DE102005055468A1

DE102005055468A1 - Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor

Info

Publication number: DE102005055468A1
Application number: DE102005055468A
Authority: DE
Inventors: Johannes KÄPPELER
Original assignee: Aixtron SE
Current assignee: Aixtron SE
Priority date: 2005-11-22
Filing date: 2005-11-22
Publication date: 2007-05-24
Also published as: EP1951931B1; ATE493521T1; CN101313086A; DE502006008626D1; CN101313086B; EP1951931A1; JP2009516777A; US20100003405A1; KR20080075198A; WO2007060159A1; TW200728495A; JP5137843B2

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines oder mehrerer Substrate mit einer Schicht, deren Komponenten in Form mindestens zweier Gase mittelst eines Gaseinlassorgans in eine Prozesskammer (7) eingeleitet werden, wobei die Gase jeweils in übereinander angeordnete Kammern (1, 2) des Gaseinlassorgans eingebracht werden und von dort durch Gasaustrittsöffnungen (3, 4), die in die Prozesskammer (7) münden, in die Prozesskammer (7) eintreten. Um das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zur Herstellung von homogenen Schichten weiterzubilden, wird vorgeschlagen, dass zufolge einer Aufteilung jeder der beiden Kammern in je mindestens zwei Abteile (1a, 1b; 2a, 2b), die im Wesentlichen deckungsgleich übereinanderliegen, die beiden Prozessgase in Umfangsrichtung getrennt voneinander in die Prozesskammer eintreten, so dass die in ringförmiger Anordnung auf einen den Boden der Prozesskammer (7) bildenden Substrathalter (9) liegenden Substrate (10) zufolge einer Drehung des Substrathalters (9) um seine Achse (9') nacheinander den verschiedenen Prozessgasen ausgesetzt sind.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten ein oder mehrerer Substrate mit einer Schicht, deren Komponenten in Form mindestens zweier Gase mittelst eines Gaseinlassorgans in eine Prozesskammer eingeleitet werden, wobei die Gase jeweils in übereinander angeordnete Kammern des Gaseinlassorgans eingebracht werden und von dort durch Gasaustrittsöffnungen, die in die Prozesskammer münden, in die Prozesskammer eintreten.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors bzw. einen CVD-Reaktor mit mindestens zwei übereinander angeordneten Kammern von deren unteren Wandung jeweils Gasaustrittsöffnungen ausgehen, die in die Prozesskammer münden zur Zuleitung je eines mittels einer Zuleitung in die Kammern gebrachten Prozessgases in die Prozesskammer, deren Boden von einem drehantreibbaren Substrathalter gebildet ist.

Im Stand der Technik sind CVD-Reaktoren bekannt, die ein duschkopfartiges Gaseinlassorgan aufweisen, mittels dessen mehrere Prozessgase in eine Prozesskammer eingeleitet werden. Die Unterseite des Gaseinlassorgans besitzt eine Vielzahl von gleichmäßig über die im Wesentlichen kreisrunde Fläche verteilte Gasaustrittsöffnungen, deren Mündung auf einen unterhalb des Gaseinlassorgans angeordneten Substrathalter weisen. Auf diesem drehangetriebenen Substrathalter liegen in ringförmiger Anordnung um das Drehzentrum verteilt mehrere Substrate, die beschichtet werden sollen. Der Substrathalter kann von unten mittels einer geeigneten Heizung beheizt werden. Das Gaseinlassorgan besitzt mehrere übereinander angeordnete Kammern. Eine untere Kammer bildet eine Kühlmittelkammer, durch welche ein Kühlmittel strömt, um die Unterseite des Gaseinlassorgans auf eine Temperatur zu kühlen, die niedriger ist als die Reaktionstemperatur der aus dem Gaseinlassorgan austretenden Prozessga se. Oberhalb dieser Kühlmittelkammer befinden sich gasdicht voneinander getrennt zwei Kammern, die sich im Wesentlichen über die gesamte rotationssymmetrische Querschnittsfläche des Gaseinlassorgans erstrecken. Jede der beiden Kammern wird mit einem anderen Prozessgas gespeist. Eines der beiden Prozessgase kann ein Hydrid, beispielsweise NH₃, Arsin oder Phosphin sein. Ein anderes Prozessgas ist eine metallorganische Verbindung, so dass auf den Substraten Schichten der Elemente der fünften und dritten oder der zweiten und sechsten Hauptgruppe abgeschieden werden können. Jede der beiden Kammern ist mit Gasaustrittskanälen mit der Unterseite der Prozesskammer verbunden. Auch andere, insbesondere metallorganische Ausgangsstoffe werden verwendet.

Im Stand der Technik wird ein sogenanntes ALD-Verfahren beschreiben. Bei diesem Verfahren werden die beiden Prozessgase nicht gleichzeitig in die Prozesskammer eingeleitet, sondern alternierend. Gegebenenfalls kann zwischen der Einleitung des einen und des anderen Prozessgases ein Spülgas in die Prozesskammer eingeleitet werden. Ziel dieses Verfahrens ist es, abwechselnd im Wesentlichen eine Monolage der einen Komponente, beispielsweise der III- oder II-Komponente abzuscheiden und dann eine Monolage der V- oder VI-Komponente auf dem Substrat abzuscheiden. Mit diesem Verfahren soll eine absolute Homogenität der Schichtdicke erzielt werden.

Aus der DE 100 43 601 A1 ist ein CVD-Reaktor zum Abscheiden von III-V-Schichten auf Substraten bekannt. Dort ragt ein Gaseirilassorgan in eine in einer Horizontalebene liegende Prozesskammer. Das Gaseinlassorgan ragt mit einem gekühlten Körper in das Zentrum der Prozesskammer, deren Boden den Substrathalter bildet. Aus der Unterseite des Gaseinlassorgans strömt ein Hydrid, beispielsweise Arsin oder Phosphin in die Prozesskammer. Es wird dort in die Horizontalrichtung umgeleitet, um in Radialrichtung zu den Substraten zu strömen. Oberhalb dieser Austrittsöffnung ist eine weitere, sich über den ge samten Umfang des Gaseinlassorgans erstreckende Gasaustrittsöffnung vorgesehen, durch welche eine metallorganische Verbindung, beispielsweise TMG, in die Prozesskammer eintritt.

Eine ähnliche Vorrichtung beschreibt die DE 10153 463 A1 .

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zur Herstellung von homogenen Schichten weiterzubilden.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei jeder der Ansprüche grundsätzlich eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt.

Der Verfahrensanspruch sieht zunächst und im Wesentlichen vor, dass zufolge einer besonderen Ausgestaltung des Gaseinlassorgans und einer entsprechenden Teilung der Kammern in mehrere Abteile die umfangsversetzte Einspeisung von verschiedenen Prozessgasen in die Prozesskammer möglich ist. Es ist vorgesehen, dass in unterschiedlichen Umfangsabschnitte der Prozesskammer verschiedene Prozessgase getrennt voneinander einströmen. Die unterhalb des Gaseinlassorgans sich auf einer Kreisbahn drehenden Substrate werden somit abwechselnd den unterschiedlichen Prozessgasen ausgesetzt, so dass eine Art des ALD-Verfahrens möglich ist, ohne einen zyklischen Gaswechsel in der Prozesskammer durchzuführen. Es ist insbesondere vorteilhaft, wenn zwischen den Umfangszonen, die mit den Prozessgasen gespeist werden, Spülzonen vorgesehen sind, in welchen ein Inertgas oder ein anderes Spülgas in die Prozesskammer eingeleitet wird. Es erweist sich auch als vorteilhaft, wenn durch das Zentrum des Gaseinlassorgans ebenfalls ein Spül- oder Inertgas in die Prozesskammer eingeleitet wird. Der Gasfluss der Spülgase ist so eingestellt, dass er gerade ausreicht, um ein Übersprechen der einzelnen Prozessgase zu vermei den. Gleichwohl ist die Vorrichtung aber in der Lage, auch das gattungsgemäße Verfahren durchzuführen, wenn alle Abteile einer jeden Kammer mit demselben Prozessgas gespeist werden. Dann treten die beiden Prozessgase an jeder Stelle aus der Unterseite des Gaseinlassorgans aus. Es gibt dann keine Zonen, in welchen unterschiedliche Prozessgase in die Prozesskammer eingeleitet werden. Dann können sogar Gasphasenreaktionen zwischen den Reaktanten stattfinden.

Der das Gaseinlassorgan betreffende Anspruch sieht zunächst und im Wesentlichen vor, dass jede der beiden Kammern in mindestens zwei Abteile geteilt sind, und die Abteile der Kammern im Wesentlichen deckungsgleich übereinanderliegen. Auch hier kann vorgesehen sein, dass im Bereich der Trennzone zwischen den Abteilen Spülgasaustrittsöffnungen an der Unterseite des Gaseinlassorgans vorgesehen sind. Um das Spülgas in die Abteile einzuleiten, reicht es aus, kammartig mehrere Öffnungen in Radialrichtung mit einer Spülgaszuleitung zu verbinden. Diese separaten Öffnungen werden dann im Bedarfsfall zur Speisung der Prozesskammer mit Spülgas genutzt, so dass benachbarte Zonen, in welche jeweils unterschiedliche Prozessgase in die Prozesskammer einströmen, von einem Gasvorhang getrennt sind. Es ist aber auch vorgesehen, dass ein Abteil einer der beiden Kammern oder zwei übereinander angeordnete Abteile der beiden Kammern zum Spülgaseinlass in die Prozesskammer genutzt werden. In einer ersten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass jede Kammer in zwei Abteile geteilt ist. Die die Abteile trennende Trennwand jeder Kammer liegt dann bevorzugt auf einer Diagonalen durch das kreisscheibenförmige Gaseinlassorgan. Die Trennwände liegen übereinander. Es ist aber auch möglich, die Trennwände, die fluchtend übereinanderliegen, jeweils kreuzförmig oder sternartig anzuordnen. Die Abteile können sich über unterschiedliche Umfangswinkel erstrecken. Es können kleinere und größere Abteile vorgesehen sein. Bevorzugt dienen die einen größeren Umfangswinkel umfassenden Abteile der Einspeisung von Prozessgasen in die Prozesskammer. Die sich nur über einen geringen Umfangswinkel um das Zentrum der Prozesskammer oder um ein zentrales Abteil erstreckenden kleineren Abteile dienen der Einspeisung von Spülgas in die Prozesskammer. Die Drehgeschwindigkeit des Substrathalters ist derartig an den Prozess angepasst, dass beim Durchlaufen des Substrates der Umfangszone eines Abteils, durch welches ein Prozessgas in die Prozesskammer eingeleitet wird, genau eine Monolage einer Komponente auf der Substratoberfläche abgeschieden wird. Das Verfahren eignet sich im Besonderen für die Verwendung von solchen Prozessgasen, die von Hause aus nur einlagig auf der Substratoberfläche kondensieren, also selbstlimitierend wachsen. Das Drehen des Substrathalters hat zur Folge, dass abwechselnd unterschiedliche Komponenten auf dem Substrat abgeschieden werden. Wenn die einzelnen Abteile, durch welche wechselweise die Prozessgase in die Prozesskammer eintreten, von Spülzonen getrennt sind, bleibt den Reaktanten auch genügend Zeit, um miteinander schicht- bzw. kristallbildend zu reagieren.

Das zuvor an einem duschkopfartig gestalteten Gaseinlassorgan beschriebene Konzept lässt sich auch an einem Gaseinlassorgan verwirklichen, wie es die DE 100 43 601 A1 oder die DE 101 53 463 A1 beschreiben. Auch dort sind übereinander angeordnete Kammern vorgesehen. Diese liegen allerdings zwischen Decke und Boden der Prozesskammer. Die beiden Kammern des Gaseinlassorgans werden mittels in Vertikalrichtung verlaufende Gaszuleitungen mit Prozessgas versorgt. Diese Prozessgase treten dann in die jeweiligen, zugeordneten Abteile der einzelnen Kammern, um dann in unterschiedliche Umfangsrichtungen aus dem Gaseinlassorgan in Horizontalrichtung auszutreten. Es sind halbkreisförmige Austrittsöffnungen vorgesehen, die übereinander angeordnet sind. Je nach Anzahl der Abteile können aber auch viertelkreis- oder drittelkreisförmige Austrittsöffnungen vorgesehen sein. Ferner ist es möglich, die Austrittsöffnungen für die voneinander verschiedenen Prozessgase auch durch eine Zone zu trennen, aus der ein Spülgas austritt. Die aus den Austrittsöffnungen austretenden Prozessgase strömen in Radialrichtung durch die Prozess kammer und über die um das Gaseinlassorgan gruppierten Substrate. Durch Gasphasenreaktionen oder durch Oberflächenreaktionen werden kristallbildende Reaktionsprodukte gebildet.

Die Gasmischeinrichtung, mit der die einzelnen Abteile der Kammern mit dem jeder Kammer zugeordneten Prozessgas gespeist werden, besitzt erste Gasdosiereinrichtungen für ein erstes Prozessgas und zweite Gasdosiereinrichtungen für ein zweites Prozessgas. Bei dem ersten Prozessgas kann es sich um eines der oben genannten Metallhydride handeln. Bei dem zweiten Prozessgas kann es sich um eine metallorganische Verbindung handeln. Die Gasmischeinrichtung besitzt eine Umschaltventilanordnung. Mit dieser Umschaltventilanordnung können entweder alle Abteile einer jeden Kammer mit dem jeweils der Kammer zugeordneten Prozessgas gespeist werden. Beispielsweise ist es möglich, alle Abteile der oberen Kammer mit einem Hydrid und alle Abteile der unteren Kammer mit einer metallorganischen Verbindung zu speisen. Das Hydrid und die metallorganische Verbindung werden in der Regel mit einem Trägergas, beispielsweise Wasserstoff oder Stickstoff oder einem Edelgas in die jeweilige Kammer hineingeleitet. Zufolge der Umschaltventilanordnung ist es aber auch möglich, jeweils nur eine Auswahl von Abteilen einer jeden Kammer mit dem der Kammer zugeordneten Prozessgas zu versorgen. Diese, mit dem jeweiligen Prozessgas versorgten Abteile liegen nicht übereinander, sondern liegen umfangsversetzt zueinander. Die übrigen, nicht mit dem Prozessgas versorgten Abteile werden mit einem Spülgas gespeist. Das Spülgas tritt dann zusammen mit der jeweiligen Komponente aus der Unterseite des Gaseinlassorgans in die Prozesskammer. Es bilden sich somit in Umfangsrichtung einander abwechselnde Zonen, in denen unterschiedliche Prozessgase und ggf. nur Spülgase in die Prozesskammer eingeleitet werden.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
1 die Draufsicht auf ein nicht maßstabsgetreu wiedergegebenes Gaseinlassorgan mit angedeuteten Abteilen 1a, 1b einer Kammer 1, die mit Kanälen 3 mit der Unterseite des Gaseinlassorgans verbunden sind,
2 einen nicht maßstabsgetreuen Schnitt gemäß der Linie II-II in 1,
3 einen Schnitt gemäß der Linie III-III in 2,
4 ein einfaches Beispiel einer Gasmischeinrichtung zur Versorgung der Abteile 1a, 1b, 2a, 2b der Kammern 1, 2 des in den 1 und 2 schematisch dargestellten Gaseinlassorgans,
5 einen nicht maßstabsgetreuen Querschnitt durch die obere Kammer 1 eines Gaseinlassorgans eines zweiten Ausführungsbeispiels,
6 den Schnitt gemäß der Linie VI-VI in 5,
7 einen Querschnitt durch eine Prozesskammer eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfindung,
8 einen Schnitt gemäß der Linie VIII-VIII in 7,
9 eine Darstellung gemäß 7 eines weiteren Ausführungsbeispiels,
10 einen Schnitt gemäß der Linie X-X in 9,
11 eine Seitenansicht auf ein Gaseinlassorgan gemäß dem in den 9 und 10 dargestellten Ausführungsbeispiel und
12 einen Schnitt gemäß der Linie XII-XII in 11.
Ein CVD-Reaktor, in welchem die Gaseinlassorgane angeordnet sind, besitzt ein Gasmischsystem. Einige Bestandteile eines derartigen Gasmischsystems sind in der 4 dargestellt. Es handelt sich um die zur Erläuterung der Erfindung erforderlichen Komponenten. H₁ und H₂ sind Gasdosierungseinrichtungen für Hydride, beispielsweise NH₃, ASH₃ oder PH₃. Diese Dosiereinrichtungen H₁, H₂ bestehen aus Massenfluss-Controllern und Ventilen. Mit der Gasdosiereinrichtung H₁ wird ein Abteil 2b einer Kammer 2 eines Gaseinlassorgans mit einem Hydrid gespeist. Das von der Gasdosiereinrichtung H₂ gelieferte Hydrid kann bei einer entsprechenden Stellung des Umschaltventils 16 in das zweite Abteil 2a der Kammer 2 eingeleitet werden, so dass die gesamte Kammer 2 mit einem Hydrid gespeist wird. Mit MO₁ ist eine Gasdosiereinrichtung bezeichnet, welche ein Abteil 1b einer Kammer 1 mit einer metallorganischen Komponente speist. Mit MO₂ ist eine zweite Gasdosiereinrichtung bezeichnet, die bei einer entsprechenden Stellung des Umschaltventils 17 das zweite Abteil 1a der Kammer 1 mit einer metallorganischen Komponente speist. Bei dieser Betriebsart treten aus der Unterseite des Gaseinlassorgans im Wesentlichen an jeder Stelle beide Prozessgase aus. Die üblicherweise erforderlichen Vent-Leitungen sind der besseren Übersichtlichkeit halber nicht dargestellt.
Werden die Umschaltventile 16, 17 umgestellt, so fließt in das Abteil 2a der unteren Kammer nach wie vor das Hydrid, in das danebenliegende Abteil 2b jedoch das Spülgas, welches die Gasdosiereinrichtung PH bereitstellt. In die oberhalb des Abteils 2a angeordnete Abteil 1a fließt bei einer entsprechenden Stellung des Umschaltventils 17 das von der Gasdosiereinrichtung PMO bereitgestellte Spülgas, während in das dem Abteil 2a diagonal gegenüberliegende Abteil 1b die metallorganische Komponente einströmt. Dies hat zur Folge, dass in die Zone unterhalb des Gaseinlassorgans die den mit b bezeichneten Abteile zugeordnet ist, eine metallorganische Komponente einströmt und in die Umfangszone, die den Abteilen a zugeordnet ist, das Hydrid einströmt.
Ein Gasmischsystem für mehr als zwei Abteile in jeder Kammer sieht entsprechender Weise umfangreicher aus. Es besitzt entsprechend mehr Umschaltventile 16, 17 und entsprechend mehr Gasdosiereinrichtungen vor.
Das in den 1 und 2 dargestellte Gaseinlasssystem besteht im Wesentlichen aus einem Edelstahlgehäuse mit einer Deckenplatte, zwei Mittelplatten 5, 6 und einer Bodenplatte 8. Es sind übereinanderliegende Kammern 1, 2 ausgebildet, wobei die Kammer 1 zwei Abteile 1a und 1b ausbildet. Die Abteile 1a, 1b haben jeweils eine im Wesentlichen halbkreisförmige Querschnittsform und werden von einer Trennwand 13 gasdicht voneinander getrennt. In das Abteil 1a mündet eine Zuleitung ein 11a und in das Abteil 1b eine Zuleitung 11b.
Die Bodenplatte 5 der Kammer 1 ist mit einer Vielzahl von Röhrchen mit der Bodenplatte 8, die die Unterseite des Gaseinlassorgans bildet, verbunden. Diese Röhrchen bilden Gasaustrittskanäle 3, durch welche das in die Kammer 1 eingebrachte Prozessgas oder Spülgas in die unterhalb des Gaseinlassorgans angeordnete Prozesskammer 7 strömen kann.
Unterhalb der Unterwandung 5 der oberen Kammer 1 befindet sich die zweite Kammer 2. Auch die zweite Kammer 2 ist mittels Röhrchen, die von der unteren Wandung 6 ausgehen, mit der Bodenplatte des Gaseinlassorgans verbunden, so dass sich Gasaustrittskanäle 4 ausbilden, durch welche das Prozess- oder Spülgas, welches in die Kammer 2 eingeleitet wird, in die Prozesskammer 7 strömen kann.
Die Prozesskammer 2 ist mittelst einer diagonal verlaufenden Trennwand 14 in zwei Abteile 2a, 2b aufgeteilt. Jedem Abteil 2a, 2b ist eine individuelle Gaszulei tung 12a, 12b zugeordnet, durch die entweder ein Prozessgas oder ein Spülgas in die Kammer 2a, 2b eingeleitet werden kann.
Unterhalb der beiden Kammern 1, 2 befindet sich eine dritte Kammer 15, die nicht unterteilt ist. Durch diese Kammer 15 ragen alle die Gasaustrittskanäle 3, 4 ausbildenden Röhrchen. Die Kammer 15 wird von einem Kühlmittel durchströmt, welches die Bodenplatte 8 des Gaseinlassorgans und die Röhrchen kühlt.
Unterhalb der Unterseite des Gaseinlassorgans 8 befindet sich ein beispielsweise aus Graphit gefertigter Substrathalter 9. Der Substrathalter 9 liegt im Wesentlichen deckungsgleich unterhalb des Gaseinlassorgans und besitzt ebenfalls eine Kreisscheibenform. Mittelst eines nicht dargestellten Antriebsorgans kann der Substrathalter 9 um seine Achse 9' gedreht werden. Die sich in ringförmiger Anordnung auf dem Substrathalter 9 befindenden Substrate 10 werden dann unter der Gasaustrittsfläche des Gaseinlassorgans gedreht.
Wird beispielsweise das Abteil 2a mit einem Hydrid, das danebenliegende Abteil 2b mit einem Spülgas, das diagonal oberhalb des Abteils 2a angeordnete Abteil 1b mit einer metallorganischen Verbindung und das danebenliegende Abteil 1a wiederum mit einem Spülgas gespeist, so treten aus der Gasauslassfläche des Gaseinlassorgans in unterschiedlichen Zonen verschiedene Prozessgase in die Prozesskammer 7 ein. In einer sich etwa über 180° erstreckenden Umfangszone unterhalb des Abteils 2a tritt das Hydrid in die Prozesskammer. In der danebenliegenden ebenfalls sich etwa über 180° erstreckenden Umfangszone tritt die metallorganische Komponente in die Prozesskammer ein. Zwischen den beiden Zonen kann über nicht dargestellte Spüleinlasskanäle ein Spülgas eingeleitet werden. Wird bei dieser Betriebsweise des Reaktors der Substrathalter 9 gedreht, so werden die darauf aufliegenden Substrate 10 zeitlich abwechselnd dem einen oder dem anderen Prozessgas ausgesetzt.
Bei dem in den 5 und 6 dargestellten Ausführungsbeispiel eines Gaseinlassorgans besitzt jede Kammer 1, 2 insgesamt 9 Abteile 1a–1i und 2a–2i. Auch bei diesem Ausführungsbeispiel liegen die die einzelnen Abteile 1a–1i, 2a–2i trennenden Trennwände 13a–13i und 14a–14i fluchtend übereinander.
Jede der beiden übereinanderliegenden Kammern 1, 2 besitzt ein zentrales Abteil 1i, 2i. Das zentrale Abteil 1i, 2i ist von einer ringförmigen Wandung 13a umgeben. Dieses zentrale Abteil 1i, 2i kann entweder mit dem der Kammer 1, 2 zugeordneten Prozessgas oder mit einem Spülgas gespeist werden, so dass sich ein zentraler gespülter und prozessgasfreier Raum in der Prozesskammer 7 einstellt.
Das zentrale Abteil 1i, 2i ist mit einer Vielzahl von speichenartig verlaufenden Trennwände 13b–13i bzw. 23b–23i umgeben. Diese Trennwände 13b–13i, 23b–23i verlaufen auf Diagonalen. Von ihnen werden in Umfangsrichtung hintereinander angeordnete Abteile 1a–1h bzw. 2a–2h gebildet. Dabei werden Abteile 1a, 1b, 1c, 1d gebildet, die sich über einen größeren Umfangswinkel erstrecken. Die Kammer 2 bildet entsprechend und deckungsgleich dazu liegende Kammern 2a–2d aus. Durch diese, kreuzförmig angeordneten Abteile 1a–1d bzw. 2a–2d können die Prozessgase in die Prozesskammer 7 eingeleitet werden. Dies erfolgt auch wieder wechselsinnig, so dass beispielsweise die sich gegenüberliegenden Abteile 1a und 1c mit einer metallorganischen Verbindung gespeist werden. Die um 90° versetzte dazu Liegenden Abteile 1b und 1d werden dagegen mit einem Spülgas gespeist. Bei der Kammer 2 werden die Abteile 2a und 2c mit einem Spülgas gespeist. Die unter den gespülten Abteilen 1b und 1d angeordneten Abteile 2b und 2d der unteren Kammern werden mit Hydrid gespeist.
Zwischen den sich über einen größeren Umfangswinkel erstreckenden Abteile 1a–1d bzw. 2a–2d sind Spülgasabteile 1e–1h bzw. 2e–2h angeordnet. Diese Abteile 1e–1h bzw. 2e–2h können wahlweise mit dem der jeweiligen Kammer 1, 2 zugeordneten Prozessgas oder einem Spülgas gespeist werden.
Mit dem in den 5 und 6 dargestellten Gaseinlassorgan können bei einer entsprechenden Speisung der Abteile alle Prozessgase in Mischung in die Prozesskammer 7 eingeleitet werden. Bei einer davon abweichenden Schaltstellung des Gasmischsystems werden aber nur eine Auswahl der Abteile mit dem Prozessgas gespeist, wobei die nicht ausgewählten Abteile mit einem Spülgas gespeist werden, so dass sich in der Prozesskammer 7 Umfangsbereiche einstellen, in denen das Substrat einem Hydrid oder einer metallorganischen Verbindung ausgesetzt wird.
Bei dem in den 7 und 8 dargestellten weiteren Ausführungsbeispiel handelt es sich um einen so genannten Planetenreaktor, bei dem das Gaseinlassorgan im Zentrum einer Prozesskammer 7 sitzt. Die Prozesskammer besitzt eine Prozesskammerdecke 19, die eine zentrale Öffnung aufweist, durch die das insbesondere wassergekühlte Gaseinlassorgan in die Prozesskammer hineinragt. Unterhalb des Gaseinlassorgans und der Prozesskammerdecke 19 befindet sich der Boden 9 der Prozesskammer, der von einem Substrathalter gebildet ist, der um seine zentrale Achse 9' drehangetrieben wird. Auf dem das Gaseinlassorgan umgebenden Bereich des Substrathalters 9 liegen eine Vielzahl von Substraten. Die Substrate können wiederum auf einzelnen Suszeptoren aufliegen, die mit geeigneten Mitteln drehangetrieben werden. Das aus dem Gaseinlassorgan herausströmende Gas durchströmt die Prozesskammer 7 in Radialrichtung.
Die Zeichnungen geben das Gaseinlassorgan nur schematisch wieder. Wesentlich ist, dass unterschiedliche Prozessgase, beispielsweise ein Hydrid oder eine metallorganische Verbindung durch Gaszuleitungen in Vertikalrichtung das Gaseinlassorgan durchströmen. Hierzu besitzt das Gaseinlassorgan ein äußeres Rohr 17, in welchem ein durchmesserkleineres Rohr 16 liegt. Die sich dadurch bildenden Lumen sind jeweils über diagonal verlaufende Trennwände 13, 14 in Zuleitungen 11a, 11b bzw. 12a, 12b getrennt. Durch die äußeren Zuleitungen 11a, 11b strömt eine metallorganische Verbindung in eine erste Kammer 1a, 1b. Die Kammer bildet zwei sich über einen Halbkreis erstreckende, in einer gemeinsamen Horizontalebene liegende Abteile 1a, 1b aus. Die Abteile bilden die Endzonen der Zuleitungen 11a, 11b.
Das innere Rohr 17 bildet ebenfalls sich über eine Halbkreiszone erstreckende, in einer gemeinsamen Horizontalebene liegende Abteile 2a, 2b aus, die im Wesentlichen die Endabschnitte der Zuleitungen 12a, 12b sind.
Wie der Querschnittszeichnung in 7 zu entnehmen ist, liegt das Abteil 1a vertikal oberhalb des Abteils 2a. Das Abteil 1b liegt vertikal oberhalb des Abteils 2b. Das zentrale Rohr 17 weitet sich zu seinem in die Prozesskammer 7 ragenden Ende kegelförmig auf und bildet so eine Trennwand zwischen den Abteilen 1a, 2a bzw. 1b, 2b.
Die Abteile 1a, 1b besitzen über eine 180° Umfangsfläche sich erstreckende Austrittsöffnungen 3. Diese, jeweils voneinander wegweisende Austrittsöffnungen 3 dienen dem Austritt eines mit einem Trägergas transportierten metallorganischen Prozessgases in die Prozesskammer 7. Durch die darunter liegenden, ebenfalls sich über eine 180° Kreisumfangsfläche erstreckenden Austrittsöffnungen 4 der Abteile 2a, 2b treten die Hydride in die Prozesskammer ein.
Der Betrieb dieses Ausführungsbeispiels entspricht dem Betrieb der zuvor erörterten Ausführungsbeispiele. Es ist möglich, in die Abteile 2a, 2b bzw. 1a, 1b jeweils gleiche Prozessgase einzuleiten. Alternativ dazu kann lediglich in die Abteile 1a bzw. 2b ein Prozessgas eingeleitet werden. In die Abteile 1b und 2a wird dann lediglich ein Inertgas eingeleitet.
Wenn sich der Substrathalter 9 um seine Achse 9' dreht, treten die darauf liegenden Substrate abwechselnd in eine Gasphase ein, die das eine oder das andere Prozessgas enthält.
Das in den 9 bis 12 dargestellte Ausführungsbeispiel ist eine Variante des in den 7 und 8 dargestellten Ausführungsbeispiels. Auch hier tritt das Prozessgas in Horizontalrichtung aus den Abteilen 1a, 1b, 2a, 2b aus. Anders als bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel sind hier jedoch die Austrittsöffnungen 3, 4 der einzelnen Abteile 1a, 1b, bzw. 2a, 2b von einer Spülgasaustrittsöffnung 20 getrennt. Das Spülgas wird mittelst eines zentralen Rohres 18 eingeleitet. Das Spülgasrohr 18 befindet sich im Zentrum der Trennwand 14. Im Endbereich des Gaseinlassorgans weitet sich das Spülgasrohr 18 auf, so dass das Spülgas aus sich diametral gegenüberliegenden Austrittsöffnungen 20 in die Prozesskammer hineinströmen kann.
In einem nicht dargestellten Ausführungsbeispiel kann zusätzlich eine zentrale Prozessgasleitung vorgesehen sein, die in der Stirnfläche des Gaseinlassorgans mündet, wie es bei dem eingangs genannten Stand der Technik der Fall ist. Durch diese zentrale Spülgasleitung kann beispielsweise das Hydrid in die Prozesskammer geleitet werden, wie es beim Stand der Technik der Fall ist. Durch die sich über verschiedene Umfangswinkel erstreckende Abteile können dann unterschiedliche metallorganische Verbindungen in die Prozesskammer eingeleitet werden; so können beispielsweise indiumhaltige oder galliumhaltige metallorganische Verbindungen in unterschiedliche Segmente der Prozesskammer eingeleitet werden. Das Hydrid wird dann aber in jede Richtung, also über 360° in die Prozesskammer eingeleitet.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims

Verfahren zum Beschichten ein oder mehrerer Substrate mit einer Schicht, deren Komponenten in Form mindestens zweier Gase mittelst eines Gaseinlassorgans in eine Prozesskammer (7) eingeleitet werden, wobei die Gase jeweils in übereinander angeordnete Kammern (1, 2) des Gaseinlassorgans eingebracht werden und von dort durch Gasaustrittsöffnungen (3, 4), die in die Prozesskammer (7) münden, in die Prozesskammer (7) eintreten, dadurch gekennzeichnet, dass zufolge einer Aufteilung jeder der beiden Kammern in je mindestens zwei Abteile (1a, 1b; 2a, 2b), die im Wesentlichen deckungsgleich übereinanderliegen, die beiden Prozessgase in Umfangsrichtung getrennt voneinander in die Prozesskammer eintreten, so dass die in ringförmiger Anordnung auf einen den Boden der Prozesskammer (7) bildenden Substrathalter (9) liegenden Substrate (10) zufolge einer Drehung des Substrathalters (9) um seine Achse (9') nacheinander den verschiedenen Prozessgasen ausgesetzt sind.
Verfahren nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils nur nicht übereinander angeordnete Abteile (1a, 2b) mit einem Prozessgas und die anderen Abteile (1b, 2a) mit einem Spülgas gespeist werden.
Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass in Umfangsrichtung zwischen den mit Prozessgasen gespeisten Abteilen (1a, 2b, 1c, 2d) Abteile (1e, 1f, 1g, 1h) angeordnet sind, die mit einem Spülgas gespeist werden, zum Austritt des Spülgases aus der Unterseite des Gaseinlassorgans.
Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors mit mindestens zwei übereinander angeordnete Kammern (1, 2) von deren unteren Wandung (5, 6) jeweils Gasaustrittsöffnungen (3, 4) ausgehen, die in die Prozesskammer (7) münden zur Zuleitung je eines mittels einer Zuleitung (11, 12) in die Kammern (1, 2) gebrachten Prozessgases in die Prozesskammer (7), deren Boden von einem drehantreibbaren Substrathalter (9) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass jede der mindestens beiden Kammern (1, 2) in je mindestens zwei Abteile (1a, 1b; 2a, 2b) geteilt sind, und die Abteile (1a, 1b; 2a, 2b) der verschiedenen Kammern (1, 2) im Wesentlichen deckungsgleich übereinanderliegen und jeweils zugeordnete Zuleitungen (11a, 11b; 12a, 12b) aufweisen.
Gaseirilassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch im Bereich der Trennzone zwischen den Abteilen (1a, 1b; 2a, 2b) angeordnete Spülgasaustrittsöffnungen.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate (10) ringförmig um das Zentrum (9') des rotationssymmetrischen Substrathalters (9) angeordnet sind.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine stern- oder kreuzförmige Teilung der Kammern (1, 2) in eine Vielzahl von Abteilen (1a–1i; 2a–2i).
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein zentrales Abteil (1i, 2i) zum Einleiten wahlweise eines Prozessgases oder eines Spülgases.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von in Umfangsrichtung verteilt angeordnete Abteile (1a–1h; 2a–2h) zur Zuleitung entweder eines Spülgases oder eines Prozessgases in die Prozesskammer (7).
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die die Abteile (1a–1i; 2a–2i) gasdicht voneinander trennende Trennwände (13, 14) fluchtend übereinander angeordnet sind.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine unterhalb der Kammern (1, 2) angeordnete Kühlmittelkammer (15), deren Boden (8) die Unterseite des Gaseinlassorgans ausbildet.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (3, 4) Kanäle sind, die in einer die Decke der Prozesskammer (7) bildenden Unterseite (8) des Gasauslassorgans münden.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnungen (3, 4) übereinander angeordnete Umfangsöffnungen des in die Prozesskammer (7) hineinragenden Gaseinlassorgans sind.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Gasaustrittsöffnungen (3, 4) der Abteile (1a, 1b, 2a, 2b) Austrittsöffnungen (20) einer Spülgasleitung (18) angeordnet sind.
Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine Gasmischeinrichtung mit ersten Gasdosiereinrichtungen (H₁, H₂) für ein erstes Prozessgas und zweite Gasdosiereinrichtungen (MO₁, MO₂) für ein zweites Prozessgas, und eine Umschaltventilanordnung (16, 17), mit der entweder alle Abteile (1a–1i; 2a–2i) einer jeden Kammer (1, 2) mit demselben Prozessgas versorgt werden oder nur jeweils eine Auswahl nicht übereinanderliegender Abteile (1a–1i; 2a–2i) mit dem zugeordneten Prozessgas versorgt werden.
CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach und einer Gasmischanordnung zur wahlweisen Speisung entweder aller Abteile (1a–1i; 2a–2i) einer jeden Kammer (1, 2) mit demselben Prozessgas oder nur jeweils einer Auswahl nicht übereinanderliegender Abteile (1a–1i; 2a–2i) mit dem der jeweiligen Kammer zugeordneten Prozessgas und einem unterhalb des Gaseinlassorgans angeordneten Substrathalter (9), der um eine zentrale Achse drehbar ist.