WO2024121230A1

WO2024121230A1 - VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON SiC-SCHICHTEN AUF EINEM SUBSTRAT MIT EINEM VERSTELLBAREN GASAUSTRITTSELEMENT

Info

Publication number: WO2024121230A1
Application number: PCT/EP2023/084519
Authority: WO
Inventors: Philip HENS
Original assignee: Aixtron Se
Priority date: 2022-12-09
Filing date: 2023-12-06
Publication date: 2024-06-13
Also published as: TW202432886A

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (1), wobei in eine auf eine Prozesstemperatur gebrachte Prozesskammer (2) mittels eines Gaseinlassorganes (3) ein erster Gasfluss eingespeist wird, der in einer Strömungsrichtung (Sl) über einen das Substrat (1) tragenden Lagerplatz (4) eines sich in einer Horizontalebene erstreckenden, von einer Heizeinrichtung (26) beheizbaren Suszeptors (5) strömt, der ein oder mehrere reaktive Gase beinhaltet, deren Zerlegungsprodukte die Schicht bilden, mit einer stromabwärts des Gaseinlassorganes (3) und stromaufwärts des Lagerplatzes (4) in einer definierten Lage zum Lagerplatz (4) angeordneten Gasaustrittsöffnung (6, 6') zum Einspeisen eines zweiten Gasflusses in die Prozesskammer (2), der zumindest einen die Zusammensetzung der Schicht oder einer Dotierstoffkonzentration innerhalb der Schicht beeinflussendes reaktives Gas beinhaltet, wobei die Lage der Gasaustrittsöffnung (6, 6') relativ zum Lagerplatz (4) verstellbar ist.

Description

Beschreibung

Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten auf einem Substrat mit einem verstellbaren Gasaustrittselement

Gebiet der Technik

[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat, wobei in eine auf eine Prozesstemperatur gebrachte Prozesskammer mittels eines Gaseinlassorganes ein erster Gasfluss eingespeist wird. Der Gasfluss strömt gleichmäßig und laminar in einer Strömungsrichtung über einen das Substrat tragenden Lagerplatz eines Suszeptors, wobei die Strömungslinien parallel zueinander oder in Radialrichtung zu einem Zentrum verlaufen können. Der erste Gasfluss enthält ein oder mehrere reaktive Gase, deren Zerlegungsprodukte die auf dem Substrat abzuscheidende Schicht bilden. Stromabwärts des Gaseinlassorganes und stromaufwärts des Lagerplatzes ist in einer definierten Lage zum Lagerplatz eine Gasaustrittsöffnung zum Einspeisen eines zweiten Gasflusses in die Prozesskammer angeordnet.

Stand der Technik

[0002] Eine derartige Vorrichtung beschreibt die DE 102018 124957 Al. Neben einem Gaseinlassorgan zum Einspeisen eines ersten Gasflusses weist die Vorrichtung eine weitere Gasaustrittsöffnung auf, die zwischen dem Gaseinlassorgan und dem Lagerplatz im Suszeptor angeordnet ist. Durch diese Gasaustrittsöffnung wird ein zweiter Gasfluss in die Prozesskammer eingespeist, der unabhängig vom ersten Gasfluss einstellbar ist. Der zweite Gasfluss beinhaltet ein Spülgas und dient im Wesentlichen der Verdünnung des ersten Gasflusses. In jede Gasaustrittsöffnung mündet jeweils ein Gasaustrittskanal, wobei zu jeder Gasaustrittsöffnung eine individuelle Zuleitung durch den Suszeptor führt. [0003] In der DE 102021 103245 Al wird ein um ein Gaseinlassorgan angeordneter ringförmiger Körper offenbart. Dieser liegt zwischen dem Gaseinlassorgan und einem ein Substrat tragenden Lagerplatz auf dem Suszeptor auf und soll die Bildung parasitärer Belegungen im Bereich zwischen Gaseinlassorgan und Substrat verhindern.

[0004] In der Praxis ist der Suszeptor im Stand der Technik mit Abdeckelementen belegt. Da in der DE 102018 124957 Al die Einspeisung des zweiten Gasflusses durch vom Suszeptor ausgebildete Gasaustrittsöffnungen erfolgt, führt dies zu einer unkontrollierten Ausbreitung des zweiten Gasflusses unter den Abdeckelementen. Um die Lage der Gasaustrittsöffnungen relativ zum Lagerplatz zu verändern, ist es notwendig, den gesamten Suszeptor auszutauschen. Darüber hinaus erschweren die individuellen Gaszuleitungen in die jeweiligen Gasaustrittsöffnungen eine homogene Einspeisung des zweiten Gasflusses in die Reaktorkammer.

[0005] Zum Stand der Technik gehören auch die US 2018/0209043 Al und die US 5,084,126 A.

Zusammenfassung der Erfindung

[0006] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde eine der gattungsgemäßen zuvor beschriebenen Vorrichtungen gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden und deren Anwendungsspektrum zu erweitern, insbesondere die Schichtzusammensetzungen und Dotierstoffkonzentrationen innerhalb sich auf einem Substrat abscheidender Schicht gezielt lokal zu beeinflussen.

[0007] Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei die Unteransprüche nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der in den nebengeordneten Ansprüchen charakterisierten Erfindung darstellen, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe.

[0008] Während im Stand der Technik die Einspeisung des zweiten Gasflusses in eine Prozesskammer eines CVD Reaktors stromabwärts eines Gaseinlassorganes und stromaufwärts eines ein Substrat tragenden Lagerplatzes durch eine von einem Suszeptor ausgebildete Gasaustrittsöffnung erfolgt, schlägt die Erfindung vor, dass die Lage dieser Gasaustrittsöffnung relativ zum Lagerplatz verstellbar ist. Hierfür ist ein Gasaustrittselement vorgesehen, das die Gasaustrittsöffnungen ausbildet, durch die ein zweiter Gasfluss in die Prozesskammer eingespeist wird und in verschiedene Stellungen gegenüber den Lagerplätzen bringbar ist.

[0009] Ein Ausführungsbeispiel kann mehrere vom Suszeptor ausgebildete Lagerplätze vorsehen, die wie beispielsweise in der DE 10 2018 124 957A1 beschrieben, ringförmig in einem festen Teilungs winkel um ein Zentrum des Sus- zeptors, in welchem sich das Gaseinlassorgan befindet, angeordnet sind. Aus dem Gaseinlassorgan kann ein homogener laminarer erster Gasfluss austreten, der einen Dotierstoff oder keinen Dotierstoff enthalten kann. Der erste Gasfluss durchströmt die Prozesskammer derart, dass auf dem Substrat eine SiC-Schicht abgeschieden werden kann. Die erfindungsgemäße Vorrichtung sieht in einem ersten Ausführungsbeispiel einen rotationssymmetrisch um das Zentrum verdrehbar angeordneten Körper vor, beispielsweise einen Ring oder eine Kreisscheibe. Dieser besitzt im selben Teilungswinkel wie die Lagerplätze zueinander angeordnete Gasaustrittsöffnungen. Einem Lagerplatz können jeweils ein oder mehrere Gasaustrittsöffnungen zugeordnet sein. Eine Änderung der Drehstellung des Gasaustrittselementes relativ zum Suszeptor führt dazu, dass ein Versatzwinkel zwischen einer durch den Mittelpunkt eines Lagerplatzes in Strömungsrichtung und durch das Zentrum verlaufenden Mittellinie und einer durch die Gasaustritsöffnung und das Zentrum verlaufenden Strömungslinie verschiedene Werte annimmt. Der Winkel kann dabei so gewählt sein, dass der zweite Gasfluss über eine Teilfläche des Substrates strömt. Der zweite Gasfluss kann aber auch am Substrat vorbeiströmen. Ist die Gasaustritsöffnung beispielsweise auf der Mitellinie angeordnet, strömt der Gasfluss über das Zentrum des Substrates. Der zweite Gasfluss kann ein inertes Gas enthalten, aber auch einen die Schichtzusammensetzung oder die Dotierstoffkonzentration innerhalb einer sich auf dem Substrat abscheidenden Schicht beeinflussendes Gas. Als Folge dessen bildet sich ein entlang der durch die Gasaustritsöffnung und das Zentrum des Substrates verlaufenden Strömungslinie fließender Gasfluss, in dem sich die Konzentration beispielsweise eines Dotierstoffes vom benachbarten durch das Gaseinlassorgan eingespeisten ersten Gasfluss unterscheidet. Nimmt das Gasaustrittselement eine Drehstellung ein, in der die Gasaustrittsöffnung versetzt zur Mitellinie angeordnet ist, verändert sich der Dotierstoffeinbau innerhalb eines Bereichs der Schicht, der vom Zentrum des Substrates beabstandet ist. Auf diese Weise kann die Zusammensetzung und insbesondere der Dotierstoffeinbau in der Schicht lokal beeinflusst werden.

[0010] Die Durchmesser der Gasaustrittsöffnungen können gleich groß oder unterschiedlich groß sein. Je kleiner der Durchmesser der Gasaustritsöffnung, desto präziser lässt sich die Zusammensetzung der Schicht steuern. Eine Kombination von Gasaustrittsöffnungen mit gleichen oder unterschiedlichen Durchmessern kann auch als Mittel zur Beeinflussung des Massenflusses des zweiten Gasflusses verwendet werden. Die Kombination der Gasaustrittsöffnungen definiert dabei Gestalt und Größe des vom zweiten Gasfluss beeinflussten Bereichs des Substrates.

[0011] Das Gasaustrittselement kann mittels Indexelementen in den vorgegebenen Drehstellungen vom Suszeptor fixiert werden. Das Gasaustritselement kann am Suszeptor fixiert werden, aber auch an anderen Komponenten in der Prozesskammer wie beispielsweise dem Gaseinlasskopf. Das Gasaustrittselement kann in eine Ausnehmung einer Oberseite des Suszeptors fixierbar einliegen.

[0012] Im ersten Ausführungs beispiel ist vorgesehen, dass die Indexelemente von einem auf einer Kreisbogenlinie verlaufenden Rand des Gasaustrittselementes aus gebildet werden. Die Indexelemente sind in Umfangsrichtung um einen festen Indexwinkel voneinander beanstandet. Dieser Winkel ergibt sich aus der Summe oder der Differenz eines Ein- oder Mehrfachen des Teilungswinkels und eines Verstell Winkels, beispielsweise eines Teilungs Winkels von 40° und eines Verstellwinkels von 1°. Dadurch ergibt sich für jede Drehstellung eine andere azimutale Lage bzw. Versatzwinkel der Gasaustrittsöffnungen relativ zum jeweils zugeordneten Lagerplatz. Die Indexelemente können ein oder mehrere Ausnehmungen sein, die in einen oder mehrere vom System ausgebildete Vorsprünge eingreifen. Die Indexelemente können jedoch auch ein oder mehrere Vorsprünge sein, die in eine oder mehrere vom Suszeptor ausgebildete Ausnehmungen eingreifen. In einer Fixierstellung kann ein Gasaustrittselement, das die Gasaustrittsöffnungen ausbildet, zusammen mit dem Suszeptor wie in der DE 10 2021 103 245 Al beschrieben, um das im Zentrum des Suszeptors angeordnete Einlassorgan gedreht werden. Hierbei kann der Suszeptor von einem Drehwellenschaft getragen werden, der drehangetrieben wird. Das Gasaustrittselement kann einen rotations symmetrisch um das Zentrum des Suszeptors angeordneten Zugteller ausbilden. Eine Abdeckplatte und das Gasaustrittselement können drehfest miteinander verbunden sein. Die Abdeckplatte kann an das Gasaustrittselement formangepasst ausgebildet sein und kann ebenfalls Gasaustrittsöffnungen aufweisen, deren Anzahl und Durchmesser mit jenen des Gasaustrittselementes übereinstimmen und im selben Teilungs winkel angeordnet sein. In eingesetztem Zustand liegen die Gasaustrittsöffnungen der Abdeckplatte exakt über den Gasaustrittsöffnungen des Gasaustrittselementes. Das Gasaustrittselement ist wie in der DE 102021 103 245 Al offenbart mit einer zentral im Drehwellenschaft angeordneten Zugstange drehfest verbunden. Um die Drehstellung des Gasaustrittselementes zu verändern, muss die Zugstange gelöst werden.

[0013] Das Gasaustrittselement kann eine zentrale Vertiefung aufweisen, in die das Gaseinlassorgan hineinragen kann. Der Innendurchmesser des Gasaustrittselementes ist dabei größer als der Außendurchmesser des Gasauslassorganes.

[0014] Die Lagerplätze können wie bereits in der DE 10 2018 124957 Al und DE 102021 103245 Al offenbart von Substrathaltern gebildet sein, die durch ein Spülgas, insbesondere ein Inertgas drehangetrieben werden. Die Lagerplätze können von Abdeckelementen wie in der DE 102021 103245 Al beschrieben eingefasst werden, die eine Fläche des Suszeptors abdecken. Ein oder mehrteilige Abdeckelemente können das Gasaustrittselement umgeben. Der Innendurchmesser dieser Abdeckelemente ist größer als der Außendurchmesser des Gasaustrittselementes.

[0015] Ein anderes Ausführungsbeispiel kann eine Prozesskammer vorsehen, in der der erste Gasfluss nicht radial vom Zentrum des Gaseinlassorganes nach außen gerichtet ist, sondern der erste Gasfluss die Prozesskammer in horizontaler Richtung linear durchströmt. In diesem Fall ist ein Gasaustrittselement vorgesehen, das ein linear gegenüber dem Suszeptor versetzbarer Körper ist, beispielsweise ein Schieber oder eine Platte. Hiermit kann mindestens eine vom Gasaustrittselement ausgebildete Gasaustrittsöffnung um eine Strecke quer zur Strömungsrichtung verlaufenden Mittellinie versetzt werden. Durch die Wahl des Abstandes und den Durchmesser der Gasaustrittsöffnungen lässt sich die dem zweiten Gasfluss ausgesetzte Fläche des Substrates beeinflussen. Es kön- nen ein oder mehrere Gasaustrittselemente mit einem oder mehreren gleich großen oder unterschiedlich großen Gasaustrittsöffnungen vorgesehen sein.

[0016] In die Gasaustrittsöffnungen kann jeweils ein Gasaustrittskanal münden. Dieser kann eine Bohrung im Gasaustrittselement sein, beispielsweise eine kreisrunde Bohrung und einen definierten Austrittswinkel besitzen. Der in Strömungsrichtung gemessene Austrittswinkel beeinflusst die Wirkungsstelle des zweiten Gasflusses. Der Austrittswinkel kann eine Komponente quer zur Strömungsrichtung haben, aber auch eine Komponente in Strömungsrichtung aufweisen. Der Austrittswinkel zwischen einer Austritts achse des Gasaustrittskanals und einer Ebene, in der der erste Gasfluss fließt, kann kleiner als 90° sein, insbesondere zwischen 80° und 20°. Der Austrittswinkel kann für alle Austrittskanäle gleich oder unterschiedlich sein. Er kann zwischen 30° und 50° liegen und 40° betragen.

[0017] Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein insbesondere im Bereich des Suszeptors angeordnetes Gasverteilungsvolumen, das mit mehreren Gasaustrittsöffnungen strömungsverbunden ist. Die Gasaustrittsöffnungen münden in die Prozesskammer und sind insbesondere in der zuvor beschriebenen Weise angeordnet. Das gemeinsame Gasverteilungsvolumen wird von mindestens einer gemeinsamen Gaszuführung gespeist. Die Gasaustrittsöffnungen können von einem Zentrum des Gasverteilungsvolumens gleich beabstandet sein, hn Zentrum des Gasverteilungsvolumens kann eine gemeinsame Zuführung vorgesehen sein, durch die der zweite Gasfluss in das Gasverteilungsvolumen eingespeist werden kann, so dass sich innerhalb des Gasverteilungsvolumens eine Strömung ausbildet, die eine Rotationssymmetrie besitzt, so dass durch die Gasaustrittsöffnungen im Wesentlichen jeweils derselbe Gasfluss strömt. [0018] Die Gasaustrittskanäle können somit mit einem gemeinsamen Gasverteilungsvolumen strömungsverbunden sein, um eine homogene Gaseinspeisung in alle Kanäle zu gewährleisten. Das Volumen kann vom Drehwellenschaft ausgebildet und von mindestens einer gemeinsamen Gaszuführung gespeist werden. Bevorzugt erstreckt sich die gemeinsame Zuführung im Zentrum des Drehwellenschaftes bzw. mündet in das Zentrum des Gasverteilungsvolumens. Es können aber auch Gase aus verschiedenen Quellen mit jeweils separaten Zuleitungen in das Volumen eingespeist werden. Die Zuführung der Gase kann durch den Drehwellenschaft erfolgen. Erfindungsgemäß kann vorgesehen sein, dass einigen oder allen der Gasaustrittsöffnungen weitere Gaseinlassöffnungen zugeordnet sind. Diese weiteren Gaseinlassöffnungen können im Strömungsweg von der gemeinsamen Zuführung zur Gasaustrittsöffnungen liegen. Liegen die Gasaustrittsöffnungen beispielsweise in einer radialen Beab- standung vom Zentrum, so können die weiteren Gaseinlassöffnungen auf dieser Radiallinie zwischen Zentrum und Gasaustrittsöffnung liegen. Es sind somit bevorzugt weitere Gaseinlassöffnungen vorgesehen, die in gleichmäßiger Winkelverteilung um das Zentrum des Gasverteilungsvolumens angeordnet sind und insbesondere um eine zentrale gemeinsame Zuführung. Es ist bevorzugt vorgesehen, dass diese Gaseinlassöffnungen Verdünnungsgaseinlassöffnungen ausbilden, um den Gasfluss des zweiten Gases separat in allen Gaseinlasskanälen zu verdünnen. Die in das Gasverteilungsvolumen mündenden Verdünnungsgaseinlassöffnungen sind in Strömungsrichtung zwischen den Gasaustrittsöffnungen und der Zuführung des zweiten Gasflusses angeordnet. Das Gasverteilungsvolumen kann von einer Wand begrenzt sein, die entlang einer Hohlzylinderinnenfläche verläuft. Die Gasaustrittsöffnungen können in einer quer zu dieser Wand verlaufenden Deckwand angeordnet sein. Die Deckwand wird bevorzugt von einer Platte aus gebildet, die eine Öffnung des Suszeptors verschließt. Die Platte kann eine Zugplatte sein, mit der der Suszeptor mit einer axialen Zugkraft beaufschlagt wird, um den Suszeptor an einen Drehwellenschaft zu fesseln. Die dieser Deckfläche gegenüberliegende Begrenzungsfläche kann von einer oberen Stirnfläche des Drehwellenschaftes gebildet sein. Die Flussgeschwindigkeit des Verdünnungsgases kann so eingestellt sein, dass das Verdünnungsgas nach Einspeisung in das Volumen unmittelbar in die jeweils zugeordneten Gasaustrittskanäle strömt. In den Zuleitungen befinden sich Ventile und Massenflussregler, mit denen die Gasflüsse über eine Steuereinrichtung eingestellt werden können. Hierzu kann die Steuereinrichtung einen programmierbaren Steuerrechner aufweisen, der ein in der Steuereinrichtung abgespeichertes Rezept abarbeiten kann, in welchem Werte für die Gasflüsse sowie andere Prozessparameter enthalten sind.

[0019] Das Gasaustrittselement kann aus Keramik, Graphit oder Quarz gefertigt sein.

[0020] Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat mit einer Prozesskammer, die nach unten hin durch einen Suszeptor und nach oben hin durch eine Prozesskammerdecke begrenzt ist. Durch ein Gaseinlassorgan werden Prozessgase in die Prozesskammer eingespeist. Die Prozessgase durchströmen die Prozesskammer in horizontaler Richtung. Das Gaseinlassorgan kann mehrere vertikal übereinander angeordnete Gaseinlasszonen aufweisen, durch die voneinander getrennt verschiedene reaktive Gase in die Prozesskammer eintreten können. Die reaktiven Gase können Silizium und Kohlenstoff enthalten, beispielsweise Trichlorsilan oder H2H4 sein. Durch eine der Gaseinlasszonen kann auch Ammoniak als Dotierstoff in die Prozesskammer eingespeist werden. Dies kann durch eine zuoberst angeordnete Gaseinlasszone sein. Der Ammoniak kann aber auch durch jede andere Gaseinlasszone, also beispielsweise durch eine mittlere Gaseinlasszone, die von der Prozesskammerdecke und vom Suszeptor entfernt ist, in die Prozesskammer eingespeist werden. [0021] Durch eine Gasaustrittsöffnung im Boden der Prozesskammer, insbesondere eine Gasaustrittsöffnung, wie sie zuvor beschrieben worden ist, kann ein weiteres Dotiergas in die Prozesskammer eingespeist werden. Bevorzugt wird durch diese Gasaustrittsöffnung, die grundsätzlich dieselbe Eigenschaft aufweisen kann, wie die oben beschriebene Gasaustrittsöffnung, wird bevorzugt Stickstoff (molekularer Stickstoff N2) eingespeist. Der Stickstoff durchströmt somit einen untersten Bereich der Prozesskammer.

[0022] NH3 und N2 können an verschiedenen Positionen eingespeist werden. Die beiden Dotiergase können durch jede der mehreren übereinander angeordneten Gaseinlasszonen in die Prozesskammer eingespeist werden. Es ist insbesondere vorgesehen, dass NH3 oder HCN oder Pyridin (C5H5N), Hydrazin (N2H4) oder Dimethylhydrazin (C2H8N2) oder unsymmetrisches Dimethylhydrazin durch eine oder durch mehrere Gaseinlasszonen in die Prozesskammer eingespeist wird. Es können verschiedene Dotiergase durch voneinander verschiedene Gaseinlasszonen eingespeist werden.

[0023] Es ist insbesondere vorgesehen, dass NH3 oder ein anderes der oben genannten Dotiergase durch das Gaseinlassorgan in die Prozesskammer eingespeist wird. Dies kann in verschiedenen vertikalen Höhen erfolgen, beispielsweise durch das oberste Gaseinlassorgan, durch ein in der Mitte liegendes Gaseinlassorgan oder durch ein unten liegendes Gaseinlassorgan.

[0024] Zusätzlich kann aus der im Boden der Prozesskammer also im Suszep- tor angeordneten Gasaustrittsöffnung NH2 in die Prozesskammer eingespeist werden. [0025] Es ist aber auch möglich, NH3 durch diese Gasaustrittsöffnung einzuspeisen. Es ist insbesondere möglich, NH3 gleichzeitig auch durch die unterste Gaseinlasszone einzuspeisen und NH3 durch die Gasaustrittsöffnung.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

[0026] Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den beigefüg- ten Zeichnungen dargestellt und nachfolgend erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch einen Querschnitt durch einen CVD Reaktor;

Fig. 2 den in Fig. 1 mit II bezeichneten Ausschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels;

Fig. 3 eine Draufsicht entlang der Schnittebene III - III auf einen Sus- zeptor 5 des ersten Ausführungsbeispiels;

Fig. 4 den in Fig. 3 mit IV bezeichneten Ausschnitt des ersten Ausführungsbeispiels;

Fig. 5 eine Darstellung gemäß Fig. 4, wobei die Gasaustrittsöffnung 6 verschiedenen Drehstellungen des Gasaustrittselementes 7 zu- geordnete azimutale Positionen relativ zum zugeordneten La- gerplatz 4 einnimmt;

Fig. 6 eine Darstellung gemäß Fig. 5 eines zweiten Ausführungsbeispiels, bei dem dem Lagerplatz 4 zwei Gasaustrittsöffnungen 6, 6' mit unterschiedlichem Durchmesser d, d' zugeordnet sind; Fig. 7 schematisch einen Querschnitt durch einen CVD-Reaktor gemäß Fig. 1 eines dritten Ausführungsbeispiels, wobei das Gasaustrittselement 7 mit einer Zugstange verbunden ist;

Fig. 8 eine Draufsicht auf den Suszeptor 5 des CVD-Reaktors eines vierten Ausführungsbeispiels;

Fig. 9 eine Darstellung gemäß Fig. 8 eines fünften Ausführungsbeispiels;

Fig. 10 eine Darstellung gemäß Fig. 8 eines sechsten Ausführungsbeispiels;

Fig. 11 eine Darstellung gemäß Fig. 8 eines siebten Ausführungsbeispiels.

Beschreibung der Ausführungsformen

[0027] In der Figur 1 ist ein CVD- Reaktor mit einem Gehäuse 23 dargestellt, der Teil einer Beschichtungsvorrichtung ist, welche über eine nicht dargestellte Steuereinrichtung und ein Gasversorgungssystem verfügt.

[0028] Der in der Figur 1 dargestellte CVD-Reaktor beinhaltet einen Suszeptor 5, der sich in einer Horizontalebene rotationssymmetrisch um ein durch eine Prozesskammerdecke 19 ragendes Gaseinlassorgan 3 erstreckt. Der Suszeptor 5 kann mittels einer unterhalb des Suszeptors 5 angeordneten Heizvorrichtung 26 auf eine Prozesstemperatur von über 1500 °C aufgeheizt werden. Es ist vorgesehen, dass mittels des Gaseinlassorganes 3 reaktive und inerte Gase in die Prozesskammer 2 eingespeist werden können, beispielsweise Kohlenstoff, Silizium und Stickstoff enthaltene Gase, sowie Wasserstoff. Die mit den jeweiligen Quel- len 15, 29 verbundenen Zuleitungen 27, 28 dieser Gase münden in das Gaseinlassorgan 3. Die Gasaustrittsfläche des Gasauslassorganes 3 ist porös oder weist eine große Anzahl gleichmäßig verteilter und insbesondere gleich großer Öffnungen auf, durch die eine Gasmischung dazu vorgeschriebenen Gase in die Prozesskammer 2 eingespeist wird. Das in Figur 1 dargestellte Ausführungs beispiel besitzt eine einzige Gaseinlasszone, durch die eine homogene Mischung der Gase laminar in die Prozesskammer zwei strömt. Es können aber auch mehrere Gaseinlasszonen übereinander angeordnet sein, durch die eine Gasmischung unter Ausbildung einer homogenen laminaren und Strömung in die Prozesskammer 2 einströmt.

[0029] Dem Gaseinlassorgan 3 gegenüber ist ein Gasauslassorgan 18 vorgesehen, durch welches das mit dem Gaseinlassorgan 3 in die Prozesskammer 2 eingespeiste Prozessgas bzw. Zerlegungsprodukte des Prozessgases aus der Prozesskammer 2 herausgeführt werden können. Dies erfolgt mittels einer nicht dargestellten Pumpe, die innerhalb der Prozesskammer 2 einen Unterdrück erzeugen kann.

[0030] Bei dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiels strömt ein durch das Gaseinlassorgan 3 eingespeister erster Gasfluss in einer Strömungsrichtung S1 von einem Zentrum C, das innerhalb des Gaseinlassorganes 3 liegt, radial nach außen über die stromabwärts vom Suszeptor 5 ausgebildeten Lagerplätze 4, die Substrate 1 tragen. Die Austrittsfläche entspricht einer Zylinderfläche, welche sich von einem vom Suszeptor 5 ausgebildeten Boden der Prozesskammer 2 bis zu einer Prozesskammerdecke 19 erstreckt. Bei den in den Figuren 8, 9, 10 und 11 dargestellten Ausführungsbeispielen kann die Gasaustrittsfläche eine Rechteckfläche sein. Die sich in der Strömungsrichtung S1 erstreckende Breite der Gasaustrittsfläche ist größer als der Durchmesser der Substrate 1. Der Suszeptor 5 ist um das Zentrum C drehantreibbar. Hierzu kann der Suszeptor 5 von einem Drehwellenschaft 13 getragen werden, der um seine Achse drehangetrieben ist.

[0031] In einer Zone, die sich stromabwärts des Gaseinlassorganes 3 und stromaufwärts der Lagerplätze 4 bzw. Substrate 1 erstreckt, ist ein Gasaustrittselement 7 angeordnet. In den in den Figuren 1 bis 7 dargestellten Ausführungsbeispielen ist das Gasaustrittselement 7 ein rotationssymmetrisch um das Zentrum C drehverstellbar angeordneter Körper, beispielsweise ein Ring oder eine Kreisscheibe. Das Gasaustrittselement 7 bildet den Lagerplätzen 4 zugeordnete Gasaustrittsöffnungen 6, 6' aus, durch die ein zweiter Gasfluss in einer Strömungsrichtung S2 in die Prozesskammer 2 eingespeist werden kann.

[0032] Im ersten Ausführungsbeispiel sind wie in Figur 3 dargestellt mehrere vom Suszeptor 5 ausgebildete Lagerplätze 4 ringförmig in einem festen Teilungswinkel a zueinander um das Zentrum C angeordnet. Die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' sind im selben Teilungswinkel a zueinander auf dem Gasaustrittselement 7 angeordnet. Wie in Figur 2 dargestellt mündet in die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' jeweils ein vom Gasaustrittselement 7 ausgebildeter Gasaustrittskanal 11. Der Gasaustrittskanal 11 besitzt einen definierten Austrittswinkel ö.

Dieser ist definiert als der Winkel zwischen einer Austrittsachse A und einer

Ebene parallel zur Strömungsrichtung S1 des ersten Gasflusses. Im ersten Ausführungsbeispiel beträgt der Austrittswinkel ö 90°. Die Zuleitung des von einer Quelle 30 bereitgestellten zweiten Gasflusses 12 erfolgt durch den Drehwellenschaft 13. Durch eine Gaseinlassöffnung 21 wird der zweite Gasfluss in ein vom Drehwellenschaft 13 ausgebildetes Volumen 14 eingespeist. Von dort wird das zusätzliche Gas in die Gasaustrittskanäle 11 homogen eingespeist. Zusätzlich kann den Gasaustrittsöffnungen 6, 6' stromaufwärts jeweils eine Verdünnungsgaseinlassöffnung 16 zugeordnet sein. In jede Verdünnungsgaseinlassöffnung 16 mündet eine durch den Drehwellenschaft 13 verlaufende Zuleitung 22, durch die ein Gas aus einer Quelle 15 in das Volumen 14 eingespeist wird. Die Einspeisung des Verdünnungsgases erfolgt derart, dass dieses aus der Verdünnungsgaseinlassöffnung 16 zunächst in das Volumen 14 und dann in den zugeordneten Gasaustrittskanal strömt. In den Zuleitungen 12, 22, 27, 28 des Gasversorgungssystems befinden sich Massenflussregler 20 sowie nicht dargestellte Ventile, mit denen die Gasflüsse eingestellt werden können.

[0033] Das Gasaustrittselement 7 ist in verschiedenen Drehstellungen am Sus- zeptor 5 fixierbar, hn in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel weist das Gasaustrittselement 7 hierfür Indexelemente 8, 8', 8", 8"' auf, die in Umfangsrichtung um einen Indexwinkel y voneinander beanstandet sind. Einer der als Ausnehmungen ausgebildeten Indexelemente 8, 8', 8", 8"' greift in einen vom Suszeptor 5 ausgebildeten Vorsprung 24 ein, wodurch das Gasaustrittselement 7 drehfest an den Suszeptor 5 fixiert ist. Bei einem Teilungs winkel a von bspw. 40° kann der Indexwinkel 41° oder 39° betragen

[0034] Die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' sind bei dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel, das in Figur 4 vergrößert dargestellt ist, um einen Versatzwinkel ß zwischen einer durch den Mittelpunkt M eines Eagerplatzes 4 und durch das Zentrum C verlaufenden Mittellinie 10 und einer durch die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' und das Zentrum C verlaufenden Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' versetzt angeordnet. Entlang der Strömung Einie 9, 9', 9", 9"' in Strömungsrichtung S2 strömt der aus den Gasaustrittsöffnungen 6, 6' heraustretende zweite Gasfluss. Der Versatzwinkel ß kann abhängig von der Drehstellung des Gasaustrittselementes 7 verschiedene Werte annehmen, wodurch sich wie in Figur 5 dargestellt die Eage der zur Mittellinie 10 versetzten Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' ändert und damit die radiale Lage einer Wirkstelle des zweiten Gasflusses bezogen auf den Mittelpunkt M des Substrates 1. Die Versatzwinkel ß können schrittweise um bspw. 1° geändert werden. [0035] Bei dem in Figur 6 dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Gasaustrittsöffnungen 6, 6' mit unterschiedlichem Durchmesser d, d' einem Lagerplatz 4 zugeordnet. Die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' sind um den Versatzwinkel ß zur Mittellinie 10 versetzt, sodass die Strömungslinien 9, 9', 9", 9"' am Substrat 1 vorbei verlaufen. Der zweite Gasfluss wird hier gezielt an dem Substrat 1 vorbeigeführt, sodass das im zweiten Gasfluss enthaltene Gas, beispielsweise ein einen Dotierstoff enthaltenes Gas, nur im Randbereich des Substrates 1 wirkt.

[0036] Zentral durch den Drehwellenschaft 13 wird, wie in Figur 7 dargestellt eine Zugstange 25 geführt, die mit dem Gasaustrittselement 7 verbunden ist. Durch die Zugstange 25 wird eine Zugkraft auf das Gasaustrittselement 7 ausgeübt, um damit eine radial innere Stufe des Suszeptors 5 gegen einen radial ausragenden Kragen des Drehwellenschaftes 13 zu beaufschlagen.

[0037] Figur 8 zeigt den Suszeptor 5 eines weiteren Ausführungsbeispiels eines CVD-Reaktors, bei dem die Prozesskammer 2 linear vom ersten Gasfluss durchströmt wird. Das Substrat 1 wird von einem nicht dargestellten Lagerplatz 4 getragen, der zwischen dem Gaseinlassorgan 3 und Gasauslassorgan 18 auf dem Suszeptor 5 angeordnet ist. Das Substrat 1 ist hierbei in einer Richtung quer zur Strömungsrichtung SI bzw. S2 von den Wänden der Prozesskammer 4 gleich weit beabstandet. Durch ein Zentrum C des Gaseinlassorganes 3 und durch den Mittelpunkt M des Substrates 1 bzw. einen das Substrat tragenden Lagerplatz 4 verläuft eine Mittellinie 10. Die Mittellinie 10 hat die Richtung der Strömungsrichtung S1 des aus dem Gaseinlassorgan 3 strömenden homogenen und laminaren ersten Gasflusses. Zwischen dem Gaseinlassorgan 3 und dem Substrat 1 ist ein quer zur Strömungsrichtung S1 verstellbares Gasaustrittselement 7 angeordnet. Durch die vom Gasaustrittselement 7 ausgebildete Gasaustrittsöffnungen 6, 6' kann ein zweiter Gasfluss in die Prozesskammer einge- speist werden. Die parallel zur Mittellinie 10 durch die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' verlaufende Strömungslinie 9, 9', 9", 9"" des zweiten Gasflusses besitzt einen Abstand a zur Mittellinie 10, sodass die Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' über eine der beiden Hälften des Substrates 1 verläuft.

[0038] Das in Figur 9 dargestellte Ausführungsbeispiel weist ein Gasaustrittselement 7 auf, dass zwei Gasaustrittsöffnungen 6, 6' ausbildet, durch die jeweils ein zweiter Gasfluss eingespeist wird. Die durch die Gasaustrittsöffnungen 6, 6' verlaufenden Strömungslinien 9, 9', 9", 9"' verlaufen jeweils rechts und links beanstandet von der Mittellinie 10 über eine Hälfte des Substrates 1.

[0039] Figur 10 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, wobei die vom Gasaustrittselement ausgebildeten zwei Gasaustrittsöffnungen 6 ,6' unterschiedliche Durchmesser d, d' besitzen.

[0040] Durch die Gasaustrittsöffnung 6, 6' kann molekularer Stickstoff als Dotierstoff zum n-Dotieren einer SiC-Schicht in die Prozesskammer 2 eingespeist werden. Ein weiteres Dotiergas, in Form von Ammoniak (NH3) kann durch die Gasaustrittsöffnungen des Gaseinlassorgans 3 in die Prozesskammer eingespeist werden.

[0041] Auf einem sich drehenden Substrat verursacht NH3 ein glockenförmiges (zum Rand hin abfallendes) Dotierstoffprofil. N2 erzeugt ein wannenförmiges (zum Rand hin ansteigendes) Dotierstoffprofil. Durch eine geeignete Wahl der Massenflüsse der beiden Dotiergase können die unterschiedlichen Randeffekte ausgeglichen werden.

[0042] Das in Figur 11 dargestellte Ausführungsbeispiel sieht zwei linear verstellbare Gasaustrittselemente 7 vor, die jeweils eine Gasaustrittsöffnung 6, 6' ausbilden, durch die sich eine Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' parallel zur Mittellinie 10 erstreckt, so dass die Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' jeweils über eine Hälfte des Substrates 1 verlaufen.

[0043] Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:

[0044] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Lage der Gasaustrittsöffnung 6, 6' relativ zum Lagerplatz verstellbar ist.

[0045] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaustrittsöffnung 6, 6' von einem in der Prozesskammer 2 angeordneten Gasaustrittselement 7 ausgebildet ist, das in verschiedene Stellungen gegenüber dem Lagerplatz 4 bringbar ist.

[0046] Eine Vorrichtung, die gekennzeichnet ist durch mehrere Lagerplätze 4, wobei jedem Lagerplatz 4 eine oder mehrere Gasaustrittsöffnungen 6, 6' zugeordnet sind, wobei der Durchmesser d, d' der Gasaustrittsöffnungen 6, 6' gleich groß oder unterschiedlich groß sein kann.

[0047] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gasaustrittselement 7 ein rotationssymmetrisch um ein Zentrum C des Suszeptors 5 verdrehbar angeordneter Körper ist, wobei mehrere Lagerplätze 4 ringförmig in einem festen Teilungs winkel a zueinander um das Gasaustrittselement 7 angeordnet sind und das Gasaustrittselement 7 im selben Teilungswinkel a zueinander angeordnete Gasaustrittsöffnungen 6, 6' aufweist. [0048] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gasaustrittselement 7 mittels Indexelementen 8, 8', 8", 8" in vorgegebenen Drehstellungen zum Suszeptor fixierbar ist, wobei in den Drehstellungen ein Versatzwinkel ß zwischen einer durch den Mittelpunkt M eines Lagerplatzes 4 und durch das Zentrum C des Suszeptors 5 verlaufenden Mittellinie 10 und einer durch die Gasaustrittsöffnung 6, 6' und das Zentrum C des Suszeptors 5 verlaufenden Strömungslinie 9, 9', 9", 9"' verschiedene Werte annimmt.

[0049] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Indexelemente 8, 8', 8", 8"' in Umfangsrichtung um einen Indexwinkel y voneinander beabstandet sind, wobei der Indexwinkel y die Summe oder die Differenz eines Ein- oder Mehrfachen des Teilungswinkels a und eines Verstellwinkels ist, und/ oder ein oder mehrere in Ausnehmungen eingreifende Vorsprünge aufweisen.

[0050] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gasaustrittselement 7 ein linear gegenüber dem Suszeptor 5 versetzbar Körper ist.

[0051] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Gasaustrittselement 7 aus einer Keramik, Graphit oder Quarz gefertigt ist.

[0052] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Gasaustrittsöffnung 6, 6' die Mündung eines Gasaustrittskanales 11 ist, wobei ein in der Strömungsrichtung S1 gemessener Austrittswinkel ö zwischen einer Austrittsachse A des Gasaustrittskanals 11 und einer Ebene, in der der erste Gasfluss fließt, kleiner 90° ist, insbesondere 40°.

[0053] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrere Gasaustrittsöffnungen 6, 6' mit einem gemeinsamen Gasverteilungsvolumen strö- mungsverbunden sind, das von mindestens einer gemeinsamen Zuführung 12 gespeist wird.

[0054] Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Zuführung 12 des zweiten Gasflusses durch einen drehangetriebenen Schaft 13 des Suszeptors 5 erfolgt, der ein Volumen 14 ausbildet, welches mit einer oder mehreren Quellen 15, 30 eines oder verschiedener Gase verbunden ist.

[0055] Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/ oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden kön- nen. Liste der Bezugszeichen

1 Substrat 17 Manschette

2 Prozesskammer 18 Gasauslassorgan

3 Gaseinlassorgan 19 Prozesskammerdecke

4 Lagerplatz 20 Mas senflus sregler

5 Suszeptor 21 Gaseinlassöffnung zweiter

6 Gasaustrittsöffnung Gasfluss

6' Gasaustrittsöffnung 22 Zuleitung Verdünnungsgas

7 Gasaustrittselement 23 Gehäuse

8 Indexelement 24 Vorsprung

8' Indexelement 25 Zugstange

8" Indexelement 26 Heizeinrichtung

8"' Indexelement 27 Zuleitung

9 Strömungslinie zweiter Gas28 Zuleitung fluss 29 Gasquelle

9' Strömungslinie zweiter Gas30 Gasquelle fluss

9" Strömungslinie zweiter Gasa Abstand fluss d Durchmesser Gasaustrittsöff¬

9"' Strömungslinie zweiter Gasnung fluss d' Durchmesser Gasaustrittsöff¬

10 Mittellinie nung

11 Gasaustrittskanal

12 Zuführung zweiter Gasfluss A Austrittsachse

13 Drehwellenschaft C Zentrum Suszeptor

14 Volumen M Mittelpunkt Lagerplatz

15 Gasquellen S1 Strömungsrichtung erster Gas¬

16 Verdünnungsgaseinlassöfffluss nung S2 Strömungsrichtung zweiter

Gasfluss a Teilungs winkel ß Versatzwinkel

Y Indexwinkel ö Austrittswinkel

Claims

Ansprüche

1. Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (1), wobei in eine auf eine Prozesstemperatur gebrachte Prozesskammer (2) mittels eines Gaseinlassorganes (3) ein erster Gasfluss eingespeist wird, der in einer Strömungsrichtung (Sl) über einen das Substrat (1) tragenden Lagerplatz (4) eines sich in einer Horizontalebene erstreckenden, von einer Heizeinrichtung (26) beheizbaren Suszeptors (5) strömt, mit einer stromabwärts des Gaseinlassorganes (3) und stromaufwärts des Lagerplatzes (4) in einer definierten Lage zum Lagerplatz (4) angeordneten Gasaustrittsöffnung (6, 6') zum Einspeisen eines zweiten Gasflusses in die Prozesskammer (2), dadurch gekennzeichnet, dass die Lage der Gasaustrittsöffnung (6, 6') relativ zum Lagerplatz (4) verstellbar ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnung (6, 6') von einem in der Prozesskammer (2) angeordneten Gasaustrittselement (7) ausgebildet ist, das in verschiedene Stellungen gegenüber dem Lagerplatz (4) bringbar ist.

3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mehrere Lagerplätze (4), wobei jedem Lagerplatz (4) eine oder mehrere Gasaustrittsöffnungen (6, 6') zugeordnet sind, wobei der Durchmesser (d, d') der Gasaustrittsöffnungen (6, 6') gleich groß oder unterschiedlich groß sein kann.

4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasaustrittselement (7) ein rotationssymmetrisch um ein Zentrum (C) des Suszeptors

(5) verdrehbar angeordneter Körper ist, wobei mehrere Lagerplätze (4) ringförmig in einem festen Teilungswinkel (a) zueinander um das Gasaustrittselement (7) angeordnet sind und das Gasaustrittselement (7) im selben Teilungswinkel (a) zueinander angeordnete Gasaustrittsöffnungen (6,

6') aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasaustrittselement

(7) mittels Indexelementen (8, 8', 8",

8") in vorgegebenen Drehstellungen zum Suszeptor fixierbar ist, wobei in den Drehstellungen ein Versatzwinkel (ß) zwischen einer durch den Mittelpunkt (M) eines Lagerplatzes (4) und durch das Zentrum (C) des Suszeptors (5) verlaufenden Mittellinie (10) und einer durch die Gasaustrittsöffnung (6, 6') und das Zentrum (C) des Suszeptors (5) verlaufenden Strömungslinie (9, 9', 9",

9"') verschiedene Werte annimmt. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Indexelemente (8, 8', 8", 8"') in Umfangsrichtung um einen Indexwinkel (y) voneinander beabstandet sind, wobei der Indexwinkel (y) die Summe oder die Differenz eines Ein- oder Mehrfachen des Teilungs Winkels (a) und eines Verstell Winkels ist, und/ oder ein oder mehrere in Ausnehmungen eingreifende Vorsprünge aufweisen. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasaustrittselement (7) ein linear gegenüber dem Suszeptor (5) versetzbar Körper ist. Vorrichtung nach Anspruch 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Gasaustrittselement (7) aus einer Keramik, Graphit oder Quarz gefertigt ist. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasaustrittsöffnung (6, 6') die Mündung eines Gasaustrittskanales (11) ist, wobei ein in der Strömungsrichtung (Sl) gemessener Austrittswinkel (ö) zwischen einer Austrittsachse (A) des Gasaustrittskanals (11) und einer Ebene, in der der erste Gasfluss fließt, kleiner 90° ist, insbesondere 40°.

10. Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat (1), wobei in eine auf eine Prozesstemperatur gebrachte Prozesskammer (2) mittels eines Gaseinlassorganes (3) ein erster Gasfluss eingespeist wird, der in einer Strömungsrichtung (Sl) über einen das Substrat (1) tragenden Lagerplatz (4) eines Suszeptors (5) strömt, mit einer stromabwärts des Gaseinlassorganes (3) und stromaufwärts des Lagerplatzes (4) in einer definierten Lage zum Lagerplatz (4) angeordneten Gasaustrittsöffnung (6, 6') zum Einspeisen eines zweiten Gasflusses in die Prozesskammer (2), oder nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet dass mehrere Gasaustrittsöffnungen (6, 6') mit einem gemeinsamen Gasverteilungsvolumen strömungsverbunden sind, das von mindestens einer gemeinsamen Zuführung (12) gespeist wird.

11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zuführung (12) des zweiten Gasflusses durch einen drehangetriebenen Schaft (13) des Suszeptors (5) erfolgt, der ein Volumen (14) ausbildet, welches mit einer oder mehreren Quellen (15, 30) eines oder verschiedener Gase verbunden ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Lagerplatz (4) in einer Horizontalebene erstreckt.

13. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht, insbesondere SiC-Schicht auf einem Substrat (1), wobei in einer Prozesskammer (2), die auf eine Pro- zesstemperatur gebracht wird, ein erster Gasfluss eingespeist wird, der in einer Strömungsrichtung (Sl) über das Substrat (1) strömt, wobei der erste Gasfluss einen ersten Dotierstoff enthält, wobei durch eine zweite Gasaustrittsöffnung (6, 6'), die stromaufwärts des Lagerplatzes (4) in einem Bo- den der Prozesskammer (2) angeordnet ist, ein zweiter Dotierstoff in die Prozesskammer (2) eingespeist wird, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Dotierstoff NH3 und der zweite Dotierstoff N2 ist. Vorrichtung, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.