JPH03170675A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH03170675A JPH03170675A JP30671189A JP30671189A JPH03170675A JP H03170675 A JPH03170675 A JP H03170675A JP 30671189 A JP30671189 A JP 30671189A JP 30671189 A JP30671189 A JP 30671189A JP H03170675 A JPH03170675 A JP H03170675A
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- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、化学気相成長装置に関し、特に、半導体装
置の或膜プロセスで使用する化学気相成長装置に関する
ものである。
置の或膜プロセスで使用する化学気相成長装置に関する
ものである。
［従来の技術］
第４図はいわゆるポストミックスタイプの従来の化学気
相成長装置を示し、ウェハステージ（２）ＬＩＱ齢署へ
釦ナ・皇道渣ｈ丁ハ／Ｎ ！十 力丁ハス子？ジ（２〉
内のヒータ（３）により加熱される。そして、排気口（
４）より排気（Ｂ）を取りつつガスヘッド（５）から半
導体ウェハ（１）の表面に反応ガス（＾，），（＾２〉
が供給されて半導体ウェハク１〉の表面上に熱化学反応
により反応生戒膜が形成される。
相成長装置を示し、ウェハステージ（２）ＬＩＱ齢署へ
釦ナ・皇道渣ｈ丁ハ／Ｎ ！十 力丁ハス子？ジ（２〉
内のヒータ（３）により加熱される。そして、排気口（
４）より排気（Ｂ）を取りつつガスヘッド（５）から半
導体ウェハ（１）の表面に反応ガス（＾，），（＾２〉
が供給されて半導体ウェハク１〉の表面上に熱化学反応
により反応生戒膜が形成される。
第５図は上記ガスヘッド（５）の構戒を示し、反応ガス
（＾，）（ＳｉＨ．ガス）と（＾２）（０■ガス）はそ
れぞれ導入口（６１），（６■）よりガスへッド（５）
内に入るが、ポストミックスタイプなので、ガスヘッド
（５）内は仕切板（８）により２室に分けられており、
反応ガス（＾１），（＾２）はガスヘッド（５）内で混
合することなく、反応ガス（＾，）は吹出口（７１）よ
り、（＾２）はパイプ（９）を通って吹出口（７２）よ
り別々に吹き出される． ［Ｒ明が解決しようとする課題］ 以上のような従来の化学気相成長装置は、半導体ウェハ
（１）に供給される反応ガス（Ａｔ）．（＾２）の、吹
出口（７１）， （７２）から吹き出される流量が吹出
口によって異なっている場合や、不純物添加のため員広
Ｒプｌ＾、）Ｌ：田いスＳｉｎ，ガスにＰＨ，ガスやＢ
２Ｈ．？スを混合して用いる場合など、第６図に示した
ように、半導体ウェハ（１）の表面上に形成される反応
生成膜（Ｃ）の膜厚や、膜中に含まれる不純物ＰやＢの
濃度が不均一になる。
（＾，）（ＳｉＨ．ガス）と（＾２）（０■ガス）はそ
れぞれ導入口（６１），（６■）よりガスへッド（５）
内に入るが、ポストミックスタイプなので、ガスヘッド
（５）内は仕切板（８）により２室に分けられており、
反応ガス（＾１），（＾２）はガスヘッド（５）内で混
合することなく、反応ガス（＾，）は吹出口（７１）よ
り、（＾２）はパイプ（９）を通って吹出口（７２）よ
り別々に吹き出される． ［Ｒ明が解決しようとする課題］ 以上のような従来の化学気相成長装置は、半導体ウェハ
（１）に供給される反応ガス（Ａｔ）．（＾２）の、吹
出口（７１）， （７２）から吹き出される流量が吹出
口によって異なっている場合や、不純物添加のため員広
Ｒプｌ＾、）Ｌ：田いスＳｉｎ，ガスにＰＨ，ガスやＢ
２Ｈ．？スを混合して用いる場合など、第６図に示した
ように、半導体ウェハ（１）の表面上に形成される反応
生成膜（Ｃ）の膜厚や、膜中に含まれる不純物ＰやＢの
濃度が不均一になる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、膜厚、不純物濃度の均一な反応生成膜の形成
を行うことができる化学気相成長装置を得ることを目的
とする。
たもので、膜厚、不純物濃度の均一な反応生成膜の形成
を行うことができる化学気相成長装置を得ることを目的
とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る化学気相成長装置は、ガスヘッドのガス
吹出口の個々に開閉手段を備えている。
吹出口の個々に開閉手段を備えている。
［作 用］
この発明においては、ガスヘッドのガス吹出口に個々に
設けた開閉手段により、各出口より吹き出される反応ガ
スの流量を均一に、または所定の流量分布に調節するこ
とにより、膜厚や不純物濃度の均一な反応生或膜が形或
される。
設けた開閉手段により、各出口より吹き出される反応ガ
スの流量を均一に、または所定の流量分布に調節するこ
とにより、膜厚や不純物濃度の均一な反応生或膜が形或
される。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示し、ガスヘッド｛５｝
の各吹出口（７１）， ＜７■）に各個に栓（１０）が
設？られており、栓（１０）はネジ棒（１１）を介して
モータ（１２）により上下に動かされるようになってい
る．その他の構成は第４図，第５図で示したと同様であ
る。
の各吹出口（７１）， ＜７■）に各個に栓（１０）が
設？られており、栓（１０）はネジ棒（１１）を介して
モータ（１２）により上下に動かされるようになってい
る．その他の構成は第４図，第５図で示したと同様であ
る。
以上の楕或により、反応ガス（＾，）（Ｓｉｔ｛．ガス
）と（＾２）（０■ガス）はそれぞれ導入口（６．）．
（６■）よりガスヘッド（５）内に入るが、ポストミッ
クスタイプなので、ガスヘッド（５）内は仕切板（８）
により２室に分けられており、反応ガス（＾１）．（Ａ
２）はガスヘッド（５）内で混合することなく、反応ガ
ス〈＾１）は吹出口（７，）より、〈＾２〉はパイプ（
９）を通って吹出口（７２）より別々に吹き出される．
このとき、各吹出口（７１）， （７■）に対応して設
けられた栓（１０）を、モータ（ｌ２）を駆動させてネ
ジ棒（１１）を動かすことによって上下させ、各々の吹
出口（７１”Ｉ，（７■）から吹ま出す反応ガス（＾１
〉，（＾２）の流量を調節する。第２図，第３図は吹出
口（７．）とそれに対応する栓（１０）の作動を示し、
第２図は栓（１０〉が上がった状態で、吹出口（７，）
より反応ガス（＾１）が流れ、第３図は栓（１０）が下
がった状態で、吹出口（７Ｉ）よ？反応ガス（＾Ｉ）は
流れない。このように、各吹出口（７１）．（７■）の
栓（１０）の開度をそれぞれのモータ（１２）の回転で
調節し、吹出す反応ガス（ＡＩ＞．（Ａ２）の流量を調
節すれば、半導体ウェハ（１）の表面上に均一な反応生
成膜が形成される。例えば、形成される反応生ｒＩｉ．
ＷＡが半導体ウェハ（１）の中心部で薄く、外周部で厚
い場合は、ガスヘッド（５）の外周部の吹出口からの反
応ガスの流量を少なくして成膜を行えば、均一な膜厚の
反応生成膜が得られる。
）と（＾２）（０■ガス）はそれぞれ導入口（６．）．
（６■）よりガスヘッド（５）内に入るが、ポストミッ
クスタイプなので、ガスヘッド（５）内は仕切板（８）
により２室に分けられており、反応ガス（＾１）．（Ａ
２）はガスヘッド（５）内で混合することなく、反応ガ
ス〈＾１）は吹出口（７，）より、〈＾２〉はパイプ（
９）を通って吹出口（７２）より別々に吹き出される．
このとき、各吹出口（７１）， （７■）に対応して設
けられた栓（１０）を、モータ（ｌ２）を駆動させてネ
ジ棒（１１）を動かすことによって上下させ、各々の吹
出口（７１”Ｉ，（７■）から吹ま出す反応ガス（＾１
〉，（＾２）の流量を調節する。第２図，第３図は吹出
口（７．）とそれに対応する栓（１０）の作動を示し、
第２図は栓（１０〉が上がった状態で、吹出口（７，）
より反応ガス（＾１）が流れ、第３図は栓（１０）が下
がった状態で、吹出口（７Ｉ）よ？反応ガス（＾Ｉ）は
流れない。このように、各吹出口（７１）．（７■）の
栓（１０）の開度をそれぞれのモータ（１２）の回転で
調節し、吹出す反応ガス（ＡＩ＞．（Ａ２）の流量を調
節すれば、半導体ウェハ（１）の表面上に均一な反応生
成膜が形成される。例えば、形成される反応生ｒＩｉ．
ＷＡが半導体ウェハ（１）の中心部で薄く、外周部で厚
い場合は、ガスヘッド（５）の外周部の吹出口からの反
応ガスの流量を少なくして成膜を行えば、均一な膜厚の
反応生成膜が得られる。
なお、上記実施例ではポストミックスタイプの装置につ
いて説明したが、ブリミックスタイプであってもこの発
明は適用できる。
いて説明したが、ブリミックスタイプであってもこの発
明は適用できる。
また、上記実施例でのウェハステージや排気口の形状や
配置、栓の形状や作動機構、使用する反応ガスの種類等
は前述した実施例に限定されるものでないことは勿論で
ある。
配置、栓の形状や作動機構、使用する反応ガスの種類等
は前述した実施例に限定されるものでないことは勿論で
ある。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、ガスヘッドのガス吹
出口の個々に開閉手段を設けたので、各？出口より吹き
出される反応ガスの流量を均一に、または所定の流量分
布に調節することにより、膜厚や不純物濃度の均一な反
応生成膜を形成することができるという効果がある。
出口の個々に開閉手段を設けたので、各？出口より吹き
出される反応ガスの流量を均一に、または所定の流量分
布に調節することにより、膜厚や不純物濃度の均一な反
応生成膜を形成することができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の要部側断面図、第２図お
よび第３図はそれぞれ第１図のものの動作説明のための
一部側断面図、第４図は従来の化学気相成長装置の概略
側断面図、第５図は第４図の一部拡大側断面図、第６図
は同じく反応生或膜の側断面図である． （１）・・半導体ウェハ、（２） ・・ウェハステー
ジ、（３）・・ヒータ、（５〉 ・・ガスヘッド、（
６，）（６２）・・導入口、（７１），＜７■）・・吹
出口、（ｌＯ〉・栓（開閉手段） 、＜１１）・・ネジ
棒、（１２）・・モータ、（＾ｌ）．（＾２）・・反応
ガス。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す．
よび第３図はそれぞれ第１図のものの動作説明のための
一部側断面図、第４図は従来の化学気相成長装置の概略
側断面図、第５図は第４図の一部拡大側断面図、第６図
は同じく反応生或膜の側断面図である． （１）・・半導体ウェハ、（２） ・・ウェハステー
ジ、（３）・・ヒータ、（５〉 ・・ガスヘッド、（
６，）（６２）・・導入口、（７１），＜７■）・・吹
出口、（ｌＯ〉・栓（開閉手段） 、＜１１）・・ネジ
棒、（１２）・・モータ、（＾ｌ）．（＾２）・・反応
ガス。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す．
Claims (1)
- 反応室内において、ウェハステージ上に設置された半導
体ウェハを加熱しつつ、ガスヘッドより前記半導体ウェ
ハ表面に反応ガスを供給することにより前記半導体ウェ
ハ表面に所望の膜を形成する化学気相成長装置において
、前記ガスヘッドに設けられた複数個のガス吹出口の個
々に開閉手段を設けたことを特徴とする化学気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30671189A JPH03170675A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30671189A JPH03170675A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170675A true JPH03170675A (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=17960386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30671189A Pending JPH03170675A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03170675A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645266A (ja) * | 1991-12-30 | 1994-02-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器 |
| US5624498A (en) * | 1993-12-22 | 1997-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for a gas supplying apparatus |
| US5853484A (en) * | 1995-10-28 | 1998-12-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Gas distribution system and method for chemical vapor deposition apparatus |
| US5871586A (en) * | 1994-06-14 | 1999-02-16 | T. Swan & Co. Limited | Chemical vapor deposition |
| US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
| US6508197B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-01-21 | Cvc Products, Inc. | Apparatus for dispensing gas for fabricating substrates |
| DE102005055468A1 (de) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
| JP2007332434A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置 |
| JP2008266794A (ja) * | 1997-09-10 | 2008-11-06 | Sony Corp | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP30671189A patent/JPH03170675A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645266A (ja) * | 1991-12-30 | 1994-02-18 | Texas Instr Inc <Ti> | 単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器 |
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| JP2007332434A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置 |
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