CN108878326A - 注入器及其包含注入器的工艺装置 - Google Patents

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Abstract

一种注入器及其包含注入器的工艺装置，其中，注入器包括：注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，且所述第一投影落在第二投影内；位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。所述注入器能够降低给后续工艺带来缺陷。

Description

注入器及其包含注入器的工艺装置
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种注入器及其包含注入器的工艺装置。
背景技术
在半导体领域，需要使用到较多的工艺气体，所述工艺气体通常通过注入器输送至工艺装置内，进行相应的工艺处理。
然而，利用现有的注入器将工艺气体输送至工艺装置，对工艺装置内进行的工艺处理带来较多的缺陷。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种注入器及其包含注入器的工艺装置，以降低给后续工艺带来的缺陷。
为解决上述技术问题，本发明提供一种注入器，包括：注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，所述第一投影落在第二投影内；位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。
可选的，所述第二投影的形状包括三角形、长方形、正方形、正六边形、正八边形、圆形或者椭圆形。
可选的，所述第一投影的形状包括：圆形、长方形、椭圆型、正六边形、正八边形或者正方形。
可选的，所述第二开口的内侧壁向注入腔体底部的外侧壁凹陷。
可选的，还包括：连接部，所述导流装置通过连接部与注入腔体相连。
可选的，所述连接部的个数为一个或者一个以上；当所述连接部的个数为一个以上时，一个以上的所述连接部围绕导流装置进行排列。
本发明还提供一种包含注入器的工艺装置，包括：上述注入器；位于所述注入器底部的工艺腔室，所述工艺腔室顶部与第二开口连通，所述第二开口用于向所述工艺腔体内输入第一气体。
可选的，所述工艺腔室底部还包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑待处理基底，所述第一气体用于处理所述待处理基底。
可选的，所述工艺腔室用于进行刻蚀处理。
可选的，所述第一气体在所述工艺腔内经过工艺处理之后生成第三气体；所述工艺腔室底部还具有第三开口，所述第三开口用于排出所述第三气体。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的注入器中，所述注入腔体与导流装置之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体。由于所述导流装置第一区在参考面上的第一投影落在导流装置第二区在参考面上的第二投影内，因此，所述导流装置第二区能够改变第一气体的方向，使得第一气体能够冲刷注入腔体侧壁的底部，则第一气体相互反应的副产物难以聚集在注入腔体侧壁的底部，因此，有利于减少缺陷源，则利用所述注入器，有利于减少给后续工艺处理带来缺陷。
进一步，所述注入腔体底部的内侧壁向外侧壁凹陷，使得注入腔体的底部面积较小，使得副产物更加难以在注入腔体侧壁的底部堆积。
附图说明
图1是一种注入器的结构示意图；
图2和图3是本发明注入器的结构示意图，图3是图2沿X方向的俯视图，图2是图3沿A-A1线的剖面结构示意图；
图4是图2中一实施例导流装置在参考面上的投影示意图；
图5是图2中再一实施例导流装置在参考面上的投影示意图；
图6是图2中又一实施例导流装置在参考面上的投影示意图；
图7是本发明包括图2注入器的工艺腔室的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，利用现有注入器给后续工艺带来的缺陷较多。
图1是一种注入器的结构示意图。
请参考图1，注入腔体100；位于所述注入腔体100顶部的第一开口110，所述第一开口110用于向注入腔体100内输入第一气体1；位于所述注入腔体100底部第二开口120，所述第二开口120用于输出第一气体1。
上述注入器中，所述第一气体1通过第一开口110进入注入腔体100内，所述第一气体1沿注入腔体100的内侧壁向第二开口120流动。所述第一气体1之间易发生相互反应形成副产物130。当所述第一气体1由第一开口110向第二开口120流动的过程中，所述副产物130被带动向第二开口120流动。
然而，当第一气体1带动副产物130流动至第二开口120的周围时，由于所述第一气体1难以冲洗到所述注入腔体100侧壁的底部，使得所述副产物130易在注入腔体100侧壁的底部沉积。当所述注入腔体100侧壁的底部沉积的副产物130达到一定的量，将发生跌落，跌落的副产物130将给后续工艺带来污染。
并且，所述注入腔体100侧壁的底部表面较大，使得副产物130更加容易堆积在所述注入腔体100侧壁的底部，且在所述注入腔体100侧壁的底部堆积的副产物130的量更大，若所述副产物130发生跌落，对后续工艺带来的缺陷更加严重。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种注入器，包括：注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，所述第一投影落在第二投影内；位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。利用所述注入器能够降低对后续工艺带来缺陷。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2和图3是本发明注入器的结构示意图，图3是图2沿X方向上的结构示意图，图2是图3沿A-A1线的结构示意图，图4是图2中一实施例导流装置在参考面上的投影示意图。
请参考图2至图4，注入腔体200，所述注入腔体200顶部具有第一开口210，所述第一开口210用于向注入腔体200输入第一气体11，所述注入腔体200包括垂直于注入腔体200内侧壁的参考面C；位于注入腔体200内的导流装置230，所述导流装置230与注入腔体200之间具有气体通道250，所述气体通道250用于通过第一气体11，所述导流装置230包括第一区A和位于第一区A底部的第二区B，所述导流装置230第一区A在参考面C上具有第一投影D，所述导流装置230第二区B在参考面C上具有第二投影E，且所述第一投影D落在第二投影E内；位于所述注入腔体200底部的第二开口220，所述第二开口220用于输出第一气体11。
所述注入腔体200用于将第一气体11输入到后续的工艺装置内。
所述注入腔体200的材料包括：石英、陶瓷或者特氟龙。
所述第一开口210用于输入第一气体11，所述第一气体11与后续工艺装置内进行的具体工艺相关。
在本实施例中，后续工艺腔室内进行的工艺为刻蚀工艺，所述刻蚀工艺用于刻蚀基底，所述基底的材料包括硅，因此，所述第一气体11包括碳氟气体。所述碳氟气体之间易发生相互反应形成副产物。
所述注入器还包括：连接部240，所述导流装置230通过连接部240与注入腔体200的内侧壁相连。
所述连接部240的个数为一个或者一个以上；当所述连接部240的个数为一个以上时，一个以上的连接部240围绕导流装置230进行排列。
所述注入腔体200、连接部240与导流装置230之间构成气体通道250，所述气体通道250用于通过第一气体11。所述第一气体11由第一开口210进入注入腔体200内，沿所述气体通道250向第二开口220流动。
在本实施例中，所述第二开口220的内侧壁向注入腔体200的外侧壁凹陷(见图中G所示)，则所述注入腔体200侧壁的底部面积较小，使得所述副产物难以附着在所述注入腔体200侧壁的底部，因此，有利于减少副产物给后续工艺带来缺陷。
在其他实施例中，所述第二开口内侧壁不向注入腔体的外侧壁凹陷。
所述导流装置230第一区A和导流装置230第二区B的尺寸，可根据实际需要进行设定。
图4是图2一实施例导流装置在参考面上的投影示意图。
在本实施例中，所述第一投影D的形状为长方形，所述第二投影E为圆形。
图5是图2再一实施例导流装置在参考面上的投影示意图。
在本实施例中，所述第一投影D为圆形，所述第二投影E为三角形。
图6是图2又一实施例导流装置在参考面上的投影示意图。
在本实施例中，所述第一投影D为正方形，所述第二投影E为正六边形。
在其他实施例中，所述第一投影的形状包括：椭圆型、正六边形或者正八边形，所述第二投影的形状包括：长方形、正方形、正八边形或者椭圆形。
由于所述导流装置230第一区A在参考面C上的第一投影D落在导流装置230第二区B在参考面C上的第二投影E，则所述导流装置230第二区B能够改变第一气体11的方向，使得所述第一气体11能够冲洗到注入腔体200侧壁的底部，有利于降低所述副产物在所述注入腔体200侧壁的底部的沉积，则所述副产物不易对后续工艺带来缺陷。
本发明还提供一种包括上述注入器的工艺装置，具体请参考图7。
图7是本发明包括图2注入器的工艺腔室的结构示意图。
请参考图7，上述注入器；位于所述注入器底部的工艺腔室300，所述工艺腔室300顶部与第二开口220连通，所述第二开口220用于向所述工艺腔室300内输入第一气体11。
所述工艺腔室300底部还包括支撑结构302，所述支撑结构302用于支撑待处理基底303，所述第一气体11用于处理所述待处理基底303。
所述第一气体11在所述工艺腔300内经过工艺处理之后生成第三气体13；所述工艺腔室300底部还具有第三开口301，所述第三开口301用于排出所述第三气体13。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种注入器，其特征在于，包括：
注入腔体，所述注入腔体顶部具有第一开口，所述第一开口用于向注入腔体内输入第一气体，所述注入腔体包括垂直于注入腔体内侧壁的参考面；
位于注入腔体内的导流装置，所述导流装置与注入腔体之间具有气体通道，所述气体通道用于通过第一气体，所述导流装置包括第一区和位于第一区底部的第二区，所述导流装置第一区在参考面上具有第一投影，所述导流装置第二区在参考面上具有第二投影，所述第一投影落在第二投影内；
位于所述注入腔体底部的第二开口，所述第二开口用于输出第一气体。
2.如权利要求1所述的注入器，其特征在于，所述第二投影的形状包括三角形、长方形、正方形、正六边形、正八边形、圆形或者椭圆形。
3.如权利要求1所述的注入器，其特征在于，所述第一投影的形状包括：圆形、长方形、椭圆型、正六边形、正八边形或者正方形。
4.如权利要求1所述的注入器，其特征在于，所述第二开口的内侧壁向注入腔体底部的外侧壁凹陷。
5.如权利要求1所述的注入器，其特征在于，还包括：连接部，所述导流装置通过连接部与注入腔体相连。
6.如权利要求5所述的刻蚀装置，其特征在于，所述连接部的个数为一个或者一个以上；当所述连接部的个数为一个以上时，一个以上的所述连接部围绕导流装置进行排列。
7.一种工艺装置，其特征在于，包括：
如权利要求1至权利要求6任一项所述的注入器；
位于所述注入器底部的工艺腔室，所述工艺腔室顶部与第二开口连通，所述第二开口用于向所述工艺腔室内输入第一气体。
8.如权利要求7所述的包含注入器的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室底部还包括支撑结构，所述支撑结构用于支撑待处理基底，所述第一气体用于处理所述待处理基底。
9.如权利要求7所述的包含注入器的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室用于进行刻蚀处理。
10.如权利要求7所述的包含注入器的工艺腔室，其特征在于，所述第一气体在所述工艺腔内经过工艺处理之后生成第三气体；所述工艺腔室底部还具有第三开口，所述第三开口用于排出所述第三气体。
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