KR101822996B1 - 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 측면은 복수의 인젝터부가 회전하지 않으면서도 회전형 가스공급장치와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있는 가스공급장치를 제공하는 것에 있으며, 이러한 발명의 실시예에 따른 가스공급장치는 챔버에 고정되는 본체부와, 본체부의 상부에 구비되어 서로 다른 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 복수의 공정가스 도입부와, 본체부의 하부에 접속되어 복수의 공정가스 도입부와 독립적으로 접속되는 다 분류의 홀 패턴이 형성된 코어부와, 다 분류의 홀 패턴에 독립적으로 각각 접속되어 방사형으로 배치되는 복수의 인젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치{GAS SUPPLY DEVICE AND BOARD TREATMENT APPARATUS COMPRISING THEREOF}

본 발명은 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 인젝터부가 회전하지 않으면서도 회전형 가스공급장치와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있는 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치에 관한 것이다.

일반적으로 메모리 소자, 표시 장치, 발광 장치 등을 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼나 글래스 기판 상에 박막 증착, 사진 및 식각, 세정 공정 등을 반복하여 복수의 패턴 또는 구조를 형성하게 된다. 그 중에서 박막 증착을 위해서는 다양한 방법이 있으나, 최근에는 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있고, 스텝 커버러지(step coverage)가 매우 우수한 원자층 증착(Atomic Layer Deposition) 방법의 사용이 증가되고 있다. ALD 방법은 기판이 안치된 챔버 내부에 원료 물질의 공급 및 퍼지, 반응 물질의 공급 및 퍼지의 1 주기를 반복하여 원료물질과 반응 물질을 기판의 표면에서 반응시켜 소정의 박막을 형성하는 공정이다.

이러한 ALD 방법은 공정 물질의 공급 시간을 조절함으로써 박막 두께를 정밀하게 조절할 수 있다.

한편, ALD 방법의 생산성을 향상시키기 위해 여러 장의 웨이퍼를 한꺼번에 처리하는 세미배치(semi batch) 타입의 공정 챔버가 사용된다. 또한, 챔버 내부에 복수의 인젝터부를 포함하는 가스공급장치를 설치하고 복수의 인젝터부를 일 방향으로 회전하면서 웨이퍼 상에 원료 가스, 퍼지 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 순차적으로 분사하여 웨이퍼 상에 ALD 방법으로 박막을 증착하게 된다. 또한, 복수의 인젝터부로부터 동일 가스를 분사하도록 함으로써 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 가능하게 된다.

이러한 회전형 가스공급장치의 장점 중의 하나는 CVD 공정을 진행하면서 ALD 공정적인 효과를 얻을 수 있다.

복수의 인젝터부가 챔버 내부에서 회전하면 회전하는 부분으로부터 파티클이 발생될 수 있고, 그로 인해 복수의 인젝터부가 파티클 소오스로 작용할 수 있다.

또한, 복수의 인젝터부에 각각 원료 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스를 공급하는데, 이들 가스의 공급로를 격리시키기 위한 장치의 구조가 복잡하고 비용이 많이 소요되는 문제가 있다.

또한, 회전형 가스공급장치는 가스 분사 기능과 동시에 회전 기능 구현을 위해 자성유체(Ferro-fluid)를 사용하고 있으나, 이러한 자성유체는 내열성, 내식성, 내화학성 등과 같은 측면에서는 문제점을 지니고 있다.

본 발명의 일 측면은 복수의 인젝터부가 회전하지 않으면서도 회전형 가스공급장치와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있는 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 다른 측면은 서로 다른 세 분류 이상의 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 공정가스 도입부의 홀들과 각각 접속되는 홀 패턴이 형성된 코어부를 구비하여, 이러한 코어부와 인젝터부가 접속되므로 다양한 공정의 구현이 가능하도록 하는 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 또 다른 측면은 코어부의 센터홀을 통하여 분사되는 센터 퍼지를 통하여 공정가스가 센터에서 외곽으로 확산되도록 하는 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치는 챔버에 고정되는 본체부와, 상기 본체부의 상부에 구비되어 서로 다른 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 복수의 공정가스 도입부와, 상기 본체부의 하부에 접속되어 상기 복수의 공정가스 도입부와 독립적으로 접속되는 다 분류의 홀 패턴이 형성된 코어부와, 상기 다 분류의 홀 패턴에 독립적으로 각각 접속되어 방사형으로 배치되는 복수의 인젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 공정가스 도입부는 상기 본체부의 제1높이에서 제1입력포트로 제1공정가스와 접속되는 제1공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제2높이에서 제2입력포트로 제2공정가스와 접속되는 제2공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제3높이에서 제3입력포트로 제3공정가스와 접속되는 제3공정가스 도입부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 제1공정가스, 제2공정가스, 제3공정가스는 각각 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 중 어느 하나에 할당되는 것을 특징으로 한다.

또한, 제1공정가스 도입부는 상기 제1높이에서 서로 동일한 각도로 분할 형성되는 복수의 제1홀들을 구비하며, 상기 제2공정가스 도입부는 상기 제2높이에서 상기 복수의 제1홀들과 어긋나는 위치에서 상기의 복수의 제1홀들을 분할하는 각도 상에 각각 형성되는 복수의 제2홀들을 구비하며, 상기 제3공정가스 도입부는 상기 제3높이에서 상기 복수의 제1홀들 및 제2홀들과 어긋나는 위치에서 상기 복수의 제1홀들과 제2홀들 사이를 분할하는 각도 상에 각각 형성되는 복수의 제3홀들을 구비하며, 상기 다 분류의 홀 패턴은 상기 제1홀들, 제2홀들, 제3홀들에 대응 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 다 분류의 홀 패턴은 상기 제1홀들, 제2홀들, 제3홀들과 대응 형성되고, 상기 방사형으로 배치되는 인젝터와 독립적으로 각각 연결되는 것을 특징으로 한다.

또한, 제1홀들은 상기 본체부의 중심에 인접한 제1원주부를 따라서 형성되며, 상기 제2홀들은 상기 본체부의 제1원주부에서 상기 제1홀들과 어긋나는 위치 상에서 형성되며, 상기 제3홀들은 상기 제1원주부와 다른 위치에서 상기 본체부의 외곽에 인접한 제2원주부에서 상기 복수의 제1홀들과 제2홀들을 분할하는 각도에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 다 분류의 홀 패턴은 상기 복수의 제1홀들이 상기 코어부로 투영되어 상기 제1홀들과 연통되게 형성되는 제1홀 패턴과, 상기 복수의 제2홀이 상기 코어부로 투영되어 상기 제2홀들과 연통되게 형성되는 제2홀 패턴과, 상기 복수의 제3홀이 상기 코어부로 투영되어 상기 제3홀들과 연통되게 형성되는 제3홀 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 제1 내지 제3공정가스 도입부와 상기 다 분류의 홀 패턴을 각각 독립적으로 연결하는 복수의 공정가스 공급관을 더 포함하며, 상기 복수의 가스 공급관은 상기 제1공정가스 도입부와 상기 제1홀 패턴을 연결하는 복수의 제1공정가스 공급관과, 상기 제2공정가스 도입부와 상기 제2홀 패턴을 연결하는 복수의 제2공정가스 공급관과, 상기 제3공정가스 도입부와 상기 제3홀 패턴을 연결하는 복수의 제3공정가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.

또한, 인젝터부는 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제1홀 패턴에 각각 접속되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제2홀 패턴에 접속되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제3홀 패턴에 접속되는 복수의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제3인젝터 로드 각각은 상기 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드와 상기 복수의 제2인젝터 로드는 원료가스 또는 반응가스를 분사하고, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에 배치되되 상기 제2인젝터 로드와 중첩되지 않는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드 각각은 상기 제2인젝터 로드와 제3인젝터 로드 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 퍼지가스를 분사하고, 상기 복수의 제2인젝터 로드와 상기 제3인젝터 로드는 원료가스 또는 반응가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 공정가스 도입부는 각각 상기 본체부의 둘레를 따라 형성되는 환상의 가스 확산로와, 상기 가스 확산로를 둘러싸는 슬리브를 구비하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본체부와 코어부를 상하 방향으로 관통 형성되어 퍼지 가스를 분사하는 센터 홀을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 센터 홀에 결합되는 센터 퍼지 인젝터를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 인젝터부는 상기 코어부에 수용되어 상기 본체부에 결합되는 실링재를 더 구비하며, 상기 실링재는 상기 다 분류의 홀 패턴의 주위에 그루브를 구비하여 상기 본체부와 볼트 체결되는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 인젝터부에는 복수의 인젝터부를 서로 연결하도록 원형 형태의 띠가 형성되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치를 다른 측면에서 본다면, 챔버에 고정되는 본체부와, 상기 본체부의 제1높이에 형성되어 제1공정가스와 접속되는 제1홀들을 가지는 제1공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제2높이에 형성되어 제2공정가스와 접속되는 제2홀들을 가지는 제2공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제3높이에 형성되어 제3공정가스와 접속되는 제3홀들을 가지는 제3공정가스 도입부와, 상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 제1홀들과 연통되도록 상기 제1홀들이 투영되어 형성된 제1홀 패턴과, 상기 제2홀들과 연통되도록 상기 제2홀들이 투영되어 형성된 제2홀 패턴과, 제3홀들과 연통되도록 상기 제3홀들이 투영되어 형성된 제3홀 패턴이 구비된 코어부와, 상기 제1홀 패턴에 접속되어 방사형으로 외측으로 연장되어 배치되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 제2홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 제3홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제3인젝터 로드를 구비하는 인젝터부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 배치되되 상기 2개의 제2인젝터 로드와는 중첩되지 않는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 반응 공간을 마련하는 챔버와, 상기 챔버 하측에 마련된 서셉터와, 상기 챔버에 안치된 기판 상에 공정 가스를 동시에 공급하는 가스공급장치를 포함하며, 상기 가스공급장치는 상기 챔버에 고정되는 본체부와, 상기 본체부의 상부에 구비되어 서로 다른 세 분류의 공정가스와 독립적으로 접속되는 세 분류의 홀들을 각각 가지는 공정가스 도입부와, 상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 세 분류의 홀들과 각각 독립적으로 접속되는 세 분류의 홀 패턴을 가지는 코어부와, 상기 코어부의 측벽을 통해 상기 세 분류의 홀 패턴과 독립적으로 접속되되 상기 코어부의 중심에서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 세 분류의 인젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 세 분류의 홀들은 상기 본체부의 상단, 중단, 하단에서 서로 어긋나는 위치에 차례대로 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 세 분류의 홀 패턴은 상기 세 분류의 홀들이 상기 코어부의 내부로 투영되어 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 챔버의 상부를 이루는 챔버 리드의 하부면에는 상기 세 분류의 인젝터부와 동일한 패턴으로 그루브가 형성되며, 상기 세 분류의 인젝터부는 각각 상기 챔버 리드에 매립 설치되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 다른 측면에서 본다면, 반응 공간을 마련하는 챔버와, 상기 챔버 하측에 마련된 서셉터와, 상기 챔버에 안치된 기판 상에 공정 가스를 동시에 공급하는 가스공급장치를 포함하며, 상기 가스공급장치는 상기 챔버에 고정되는 본체부와, 상기 본체부의 제1높이에 형성되어 제1공정가스와 접속되는 제1홀들을 가지는 제1공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제2높이에 형성되어 제2공정가스와 접속되는 제2홀들을 가지는 제2공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제3높이에 형성되어 제3공정가스와 접속되는 제3홀들을 가지는 제3공정가스 도입부와, 상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 제1홀들과 연통되도록 상기 제1홀들이 투영되어 형성된 제1홀 패턴과, 제2홀들과 연통되도록 상기 제2홀들이 투영되어 형성된 제2홀 패턴과, 제3홀들과 연통되도록 상기 제3홀들이 투영되어 형성된 제3홀 패턴이 구비된 코어부와, 상기 제1홀 패턴에 접속되어 방사형으로 외측으로 연장되어 배치되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 제2홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 제3홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제3인젝터 로드를 구비하는 인젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 상기 제2인젝터 로드와 중첩되지 않도록 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치는 복수의 인젝터부가 회전하지 않으면서도 회전형 가스공급장치와 거의 동일한 효과를 얻을 수 있게 된다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치는 서로 다른 세 분류 이상의 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 공정가스 도입부의 홀들과 각각 접속되는 홀 패턴이 형성된 코어부를 구비하여, 이러한 코어부와 인젝터부가 접속되므로 다양한 공정의 구현이 가능하도록 한다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치 및 이를 포함하는 기판처리장치는 코어부의 센터홀을 통하여 분사되는 센터 퍼지를 통하여 공정가스가 센터에서 외곽으로 확산되도록 하여 공정효율을 개선할 수 있도록 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치를 포함하는 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급장치를 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 가스공급장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 제1공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 제2공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 제3공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 복수의 인젝터부를 나타낸 저면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급장치의 센터홀에 연결되는 퍼지 인젝터를 나타낸 다양한 변형례이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치의 본체부와 인젝터부의 결합 방법은 나타낸 도면이다.
도 10은 인젝터부가 챔버 리드에 결합되는 구조를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스공급장치를 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 인젝터부를 나타낸 저면도이다.
도 13는 도 11에 도시된 제1공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.
도 14는 도 11에 도시된 제2공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 11에 도시된 제3공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치를 포함하는 기판처리장치를 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급장치를 나타낸 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시된 가스공급장치를 나타낸 단면도이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(10)는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 챔버(100)의 반응 공간에 위치하여 기판(20)을 안치하는 서셉터(200)와, 챔버(100)의 반응 공간에 복수의 공정가스를 독립적으로 분사하기 위하여 서로 동일한 각도로 분할하여 배치되는 복수의 인젝터부(350)를 구비하는 가스공급장치(300)를 포함하여 구성된다.

챔버(100)는 내부 공간을 갖는 챔버 몸체(110)와, 챔버 몸체(110)에 착탈 가능하도록 결합되어 반응 공간을 밀봉시키는 챔버 리드(120)를 구비한다. 챔버 몸체(110)는 상부가 개방된 통 형상으로 제작되고, 챔버 리드(120)는 챔버 몸체(110)의 상부를 차폐하는 판 형상으로 제작된다. 여기서, 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(110)와 챔버 리드(120)의 결합면에는 오링 또는 가스켓과 같은 별도의 밀봉 부재가 마련될 수 있다. 또한, 챔버 몸체(110)와 챔버 리드(120)를 결합 고정시키는 별도의 고정 부재가 더 구비될 수도 있다.

그리고, 챔버 몸체(110)의 일측에는 기판(20)이 출입하는 출입구가 마련되고, 챔버 몸체(110)의 적어도 일 영역에는 적어도 하나의 배기구(130)가 마련된다. 배기구(130)는 배기 장치(미도시)와 연결되어 배기 장치에 의해 챔버(100) 내부의 압력이 조절되고 미반응 공정가스 등을 배기할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 다양한 구조의 챔버가 사용될 수 있다.

서셉터(200)는 적어도 하나의 기판(20)을 안치하는 안치판(210)과, 안치판(210)을 승강시키는 안치판 구동부(220)와, 안치판 구동부(220)와 안치판(210)을 연결하는 연결축(230)을 구비한다.

또한, 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 위한 복수의 리프트 핀부(미도시)를 더 구비할 수 있다. 안치판(210)은 판 형태로 제작되어 그 상부에 적어도 하나의 기판(20)이 안치된다.

예를 들어 안치판(210) 상에 4개의 기판(20)이 안치되면 한번의 증착 공정을 수행하여 4개의 기판 상에 박막을 증착할 수 있다. 이때, 안치판(210)에 안치되는 기판의 개수는 안치판(210)의 사이즈와 기판의 사이즈 등에 따라 조절될 수 있다.

또한, 기판(20)은 안치판(210)의 중심을 기준으로 방사상 형태로 배치되는 것이 효과적이다. 즉, 안치판(210)의 중심과 다수의 기판(20)들의 중심간의 거리가 각기 서로 동일하게 배치된다. 따라서, 안치판(210)의 중심에는 기판(20)이 안치되지 않은 공간이 마련된다.

또한, 안치판(210) 내부에 기판(20)을 가열하여 기판을 공정 온도로 조절할 수 있는 온도 조절 수단(미도시)가 마련될 수 있다. 물론, 온도 조절 수단은 안치판(210)의 내부 뿐만 아니라 표면에 위치할 수 있고, 안치판(210) 외측에 위치할 수도 있다.

안치판(210)은 안치판 구동부(220)에 의해 상승 및 하강하고 회전한다. 이를 통해 기판(20)의 공정 위치를 설정할 수 있고, 기판(20)의 로딩 및 언로딩을 용이하게 수행할 수도 있다. 이때, 안치판 구동부(220)로 모터를 구비하는 스테이지를 사용할 수 있다. 그리고, 안치판 구동부(220)는 챔버(100)의 외측에 마련되는 것이 효과적이다. 이를 통해 안치판 구동부(220)의 움직임에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다. 여기서, 연결축(230)에 의해 안치판 구동부(220)의 구동력(상승 및 하강력 그리고 회전력)이 안치판(210)에 전달된다. 연결축(230)은 챔버(100)의 바닥면을 관통하여 안치판(210)에 접속된다. 이때, 연결축(230)이 관통하는 챔버(100)의 관통홀 영역에는 챔버의 밀봉을 위한 밀봉 수단(예를 들어, 밸로우즈)이 마련될 수 있다.

가스공급장치(300)는 챔버(100)에 고정되는 본체부(310)와, 본체부(310)의 상부에 구비되어 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 복수의 공정가스 도입부(320)와, 본체부(310)의 하부에 접속되어 복수의 공정가스 도입부(320)와 각각 독립적으로 접속되는 다 분류의 홀 패턴(331)이 형성된 코어부(330)와, 복수의 공정가스 도입부(320)와 다 분류의 홀 패턴(331)을 독립적으로 연결하는 복수의 공정가스 공급관(340)과, 다 분류의 홀 패턴(331)에 각각 독립적으로 접속되어 방사형으로 배치되는 복수의 인젝터부(350)를 포함한다.

본체부(310)는 챔버 리드(120)에 고정되는 원통 형상의 고정통(310)을 포함할 수 있다. 이러한 본체부(310)는 외경이 다른 2개의 원통을 상하로 적층한 외관 형상으로 구성되어 있다.

본체부(310)는 상측에 배치되어 작은 외경으로 형성된 제1본체부(311)와, 하측에 배치되어 큰 외경으로 형성된 제2본체부(312)를 구비한다.

제1본체부(311)에는 후술하는 복수의 공정가스 도입부(320)가 상단, 중단, 하단에 순차적으로 형성되어 있고, 제2본체부(312)는 챔버 리드(120)의 상면에 고정되어 회전되지 않도록 한다.

복수의 공정가스 저장원(A,B,C)은 서로 다른 세 분류 이상의 공정가스를 저장하는 제1공정가스 저장원(A), 제2공정가스 저장원(B), 제3공정가스 저장원(B)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1공정가스(G1), 제2공정가스(G2), 제3공정가스(G3)는 각각 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스 중 어느 하나에 할당된다.

예를 들어, 제1공정가스(G1)는 원료가스이고, 제2공정가스(G2)는 반응가스이면, 제3공정가스(G3)는 퍼지가스일 수 있다. 또한, 제1공정가스(G1)가 반응가스이고, 제2공정가스(G2)가 퍼지가스이면, 제3공정가스(G3)는 원료가스일 수 있다.

원료가스 저장원 및 반응가스 저장원은 기판(20) 상에 증착하려는 막의 종류에 따라 다양한 물질을 저장할 수 있다.

예를 들어 기판(20) 상에 ZnO막을 증착하기 하는 경우 원료가스 저장원은 Zn 원료, 예를 들어 Zn(C2H5)2(diethylzinc; DEZ)를 저장할 수 있고, 반응가스 저장원은 산화 가스, 예를 들어 산소(O2), 오존(O3), H2O 등을 포함할 수 있다.

한편, 원료가스 저장원 및 반응가스 저장원은 액체 상태의 물질을 저장하고 이를 기화시켜 공급할 수도 있는데, 이를 위해 원료가스 저장원 및 반응가스 저장원에는 기화기가 포함될 수 있다.

또한, 퍼지가스 저장원은 ALD 공정에서 챔버 내에 잔류하는 비반응 원료가스 및 반응가스를 퍼지하기 위한 것으로, 예를 들어 질소 등의 불활성 가스를 저장할 수 있다.

본체부(310)의 상부에는 서로 다른 복수의 공정가스(G1,G2,G3)와 각각 독립적으로 접속되는 복수의 공정가스 도입부(320)가 구비된다.

이러한 복수의 공정가스 도입부(320)는 본체부(310)의 상단에서 제1입력포트(321B)로 제1공정가스(G1)와 접속되는 제1공정가스 도입부(321)와, 본체부(310)의 중단에서 제2입력포트(322B)로 제2공정가스(G2)와 접속되는 제2공정가스 도입부(322)와, 본체부(310)의 하단에서 제3입력포트(323B)로 제3공정가스(G3)와 접속되는 제3공정가스 도입부(323)를 포함한다.

제1공정가스 도입부(321), 제2공정가스 도입부(322), 제3공정가스 도입부(323)는 각각 퍼지가스 저장원, 반응가스 저장원, 원료가스 저장원 중 어느 하나에 접속될 수 있다.

도 4는 도 3에 도시된 제1공정가스 도입부를 나타낸 단면도이며, 도 5는 도 3에 도시된 제2공정가스 도입부를 나타낸 단면도이며, 도 6은 도 3에 도시된 제3공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.

도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 제1공정가스 도입부(321)는 제1본체부(311)의 외주면 상단 측에서 외주면의 둘레 방향의 전체면에 걸쳐서 형성된 환상 유로인 제1공정가스 확산로(321A)와, 제1공정가스 확산로(321A)와 제1공정가스 저장원(A)을 연결하는 제1입력포트(321B)와, 외주면 상단에서 서로 동일한 각도로 분할 형성되는 복수의 제1홀들(321C)을 구비한다.

제2공정가스 도입부(322)는 제1본체부(311)의 외주면 중단 측에서 외주면의 둘레 방향의 전체면에 걸쳐서 형성된 환상 유로인 제2공정가스 확산로(322A)와, 제2공정가스 확산로(322A)와 제2공정가스 저장원(B)을 연결하는 제2입력포트(322B)와, 외주면 중단에서 제1공정가스 도입부(321)의 복수의 제1홀들(321C)과 어긋나는 위치에서 복수의 제1홀들(321C)을 분할하는 각도 상에 형성되는 복수의 제2홀들(322C)을 구비한다.

제3공정가스 도입부(323)는 제3본체부(310)의 외주면 하단 측에서 외주면의 둘레 방향의 전체면에 걸쳐서 형성된 환상 유로인 제3공정가스 확산로(323A)와, 제3공정가스 확산로(323A)와 제3공정가스 저장원(B)을 연결하는 제3입력포트(323B)와, 외주면 하단에서 제1 및 제2공정가스 도입부(322)의 제1홀들(321C) 및 제2홀들(322C)과 어긋나는 위치에서 제1홀들(321C)과 제2홀들(322C) 사이를 분할하는 각도 상에 형성되는 복수의 제3홀들(323C)을 구비한다.

이러한 제1입력포트(321B), 제2입력포트(322B), 제3입력포트(323B)로부터 각각 공급된 제1공정가스(G1), 제2공정가스(G2), 제3공정가스(G3)는 제1공정가스 확산로(321A), 제2공정가스 확산로(322A), 제3공정가스 확산로(323A) 내를 각각 확산하여 복수의 제1홀들(321C), 제2홀들(322C), 제3홀들(323C)을 거쳐 후술하는 코어부(330)의 다 분류의 홀 패턴(331)을 통해 독립적으로 복수의 인젝터부(350)로 흘러 챔버(100) 내부로 공급된다.

여기서, 제1홀들(321C)은 본체부(310)의 상단에서 제1원주부(310A)를 따라서 형성되며, 제2홀들(322C)은 본체부 제1원주부(310A)에서 제1홀들(321C)과 어긋나는 위치 상에서 형성되며, 제3홀들(323C)은 제1원주부(310A)와 어긋나는 제2원주부(310B)에서 복수의 제1홀들(321C)과 제2홀들(322C)을 분할하는 각도에 각각 형성될 수 있다.

한편, 각 공정가스 도입부(321,322,323)는 각 공정가스 확산로(321A,322A,323A)를 둘러싸는 슬리브(미도시)를 구비하고 있다.

제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C)은 본체부 제1원주부(310A) 상단에서 0도, 90도, 180도, 270도의 각도에 분할하여 형성된 4개의 제1홀들(321C)을 포함할 수 있다.

그리고, 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C)은 본체부 제1원주부(310A) 중단에서 제1홀들(321C)의 중간 각도에 해당하는 각도 상에 분할하여 형성되어 있다. 즉, 제2홀들(322C)은 본체부 제1원주부(310A) 중단에서 45도, 225도, 135도, 315도의 각도에 분할하여 형성된 4개의 제2홀들(322C)을 포함할 수 있다.

그리고, 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)은 제1홀들(321C)과 제2홀들(322C)의 중간 각도에 해당하는 각도 상에 분할하여 형성되어 있다. 즉, 제3홀들(323C)은 본체부 제2원주부(310B) 하단에서 22.5도, 67.5도, 112.5도, 157.5도, 202.5도, 247.5도, 292.5도, 337.5에 분할하여 형성된 8개의 제3홀들(323C)을 포함할 수 있다.

이러한 제1홀들(321C), 제2홀들(322C), 제3홀들(323C)은 코어부(330)의 세 분류의 홀 패턴(331)을 통하여 후술하는 인젝터부(350)와 접속된다.

코어부(330)는 원통 형상의 본체부(310)의 하단에 접속되어 있는데, 이러한 코어부(330)는 챔버 리드(120)에 매립 설치되어 챔버(100)의 부피를 감소하고, 공정 효율을 개선할 수 있다.

코어부(330)의 내부에는 각 공정가스를 독립적으로 분사하기 위하여 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C), 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C), 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)에 대응 형성되는 세 분류의 홀 패턴(331)이 구비되어 있다. 이러한 세 분류의 홀 패턴(331)은 각각 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C), 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C), 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)과 독립적으로 연통되어 있다.

세 분류의 홀 패턴(331)은 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제1홀 패턴(331A)과, 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제2홀 패턴(331B)과, 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제3홀 패턴(331C)을 포함하여 구성된다.

이러한 제1홀 패턴(331A), 제2홀 패턴(331B), 제3홀 패턴(331C)은 서로 중첩되지 않는 영역에 각각 형성되어 후술하는 복수의 인젝터부(350)에 각각 독립적으로 접속되어 있는데, 예를 들어, 제1홀 패턴(331A)은 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C)이 코어부(330)로 투영되어 형성된 0도, 90도, 180도, 270도의 각도에 분할되어 형성될 수 있으며, 제2홀 패턴(331B)은 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C)이 코어부(330)로 투영되어 형성된 45도, 225도, 135도, 315도의 각도에 분할되어 형성될 수 있으며, 제3홀 패턴(331C)은 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)이 코어부(330)로 투영된 22.5도, 67.5도, 112.5도, 157.5도, 202.5도, 247.5도, 292.5도, 337.5에 분할되어 형성될 수 있다.

복수의 공정가스 공급관(340)은 복수의 공정가스 도입부(320)와 코어부(330)의 세 분류의 홀 패턴(331)을 독립적으로 연결한다.

복수의 공정가스 공급관(340)은 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C)과 제1홀 패턴(331A)을 연결하는 4개의 제1공정가스 공급관(미도시)과, 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C)과 제2홀 패턴(331B)을 연결하는 4개의 제2공정가스 공급관(미도시)과, 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)과 제3홀 패턴(331C)을 연결하는 8개의 제3공정가스 공급관(미도시)을 포함한다.

즉, 제1공정가스 공급관, 제2공정가스 공급관, 제3공정가스 공급관은 제1공정가스 도입부(321)의 제1홀들(321C), 제2공정가스 도입부(322)의 제2홀들(322C), 제3공정가스 도입부(323)의 제3홀들(323C)과 제1홀 패턴(331A), 제2홀 패턴(331B), 제3 홀 패턴(331) 사이에 마련되어 이들 사이를 독립적으로 연결하여 제1공정가스 도입부(321), 제2공정가스 도입부(322), 제3공정가스 도입부(323)에서 확산되는 각 공정가스를 제1홀 패턴(331A), 제2홀 패턴(331B), 제3 홀 패턴(331)에 각각 공급한다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 인젝터부를 나타낸 저면도이다.

도 1, 도 2 및 도 7에 도시된 바와 같이, 복수의 인젝터부(350)는 챔버(100) 내부에 위치하며, 안치판(210)과 대향되는 챔버(100)의 상측에 위치한다. 이러한 복수의 인젝터부(350)는 코어부(330)에 형성된 세 분류의 홀 패턴(331)에 접속되어 각각 동일한 각도로 분할되어 방사형으로 챔버 리드(120)에 매립 설치될 수 있다.

복수의 인젝터부(350)는 제1 내지 제3공정가스 저장원(B)으로부터 제1공정가스(G1), 제2공정가스(G2) 및 제3공정가스(G3)를 공급받아 하측의 기판(20)에 동시에 분사한다.

따라서, 복수의 인젝터부(350)는 하측에 복수의 분사구(미도시)가 형성된다. 분사구는 복수개가 마련되고, 복수의 분사구를 통해 제1공정가스(G1), 제2공정가스(G2) 및 제3공정가스(G3)가 동시에 분사될 수 있다.

복수의 인젝터부(350)는 챔버(100)의 중앙부로부터 외측으로 연장되어 방사형으로 배치된다. 이러한 복수의 인젝터부(350)는 서셉터(200)의 바로 위에 설치된 코어부(330)의 홀 패턴(331)과 접속되어 있고, 복수의 인젝터부(350)의 일단은 코어부(330)의 측벽을 관통하여 홀 패턴(331)과 독립적으로 연결되어 있다.

이러한 인젝터부(350)는 상술한 제1공정가스 도입부(321)의 4개의 제1홀들(321C)과 제2공정가스 도입부(322)의 4개의 제2홀들(322C)과 제3공정가스 도입부(323)의 8개의 제3홀들(323C) (또는 코어부의 세 분류의 홀 패턴(331))에 대응되게 16개의 인젝터 로드를 포함할 수 있다.

즉, 이러한 복수의 인젝터부(350)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제1홀 패턴(331A)에 각각 접속되는 복수의 제1인젝터 로드(351)와, 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제2홀 패턴(331B)에 각각 접속되는 복수의 제2인젝터 로드(352), 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제3홀 패턴(331C)에 각각 접속되는 복수의 제3인젝터 로드(353)를 포함할 수 있다.

제1인젝터 로드(351)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330)의 제1홀 패턴(331A)과 각각 접속되는 4개의 제1인젝터 로드(351)를 포함할 수 있다. 4개의 제1인젝터 로드(351)는 각각 코어부(330)를 기준으로 0도, 90도, 180도, 270도의 각도를 따라 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

제2인젝터 로드(352)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330)의 제2홀 패턴(331B)과 각각 접속되는 4개의 제2인젝터 로드(352)를 포함할 수 있다. 4개의 제2인젝터 로드(352)는 4개의 제1인젝터 로드(351)의 중간 각도를 따라서 각각 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다. 즉, 4개의 제2인젝터 로드(352)는 각각 코어부(330)를 기준으로 45도, 225도, 135도, 315도의 각도를 따라서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

제3인젝터 로드(353)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330)의 제3홀 패턴(331C)과 각각 접속되는 8개의 제3인젝터 로드(353)를 포함할 수 있다. 8개의 제3인젝터 로드(353)는 4개의 제1인젝터 로드(351)와 4개의 제2인젝터 로드(352)의 중간 각도를 따라서 각각 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다. 즉, 8개의 제3인젝터 로드(353)는 코어부(330)를 기준으로 22.5도, 67.5도, 112.5도, 157.5도, 202.5도, 247.5도, 292.5도, 337.5도의 각도를 따라서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

이렇게 서로 동일한 각도로 균등하게 분할하여 방사형으로 배치되는 제1 내지 제3인젝터 로드(353)로부터 제1 내지 제3공정가스(G1,G2,G3)가 독립적으로 분사됨으로써 복수의 인젝터부(350)가 회전하면서 공정가스를 공급하는 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스공급장치(300)는 복수의 인젝터부(350)를 챔버 리드(120)에 동일한 각도로 분할하여 외측으로 연장하여 방사형으로 배치하고, 복수의 인젝터부(350) 각각에 제1공정가스, 제2공정가스 및 제3공정가스(G3)를 독립적으로 공급하여 공정가스가 혼합되어 분사되지 않도록 한다. 이렇게 복수의 인젝터부(350)의 배치 각도를 조절하여 공정가스를 복수의 인젝터부(350)로부터 동시에 분사함으로써 복수의 인젝터부(350)가 회전하면서 공정가스를 공급하는 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다.

또한, 가스공급장치(300)의 본체부(310) 및 코어부(330)에는 그 상하로 관통되어 챔버(100) 내부로 센터 퍼지를 공급하기 위한 센터 홀(360)이 구비되어 있다.

센터 홀(360)에는 센터 퍼지가스 공급관(미부호)이 센터 퍼지가스 공급원(D)과 연결되도록 구비되어 있다. 이러한 센터 홀(360)을 통하여 공급되는 센터 퍼지는 중앙 영역에 집중되는 제1 내지 제3공정가스(G1,G2,G3)를 가장자리로 분산시켜 기판(20) 상으로 균일하게 분산될 수 있도록 한다.

한편, 이러한 센터 홀(360)에는 도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이, 다양한 센터 퍼지 인젝터(361)가 결합될 수 있다.

예를 들면, 센터 퍼지 인젝터(361)는 도 8a에 도시된 바와 같이, 경사면을 가지는 이중형의 원뿔구조로 마련될 수 있는데, 센터 퍼지 인젝터(361)는 이중형 원뿔구조의 경사면을 조절하여 센터 퍼지의 가스 흐름을 조절할 수 있게 된다.

또한, 도 8b에 도시된 바와 같이, 센터 퍼지 인젝터(361)는 측면에 가스 분사홀을 구비하여 센터 퍼지의 수평방향 가스 흐름을 구현할 수 있게 된다.

또한, 도 8c에 도시된 바와 같이, 센터 퍼지 인젝터(361)는 하부면에 가스 분사홀을 구비하여 센터 퍼지의 수직방향 가스 흐름을 구현할 수 있게 된다.

다음, 도 9 및 도 10을 참조하여 가스공급장치의 본체부와 인젝터부의 결합 방법 및 인젝터부와 챔버 리드의 조립 방법에 대하여 살펴본다.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치의 본체부와 인젝터부의 결합 방법은 나타낸 도면이다. 여기서, 도면부호 400은 인젝터부가 결합되는 실링재를 나타낸다.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 가스공급장치(300)의 본체부(310)와 인젝터부(350)의 실링재(400)는 볼트(500)를 사용하여 조립이 가능하다.

예를 들면, 가스공급장치(300)의 본체부(310)의 외곽에 4개 또는 그 이상의 볼트 탭 홀(310A)을 구성하여 본체부(310)가 오염되었을 때 본체부(310)의 탈착이 가능하여 유지보수가 용이하도록 하였고, 본체부(310)가 수평이 되지 않을 경우 다수개의 볼트 높이 조절을 통해서 수평을 맞출 수 있다. 또한, 인젝터부(350)의 실링재(400)에는 가스공급장치(300)의 본체부(310)에서 흐르는 가스의 실링을 위해 다 분류의 홀 패턴(331) 주위에서 코어부(320)에 대응 형성되는 그루브(410)를 구비한 후 오-링 또는 메탈 가스켓을 사용함으로써 가스 실링 구현이 가능하다.

또한, 인젝터부(350)의 실링재(400) 외곽에 가스공급장치(300)의 본체부(310)의 볼트 탭 홀(310A) 위치와 동일한 위치에 볼트 패스(400A)를 형성시키고, 인젝터부(350)의 실링재(400)를 본체부(310)에 결합시킨 후 볼트(500) 체결을 통해 가스공급장치(300)의 본체부(310)와 인젝터부(350)의 결합 구현이 가능하고, 인젝터부(350)가 오염이 되었을 때 볼트(500)를 통해서 탈착이 가능하여 유지보수가 용이하다.

여기서, 볼트 패스(400A)의 홀 크기를 볼트(500) 헤드보다 크게 만들어 볼트(500)가 인젝터부(350)의 실링재(400)에서 돌출되어 있지 않도록 한다.

다음, 도 10을 참조하여 인젝터부와 챔버 리드의 조립 방법에 대하여 설명한다. 도 10은 인젝터부가 챔버 리드에 결합되는 구조를 나타낸 도면이다.

도 10에 도시된 바와 같이, 챔버 리드(120)의 하부면에 인젝터부(350)와 동일한 패턴으로 그루브(121)를 형성시켜 인젝터부(350)가 챔버 리드(120)에 매립이 될 수 있도록 구현한다. 동시에 인젝터부(350)에 원형 형태의 띠(350A)를 형성하고, 원형 형태의 띠(350A) 및 챔버 리드(120) 하부면에 볼트 탭 홀(310A)을 형성시켜 조립함으로써, 인젝터부(350)가 장기간의 사용에도 공정 온도에 의해 처지지 않도록 구현이 가능하다.

본 발명의 다른 실시예를 도 11 내지 도 15를 참조하여 설명한다. 전술한 일 실시예와 동일한 구성 요소를 나타내는 경우에는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명은 생략한다. 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스공급장치를 나타낸 단면도이며, 도 12는 도 11에 도시된 인젝터부를 나타낸 저면도이며, 도 13은 도 11에 도시된 제1공정가스 도입부를 나타낸 단면도이며, 도 14는 도 11에 도시된 제2공정가스 도입부를 나타낸 단면도이며, 도 15는 도 11에 도시된 제3공정가스 도입부를 나타낸 단면도이다.

도 11 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스공급장치(10')는 세 분류의 공정가스 도입부(370)와, 세 분류의 공정가스 도입부(370)와 독립적으로 연결되는 세 분류의 홀 패턴(380)이 형성된 코어부(330)와, 세 분류의 홀 패턴(380)에 각각 독립적으로 접속되어 방사형으로 배치되는 세 분류의 인젝터부(390)를 포함한다.

세 분류의 공정가스 도입부(370)는 본체부(310)의 상단에서 제1공정가스(G1)와 접속되는 제1공정가스 도입부(371)와, 본체부(310)의 중단에서 제2공정가스(G2)와 접속되는 제2공정가스 도입부(372)와, 본체부(310)의 하단에서 제3공정가스(G3)와 접속되는 제3공정가스 도입부(373)를 포함한다.

제1공정가스 도입부(371)의 제1홀들(371A)은 본체부(310) 상단에서 0도, 90도, 180도, 270도의 각도에 분할하여 형성된 4개의 제1홀들(371A)을 포함할 수 있다.

그리고, 제2공정가스 도입부(372)의 제2홀들(372A)은 본체부(310) 중단에서 제1홀들(371A)을 분할하는 각도 상에 형성되어 있다. 예를 들면, 제2홀들(372A)은 본체부(310) 중단에서 45도, 225도의 각도에 분할하여 형성된 2개의 제2홀들(372A)을 포함할 수 있다.

그리고, 제3공정가스 도입부(373)의 제3홀들(373A)은 본체부(310) 하단에서 제1홀들(371A)을 분할하는 각도 상에서 제2홀들(372A)을 제외한 각도 상에 형성되어 있다. 예를 들면, 제3홀들(373A)은 본체부(310) 하단에서 135도, 315도의 각도에 분할하여 형성된 2개의 제3홀들(373A)을 포함할 수 있다.

코어부(330)는 원통 형상의 본체부(310)의 하단부에 접속되어 있는다. 코어부(330)의 내부에는 각 공정가스(G1,G2,G3)를 독립적으로 분사하기 위하여 제1공정가스 도입부(371)의 제1홀들(371A), 제2공정가스 도입부(372)의 제2홀들(372A), 제3공정가스 도입부(373)의 제3홀들(373A)에 대응 형성되는 세 분류의 홀 패턴(380)이 구비되어 있다.

이러한 세 분류의 홀 패턴(380)은 세 분류의 홀 패턴(380)은 제1공정가스 도입부(371)의 제1홀들(371A)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제1홀 패턴(381)과, 제2공정가스 도입부(372)의 제2홀들(372A)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제2홀 패턴(382)과, 제3공정가스 도입부(373)의 제3홀들(373A)이 코어부(330)로 투영되어 형성되는 제3홀 패턴(383)을 포함하여 구성된다.

이러한 제1홀 패턴(381), 제2홀 패턴(382), 제3홀 패턴(383)은 서로 중첩되지 않는 영역에 각각 형성되어 후술하는 인젝터부(390)에 각각 독립적으로 접속되어 있는데, 예를 들어, 제1홀 패턴(381)은 제1공정가스 도입부(371)의 제1홀들(371A)이 코어부(330)로 투영되어 형성된 0도, 90도, 180도, 270도의 각도에 분할되어 형성될 수 있으며, 제2홀 패턴(382)은 제2공정가스 도입부(372)의 제2홀들(372A)이 코어부(330)로 투영되어 형성된 45도, 225도의 각도에 분할되어 형성될 수 있으며, 제3홀 패턴(383)은 제3공정가스 도입부(373)의 제3홀들(373A)이 코어부(330)로 투영된 135도, 315도에 분할되어 형성될 수 있다.

인젝터부(390)는 제1공정가스 도입부(371)의 4개의 제1홀들(371A)과 제2공정가스 도입부(372)의 2개의 제2홀들(372A)과 제3공정가스 도입부(373)의 2개의 제3홀들(373A) (또는 코어부의 홀 패턴(380))에 대응되게 8개의 인젝터 로드(391,392,393)를 포함할 수 있다.

이러한 인젝터부(390)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제1홀 패턴(381)에 각각 접속되는 4개의 제1인젝터 로드(391)와, 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제2홀 패턴(382)에 접속되는 2개의 제2인젝터 로드(392)와, 코어부(330)의 측벽을 관통하여 제3홀 패턴(383)에 각각 접속되는 2개의 제3인젝터 로드(393)를 포함할 수 있다.

제1인젝터 로드(391)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330)의 제1홀 패턴(381)과 각각 접속되는 4개의 제1인젝터 로드(391)를 포함할 수 있다. 4개의 제1인젝터 로드(391)는 각각 코어부(330)를 기준으로 0도, 90도, 180도, 270도의 각도를 따라 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

제2인젝터 로드(392)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330) 제2홀 패턴(382)과 각각 접속되는 2개의 제2인젝터 로드(392)를 포함할 수 있다. 2개의 제2인젝터 로드(392)는 4개의 제1인젝터 로드(391)의 중간 각도를 따라서 각각 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다. 즉, 2개의 제2인젝터 로드(392)는 각각 코어부(330)를 기준으로 45도, 225도의 각도를 따라서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

제3인젝터 로드(393)는 코어부(330)의 측벽을 관통하여 코어부(330) 제3홀 패턴(383)과 각각 접속되는 2개의 제3인젝터 로드(393)를 포함할 수 있다. 2개의 제3인젝터 로드(393)는 4개의 제1인젝터 로드(391)의 나머지 중간 각도를 따라서 각각 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다. 즉, 2개의 제3인젝터 로드(393)는 각각 코어부(330)를 기준으로 135도, 315도의 각도를 따라서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치될 수 있다.

10…기판처리장치 100…챔버
200…서셉터 300…가스공급장치
310…본체부 320…복수의 공정가스 도입부
330…코어부 331…다 분류의 홀 패턴
340…복수의 공정가스 공급관 350…복수의 인젝터부

Claims (30)

1. 챔버에 고정되는 본체부와,
   상기 본체부의 상부에 구비되어 서로 다른 복수의 공정가스와 각각 독립적으로 접속되는 복수의 공정가스 도입부와,
   상기 본체부의 하부에 접속되어 상기 복수의 공정가스 도입부와 독립적으로 접속되는 다 분류의 홀 패턴이 형성된 코어부와,
   상기 다 분류의 홀 패턴에 독립적으로 각각 접속되어 방사형으로 배치되는 복수의 인젝터부와,
   상기 본체부와 코어부를 상하 방향으로 관통 형성되어 퍼지 가스를 분사하는 센터 홀과,
   상기 센터 홀에 결합되는 센터 퍼지 인젝터
   를 포함하고,
   상기 센터 퍼지 인젝터는,
   경사면을 가지는 이중형의 원뿔구조로 마련되는 가스공급장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 복수의 공정가스 도입부는 상기 본체부의 제1높이에서 제1입력포트로 제1공정가스와 접속되는 제1공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제2높이에서 제2입력포트로 제2공정가스와 접속되는 제2공정가스 도입부와, 상기 본체부의 제3높이에서 제3입력포트로 제3공정가스와 접속되는 제3공정가스 도입부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
3. [청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제2항에 있어서,
   상기 제1공정가스, 제2공정가스, 제3공정가스는 각각 원료가스, 반응가스, 퍼지가스 중 어느 하나에 할당되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
4. [청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제2항에 있어서,
   상기 제1공정가스 도입부는 상기 제1높이에서 서로 동일한 각도로 분할 형성되는 복수의 제1홀들을 구비하며,
   상기 제2공정가스 도입부는 상기 제2높이에서 상기 복수의 제1홀들과 어긋나는 위치에서 상기의 복수의 제1홀들을 분할하는 각도 상에 각각 형성되는 복수의 제2홀들을 구비하며,
   상기 제3공정가스 도입부는 상기 제3높이에서 상기 복수의 제1홀들 및 제2홀들과 어긋나는 위치에서 상기 복수의 제1홀들과 제2홀들 사이를 분할하는 각도 상에 각각 형성되는 복수의 제3홀들을 구비하며,
   상기 다 분류의 홀 패턴은 상기 제1홀들, 제2홀들, 제3홀들에 대응 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
5. [청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제4항에 있어서,
   상기 다 분류의 홀 패턴은 상기 제1홀들, 제2홀들, 제3홀들과 대응 형성되고, 상기 방사형으로 배치되는 인젝터와 독립적으로 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
6. [청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제4항에 있어서,
   상기 제1홀들은 상기 본체부의 중심에 인접한 제1원주부를 따라서 형성되며,
   상기 제2홀들은 상기 본체부의 제1원주부에서 상기 제1홀들과 어긋나는 위치 상에서 형성되며,
   상기 제3홀들은 상기 제1원주부와 다른 위치에서 상기 본체부의 외곽에 인접한 제2원주부에서 상기 복수의 제1홀들과 제2홀들을 분할하는 각도에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
7. [청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제4항에 있어서,
   상기 다 분류의 홀 패턴은 상기 복수의 제1홀들이 상기 코어부로 투영되어 상기 제1홀들과 연통되게 형성되는 제1홀 패턴과, 상기 복수의 제2홀이 상기 코어부로 투영되어 상기 제2홀들과 연통되게 형성되는 제2홀 패턴과, 상기 복수의 제3홀이 상기 코어부로 투영되어 상기 제3홀들과 연통되게 형성되는 제3홀 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
8. [청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제7항에 있어서,
   상기 제1 내지 제3공정가스 도입부와 상기 다 분류의 홀 패턴을 각각 독립적으로 연결하는 복수의 공정가스 공급관을 더 포함하며,
   상기 복수의 가스 공급관은 상기 제1공정가스 도입부와 상기 제1홀 패턴을 연결하는 복수의 제1공정가스 공급관과, 상기 제2공정가스 도입부와 상기 제2홀 패턴을 연결하는 복수의 제2공정가스 공급관과, 상기 제3공정가스 도입부와 상기 제3홀 패턴을 연결하는 복수의 제3공정가스 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
9. [청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

   제7항에 있어서,
   상기 인젝터부는 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제1홀 패턴에 각각 접속되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제2홀 패턴에 접속되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 코어부의 측벽을 관통하여 상기 제3홀 패턴에 접속되는 복수의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
10. [청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제9항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
11. [청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제9항에 있어서,
    상기 복수의 제3인젝터 로드 각각은 상기 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
12. [청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제9항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드와 상기 복수의 제2인젝터 로드는 원료가스 또는 반응가스를 분사하고, 상기 복수의 제3인젝터 로드는 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
13. [청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제9항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에 배치되되 상기 제2인젝터 로드와 중첩되지 않는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
14. [청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제13항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드 각각은 상기 제2인젝터 로드와 제3인젝터 로드 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
15. [청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제13항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 퍼지가스를 분사하고, 상기 복수의 제2인젝터 로드와 상기 제3인젝터 로드는 원료가스 또는 반응가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
16. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 공정가스 도입부는 각각 상기 본체부의 둘레를 따라 형성되는 환상의 가스 확산로와, 상기 가스 확산로를 둘러싸는 슬리브를 구비하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
17. 삭제
18. 삭제
19. 제1항에 있어서,
    상기 인젝터부는 상기 코어부에 수용되어 상기 본체부에 결합되는 실링재를 더 구비하며,
    상기 실링재는 상기 다 분류의 홀 패턴의 주위에 그루브를 구비하여 상기 본체부와 볼트 체결되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
20. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 인젝터부에는 복수의 인젝터부를 서로 연결하도록 원형 형태의 띠가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
21. 챔버에 고정되는 본체부와,
    상기 본체부의 제1높이에 형성되어 제1공정가스와 접속되는 제1홀들을 가지는 제1공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 제2높이에 형성되어 제2공정가스와 접속되는 제2홀들을 가지는 제2공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 제3높이에 형성되어 제3공정가스와 접속되는 제3홀들을 가지는 제3공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 제1홀들과 연통되도록 상기 제1홀들이 투영되어 형성된 제1홀 패턴과, 상기 제2홀들과 연통되도록 상기 제2홀들이 투영되어 형성된 제2홀 패턴과, 제3홀들과 연통되도록 상기 제3홀들이 투영되어 형성된 제3홀 패턴이 구비된 코어부와,
    상기 제1홀 패턴에 접속되어 방사형으로 외측으로 연장되어 배치되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 제2홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 제3홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제3인젝터 로드를 구비하는 인젝터부와,
    상기 본체부와 코어부를 상하 방향으로 관통 형성되어 퍼지 가스를 분사하는 센터 홀과,
    상기 센터 홀에 결합되는 센터 퍼지 인젝터
    를 포함하고,
    상기 센터 퍼지 인젝터는,
    경사면을 가지는 이중형의 원뿔구조로 마련되는 가스공급장치.
22. [청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제21항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
23. [청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제21항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 배치되되 상기 2개의 제2인젝터 로드와는 중첩되지 않는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스공급장치.
24. 반응 공간을 마련하는 챔버와,
    상기 챔버 하측에 마련된 서셉터와,
    상기 챔버에 안치된 기판 상에 공정 가스를 동시에 공급하는 가스공급장치를 포함하며,
    상기 가스공급장치는 상기 챔버에 고정되는 본체부와,
    상기 본체부의 상부에 구비되어 서로 다른 세 분류의 공정가스와 독립적으로 접속되는 세 분류의 홀들을 각각 가지는 공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 세 분류의 홀들과 각각 독립적으로 접속되는 세 분류의 홀 패턴을 가지는 코어부와,
    상기 코어부의 측벽을 통해 상기 세 분류의 홀 패턴과 독립적으로 접속되되 상기 코어부의 중심에서 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 세 분류의 인젝터부와,
    상기 본체부와 코어부를 상하 방향으로 관통 형성되어 퍼지 가스를 분사하는 센터 홀과,
    상기 센터 홀에 결합되는 센터 퍼지 인젝터
    를 포함하고,
    상기 센터 퍼지 인젝터는,
    경사면을 가지는 이중형의 원뿔구조로 마련되는 기판처리장치.
25. 제24항에 있어서,
    상기 세 분류의 홀들은 상기 본체부의 상단, 중단, 하단에서 서로 어긋나는 위치에 차례대로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
26. 제24항에 있어서,
    상기 세 분류의 홀 패턴은 상기 세 분류의 홀들이 상기 코어부의 내부로 투영되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
27. 제24항에 있어서,
    상기 챔버의 상부를 이루는 챔버 리드의 하부면에는 상기 세 분류의 인젝터부와 동일한 패턴으로 그루브가 형성되며,
    상기 세 분류의 인젝터부는 각각 상기 챔버 리드에 매립 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
28. 반응 공간을 마련하는 챔버와,
    상기 챔버 하측에 마련된 서셉터와,
    상기 챔버에 안치된 기판 상에 공정 가스를 동시에 공급하는 가스공급장치를 포함하며,
    상기 가스공급장치는 상기 챔버에 고정되는 본체부와,
    상기 본체부의 제1높이에 형성되어 제1공정가스와 접속되는 제1홀들을 가지는 제1공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 제2높이에 형성되어 제2공정가스와 접속되는 제2홀들을 가지는 제2공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 제3높이에 형성되어 제3공정가스와 접속되는 제3홀들을 가지는 제3공정가스 도입부와,
    상기 본체부의 하부에 접속되어 그 내부에 상기 제1홀들과 연통되도록 상기 제1홀들이 투영되어 형성된 제1홀 패턴과, 제2홀들과 연통되도록 상기 제2홀들이 투영되어 형성된 제2홀 패턴과, 제3홀들과 연통되도록 상기 제3홀들이 투영되어 형성된 제3홀 패턴이 구비된 코어부와,
    상기 제1홀 패턴에 접속되어 방사형으로 외측으로 연장되어 배치되는 복수의 제1인젝터 로드와, 상기 제2홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제2인젝터 로드와, 상기 제3홀 패턴에 접속되어 외측으로 연장되어 방사형으로 배치되는 복수의 제3인젝터 로드를 구비하는 인젝터부와,
    상기 본체부와 코어부를 상하 방향으로 관통 형성되어 퍼지 가스를 분사하는 센터 홀과,
    상기 센터 홀에 결합되는 센터 퍼지 인젝터
    를 포함하고,
    상기 센터 퍼지 인젝터는,
    경사면을 가지는 이중형의 원뿔구조로 마련되는 기판처리장치.
29. [청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제28항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 90도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드와 제2인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 각각 45도의 간격을 두고 방사형으로 배치되는 8개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
30. [청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]

    제28항에 있어서,
    상기 복수의 제1인젝터 로드는 각각 90도의 각도를 두고 방사형으로 배치되는 4개의 제1인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제2인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 방사형으로 배치되는 2개의 제2인젝터 로드를 포함하며,
    상기 복수의 제3인젝터 로드는 상기 4개의 제1인젝터 로드를 분할하는 각도 상에서 상기 제2인젝터 로드와 중첩되지 않도록 방사형으로 배치되는 2개의 제3인젝터 로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.

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