KR20030008331A - 금속화학기상증착용 반도체 제조장치와 텅스텐 실리사이드및 텅스텐막의 형성방법 - Google Patents

금속화학기상증착용 반도체 제조장치와 텅스텐 실리사이드및 텅스텐막의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치 및 금속막 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 지지대와 기판 지지대의 상부에 설치되어 반도체 기판 상에 반응가스를 분사하는 샤워헤드를 가진 적어도 하나의 반응챔버와, 반응챔버의 외부에 설치되어 반도체 기판에 텅스텐 실리사이드(WSix)와 텅스텐(W) 막 중 어느 하나를 형성할 수 있도록 샤워헤드에 선택적으로 복수의 반응가스를 공급하는 가스공급장치와, 샤워헤드의 상부에 부착되어 상기 가스공급장치로부터 공급되는 상기 복수의 반응가스들을 혼합하여 상기 샤워헤드에 공급하는 가스 혼합부를 포함한다.
그리고, 가스 혼합부와 가스공급장치 연결로 중에 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치의 반응가스의 용량을 선택적으로 공급할 수 있도록 복수의 유량조절기를 부착함으로써, 서로 다른 복수의 금속막 형성 공정, 예를 들면, 텅스텐과 텅스텐 실리사이드 공정에서 어느 하나를 선택적으로 진행할 수 있고 타 공정용 장치의 고장시 이를 대체할 수 있게 되어 공정 처리능력을 향상시킬 수 있다.

Description

금속화학기상증착용 반도체 제조장치와 텅스텐 실리사이드 및 텅스텐막의 형성방법{Semiconductor manufacturing equipment for Metal chemical vapor deposition and method for forming WSix and W film}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 특히 텅스텐 공정용 반도체 제조장치에 관한 것이다.
반도체 공정에서 사용되는 반도체 제조장치는 반도체 기판을 공정처리하기 위해서 장치 내에 반응챔버가 있고, 이 반응챔버 내에서 각각의 공정에 맞게 반도체 기판에 막증착 공정이나 식각공정 등을 진행한다. 특히, 막형성 공정은 반도체 생산공정의 특성 상 각 반도체 제조장치마다 성질이 동일한 공정만을 담당하도록 설치되어 있어, 다른 막질의 공정은 진행이 불가능하게 되어 있다.
그런데, 그러한 공정들 중에 비트라인 형성용의 텅스텐 실리사이드와 전도성 충진막인 텅스텐의 경우, 막의 성질과 사용되는 반응가스는 다르지만 상호 전환이 가능한 공정들이다. 그러나, 전술한 바와 같이, 각 장치마다 하나의 막질만 형성할 수 있도록 장치가 구성되어 있기 때문에 텅스텐 공정용 장비에서 텅스텐 실리사이드 공정은 진행할 수 없다. 따라서, 텅스텐 공정용 반도체 제조장치가 고장이 나거나 공정이 불가하면, 대체할 만한 다른 반도체 제조장치가 없어 생산성이 감소되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 하나의 장치에서 비슷한 복수의 공정을 진행할 수 있어 상호 공정 전환이 용이한 금속화학기상 증착용 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.
그리고, 상호 공정 전환이 가능한 반도체 제조장치를 이용하여 서로 다른 복수의 막을 선택적으로 형성하는 방법, 예를 들어, 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 형성방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 의한 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 반응챔버인 도 1의 'A'부분을 도시한 측단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 반도체 제조장치의 샤워헤드부분과 가스공급라인을 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 제조장비에 의해서 형성된 텅스텐 실리사이드 게이트를 나타낸 반도체 장치의 단면도이다.
도 5는 도 4의 게이트 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 텅스텐 실리사이드(WSix)막 형성방법을 나타낸 단위공정 흐름도이다.
도 7은 본 발명에 의한 텅스텐(W)막 형성방법을 나타낸 단위공정 흐름도이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치는, 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 지지대와 기판 지지대의 상부에 설치되어 반도체 기판 상에 반응가스를 분사하는 샤워헤드를 가진 적어도 하나의 반응챔버와, 반응챔버의 외부에 설치되어 반도체 기판에 텅스텐 실리사이드와 텅스텐 막 중 어느 하나를 선택적으로 형성할 수 있도록 샤워헤드에 선택적으로 복수의 반응가스를 공급하는 가스공급장치와, 샤워헤드의 상부에 부착되어 가스공급장치로부터 공급되는 복수의 반응가스들을 혼합하여 샤워헤드로 공급하는 가스 혼합부를 포함한다.
여기서, 가스공급장치는 텅스텐 소스가스저장부와 실리콘 소스가스저장부를 포함하고 있고, 텅스텐 소스가스로는 WF6가스이며 실리콘 소스가스는 실렌(SiH4)이다. 그리고, 실리콘 소스가스저장부 및 텅스텐 소스가스저장부와 샤워헤드 사이에는 실리콘 소스가스저장부 및 텅스텐 소스가스 저장부로부터 공급되는 유량을 선택적으로 조절할 수 있도록 그 유량에 따라 소량과 대량으로 분리하여 공급할 수 있는 각각 두 개씩의 유량조절기(Mass flow Controller)를 포함하는 것이 추후 텅스텐 공정과 텅스텐 실리사이드 공정을 선택적으로 진행할 수 있어 바람직하다. 여기서 실리콘 소스가스의 경우, 소량은 50 sccm이고 대량은 500 sccm이고, 텅스텐 소스가스의 경우는 소량은 30 sccm이고 대량은 500 sccm이다.
그리고, 샤워헤드 상부에 설치되어 혼합가스를 공급하는 가스 혼합부는 복수의 반응가스 유입부를 포함하고 있고, 이들 복수의 반응가스 유입부는 하나는 실리콘 소스가스 유입부이고 다른 하나는 텅스텐 소스가스 유입부로서 물리적 질이 서로 다른 두 가지의 가스가 반응챔버와 최대한 가까운 위치까지 혼합되지 않고 독립적으로 이동될 수 있어 바람직하다. 여기서, 이러한 반응가스 유입부들은 유입방향이 상호 직각으로 배치되어 있으며, 실리콘소스가스 유입부는 기판에 대해서 수직으로 배치되고, 텅스텐 소스가스 유입부는 상기 실리콘 가스유입방향에 대해서 측방으로 유입되도록 배치되어 있으므로 반응가스들이 가스 혼합부 내에서 상호 수직으로 만나 자연스럽게 혼합되어 혼합효과가 우수하다.
한편, 이상과 같은 구성을 가진 본 발명의 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치에서 본 발명에 의한 텅스텐 실리사이드의 형성방법은, 먼저, 반응챔버 내에 반도체 기판을 넣고 공정 준비를 한다. 이때 반응챔버 내의 압력은 100 mtorr 내지 1000 mtorr로 설정한다. 그리고, 반도체 기판을 300 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 가열한다. 반도체 기판의 온도가 안정이 되면 반도체 기판 상에 반응가스를 공급하여 텅스텐 실리사이드 공정을 진행하는데, 사용되는 반응가스는 WF6와 SiH4이다. 여기서, WF6는 5 sccm 내지 50 sccm의 유량으로 공급되고, SiH4는 500 sccm 내지 600 sccm의 유량으로 공급된다. 그러면, 반도체 기판 상에 텅스텐 실리사이드 막이 형성된다.
또한, 본 발명의 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치에서 본 발명에 의한 텅스텐(W) 막의 형성방법은, 먼저, 반응챔버 내에 반도체 기판을 넣고 공정 준비를한다. 이때 반응챔버 내의 압력은 10 torr 내지 760 torr로 설정한다. 그리고, 반도체 기판을 350 ℃ 내지 600 ℃의 온도로 가열한다. 반도체 기판의 온도가 안정이 되면 반도체 기판 상에 반응가스를 공급하여 텅스텐(W)막 형성 공정을 진행하는데, 사용되는 반응가스는 역시 텅스텐 실리사이드와 동일한 WF6와 SiH4이다. 여기서, WF6는 200 sccm 내지 500 sccm의 유량으로 공급되고, SiH4는 0 sccm 내지 100 sccm의 유량으로 공급된다. 그러면, 반도체 기판 상에 텅스텐 막이 형성된다.
이렇게 본 발명의 텅스텐 실리사이드 공정용 반도체 제조장치는 샤워헤드의 상부에 가스 혼합부를 마련하고 이 가스혼합부로 공급되는 실리콘 소스가스 및 텅스텐 소스가스의 유량을 선택적으로 공급할 수 있도록 각각 두 개씩의 유량조절기(Mass Flow Controller)를 부착함으로써, 하나의 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치에서 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 공정을 선택적으로 진행할 수 있고, 이에 따라 텅스텐 실리사이드용 반도체 제조장치가 고장이 발생하더라도 반도체 기판의 생산능력을 상실하지 않고 일정하게 유지시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 텅스텐 공정용 반도체 제조장치의 평면 개략도이고,도 2는 도 1의 샤워헤드 부분 'A'를 확대하여 도시한 측면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 텅스텐 공정용 반도체 제조장치는, 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있는 기판 지지대(110)와 기판 지지대(110)의 상부에 배치되어 반도체 기판 상에 반응가스를 분사하는 샤워헤드(120)를 갖는 복수의 반응챔버(10)와, 반응챔버(10)의 외부에 설치되어 있어 샤워헤드(120)에 복수의 반응가스를 공급할 수 있는 가스 공급장치(20)를 포함하고 있다. 샤워헤드(120)의 상부에는 가스 공급장치(20)로부터 공급되는 반응가스들을 혼합하여 샤워헤드(120)로 연결 공급하는 가스혼합부(130)가 더 부착되어 있다. 그리고, 반응챔버(10)와 연결되어 반응챔버(10) 내의 압력을 저압으로 유지시킬 수 있는 진공장치(미도시)가 더 포함되어 있다. 여기서, 복수의 반응챔버(10)들은 커다란 대형챔버(5) 내에서 원형의 군을 이루어 방사형으로 배치되어 있고 대형챔버(5)의 일측벽에는 반도체 기판을 반응챔버(10)들 내로 이송할 수 있도록 기판 반입구(15)가 향성되어 있다.
도 2는 반응챔버를 상세히 설명하기 위해서 도시한 측단면도로서, 이를 참조하면, 샤워헤드(120)는 반도체 기판(100) 면과 평행하게 배치되어 판면 상으로 반응가스를 분사할 수 있도록 다수의 분사공(121)이 형성되어 있다. 그리고, 기판 지지대(110)의 상부 외측에는 반도체 기판(100)의 가장자리 부분과 중첩되도록 외측을 따라서 플랜지형으로 형성되어 있어 착탈 가능한 기판 에지커버(11)가 형성되어 있다. 이러한 기판 에지 커버(11)는 텅스텐 증착 시에는 반도체 기판(100)의 가장자리 외측(edge)부분에 텅스텐이 증착되지 않도록 불활성 가스를 불어넣어 주는 유도로(123)를 형성한다. 그리고, 기판 지지대(110)의 몸체 내부에는 반도체기판(100)을 소정온도로 가열할 수 있는 히터(125)가 장착되어 있다. 이러한 히터(125)는 방사용 램프(radiation ramp)를 이용하거나 코일 저항식을 이용하여 기판 지지대(110) 상에 위치한 반도체 기판(100)을 100 ℃ 내지 800 ℃ 까지 가열한다.
도 3은 본 발명의 가스 공급장치로부터 샤워헤드(showerhead)로 공급되는 반응가스를 조절하는 유량조절기의 배치를 나타낸 가스 공급라인의 개략도이다. 여기서는, 본 발명의 핵심이 되는 텅스텐 소스가스와 실리콘 소스가스의 가스공급라인에 대해서 집중적으로 도시하였다. 도시된 바와 같이, 가스공급장치(20)로부터 공급되는 텅스텐 소스가스와 실리콘 소스가스는 각각 WF6와 SiH4이다. 그리고, 각 소스가스의 공급라인(210,230)에 대해서 각각 두 개씩의 유량조절기(213,215 및 233,235)가 병렬로 연결되어 있어 선택적으로 유량을 조절할 수 있도록 구성되어 있다.
즉, 텅스텐 소스가스의 공급라인(230)은, 가스공급장치(20)의 텅스텐 소스가스 저장부(23)로부터 시작된 공급라인(230)은 두 개의 분기라인(230a,230b)으로 분기되어 있다. 이렇게 분기된 각 분기라인(230a,230b)에는 공급량을 소량과 대량으로 구분하여 공급할 수 있도록 소량의 제1유량조절기(233)와 대량의 제2유량조절기(235)가 연결되어 있다. 그리고, 각 유량조절기(233,235)의 후단부는 다시 하나로 합류되어 하나의 공급라인(230)을 형성하며 반응챔버(10) 내로 공급된다. 또한, 각 유량조절기(233,235)의 전단부에는 이들 유량조절기(233,235)와 연동하여 작동되는 정지밸브(231,232)가 더 설치될 수가 있다. 제1유량조절기(233)가개방되면 제1정지밸브(231)가 개방되고 제2정지밸브(232)는 폐쇄되어 제1유량조절기(233)에 의해서 유량이 조절되고, 제2유량조절기(235)가 개방되면 제2정지밸브(232)가 개방되고 제1정지밸브(231)는 폐쇄되어 제2유량조절기(235)에 의해서 유량이 조절될 수 있도록 한다. 본 발명에서 사용되는 WF6용 유량조절기(233,235)는 그 용량이 소량용의 제1유량조절기(233)의 경우, 10 sccm 내지 100 sccm을 적용하고, 대량용의 제2유량조절기(235)의 경우 200 sccm 내지 1000 sccm을 조절할 수 있으면 된다.
실리콘 소스가스인 실렌(SiH4)의 경우에도 전술한 가스공급라인과 동일하게 공급라인(210)이 두 개로 분기된 분기라인들(210a,210b)이 있고, 이들 각 분기라인(210a,210b)에는 소용량 및 대용량의 유량조절기(213,215)와 정지밸브(211,212)가 연결되어 있다. 다만, 유량조절기의 종류와 용량만 다를 뿐 다른 구성은 동일하게 구성할 수 있다. 즉, 유량조절기(213,215)는 실렌(SiH4)가스용으로 장착하여야 하며 조절 용량도 소용량 유량조절기(213)는 30 sccm 내지 100 sccm의 용량을 적용하고 대용량 유량조절기(215)는 400 sccm 내지 1000 sccm의 용량을 조절할 수 있으면 된다.
샤워헤드(120)로 공급되는 가스공급라인을 보면, 실렌(SiH4) 가스는 그 분사방향이 샤워헤드(120)의 판면에 대해서 수직으로 배치되어 가스 혼합부(130)에 연결되어 바로 반고체 기판(100) 상에 분사되도록 구성되어 있다. 반면에, WF6가스는실렌(SiH4)가스의 유동방향과는 수직으로 배치되어 가스 혼합부(130)의 측방으로 연결되어 있다. 그리하여 실렌(SiH4) 가스가 유동하면서 WF6가스를 자연스럽게 혼합하여 샤워헤드(120)로 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 그리하여 이렇게 혼합된 반응가스는 샤워헤드(120)에 형성된 분사공(121)을 통하여 반도체 기판(100) 상으로 공급된다.
이와 같은 구성을 가진 본 발명의 텅스텐 공정용 반도체 제조장치는, 텅스텐 공정과 텅스텐 실리사이드 공정을 필요에 따라 선택적으로 진행할 수 있다. 그리하여, 콘택필(Contact Filling) 공정으로서 텅스텐(W) 막을 형성하는 공정을 진행할 수 있고, 실리사이드 게이트(Silicide gate) 형성 시에 진행되는 실리사이드 공정도 진행할 수 있다. 즉, 텅스텐 공정을 진행할 시에는 대용량의 WF6가스와 소용량의 실렌(SiH4)가스를 공급하여야 하기 때문에, 대용량의 WF6의 제2유량조절기(235)와 소용량의 실리콘 소스가스의 제3유량조절기(213)를 이용하면 텅스텐 막형성 공정을 진행할 수 있다. 반대로, 텅스텐 실리사이드 공정 진행 시에는, 대용량의 실렌(SiH4)가스와 소량의 WF6를 공급해야하므로 제1유량조절기(233)와 제4유량조절기(215)를 작동시키면, 텅스텐 실리사이드 공정을 진행할 수 있다. 여기서, 각 반응가스(WF6와 SiH4)의 두 개의 유량조절기 중 어느 하나가 개방되면 장지밸브가 연동하여 작동함으로써, 다른 하나는 폐쇄되어 작동하지 않도록 제어된다.
도 4는 본 발명의 반도체 제조장치에 의해서 형성된 텅스텐사이드 게이트를 나타낸 단면도이고, 도 5는 게이트 하나를 확대하여 나타낸 확대 단면도이다. 도시된 바와 같이, 일반적으로 반도체 제조장치의 게이트는, 반도체 기판(100) 상에 형성된 게이트 절연막(1011)과 그 위에 도전성의 게이트라인(1012+1013)과 이 게이트 라인(1012,1013)의 측벽과 상부에 형성된 절연막(1014)으로 형성되어 있다. 본 발명의 반도체 제조장치에 의해서 형성된 텅스텐 실리사이드(1013)는, 반도체 장치의 중요한 요소인 게이트 라인(1012+1013)을 형성하기 위한 중요한 막질로서, 폴리실리콘(Poly-crystalline Silicon,1012)을 완충막으로 하여 그 위에 형성된다.
도 6은 본 발명의 텅스텐 및 텅스텐 실리사이드 공정을 선택적으로 진행할 수 있는 반응챔버를 가진 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치를 이용하여 텅스텐 실리사이드를 형성하는 방법을 나타낸 단위공정 흐름도이다. 이를 참조하면, 먼저 반응챔버 내에 반도체 기판을 넣고 공정을 준비한다. 이때, 반응챔버 내의 압력은 100 mtorr 내지 1000 mtorr의 저압으로 유지한다. 그런 다음, 반도체 기판을 텅스텐 실리사이드 공정에 적합한 300 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 가열한다. 그리하여, 반도체 기판의 온도가 안정되면 반도체 기판 상에 텅스텐 소스가스와 실리콘 소스가스를 함께 공급한다. 이 때, 텅스텐 소스가스는 WF6가스이고 실리콘 소스가스는 실렌(SiH4)으로서, WF6는 5 sccm 내지 50 sccm의 유량으로 공급되고 SiH4가스는 500 sccm 내지 600 sccm의 유량으로 공급된다. 그러면, 반도체 기판 상에서 WF6 가스로부터 W이 해리되어 반도체 기판 상에 흡착되고, SiH4가스로부터 Si 원자가 해리되어 실리콘 기판 상의 텅스텐(W)과 반응하여 반도체 기판 상에 WSix(텅스텐 실리사이드)막을 형성한다.
도 7은 전술한 텅스텐 실리사이드 공정을 실행한 동일한 반도체 제조장치를 이용한 텅스텐 형성방법을 나타낸 단위공정 흐름도이다. 기본적으로 단위 공정 단계들은 텅스텐 실리사이드와 동일하지만, 각 단계의 공정을 진행하기 위한 조건들이 서로 상이하다. 즉, 반도체 공정을 진행하기 위한 반응챔버 내의 압력이 텅스텐 실리사이드(WSix) 보다 훨씬 높은 100 torr 내지 760 torr에서 유지된다. 그리고, 반도체 기판의 공정온도는 350 ℃ 내지 600 ℃이다. 또한, 반응가스의 공급량에서도, WF6가스는 200 sccm 내지 500 sccm이고 SiH4가스는 0 내지 100 sccm이다. 그러면, 반도체 기판 상에 텅스텐 막이 형성된다.
이와 같이, 본 발명의 텅스텐 공정용 반도체 제조장치는, 실리콘 소스가스와 텅스텐 소스가스를 선택적으로 조절할 수 있도록 각각의 공급라인에 두 개의 유량조절기를 마련함으로써, 하나의 반도체 제조장치에서 텅스텐 공정뿐만 아니라 텅스텐 실리사이드 공정까지 함께 진행할 수 있는 공정간 상호 호환성을 갖는 장점이 있다.
한편, 본 발명의 텅스텐 공정용 반도체 제조장치는, 텅스텐 실리사이드 공정용으로 실리콘 소스가스로서 SiH2Cl2(DCS)가스를 사용할 수 있으며 그럴 경우에는 텅스텐 공정용 실렌(SiH4)가스라인 외에 별도의 DCS 가스용 가스라인을 더 마련하고, DCS 가스용 유량조절기를 설치해야한다. 그러면, 텅스텐 공정시에는 대용량WF6 유량조절기와 소량의 SiH4유량조절기를 사용하고, 텅스텐 실리사이드 공정시에는 소용량 WF6유량조절기와 DCS용 유량조절기를 사용한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치는, 샤워헤드에 가스혼합부를 마련하고 공급되는 반응가스를 수직으로 합류하도록 구성하고 각 반응가스 공급라인에 각각 용량이 다른 유량조절기를 설치하여 용량을 선택적으로 공급할 수 있도록 함으로써, 하나의 장치에서 텅스텐 막형성과 텅스텐 실리사이드 공정을 선택적으로 진행할 수 있다.
그리고, 다른 이들 금속 화학기상증착용 반도체 제조장치 중 하나가 고장으로 인해 정지되더라도 다른 장치에서 공정을 상호 전환하여 진행할 수 있으므로, 불예측의 반도체 제조장치의 다운에 의한 생산성 감소를 방지하고 따라서 전체적인 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 지지대와 상기 기판 지지대의 상부에 설치되어 상기 반도체 기판 상에 반응가스를 분사하는 샤워헤드를 가진 적어도 하나의 반응챔버;
    상기 반응챔버의 외부에 설치되어 상기 반도체 기판에 서로 다른 다수의 막을 형성하기 위한 복수의 반응가스를 상기 샤워헤드에 공급하되 상기 다수의 막 중어느 하나를 형성하도록 상기 복수의 반응가스 중 일부를 선택적으로 공급하는 가스공급장치; 및
    상기 샤워헤드의 상부에 부착되어 상기 가스공급장치로부터 공급되는 상기 복수의 반응가스들을 혼합하여 상기 샤워헤드에 공급하는 가스 혼합부를 포함하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스공급장치는 텅스텐 소스가스저장부와 실리콘 소스가스저장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 텅스텐 소스가스저장부는 텅스텐 소스가스로 WF6가스를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 텅스텐 소스저장부와 상기 샤워헤드 사이에는 공급되는 유량을 소량과 대량으로 각각 분리하여 선택적으로 조절할 수 있는 제1유량조절기(Small Mass Flow Controller)와 제2유량조절기(Large Mass Flow Controller)를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1유량조절기를 통해 10 sccm 내지 100 sccm의 용량이 상기 가스 혼합부로 공급되고, 상기 제2유량조절기를 통해 200 sccm 내지 1000 sccm의 용량이 상기 가스 혼합부로 공급되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 실리콘 소스가스저장부는 실리콘 소스로서 실렌(SiH4)을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 실리콘 소스가스저장부와 상기 샤워헤드 사이에는 공급되는 유량을 소량과 대량으로 각각 분리하여 선택적으로 조절하는 제3유량조절기(Small Mass Flow Controller)와 제4유량조절기(Large Mass flow Controller)를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제3유량 조절기를 통해 30 sccm 내지 100 sccm의 용량이 상기 혼합부로 공급되고, 제3유량 조절기를 통해 400 sccm 내지 1000 sccm의 용량이 상기 가스 혼합부로 공급되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  9. 제2항에 있어서, 상기 가스 혼합부는 복수의 반응가스 유입부를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 반응가스 유입부는 실리콘 소스가스 유입부와 텅스텐 소스가스 유입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 복수의 반응가스 유입부들 중 어느 하나와 다른 하나는 유입방향이 상호 직각으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 실리콘소스가스 유입부는 기판에 대해서 수직으로 배치되고, 상기 텅스텐 소스가스 유입부는 상기 실리콘 가스유입방향에 대해서 측방으로 유입되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 공정용 반도체 제조장치.
  13. 반도체 기판 상에 텅스텐 실리사이드(WSix)와 텅스텐(W) 막 중 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있는 금속 화학증착용 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 반응챔버 내에 반도체 기판을 넣고 공정을 준비하는 단계;
    상기 반도체 기판을 300 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 가열하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 텅스텐 소스가스로서 5 sccm 내지 50 sccm의 WF6 가스와 실리콘 소스가스로서 500 sccm 내지 600 sccm의 실렌(SiH4) 가스를 공급하는 단계를 포함하는 텅스텐 실리사이드 형성방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 공정을 준비하는 단계는 상기 반응챔버 내의 압력을 100 mtor 내지 1000 mtorr로 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐실리사이드 형성방법.
  15. 반도체 기판 상에 텅스텐 실리사이드(WSix)와 텅스텐(W) 막 중 어느 하나를 선택하여 형성할 수 있는 금속 화학증착용 반도체 제조장치에 있어서,
    상기 반응챔버 내에 반도체 기판을 넣고 공정을 준비하는 단계;
    상기 반도체 기판을 350 ℃ 내지 600 ℃의 온도로 가열하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 200 sccm 내지 500 sccm의 WF6가스와 0 sccm 내지 100 sccm의 실렌(SiH4)가스를 공급하는 단계를 포함하는 텅스텐 실리사이드 형성방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 공정을 준비하는 단계는 상기 반응챔버 내의 압력을 10 torr 내지 760 torr로 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 실리사이드 형성방법.
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