JP2008266794A - 真空槽のガス噴出量調整装置 - Google Patents
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 413
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】真空槽内に配されたガス供給パイプ27上に互いに大きさが異なる複数のガス噴出口49を有するロータリスリーブ48を取付け、操作軸54を操作し、この操作軸54に設けられているレバー58によってロータリスリーブ48をガス供給パイプ27に対して相対的に回転させて任意のガス噴出口49をガス供給口47に整合させる。
【選択図】図6
Description
前記複数のガス供給口の絞りを調整する調整手段と、
前記調整手段を真空槽の外部から調整する調整操作手段と、
を有する真空槽のガス噴出量調整装置に関するものである。
前記ガス供給系に設けられており、そのコンダクタンスが可変なガス吹出し口と、
前記ガス吹出し口のコンダクタンスの調整を真空槽外から真空を破らずに行なう調整手段と、
を具備する真空槽のガス噴出量調整装置に関するものである。
前記ガス供給系によって供給されるガスの圧力を調整する調整手段と、
を具備し、真空槽外から真空を破らずに前記調整手段によってガスの圧力を調整するようにしたことを特徴とする真空槽のガス噴出量調整装置に関するものである。
前記ガス供給系に設けられており、真空槽外から真空を破らずにコンダクタンスの調整を行なうコンダクタンス調整手段と、
を具備する真空槽のガス噴出量調整装置に関するものである。
3mm×30=90mm
であるから、X軸アクチュエータ64による操作軸54の合計90mmの移動によって、30個のロータリスリーブ48のガス噴出口49の穴をそれぞれ別々に調整することが可能になる。
3mm×10=30mm
となり、操作軸54の移動量を合計で30mmにすることが可能になる。すなわち操作軸54の移動と3つのグループのレバー58の角度の組合わせによって、30個のロータリスリーブ48のガス噴出口49の選択調整を30mmのストロークで行なうことが可能になる。
Claims (20)
- 真空槽中に配されているガス供給パイプの複数個所からのガスの噴出量を真空状態のままで互いに独立に調整する可変調整機構を設けるようにしたことを特徴とする真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記ガス供給パイプによって噴出されるガスが真空成膜用プロセスガスであることを特徴とする請求項1に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記ガス供給パイプによって噴出されるガスがエッチングプロセスに用いられる真空加工装置におけるガスであることを特徴とする請求項1に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記真空槽内においてスパッタリング、CVD、または蒸着によって成膜が行なわれることを特徴とする請求項2に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記真空槽内においてリアクティブスパッタによって成膜が行なわれることを特徴とする請求項2に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記真空槽内においてスパッタリングにより成膜が行なわれるとともに、前記ガス供給パイプから酸素、窒素、フッ素、水素、塩素の内の何れかのガスまたはそれらの2種以上の混合ガスが供給されることを特徴とする請求項1に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記真空槽内においてスパッタリングにより成膜が行なわれるとともに、前記ガス供給パイプからアルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン等の希ガスあるいは不活性ガスが供給されることを特徴とする請求項1に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 矩形状をなすスパッタリングカソードを具備し、該スパッタリングカソードの長手方向に沿ってガス供給パイプが配置されていることを特徴とする請求項3に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記スパッタリングカソードがデュアルマグネトロンであることを特徴とする請求項8に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 複数のガス供給口を有するガス供給パイプを真空槽内に配して成る真空槽において、
前記複数のガス供給口の絞りを調整する調整手段と、
前記調整手段を真空槽の外部から調整する調整操作手段と、
を有する真空槽のガス噴出量調整装置。 - 真空槽内においてガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系に設けられており、そのコンダクタンスが可変なガス吹出し口と、
前記ガス吹出し口のコンダクタンスの調整を真空槽外から真空を破らずに行なう調整手段と、
を具備する真空槽のガス噴出量調整装置。 - 前記調整手段が前記ガス吹出し口のコンダクタンスを離散的に変えることを特徴とする請求項11に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 前記調整手段が前記ガス吹出し口のコンダクタンスを連続的に変えることを特徴とする請求項11に記載のガス噴出量調整装置。
- 前記ガス吹出し口が所定の長さを有する連続的なガス吹出し部から構成されるとともに、前記調整手段によって前記ガス吹出し部の長さ方向の任意の位置の開口度が調整されることを特徴とする請求項11に記載の真空層のガス噴出量調整装置。
- 真空槽内においてガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系によって供給されるガスの圧力を調整する調整手段と、
を具備し、真空槽外から真空を破らずに前記調整手段によってガスの圧力を調整するようにしたことを特徴とする真空槽のガス噴出量調整装置。 - 真空槽内においてガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系に設けられており、真空槽外から真空を破らずにコンダクタンスの調整を行なうコンダクタンス調整手段と、
を具備する真空槽のガス噴出量調整装置。 - 前記ガス供給系によって供給されるガスが真空成膜用プロセスガスであることを特徴とする請求項11〜16のいずれかに記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 真空槽内において遷移領域での反応性スパッタによって成膜が行なわれることを特徴とする請求項17に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- 真空槽内のガスの分圧を検出する検出手段を具備し、該検出手段の検出に応じてガスの供給量が制御されることを特徴とする請求項18に記載の真空槽のガス噴出量調整装置。
- プラズマの電圧を検出する検出手段を具備し、該検出手段の検出に応じてガスの供給量が制御されることを特徴とする請求項18に記載のガスの噴出量調整装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008193477A JP2008266794A (ja) | 1997-09-10 | 2008-07-28 | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24556197 | 1997-09-10 | ||
JP2008193477A JP2008266794A (ja) | 1997-09-10 | 2008-07-28 | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25512498A Division JP4196138B2 (ja) | 1997-09-10 | 1998-09-09 | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008266794A true JP2008266794A (ja) | 2008-11-06 |
Family
ID=40046656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008193477A Pending JP2008266794A (ja) | 1997-09-10 | 2008-07-28 | 真空槽のガス噴出量調整装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008266794A (ja) |
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---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091228 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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