後、液温が７０℃で、かつ濃度が４ｇ／ｌのリン酸一
水素アンモニウム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化
成電圧を５分間印加して再化成を行った。
【００１４】（比較例２）本発明の一実施の形態と同様
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が５
０ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中
に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電
圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、
２０分間保持し、その後、４００℃で１分間熱処理をし
た後、液温が７０℃で、かつ濃度が５０ｇ／ｌのアジピ
ン酸アンモニウム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化
成電圧を５分間印加して再化成を行った。
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が５
０ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液（化成液）中
に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm2で５０Ｖの化成電
圧を印加する。そして化成電圧が５０Ｖに到達した後、
２０分間保持し、その後、４００℃で１分間熱処理をし
た後、液温が７０℃で、かつ濃度が５０ｇ／ｌのアジピ
ン酸アンモニウム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化
成電圧を５分間印加して再化成を行った。
【００１５】（比較例３）本発明の一実施の形態と同様
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が５
０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム
水溶液（化成液）中に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm
2で５０Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧が５
０Ｖに到達した後、２０分間保持し、その後、４００℃
で１分間熱処理をした後、液温が７０℃で、かつ濃度が
５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウ
ム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化成電圧を５分間
印加して再化成を行った。
のアルミエッチング箔を液温が７０℃で、かつ濃度が５
０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウム
水溶液（化成液）中に浸漬し、電流密度１００ｍＡ／cm
2で５０Ｖの化成電圧を印加する。そして化成電圧が５
０Ｖに到達した後、２０分間保持し、その後、４００℃
で１分間熱処理をした後、液温が７０℃で、かつ濃度が
５０ｇ／ｌの硼酸と濃度が５ｇ／ｌの五硼酸アンモニウ
ム水溶液中に浸漬し、そして５０Ｖの化成電圧を５分間
印加して再化成を行った。
【００１６】上記のような方法により化成を行った本発
明の一実施の形態および比較例１，２，３のそれぞれの
電極箔について、静電容量、漏れ電流を測定した結果を
（表１）に示す。なお、漏れ電流は液温が７０℃で、か
つ濃度が１００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液
中に浸漬して５０Ｖの化成電圧を印加し、そして化成電
圧が５０Ｖに到達した後、５分間保持したときに流れる
電流値を測定した。
明の一実施の形態および比較例１，２，３のそれぞれの
電極箔について、静電容量、漏れ電流を測定した結果を
（表１）に示す。なお、漏れ電流は液温が７０℃で、か
つ濃度が１００ｇ／ｌのアジピン酸アンモニウム水溶液
中に浸漬して５０Ｖの化成電圧を印加し、そして化成電
圧が５０Ｖに到達した後、５分間保持したときに流れる
電流値を測定した。
【００１７】
【表１】
【００１８】（表１）から明らかなように、本発明の一
実施の形態は比較例１，２，３と比較して、静電容量は
約１０〜２０％増大させることができ、また漏れ電流は
約２０〜４０％低減させることができた。
実施の形態は比較例１，２，３と比較して、静電容量は
約１０〜２０％増大させることができ、また漏れ電流は
約２０〜４０％低減させることができた。
【００１９】なお、３種類の化成液の濃度は、化成液の
電導度をほぼ同じになるように調整する必要がある。そ
うすることにより必要量の電気量が各化成槽に流れて所
定の特性を得ることができる。各化成液の電導度をほぼ
同じにしない場合には、静電容量の増大、漏れ電流の低
減の効果は小さくなる。
電導度をほぼ同じになるように調整する必要がある。そ
うすることにより必要量の電気量が各化成槽に流れて所
定の特性を得ることができる。各化成液の電導度をほぼ
同じにしない場合には、静電容量の増大、漏れ電流の低
減の効果は小さくなる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミ電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法は、アジピン酸系化成液を入れ
た第１の化成槽、硼酸系化成液を入れた第２の化成槽、
リン酸系化成液を入れた第３の化成槽の順でこれら３つ
の化成槽を一つの組み合わせとして少なくとも１種以上
配置し、これらの化成槽によりエッチングされたアルミ
電極箔の化成を行うとともに、１つの組み合わせとなる
前記３つの化成槽は同一の化成電圧を印加して化成を行
うようにしたものであり、この製造方法によれば、最初
にアジピン酸系化成液で化成を行うことにより、結晶化
が促進されて膜厚当たりの静電容量が高い化成皮膜が得
られ、続いて硼酸系化成液で化成を行うことにより、化
成皮膜の結晶化によって生成された欠陥亀裂を修復する
ことができるとともに、電圧を保持して結晶化を促進す
ることができ、そして最後にリン酸系化成液で化成を行
うことにより、化成皮膜の最外層にリン酸系化成皮膜が
生成されて水和劣化を抑えることができるもので、この
ように同一の化成電圧を印加した化成を３種類の化成液
を用いて上記順序で行うことにより、静電容量の増大、
漏れ電流の低減を図ることができるものである。
ンサ用電極箔の製造方法は、アジピン酸系化成液を入れ
た第１の化成槽、硼酸系化成液を入れた第２の化成槽、
リン酸系化成液を入れた第３の化成槽の順でこれら３つ
の化成槽を一つの組み合わせとして少なくとも１種以上
配置し、これらの化成槽によりエッチングされたアルミ
電極箔の化成を行うとともに、１つの組み合わせとなる
前記３つの化成槽は同一の化成電圧を印加して化成を行
うようにしたものであり、この製造方法によれば、最初
にアジピン酸系化成液で化成を行うことにより、結晶化
が促進されて膜厚当たりの静電容量が高い化成皮膜が得
られ、続いて硼酸系化成液で化成を行うことにより、化
成皮膜の結晶化によって生成された欠陥亀裂を修復する
ことができるとともに、電圧を保持して結晶化を促進す
ることができ、そして最後にリン酸系化成液で化成を行
うことにより、化成皮膜の最外層にリン酸系化成皮膜が
生成されて水和劣化を抑えることができるもので、この
ように同一の化成電圧を印加した化成を３種類の化成液
を用いて上記順序で行うことにより、静電容量の増大、
漏れ電流の低減を図ることができるものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるアルミ電解コン
デンサ用電極箔の化成方法を示す工程図
デンサ用電極箔の化成方法を示す工程図
１ 第１の化成槽 ２ 第２の化成槽 ３ 第３の化成槽
Claims (1)
- 【請求項１】 アジピン酸系化成液を入れた第１の化成
槽、硼酸系化成液を入れた第２の化成槽、リン酸系化成
液を入れた第３の化成槽の順でこれら３つの化成槽を一
つの組み合わせとして少なくとも１種以上配置し、これ
らの化成槽によりエッチングされたアルミ電極箔の化成
を行うとともに、１つの組み合わせとなる前記３つの化
成槽は同一の化成電圧を印加するようにしたアルミ電解
コンデンサ用電極箔の化成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057474A JPH09246111A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057474A JPH09246111A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246111A true JPH09246111A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13056710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8057474A Pending JPH09246111A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246111A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008949A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| WO2007020969A1 (ja) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Showa Denko K. K. | 弁作用金属材料の化成処理方法 |
| JP2007095801A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
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| WO2014041898A1 (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-20 | 日本軽金属株式会社 | アルミニウム電解コンデンサ用電極の製造方法 |
| CN112103084A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-12-18 | 新疆众和股份有限公司 | 一种阳极箔及其制备方法 |
| CN115198330A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-10-18 | 新疆金泰新材料技术股份有限公司 | 一种中高压化成箔的多级化成处理装置及方法 |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP8057474A patent/JPH09246111A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN115198330A (zh) * | 2022-07-21 | 2022-10-18 | 新疆金泰新材料技术股份有限公司 | 一种中高压化成箔的多级化成处理装置及方法 |
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