JP2007067172A - 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 皮膜中の欠陥を減少させることにより漏れ電流を低減させ、かつ、製造コストの低減を図ることのできるアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 化成液中でアルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、表面にポーラス型皮膜を生成させるポーラス型皮膜生成工程と、該ポーラス型皮膜生成工程を行った前記アルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させるバリアー型皮膜生成工程とを有する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、前記ポーラス型皮膜生成工程で、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を前記アルミニウム箔に印加する。
【選択図】 なし
【解決手段】 化成液中でアルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、表面にポーラス型皮膜を生成させるポーラス型皮膜生成工程と、該ポーラス型皮膜生成工程を行った前記アルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させるバリアー型皮膜生成工程とを有する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、前記ポーラス型皮膜生成工程で、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を前記アルミニウム箔に印加する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法に関するものである。
従来、高リプル電流や急速な充放電が印加されるような電解コンデンサに用いられるアルミニウム電極箔を製造するにあたっては、前段において、ポーラス型皮膜を生成させ得る化成液中で直流電流を印加してアルミニウム箔の陽極酸化を行うことにより、表面にポーラス型皮膜を生成させ、その後、ホウ酸およびホウ酸塩、アジピン酸およびアジピン酸塩、リン酸およびリン酸塩の単独水溶液またはこれらの混合水溶液を用いて非晶質のバリアー型皮膜を生成させている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。
特開平8−293441号公報
永田伊佐也,「アルミニウム乾式電解コンデンサ」,日本蓄電器工業株式会社,昭和58年6月15日,P.239−244
しかしながら、上記従来の製造方法では、ポーラス型皮膜を形成するための陽極酸化を行った際、アルミニウム箔の表面が激しく発熱して皮膜が結晶化するため、結晶化に伴って皮膜内に欠陥が入ってしまい、漏れ電流が大きくなるという問題点を有している。
また、従来の方法では、非晶質のバリアー型皮膜を生成する際、多大な電気量を必要とするため、生産性が低く、製造コストが高いという問題点もある。
また、従来の方法では、非晶質のバリアー型皮膜を生成する際、多大な電気量を必要とするため、生産性が低く、製造コストが高いという問題点もある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、皮膜中の欠陥を減少させることにより漏れ電流を低減させ、かつ、製造コストの低減を図ることのできる電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、化成液中でアルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、表面にポーラス型皮膜を生成させるポーラス型皮膜生成工程と、該ポーラス型皮膜生成工程を行った前記アルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させるバリアー型皮膜生成工程とを有する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、
前記ポーラス型皮膜生成工程で、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を前記アルミニウム箔に印加することを特徴とする。
前記ポーラス型皮膜生成工程で、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を前記アルミニウム箔に印加することを特徴とする。
また、前記ポーラス型皮膜生成工程で用いる化成液が、硫酸、シュウ酸およびリン酸のうち、少なくとも1種を含んでいることを特徴とする。
本発明では、ポーラス型皮膜生成工程では、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を印加することで、電流が印加されない間アルミニウム箔の発熱が止まり、化成液にて冷却することができる。このため、アルミニウム箔の表面が激しく発熱することによる皮膜の結晶化を防止または抑制することができるので、漏れ電流を低減することができる。
また、非晶質のバリアー型皮膜を生成する際の電気量を削減できるため、生産性が高く、製造コストを低減できる。
また、非晶質のバリアー型皮膜を生成する際の電気量を削減できるため、生産性が高く、製造コストを低減できる。
以下、本発明の実施例について詳述する。
[実施例1〜4]
実施例1では、高リプル電流や急速な充放電が負荷されるような電解コンデンサに用いられるアルミニウム電極箔を製造するにあたって、ポーラス型皮膜生成工程で、液温が45℃の10wt%硫酸水溶液(ポーラス皮膜を生成させ得る化成液)中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が98%、95%、75%、50%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔(エッチング箔)の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、バリアー型皮膜生成工程では、10wt%のホウ酸に0.04wt%のホウ酸アンモニウムを添加した液温90℃の水溶液(化成液)中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度2.5A/dm2の直流電流で電圧400Vまで化成を行い、400Vまで上昇した後は、400Vの定電圧で360秒保持することにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
実施例1では、高リプル電流や急速な充放電が負荷されるような電解コンデンサに用いられるアルミニウム電極箔を製造するにあたって、ポーラス型皮膜生成工程で、液温が45℃の10wt%硫酸水溶液(ポーラス皮膜を生成させ得る化成液)中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が98%、95%、75%、50%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔(エッチング箔)の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、バリアー型皮膜生成工程では、10wt%のホウ酸に0.04wt%のホウ酸アンモニウムを添加した液温90℃の水溶液(化成液)中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度2.5A/dm2の直流電流で電圧400Vまで化成を行い、400Vまで上昇した後は、400Vの定電圧で360秒保持することにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
(比較例1)
比較例1では、実施例1と同様、ポーラス型皮膜生成工程で、硫酸水溶液中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が99%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
比較例1では、実施例1と同様、ポーラス型皮膜生成工程で、硫酸水溶液中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が99%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
(比較例2)
比較例2では、実施例1と同様、ポーラス型皮膜生成工程で、硫酸水溶液中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が45%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
比較例2では、実施例1と同様、ポーラス型皮膜生成工程で、硫酸水溶液中にアルミニウム箔を浸漬し、電流密度5A/dm2、デューティ比が45%の矩形波を、周波数13.3Hzの定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる。
次に、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
(従来例)
従来例では、実施例1と同様の硫酸水溶液中に浸漬し、電流密度5A/dm2の直流電流を定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる前処理を行い、さらにその後、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成工程を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
従来例では、実施例1と同様の硫酸水溶液中に浸漬し、電流密度5A/dm2の直流電流を定電流で1715C/dm2印加してアルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させる前処理を行い、さらにその後、実施例1の形態と同様な条件でバリアー型皮膜生成工程を行い、非晶質のバリアー型皮膜を生成させた。
上記した本発明の実施例、比較例1、2、従来例に係る電解コンデンサ用アルミニウム電極箔について、ポーラス型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間と化成液の温度上昇、および化成後の静電容量を測定した結果を表1に示す。なお、静電容量は液温が25℃の4wt%のホウ酸アンモニウム水溶液中で測定した。
表1から明らかなように、本発明の実施例1〜4に係る電解コンデンサ用アルミニウム電極箔は、従来例の電極箔と比較して、温度上昇が12.3〜56.1%減少し、バリアー型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間が0.6〜7.5%短縮されている。
また、比較例1と従来例とを比較すると、温度上昇とバリアー型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間にはほとんど差が無い。
さらに、比較例2と従来例とを比較すると温度上昇は65%減少しているが、バリアー型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間が長くなり、化成に必要な電気量が増加するので好ましくない。
また、比較例1と従来例とを比較すると、温度上昇とバリアー型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間にはほとんど差が無い。
さらに、比較例2と従来例とを比較すると温度上昇は65%減少しているが、バリアー型皮膜生成工程での定電圧に到達するまでの時間が長くなり、化成に必要な電気量が増加するので好ましくない。
また、濃度が10wt%のホウ酸水溶液(85℃)中で30V刻みに印加電圧を上昇させて各電圧を180秒印加した後の電流値を漏れ電流として図1に示す。
図1から明らかなように、本発明の実施例1〜4に係るアルミニウム電解コンデンサ用電極箔は、従来例、比較例1に係るアルミニウム電解コンデンサ用電極箔と比較して漏れ電流が低減されている。
このように、ポーラス型皮膜生成工程において陽極酸化する際のデューティ比が98%を超えた場合にはポーラス型皮膜生成時における発熱を抑える効果が見られず、また、デューティ比が50%未満では電気量を低減する効果が見られない。従って、デューティ比50〜98%とするのが好ましい。
なお、上記した実施例では、アルミニウム箔の表面にポーラス型皮膜を生成させた後のバリアー型皮膜生成工程において、10wt%のホウ酸に0.04wt%のホウ酸アンモニウムを添加した水溶液(化成液)中で陽極酸化を行った例を説明したが、バリアー型皮膜生成工程では、リン酸やリン酸塩の水溶液、若しくはアジピン酸やアジピン酸塩の水溶液を単独で、またはそれらの混合水溶液中で陽極酸化を行ってもよい。
また、上記した実施例では、ポーラス型皮膜を生成させ得る化成液として、硫酸を用いたものについて説明したが、硫酸以外のシュウ酸、リン酸を用いてもよく、要は硫酸、シュウ酸、リン酸のうち、少なくとも1種を用いればよい。
また、上記した実施例では、ポーラス型皮膜を生成させ得る化成液として、硫酸を用いたものについて説明したが、硫酸以外のシュウ酸、リン酸を用いてもよく、要は硫酸、シュウ酸、リン酸のうち、少なくとも1種を用いればよい。
Claims (2)
- 化成液中でアルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、表面にポーラス型皮膜を生成させるポーラス型皮膜生成工程と、該ポーラス型皮膜生成工程を行った前記アルミニウム箔に陽極酸化を行うことにより、非晶質のバリアー型皮膜を生成させるバリアー型皮膜生成工程とを有する電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法において、
前記ポーラス型皮膜生成工程で、デューティ比が50〜98%の矩形波の電流を前記アルミニウム箔に印加することを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法。 - 請求項1において、前記ポーラス型皮膜生成工程で用いる化成液が、硫酸、シュウ酸およびリン酸のうち、少なくとも1種を含んでいることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法。
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JP2005251251A JP2007067172A (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009170861A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Young Joo Oh | 金属キャパシタ及びその製造方法 |
CN105742067A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-07-06 | 恒扬(韶关)工业有限公司 | 提高固态电容器容量引出率及改善漏电电流铝箔生产方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62293607A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JPH08293441A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用電極箔 |
JPH09246110A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の化成方法 |
-
2005
- 2005-08-31 JP JP2005251251A patent/JP2007067172A/ja active Pending
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