JPH0371624A - 化学的蒸着装置 - Google Patents

化学的蒸着装置

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JPH0371624A
JPH0371624A JP2201089A JP20108990A JPH0371624A JP H0371624 A JPH0371624 A JP H0371624A JP 2201089 A JP2201089 A JP 2201089A JP 20108990 A JP20108990 A JP 20108990A JP H0371624 A JPH0371624 A JP H0371624A
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gas
reactant gas
cvd
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Imad Mahawili
マハウィリ イマッド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、化学的蒸着（ＣＶ　Ｄ　）法及び反応器構造
に関し、特に反応物ガス環境中に基体を置くことにより
蒸着が開始されるＣＶＤ法及び反応器構造に関する。
〔従来の技術〕
ＣＶＤ及び反応器装置は、多結晶珪素、二酸化珪素（ド
ープされた又はドープされていないもの）、窒化珪素等
の如き材料の膜を選択された基体上に蒸着するために以
前から用いられてきた。これら材料の各々は、種々の用
途に対し、種々の方法で蒸着することができる。
一般に蒸着すべき材料は、蒸着される材料が生ずる反応
物ガスの選択及びその方法の種々の条件に依存する。そ
のような蒸着方法の化学に間する詳しい検討はここでは
行わない、ここでは、本発明のＣＶＤ法及び反応器装置
がＣＶＤ用として考えられている殆どの材料と共に用い
るのに適していることだけを述べておくことにする。
今までそのような蒸着法を行うのにかなりの数のＣＶＤ
反応器構造が用いられてきた。これらの反応器は一般に
制御された囲い又は環境、好ましくは温度及び圧力に関
する環境を形成する反応室を与えることを特徴としてお
り、その反応室で選択された基体上に反応物ガスからの
蒸着が開始される。
上述の如く、反応物ガスは、蒸着過程に関与する一種類
以上のガスと、蒸着過程中雰囲気又はキャリヤーガスと
して働く不活性ガスを含んでいるであろう。
そのようなＣＶＤ法の化学に関する更に詳細な点は、本
願と同じく譲渡され出願中の「二酸化珪素膜蒸着法及び
生成物４　（Ｍｅｔｈｏｄ　ｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｎ
ｇＳｉｌｉｃｏｎ　Ｄｉｏｘｉｄｅ　Ｆｉｌｍ　ａｎｄ
　Ｐｒｏｄｕｃｔ）と題する米国特許出願に記載され、
ＣＶＤ技術の当業者によく知られている他の多くの文献
にも記載されている。
いずれにせよ、選択されたＣＶＤ法は、基体上の被覆の
均一性を達成することが、特に例えば基体が半導体ウェ
ーハである場合には、臨界的に重要であることを理解す
ることが重要である。ＣＶＤ法の重要性は、１ミクロン
オーダーで正確に定める必要がある場合には一層大きく
なり、その場合蒸着の同一性（ｃｏｎｆｏｒｍａｎｃｅ
）も臨界的に重要になる。
従来のＣＶＤ反応器は、すぐ下に要約する多くのグルー
プに分類することができる傾向を持っている。
「水平型装置」は、蒸着を達成するために、例えば一つ
の管中にガスを流すようにした、その管中に配列した基
体又はウェーハのための保持器を更に有する傾向がある
。
所謂「垂直型装置」は、典型的にはペルジャーを伏せて
形成した室中につＩ−ハを保持するサセプター（ｓｕｓ
ｃｅｐｔｏｒ）を有する。サセプターは典型的には回転
して、ウェーハ又は基体の表面を横切る被覆の一層良い
均一性が達成される。
「円筒型又はバレル型装置Ｊでは、基体又はウェーハは
円筒状サセプターの内側又は外側表面上に垂直に並べて
配置されるのが典型的である。サセプターは、ウェーハ
上に蒸着を達成するため反応物ガスが横から導入される
室内で回転させるのが典型的である。
更に他のＣＶＤ反応器は、基体又はウェーハを垂直溝の
下で水平に動く保持器又はサセプター上に配列し、その
垂直の溝を通して下向きに反応物ガスを流し、それらの
ガスがら蒸着を行わせるようにした「ガス覆い（ｇａｓ
−ｂｌａｎｋｅｔｅｄ）流下型装置」としての特徴を有
する。
一般に、上で概略述べた型のＣＶＤ反応器は、通常蒸着
中に基体を通るガス流を調節するための手段を共通に特
徴することが分かるであろう。時間及び順序の制御も必
要であり、蒸着法の適切な制御を行わせるのに複雑性さ
が異なっている。
ＣＶＤ反応器は、未反応ガス及び必要に応じ恐らくキャ
リヤーガスを室から除去するための流出又は排気機構を
必要とすることも特徴になっている。
上記型の一つ以上の中に一般に分類することができるＣ
ＶＤ反応器は、例えば、米国特許第４，５９９，１３５
号、第４，５９６，２０８号、第４，２８２，２６７号
、第４，１４２，００４号、第４，０５８，４３０号、
第３，９２２．４６７号、第３，７８３，８２２号、第
３，７５７，７３３号、第３，７５０，６２０号、第３
，６９６，７７９号、第３，６３３，５３７号、及び第
３，０９３，５０７号に記載されている。
〔本発明の要約〕
いずれにせよ、特に被覆の一層良い均−性及び特に幾何
学的基体上の付着の同一性を達成することが必要なため
、ＣＶＤ反応器及びそのような反応器の操作方法につい
て更に改良する必要が依然として残っていることが判明
している。
従って、本発明の目的は、基体のための被覆の向上した
均−性及び向上した蒸着同一性を達成するＣＶＤ反応器
構造及びそのような反応器のための操作方法を与えるこ
とにあり、基体は特に半導体装置等を含めた基体である
が、それに限定されるものではない。
本発明の更に別な目的は、選択された圧力等の制御され
た環境中にウェーハ又は蒸着基体を維持するのに適した
閉じた室を形成するハウジングを有するＣＶＤ反応器を
与えることである。基体を室中に支持し、典型的なＣＶ
Ｄ温度に維持して、それを、反応物ガスを室中に導入す
るための機構により形成された蒸着環境にかける。室と
連通した間隔を開けて配置された複数の排気口を個々の
バルブ機構により調節し、室中の基体に隣接して反応物
ガスの選択された流動ベタ１−ル模様を生じさせ、蒸着
の均一性を向上させる０例えば、好ましくは蒸着基体が
珪素又はヒ化ガリウムウェーハである場合、上述の如き
バルブ機構の操作は蒸着の同一性も向上する。
好ましくは室は円筒状で、基体はその室の軸の一方の端
に支持され、その室の軸の反対側の端の所に基体から離
れて配置された壁を有する。そのような形状で、室の円
筒状周辺に排気口が形成されているのが好ましい。
一つ以上の付加的排気口が室の中心に形成されているの
が−層好ましく、周囲の排気口と中心に配置された排気
口の両方が、時計方向の渦巻き運動、反時計方向の渦巻
き運動、径方向に内側への運動、径方向に外側への運動
、及びそれらの組合せを含めた選択された反応物ガス流
動ベクＩ・ル模様を生じさせるため、バルブ機構により
連続的に操作される。上で要約したような本発明により
生じさせることができる局部的流動ベクトルについての
模様は、上で特に述べたものに限定されるものではなく
、それらは本発明を理解し易くするために単に例として
記述されたものである。
−層好ましくは、反応物ガスを室中へ導入するための機
構は、複数の間隔を開けたオリフィスを有し、複数の組
のオリフィスが好ましくは環状の外部マニホルドと連通
している。外部環状マニホルドを配置することにより、
意図される特定の蒸着方法に必要な反応物ガス、キャリ
ヤーガス等を含めた一種類以上のガスを導入するために
別々の調節器を使用することができる０本発明は、ＣＶ
Ｄ反応器又は装置を一層融通性のあるものにする為、付
加的排気口としてそれらオリフィスの一部分を使用でき
るようにすることも意図している。
ＣＶＤガス注入装置は、室中へ導入されるガスの注入角
度を制御又は調節するために、反応物ガスを導入するた
めのオリフィス又は池の手段に伴われた調節可能なバッ
フル部材を有するのが好ましい。
本発明の関連する目的は、蒸着基体又はウェーハが閉じ
た室中に配置され、反応物ガスがその室中に導入される
化学的蒸着法を与えることである。
複数の排気口が間隔を開けた状態で室と接続されており
、開いた状態と閉じた状態との間で選択的に調節され、
室中の基体に隣接して反応物ガスの選択された流動ベク
トル模様（単数又は複数）を生じさせ、蒸着の均一性を
向上させ、好ましくは蒸着の同一性も向上させる。
本発明のＣＶＤ法は、ＣＶＤ反応器に関連して上で述べ
たものと同様な付加的工程又は限定を含むのが好ましい
。
本発明の付加的目的及び利点は、図面を参照し。
た以下の記載から明らかになるであろう。
〔好ましいＲ様についての記述〕
図面、特に第１図及び第２図を参照すると、ＣＶＤ反応
器が全体的に（１０）で示されており、それは上で列挙
したような種々の詳細な構造を含むと共に、上で要約し
たやり方で操作することができる。
ＣＶＤ反応器（１０〉は、比較的短い軸の長さを有する
円筒状酸（１４）によって形成されたハウジング（１２
）を有する１円筒状殻（１４）の軸の両端は、概ね平ら
な壁又はハウジング部材（１６）及び（１８）によって
閉ざされている。下方の壁（１６）は、実際には、軸方
向に配列されたハウジング部材（１６）と（１８）の間
の円筒状酸（１４）によって形成された室（２４〉内に
基体又はウェーハ（２２）を支持するための二つ以上の
ビン（２０〉を含む加熱器ハウジング部材である。
下方の壁即ち加熱器ハウジング部材（１６）には、支持
ビン（２０〉に隣接して配置された加熱素子（２６）が
含まれている。加熱素子（２６）は、当分野で知られて
いるように、ウェーハ又は基体（２２）を適当な処理温
度へ加熱するために与えられているのが好ましい。
上の壁（１８〉は、二枚の板（２８〉及び（３０）から
形成されているのが好ましい注入用ハウジング部材であ
り、板（３０）は室（２４）の上方表面を形成し、他方
の板（２８〉は室の外側に配置されている。
上方即ち外側板（２８〉は、径方向に間隔を開けたガス
マニホルド（３２）〜（５０〉を形成し、第６図から最
もよく分かるように、それらマニホルドは全て環状の構
造を持っている。内側板（３０）は、（３２Ａ）〜（５
０Ａ）で全体的に示されたガス導入口、好ましくは音速
オリフィスの配列体を形成する。再び第６図に関し、オ
リフィスの円筒状配列はマニホルド（３２）〜（５０）
の各々に対応し、それらマニホルドからのガスを室（２
４）中へ限定的に流通させるようになっていることが分
かるであろう、音速（ｓｏｎｉｅ）オリフィス（３２Ａ
）〜（５０Ａ）は、室（２４）へ入る反応物ガスによる
劣化を防ぐか又は最小にするために硬質金属から挿入体
として形成されるのが好ましい。好ましくは各円筒状配
列体には、室（２４）の径方向の外側部分に少なくとも
隣り合った約１２個のオリフィスを含んでいる。しかし
、第６図の各円形上の系列には、反応器の他の部材を一
層よく例示するため、唯六つのオリフィスしか例示され
ていない。
特に第３図に関し、環状のバッフル（３２Ｂ）〜（５０
Ｂ＞が、オリフィス（３２Ａ）〜（５０Ａ）の各円状の
配列体に隣接した板（３０）の内側表面（３４）に固定
されている。第３図に例示したようにバッフル（３２Ｂ
）〜（５０Ｂ）は調節することができ、矢印（３６）に
よって表されているように、オリフィス（３２Ａ）〜（
５０Ａ＞から室（２４）中へのガス流の方向性を静的に
決定又は調節するための形状を持っている。
再び第２図に関し、環状ガスマニホルド（３２）〜（５
０〉の各々には、外部バルブ又は調節器（３２Ｃ）〜（
５０Ｃ）が配備されている。外部調節器は、（３８）及
び（４０〉で概略的に示されているような一つ以上の反
応物ガス源と接続するために使用される。特定の用途に
より、異なった数の個々のガス源が用いられるであろう
、いずれにせよ、二つの源（３８）及び（４０）は、室
（２４）内の反応物ガス環境を形成するために二種類以
上のガスを一緒にすることができることを示している。
例えば、二酸化珪素を蒸着する場合、二つの源（３８〉
及び（４０〉は、シラン及び酸素を与えることができる
。しかし、上述の如く、本発明によって意図されるもの
として、極めて多稲類の他のガスを用いることもできる
。いずれにせよガス源（３８）及び（４０）は、選択的
に一つ以上の外部調節器と接続され、室（２４）内の反
応物ガスのための最適流動条件を与えるようにする。源
（３８）及び（４０）は、例えば導管等（図示されてい
ない）により外部調節器に接続することができる。源（
３８）及び（４０）の両方からのガスは外部調節器の成
るものと接続され、室（２４）中に反応物ガスを導入す
る前に、マニホルドの成るものの中で希望の反応物ガス
を形成するようにガスの混合を行わせることができる。
室（２４〉からの流出材料の通過又は排出を調節するた
めの排気口が、室（２４〉と連通して間隔を開けて配置
されている。円筒状殻（１４）中には、室（２４）の周
りに間隔を開けて円周上に配置された排気通路（４２）
が形成されており、その排気通路は外部排気部材（４４
）と連通しており、その外部排気部材の各々には個々の
制御バルブ（４６）が含まれている。
少なくとも一つの付加的排気通路（４８）が、室（２４
）の軸中心部分に、好ましくは板（２８）及び（３０〉
により形成されている。排気通路（４８〉は、同様に個
々の制御バルブ（５２）を有する外部排気部材（５０）
に連通している。外部排気部材（４４）及び（５０）は
、例えば、導管等（図示されていない）により、（５４
）で概略的に示したような例えば真空ポンプと接続され
ていてもよい。付加的排気通路（図示されていない）を
、もし望むならば、室（２４）の中心部に与えることも
できるであろう。
制御バルブ（４６）及び（５２）は、室（２４）と真空
ポンプ（５４〉との間の個々の排気通路（４２）及び（
４８）を選択的に開閉するために、好ましくは自動化装
置（図示されていない〉により、連続的操作を行うのに
用いられる。
制御バルブ（４６）と（５２）との組合せは、それだけ
で又は上で言及した自動化装置と組合せて、反応器（１
０）についての操作方法で一層詳細に下で述べるように
、室（２４）内の反応物ガスの局部的流動ベクトルの方
向性を制御するための動的手段を与える。
ＣＶＤ反応器（１０）についての操作方法は前の記述か
ら明らかであると思われる。しかし、反応器（１０）の
好ましい操作方法を、本発明を一層完全に理解すること
ができるように下に簡単に述べる。
最初に、珪素又はヒ化ガリウム等のウェーハの如き選択
された基体を室（２４）中の支持ビン（２０）の上に取
付る。ハウジング〈１２）には、基体（２２）と、上方
の壁、特にその内側板（３０）との間の軸方向の間隔を
調節するのに用いられる手段（図示されていない）が含
まれていてもよい。これは、例えば円筒状殻（１４）を
異なった軸の長さの別の部品と取り替えるか、又は出来
れば調節可能な機構（図示されていない）によって遠戚
することができる。
いずれにせよ、基体（２２）を室（２４）中に配置して
、外部調節器（，３２Ｃ）〜（５０Ｃ）の選択された組
合せを、〈３８〉及び（４０）で示したようなガス源と
接続する。
典型的な反応として、調節器の少なくとも二つがガス源
と接続される０例えば、径方向に外側の環状マニホルド
（３２）及び径方向に内側の環状マニホルド（５０〉と
接続された少なくとも外部調節器（３２Ｃ）及び（ＳＯ
Ｃ）をガス源と接続して、音速オリフィスの円状配列体
（３２Ａ）及び（５０Ａ）を通して室（２４〉中へ反応
物ガスを流入させる。
しかし、外部調節器のどのような組合せをガス源と接続
してもよい。別法として、成る用途では外部調節器の一
つ以上を真空ポンプ（５４）に接続してもよい。そのよ
うなことができることにより、本発明の反応器の融通性
が一層大きくなっている。
一部の選択された調節器をガス源と接続し、排気部材（
４４）及び（５０〉を真空ポンプ（５４）と結合し２、
加熱素子（２６）にエネルギーを与えて基体（２２）を
選択された温度へ加熱し、真空ポンプを作動させて室（
２４）内に好ましい圧力水準を確立するように操作する
のが好ましい、室（２４〉中の圧力は、例えば約１トー
ル未満で、０．ｌトール程度の低い水準、又は例えば約
１気圧の高い圧力条件に維持することができる。
室（２４）中に希望の圧力及び温度条件を確立して、次
に反応物ガスを外部調節器の選択された組合せを通して
導入する。
室（２４）中に入り、基体（２２）に近付いて行くガス
流の方向性を静的に調節するために、希望に応じバッフ
ル（３２Ｂ）〜（５０Ｂ）が調節される。バッフルの調
節は、勿論ガス源と接続される外部調節器の選択と同様
に、各蒸着工程を開始させる前に達成されているのが好
ましい。
オリフィス（３２Ａ）〜（５０Ａ＞の成るものを通って
室（２４）中へ反応物ガスを流し、排気制御バルブ（４
６）及び（５２）を連続的に操作して、室内及び基体（
２２）に隣接した反応物ガスの局部的流動ベクトルの選
択された模様を生じさせる０例えば、中心排気通路（４
８）を開くか又は閉じて、外周の排気通路（４２）を連
続的に開閉すると、室内に時計方向又は反時計方向の流
動模様を生ずる傾向がある。勿論、特定の方向は、制御
バルブ（４６）により外部排気口を開閉する順序に依存
する。同様に、室（２４）内の反応物ガスの径方向の流
れは、最初中心排気通路（４８）を開き、周囲排気通路
（４２）の一つ以上を閉じ、次にその状態を逆にして周
囲排気通路を開き、中心排気通路を閉じることにより生
じさせることができる。
排気通路の開閉は、勿論種々の組合せ及び順序で行うこ
とができ、基体（２２）の表面に沿った反応物ガスの流
れを一層よく調節し、それによって基体上の被覆の均一
性を向上させ、もし望むならば又は必要ならば、蒸着の
同一性をも向上させるようにすることができる。
とにかく前記操作方法は、バッフルの静的調節及びガス
源と接続される外部調節器の選択により可能になる極め
て多種類のそのような状態の代表的なものである。同時
に、上で述べたような排気制御バルブを連続的に操作し
て方向性を動的に制御することにより、−層大きな融通
性を得ることができる。
上で特に述べたものの他に、数多くの付加的修正及び変
更を行なえることは明らかであろう、従って、本発明の
範囲は特許請求の範囲によってのみ定められるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明により製造されたＣＶＤ反応器の一部
分を例示する概略的斜視図である。 第２図は、第１図の線■−■に沿ってとった、反応器の
内部構造を一層よく例示するための概略的断面図である
。 第３図は、反応器内の室中に入るガスの方向性を静的に
調節するためのガス導入オリフィスに隣接して取付けら
れたバッフルを一層よく例示するための第２図と同様な
部分的拡大断面図である。 第４図は、反応器の概略的平面図である。 第５図は、第３図の線ｖ−■に沿ってとった、バッフル
の環状構造を例示するための概略的断面図である。 第６図は、第２図の線ＶＩ−Ｗに沿ったとった、バッフ
ルを除いたガス導入オリフィス、及びそれらオリフィス
を相互に連結するマニホルドで、各マニホルドのための
調節器を有するマニホルドの配列を一層よく例示するた
めの、概略的断面図である。 １０−ＣＶ　Ｄ反応器、　　１２ヘーハウジング、１４
−円筒状酸、　　　　　２２−基体くウェーハ）、２４
−室、　　　　　　　　２６−加熱素子、２８−ハウジ
ング端部壁外側板、 ３０−−ハウジング端部壁内側板、 ３２〜５０−マニホルド、 ３２Ａ〜５０Ａ−音速オリフィス、 ３２Ｂ〜５０Ｂ−バッフル、 ３２Ｃ〜５２Ｃ−外部バルブ（調節器）、３Ｊ４０−−
ガス源、　　　　４２．４８−排気口（通路）、４６．
５２−制御パルプ。 代 理 人 浅 村 皓 第 ４ 図 第 図

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）選択された圧力の環境中に蒸着基体を維持するの
    に適した閉じた円筒状の室を形成するハウジング、 前記円筒状室の軸の一方の端に配置された基体を支持す
    るための部材、 前記支持部材から離れた位置にあり、前記円筒状室の軸
    の他方の端に配置された壁、 前記室中に反応物ガスを導入するための機構、前記円筒
    状室の周囲に間隔を開けて形成され、その室と連通した
    複数の排気口、及び 蒸着の均一性を向上させるため室中の蒸着基体に隣接し
    て反応物ガスの選択された流動ベクトル模様を生じさせ
    るための、個々の排気口に夫々伴われたバルブ機構、 を具えた化学的蒸着（ＣＶＤ）反応器。
  2. （２）バルブ機構が蒸着の同一性を向上させるためにも
    作動できる請求項１に記載のＣＶＤ反応器。
  3. （３）端部壁の軸の中心部分に構成された少なくとも一
    つの付加的排気口と、それに伴われた同様なバルブ機構
    で、反応物ガスの選択された流動ベクトル模様を生じさ
    せるためのバルブ機構とを更に具えた請求項１に記載の
    ＣＶＤ反応器。
  4. （４）バルブ機構が、時計方向の渦巻き運動、反時計方
    向の渦巻き運動、径方向に内側への運動、径方向に外側
    への運動、及びそれらの組合せを含めた選択された反応
    物ガス流動ベクトル模様を生じさせるための種々の組合
    せで、排気口を連続的に開閉する選択された組合せで作
    動させることができる請求項３に記載のＣＶＤ反応器。
  5. （５）反応したガスを導入するための機構が、一つ以上
    の外部反応物ガスマニホルドを室と連通させる限定的オ
    リフィスを有する請求項４に記載のＣＶＤ反応器。
  6. （６）端部壁に隣接した複数の環状に形成されたマニホ
    ルド、及び各環状マニホルドを室に連通する複数の円形
    上に配置されたオリフィスを更に有する請求項５に記載
    のＣＶＤ反応器。
  7. （７）各環状マニホルドをガス源又は真空源に連通する
    ための各調節器機構を更に具えた請求項６に記載のＣＶ
    Ｄ反応器。
  8. （８）各オリフィスに伴われた、室中へ導入されるガス
    の注入角度を調節するための調節可能なバッフル部材を
    更に具えた請求項７に記載のＣＶＤ反応器。
  9. （９）バッフル部材が、各環状マニホルドのための円形
    上に配置されたオリフィスに隣接して環状に形成されて
    いる請求項８に記載のＣＶＤ反応器。
  10. （１０）室中へ導入されるガスの注入角度を調節するた
    めの各オリフィスに伴われた調節可能なバッフル部材を
    更に具えた請求項５に記載のＣＶＤ反応器。
  11. （１１）室中に導入されるガスの注入角度を調節するた
    めの、室中へ反応物ガスを導入するための機構に伴われ
    た調節可能なバッフル部材を更に具えた請求項１に記載
    のＣＶＤ反応器。
  12. （１２）反応物ガスを導入するための機構が、一つ以上
    の外部反応物ガスマニホルドを室と連通させる限定的オ
    リフィスを有する請求項１に記載のＣＶＤ反応器。
  13. （１３）端部壁に隣接した複数の環状に形成されたガス
    マニホルド、及び各環状マニホルドを室に連通する複数
    の円形上に配列されたオリフィスを更に有する請求項１
    ２に記載のＣＶＤ反応器。
  14. （１４）各環状マニホルドをガス源又は真空源に連通す
    るための各調節器機構を更に具えた請求項１３に記載の
    ＣＶＤ反応器。
  15. （１５）室及び基体支持部材が、基体として単一のウェ
    ーハを受ける形状を持つ請求項１に記載のＣＶＤ反応器
    。
  16. （１６）選択された圧力の環境中に蒸着基体を維持する
    のに適した室を形成するハウジング、前記室中に蒸着基
    体を支持するための部材、前記室中に反応性ガスを導入
    するための機構、前記室と連通した間隔を開けて形成さ
    れた複数の排気口、及び 蒸着の均一性を向上させるため前記基体に隣接した室中
    に反応したガスの選択された流動ベクトル模様を生じさ
    せるための、個々の排気口に夫々伴われたバルブ機構、 を具えた化学的蒸着（ＣＶＤ）反応器。
  17. （１７）バルブ機構が蒸着の同一性を向上させるために
    も作動できる請求項１６に記載のＣＶＤ反応器。
  18. （１８）室が円筒状であり、複数の排気口が前記室の円
    筒状の周辺に形成されており、前記室の中心部分に構成
    された少なくとも一つの付加的排気口と、それに伴われ
    た同様なバルブ機構で、反応物ガスの選択された流動ベ
    クトル模様を生じさせるためのバルブ機構とを更に具え
    た請求項１６に記載のＣＶＤ反応器。
  19. （１９）バルブ機構が、時計方向の渦巻き運動、反時計
    方向の渦巻き運動、径方向に内側への運動、径方向に外
    側への運動、及びそれらの組合せを含めた選択された反
    応物ガス流動ベクトル模様を生じさせるための種々の組
    合せで排気口を連続的に開閉する選択された組合せで作
    動させることができる請求項１８に記載のＣＶＤ反応器
    。
  20. （２０）反応物ガスを導入するための機構が、一つ以上
    の外部反応物ガスマニホルドを室と連通させる限定的オ
    リフィスを有する請求項１９に記載のＣＶＤ反応器。
  21. （２１）複数のマニホルド、及び各環状マニホルドを室
    に連通する複数の円形上に配列されたオリフィスを更に
    有する請求項２０に記載のＣＶＤ反応器。
  22. （２２）各外部マニホルドをガス源又は真空源に連通す
    るための各調節器機構を更に具えた請求項２１に記載の
    ＣＶＤ反応器。
  23. （２３）各オリフィスに伴われた、室中へ導入されるガ
    スの注入角度を調節するための調節可能なバッフル部材
    を更に具えた請求項１６に記載のＣＶＤ反応器。
  24. （２４）反応物ガスを導入するための機構が、一つ以上
    の外部反応物ガスマニホルドを室と連通させる限定的オ
    リフィスを有する請求項１６に記載のＣＶＤ反応器。
  25. （２５）各外部マニホルドをガス源又は真空源に連通す
    るための各調節器機構を更に具えた請求項２４に記載の
    ＣＶＤ反応器。
  26. （２６）室及び基体支持部材が、基体として単一ウェー
    ハを受ける形状を持つ請求項１６に記載のＣＶＤ反応器
    。
  27. （２７）選択された圧力の室中に蒸着基体を配列し、 前記室中に反応物ガスを導入し、 前記室と、間隔を開けた複数の排気口とを連結し、そし
    て 前記室と前記各排気口との連通を選択的に調節して、室
    中の基体に隣接して反応物ガスの選択された流動ベクト
    ル模様を生じさせ、蒸着の均一性を向上させる、 諸工程を含む化学的蒸着（ＣＶＤ）法。
  28. （２８）各排気口と室との連通も選択的に調節され、蒸
    着の同一性を向上させる請求項２７に記載のＣＶＤ法。
  29. （２９）室が概ね円筒状であり、複数の排気口が前記円
    筒状室の周辺に形成された複数の排気口と、中心部に形
    成された少なくとも一つの排気口を含み、前記各排気口
    と前記室との連通が、時計方向の渦巻き運動、反時計方
    向の渦巻き運動、径方向に内側への運動、径方向に外側
    への運動、及びそれらの組合せを含めた選択された反応
    物ガス流動ベクトル模様を生じさせるための種々の組合
    せで、排気口を連続的に開閉する選択された組合せで選
    択的に調節される請求項２７に記載のＣＶＤ法。
  30. （３０）反応物ガスを室中に導入するために間隔を開け
    た限定的オリフィスが与えられ、前記オリフィスの選択
    された組合せをガス源（単数又は複数）又は真空源に連
    通する工程を更に含む請求項２９に記載のＣＶＤ法。
  31. （３１）室中へ導入される反応物ガスの注入角度を機械
    的に調節する工程を更に含む請求項２７に記載のＣＶＤ
    法。
  32. （３２）室が、蒸着基体として単一ウェーハを受け、支
    持する形状を持つ請求項２７に記載のＣＶＤ法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645266A (ja) * 1991-12-30 1994-02-18 Texas Instr Inc <Ti> 単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器
JP2008522806A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 キュー チップ リミテッド 流体輸送のための装置

Families Citing this family (210)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04348031A (ja) * 1990-12-28 1992-12-03 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US5316793A (en) * 1992-07-27 1994-05-31 Texas Instruments Incorporated Directed effusive beam atomic layer epitaxy system and method
US5134963A (en) * 1991-10-28 1992-08-04 International Business Machines Corporation LPCVD reactor for high efficiency, high uniformity deposition
US5387289A (en) * 1992-09-22 1995-02-07 Genus, Inc. Film uniformity by selective pressure gradient control
US5290358A (en) * 1992-09-30 1994-03-01 International Business Machines Corporation Apparatus for directional low pressure chemical vapor deposition (DLPCVD)
JP2790009B2 (ja) * 1992-12-11 1998-08-27 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャル層の成長方法および成長装置
US5453124A (en) * 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
DE4316919C2 (de) * 1993-05-20 1996-10-10 Siegfried Dr Ing Straemke Reaktor für CVD-Behandlungen
US5643394A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5618522A (en) * 1995-01-20 1997-04-08 The Procter & Gamble Company Emulsion compositions
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5551985A (en) * 1995-08-18 1996-09-03 Torrex Equipment Corporation Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US5851293A (en) * 1996-03-29 1998-12-22 Atmi Ecosys Corporation Flow-stabilized wet scrubber system for treatment of process gases from semiconductor manufacturing operations
JP3360265B2 (ja) * 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5873388A (en) * 1996-06-07 1999-02-23 Atmi Ecosys Corporation System for stabilization of pressure perturbations from oxidation systems for treatment of process gases from semiconductor manufacturing operations
US5885358A (en) * 1996-07-09 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5976261A (en) * 1996-07-11 1999-11-02 Cvc Products, Inc. Multi-zone gas injection apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment
US5951896A (en) * 1996-12-04 1999-09-14 Micro C Technologies, Inc. Rapid thermal processing heater technology and method of use
KR100456508B1 (ko) * 1996-12-28 2005-02-02 주식회사 엘지생활건강 흡수체를이용한분말세제조성물및그의제조방법
EP0917596B1 (en) * 1997-04-10 2002-06-12 Uniphase Opto Holdings, Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and a device for applying such a method
US5972078A (en) * 1997-07-31 1999-10-26 Fsi International, Inc. Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus
US6090212A (en) * 1997-08-15 2000-07-18 Micro C Technologies, Inc. Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate
US5814365A (en) * 1997-08-15 1998-09-29 Micro C Technologies, Inc. Reactor and method of processing a semiconductor substate
US6007635A (en) * 1997-11-26 1999-12-28 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US6530994B1 (en) 1997-08-15 2003-03-11 Micro C Technologies, Inc. Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing
US5975011A (en) * 1997-12-22 1999-11-02 Ball Semiconductor, Inc. Apparatus for fabricating spherical shaped semiconductor integrated circuits
US6291800B1 (en) 1998-02-20 2001-09-18 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and substrate processing system
JPH11288893A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Nec Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US6185839B1 (en) 1998-05-28 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor process chamber having improved gas distributor
US6080241A (en) * 1998-09-02 2000-06-27 Emcore Corporation Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange
US6062851A (en) * 1998-10-23 2000-05-16 The B. F. Goodrich Company Combination CVI/CVD and heat treat susceptor lid
US6352430B1 (en) 1998-10-23 2002-03-05 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US6440220B1 (en) 1998-10-23 2002-08-27 Goodrich Corporation Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
US6263829B1 (en) 1999-01-22 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture
KR100328820B1 (ko) 1999-02-25 2002-03-14 박종섭 화학기상증착 장비의 가스분사장치
JP2000290777A (ja) * 1999-04-07 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法
EP1065294B1 (en) 1999-06-04 2003-10-15 Goodrich Corporation Method and apparatus for pressure measurement in a CVI/CVD furnace
DE60024524T2 (de) 1999-06-04 2006-08-31 Goodrich Corp. Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von einem CVI/CVD-Ofen
US6257881B1 (en) 1999-06-04 2001-07-10 The B.F. Goodrich Company Combination CVI/CVD and heat treat susceptor lid
US7554829B2 (en) 1999-07-30 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Transmission lines for CMOS integrated circuits
DE60041341D1 (de) * 1999-08-17 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6432206B1 (en) * 1999-08-30 2002-08-13 Si Diamond Technology, Inc. Heating element for use in a hot filament chemical vapor deposition chamber
US6783627B1 (en) 2000-01-20 2004-08-31 Kokusai Semiconductor Equipment Corporation Reactor with remote plasma system and method of processing a semiconductor substrate
US6444039B1 (en) * 2000-03-07 2002-09-03 Simplus Systems Corporation Three-dimensional showerhead apparatus
US6544339B1 (en) 2000-03-22 2003-04-08 Micro C Technologies, Inc. Rectilinear wedge geometry for optimal process control in chemical vapor deposition and rapid thermal processing
US6310323B1 (en) 2000-03-24 2001-10-30 Micro C Technologies, Inc. Water cooled support for lamps and rapid thermal processing chamber
US6821910B2 (en) * 2000-07-24 2004-11-23 University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
WO2002024985A1 (de) * 2000-09-22 2002-03-28 Aixtron Ag Gaseinlassorgan für cvd-verfahren und vorrichtung
US6533867B2 (en) * 2000-11-20 2003-03-18 Applied Epi Inc Surface sealing showerhead for vapor deposition reactor having integrated flow diverters
JP2005502185A (ja) 2001-02-12 2005-01-20 株式会社日立国際電気 超急速熱処理チャンバおよび使用方法
US6852167B2 (en) * 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
TW548724B (en) * 2001-07-13 2003-08-21 Asml Us Inc Modular injector and exhaust assembly
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
US8026161B2 (en) * 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6844203B2 (en) * 2001-08-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Gate oxides, and methods of forming
KR100420466B1 (ko) * 2001-11-28 2004-03-02 씨제이 주식회사 고농축 광촉매 분말 표백세제의 제조방법
US6953730B2 (en) * 2001-12-20 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics
US6767795B2 (en) 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
US6812100B2 (en) 2002-03-13 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics
US20030192645A1 (en) * 2002-04-16 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for creating circumferential process gas flow in a semiconductor wafer plasma reactor chamber
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7160577B2 (en) * 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
US7205218B2 (en) * 2002-06-05 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
CN100423179C (zh) * 2002-06-21 2008-10-01 应用材料股份有限公司 用于真空处理系统的传送处理室
US7193893B2 (en) * 2002-06-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing floating gates
US6804136B2 (en) * 2002-06-21 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing charge trapping in insulators
US7221017B2 (en) * 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US7221586B2 (en) * 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US6921702B2 (en) 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
JP2005536042A (ja) * 2002-08-08 2005-11-24 トリコン テクノロジーズ リミティド シャワーヘッドの改良
US6884739B2 (en) * 2002-08-15 2005-04-26 Micron Technology Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US7199023B2 (en) * 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
US6958302B2 (en) * 2002-12-04 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4
US7101813B2 (en) * 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
US7192824B2 (en) * 2003-06-24 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide / hafnium oxide dielectric layers
US7220665B2 (en) * 2003-08-05 2007-05-22 Micron Technology, Inc. H2 plasma treatment
KR101022662B1 (ko) * 2003-08-05 2011-03-22 주성엔지니어링(주) 균일한 막 증착을 위한 챔버 및 샤워 헤드
JP4714021B2 (ja) 2003-08-20 2011-06-29 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 基板の表面に均一なエピタキシャル層を成長させる方法および回転ディスク式反応器
US6829056B1 (en) 2003-08-21 2004-12-07 Michael Barnes Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates
US20050103265A1 (en) 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
US7569193B2 (en) 2003-12-19 2009-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlled combustion of gaseous pollutants
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
CN101866828B (zh) * 2004-06-02 2013-03-20 应用材料公司 电子装置制造室及其形成方法
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
KR101309334B1 (ko) * 2004-08-02 2013-09-16 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US7736599B2 (en) * 2004-11-12 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Reactor design to reduce particle deposition during process abatement
EP1827676B1 (en) * 2004-12-06 2018-10-17 Midatech Pharma (Wales) Limited Device for fluid transport
US7687409B2 (en) * 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) * 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
JP5102217B2 (ja) * 2005-10-31 2012-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プロセス削減反応器
US7709402B2 (en) * 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7563730B2 (en) * 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
TWI390608B (zh) * 2007-01-12 2013-03-21 Veeco Instr Inc 氣體處理系統
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
US8039052B2 (en) * 2007-09-06 2011-10-18 Intermolecular, Inc. Multi-region processing system and heads
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
US8143074B2 (en) * 2007-11-16 2012-03-27 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor processing system and method of processing a semiconductor wafer
US20100212591A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-26 Alta Devices, Inc. Reactor lid assembly for vapor deposition
US8852696B2 (en) * 2008-05-30 2014-10-07 Alta Devices, Inc. Method for vapor deposition
US20100206229A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-19 Alta Devices, Inc. Vapor deposition reactor system
EP2359392A2 (en) * 2008-10-10 2011-08-24 Alta Devices, Inc. Concentric showerhead for vapor deposition
CN105420688B (zh) * 2008-12-04 2019-01-22 威科仪器有限公司 用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法
US9127364B2 (en) 2009-10-28 2015-09-08 Alta Devices, Inc. Reactor clean
US9303319B2 (en) 2010-12-17 2016-04-05 Veeco Instruments Inc. Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves
US10283321B2 (en) * 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US10066297B2 (en) * 2011-08-31 2018-09-04 Alta Devices, Inc. Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor
US9175393B1 (en) * 2011-08-31 2015-11-03 Alta Devices, Inc. Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor
US9212422B2 (en) 2011-08-31 2015-12-15 Alta Devices, Inc. CVD reactor with gas flow virtual walls
US20130171350A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intermolecular Inc. High Throughput Processing Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
US9267205B1 (en) 2012-05-30 2016-02-23 Alta Devices, Inc. Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
KR102197576B1 (ko) * 2012-11-06 2020-12-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재순환을 이용하는 공간적인 원자 층 증착을 위한 장치 및 사용 방법들
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
CA2974387A1 (en) 2016-08-30 2018-02-28 Rolls-Royce Corporation Swirled flow chemical vapor deposition
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR102080760B1 (ko) * 2016-12-08 2020-02-24 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
WO2020028062A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for ald processes
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN114075661B (zh) * 2020-08-14 2022-11-18 长鑫存储技术有限公司 半导体沉积方法及半导体沉积系统
CN117187785B (zh) * 2023-11-08 2024-02-23 新美光(苏州)半导体科技有限公司 一种化学气相沉积装置及方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3093507A (en) * 1961-10-06 1963-06-11 Bell Telephone Labor Inc Process for coating with silicon dioxide
US3696779A (en) * 1969-12-29 1972-10-10 Kokusai Electric Co Ltd Vapor growth device
NL7003431A (ja) * 1970-03-11 1971-09-14
US3633537A (en) * 1970-07-06 1972-01-11 Gen Motors Corp Vapor deposition apparatus with planetary susceptor
US3717439A (en) * 1970-11-18 1973-02-20 Tokyo Shibaura Electric Co Vapour phase reaction apparatus
US3757733A (en) * 1971-10-27 1973-09-11 Texas Instruments Inc Radial flow reactor
US3783822A (en) * 1972-05-10 1974-01-08 J Wollam Apparatus for use in deposition of films from a vapor phase
FR2227640B1 (ja) * 1973-04-27 1977-12-30 Radiotechnique Compelec
US3854443A (en) * 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4142004A (en) * 1976-01-22 1979-02-27 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of coating semiconductor substrates
JPS54111771A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Toshiba Corp Gas phase reaction unit of semiconductor substrate
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
US4262631A (en) * 1979-10-01 1981-04-21 Kubacki Ronald M Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge
US4599135A (en) * 1983-09-30 1986-07-08 Hitachi, Ltd. Thin film deposition
JPS60189928A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fujitsu Ltd 減圧気相成長装置
US4629635A (en) * 1984-03-16 1986-12-16 Genus, Inc. Process for depositing a low resistivity tungsten silicon composite film on a substrate
US4596208A (en) * 1984-11-05 1986-06-24 Spire Corporation CVD reaction chamber
JPS6281019A (ja) * 1985-10-04 1987-04-14 Oki Electric Ind Co Ltd 縦形気相化学生成装置
JPH0645885B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPS6357775A (ja) * 1986-08-27 1988-03-12 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Ｃｖｄ薄膜形成装置
JPS6399243A (ja) * 1986-10-15 1988-04-30 Mazda Motor Corp プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645266A (ja) * 1991-12-30 1994-02-18 Texas Instr Inc <Ti> 単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器
JP2008522806A (ja) * 2004-12-06 2008-07-03 キュー チップ リミテッド 流体輸送のための装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0410442A1 (en) 1991-01-30
US4993358A (en) 1991-02-19
KR910002515A (ko) 1991-02-25

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JPH0371624A (ja) 化学的蒸着装置
US6884296B2 (en) Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
EP0550058B1 (en) A programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
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