JPH10212578A

JPH10212578A - 成膜装置

Info

Publication number: JPH10212578A
Application number: JP1847097A
Authority: JP
Inventors: Koji Kitagawa; 浩司北川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-01-31
Filing date: 1997-01-31
Publication date: 1998-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】フィルムの両面に対称的な屈折率分布を有す
る膜を形成するため、屈折率の制御が容易な成膜装置を
提供すること。【解決手段】チャンバー１内に、逆方向に回転するキ
ャンロール２、３を近接配置してこれにフィルム９を巻
回し、ターゲット６ａ、６ｂとの間に供給管１６ａ、１
６ｂからアルゴン、酸素又は窒素を供給し、スパッタに
より酸化及び／又は窒化膜をフィルム９の両面に形成す
る。そして、キャンロール２、３の上方には、酸素等を
供給するガスプラズマ供給装置を配し、フィルム９の送
り出し及び巻き戻し時に膜組成を制御しながらフィルム
９の両面に同様の成膜を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置（例え
ば、フィルムの両面に屈折率勾配が対称である光学膜を
形成するための真空薄膜形成装置）に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、上記の如き光学膜を有する光学フ
ィルタとしてルゲートフィルタ（Rugate filter)が知ら
れているが、これは、膜の厚み方向で屈折率の変化が対
称になるように作製することにより、透過率−波長特性
において非対称なフィルタ特性が得られる等の特徴を有
している。

【０００３】こうしたルゲートフィルタの理論的研究及
び設計が近年盛んに行われ、その作製方法として、２種
類の物質の共蒸着法〔J. P. Heuer et al, Proc. Opt.
Interf. Coat. (1992) 122〕、活性化ＩＡＤ法〔I. Tak
agi and S. Ogura, Rev. Laser Engin. 24 (1995)11
8〕、ＣＶＤ法〔S. C. Miller and K. K. Mackmul, Op
t.Interf. Coat. Techn. Digest 17 (1995)172〕などが
既に試みられている。

【０００４】しかし、これらのいずれも、不安定なプロ
セスであって広範囲に屈折率を制御し難く、また長時間
実施可能な蒸着プロセスとは言い難い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたものであって、屈折率の制御が容易で
あり、屈折率変化が対称的である光学膜を支持体両面に
形成するのに好適な成膜装置を提供することを目的とす
るものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、所定の
成膜を施すべき支持体を送る支持体送り手段を有し、前
記支持体の一方の面に膜組成の制御下に第１の成膜を施
すための第１成膜手段と、前記支持体の他方の面に膜組
成の制御下に第２の成膜を施すための第２成膜手段とが
前記支持体に対してそれぞれ近接して設けられ、前記膜
組成の制御のために各成膜面に所定の反応ガスを供給す
るガス供給手段が配設されている成膜装置に係るもので
ある。

【０００７】本発明によれば、共通の成膜装置内で、支
持体の搬送中に、支持体の一方の面が第１成膜手段によ
り成膜されると共に、その他方の面が第２成膜手段によ
って成膜され、しかもこれらの成膜中に各成膜面に反応
ガスを供給することによって膜組成が制御された（特に
屈折率変化が支持体両面で対称的な）所望の成膜を容易
に実現することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の成膜装置は、真空槽内に
互いに回転方向が異なる第１の支持体巻回手段及び第２
の支持体巻回手段が互いに近接して設けられ、前記第１
の支持体巻回手段に対向し、反応ガス導入口を配した前
記第１成膜手段と、前記第２の支持体巻回手段に対向
し、反応ガス導入口を配した前記第２成膜手段と、前記
第１の支持体巻回手段及び／又は前記第２の支持体巻回
手段に近接して（例えば上方に）配されたガスプラズマ
供給手段と、前記支持体の帯電電荷を中和するためのホ
ローカソードニュートラライザ等の帯電防止手段とを有
することが望ましい。

【０００９】そして、上記の装置は前記支持体の両面に
対して、その厚み方向の組成分布がほぼ対称的である膜
がそれぞれ成膜されることが望ましい。

【００１０】この場合、前記第１の支持体巻回手段から
の前記支持体の送り出し時に、前記第１成膜手段により
前記支持体の一方の面に第１光学膜が形成され、前記第
２成膜手段により前記支持体の他方の面に第２光学膜が
形成されることが望ましい。

【００１１】また、前記反応ガス導入口から前記第１成
膜手段及び／又は前記第２成膜手段と前記支持体との間
に所定の反応ガスをそれぞれ供給することにより、酸化
及び／又は窒化された前記第１光学膜及び／又は前記第
２光学膜がそれぞれ形成されることが望ましい。

【００１２】また、前記第１及び第２の支持体巻回手段
の上方に設けられたガスプラズマ供給手段からのガスプ
ラズマによって、前記第１光学膜及び／又は前記第２光
学膜の酸化度及び／又は窒化度が制御されることが望ま
しい。

【００１３】更に、前記第１成膜手段によって酸化及び
／又は窒化された第１光学膜が形成されると共に、前記
第２成膜手段によって成膜された第２光学膜が、前記第
２の支持体巻回手段から前記第１の支持体巻回手段側へ
の前記支持体の巻き戻し時に、前記第１及び前記第２の
支持体巻回手段の上方に設けられたガスプラズマ供給手
段からのガスプラズマによって酸化及び／又は窒化され
ることが望ましい。

【００１４】そして、上記の装置においては、前記第１
成膜手段及び第２成膜手段による成膜がスパッタリング
で行われ、このスパッタリング時に、前記支持体の成膜
面とターゲット面との間を所定距離に保持するために、
ターゲットの位置変位手段が設けられていることが望ま
しい。

【００１５】また、前記支持体と前記真空槽の内壁との
間隙が微小となるように構成されていることが望まし
い。

【００１６】更に、前記第１の支持体巻回手段及び前記
第２の支持体巻回手段として送り出しロール又は巻き取
りロールがそれぞれ用いられ、これらの各ロール上での
前記支持体の成膜面がほぼ同一形状であり、各ロール間
でのロール径の比が２倍以内であることが望ましい。

【００１７】上記の装置によって、前記支持体が光学フ
ィルタを形成するためのフィルムとして形成され、この
フィルムの厚さを、フィルタリング波長λのλ／２（±
１０％）の整数倍に作製するのがよい。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
が以下の実施例に限定されるものでないことは勿論であ
る。

【００１９】図１は、本発明の実施例による成膜装置の
一部破断概略斜視図であり、この装置の駆動、制御用の
ブロック回路を併記したものである。そして、図２は図
１のＡ矢視の概略断面図、図３は同じくＢ矢視の概略断
面図である。

【００２０】本実施例の成膜装置２５は、図示するよう
に、チャンバー１の内部において互いに近接して設けら
れたキャンロール２、３に帯状のフィルム９が逆方向に
巻回されるように構成され、それぞれのキャンロール
２、３が図示省略したモータによって逆方向に回転駆動
されるようになっている。そして、このモーターの動力
は、フィルム９の送り出し又は巻き戻し時の巻き取る側
のキャンロール２又は３に伝達され、フィルム送り出し
側のキャンロールはフィルム９を介して従動回転するか
或いは独立して回転する。

【００２１】上記したキャンロール２、３の下方におい
ては、左右に分割されたカソードシールド４ａ、４ｂ上
にバッキングプレート５ａ、５ｂが固着され、更に、こ
の上に例えばチタンからなるターゲット６ａ、６ｂが固
着された積層体がそれぞれ配置されている。これらの積
層体は、それぞれのキャンロール２、３の下方に位置し
て配され、補助カソード７により連結されている。

【００２２】図４は、この形状を示す斜視図である。図
示の如く、左右に分割して形成した上記積層体をその側
端において補助カソード７で連結し、この両積層体間の
中心に補助カソード７と一体にシャフト８を設け、後述
するようにこのシャフト８を軸として円弧矢印で示すよ
うに回動可能に構成されている。そして、両ターゲット
６ａ、６ｂの間には断面がほぼ３角形の仕切り板２１
（図１では簡略化のために図示省略）が設けられてい
る。

【００２３】この場合、シャフト８によるターゲットの
回動により、図２に示すように、フィルム９の巻回状態
に伴うキャンロール２、３の径の変化に対応して、ター
ゲット６ａ、６ｂとロール上のフィルム９の面（成膜
面）との間隙を常に所定の間隙に保てるようになってい
る。そして、このターゲット６ａ、６ｂとフィルム９の
成膜面との間隙２３ａ、２３ｂには、チャンバー１の内
壁に設けられた反応ガス供給管１６ａ、１６ｂから後述
の反応ガスが供給される。

【００２４】そして、キャンロール２、３の上方にはガ
スプラズマ供給装置１０が配設され、これには別のガス
供給管２０が連結されている。また、キャンロール２、
３はアース（接地）されると共に、フィルム９の帯電防
止のためのニュートラライザ１１（これはホローカソー
ドタイプであってよい。）がガスプラズマ供給装置１０
上のチャンバー１の天井部に設けられている。更に、チ
ャンバー１の天井部には、チャンバー１を真空引きする
ための配管１２が設けられている。これらの作用につい
ては後述する。

【００２５】本実施例の成膜装置２５は上記のように構
成されているが、その構成部分は図１に示した回路と接
続され、後述の如くに制御されながら動作する。

【００２６】次に、成膜装置２５の各部の動作及び機能
を説明する。

【００２７】成膜に際しては、まず、送り出し用のキャ
ンロール２にフィルム９をその一端側にて巻回してチャ
ンバー１内に装着し、フィルム９の他方端側は巻き取り
用のキャンロール３に巻き付ける。そして、フィルムは
成膜の進行に伴ってキャンロール２からキャンロール３
へ巻き取られていくが、この際、巻回状態のキャンロー
ル２、３の外径比は２倍以内（後述する巻き戻し時も同
様）とする。

【００２８】このように、フィルム９を装着してから運
転を開始する以前に、チャンバー１の天井部に接続した
配管１２に設けられたターボポンプ１３及びメカニカル
ポンプ１４により、配管１２を介してチャンバー１の内
部を真空引きする。この真空引き後、後述する制御回路
からキャンロール２の下方のターゲット６ａとキャンロ
ール３の下方のターゲット６ｂと補助カソード７とにそ
れぞれ通電され、所定の電圧が印加される。そして、同
時に、図示省略したモータでキャンロール３が回転駆動
されることによりフィルム９を介してキャンロール２が
連動し、それぞれが矢印方向（図１、図２参照）に回転
する。

【００２９】チャンバー１の外部には、キャンロール
２、３とターゲット６ａ、６ｂとのそれぞれの間隙２３
ａ、２３ｂに対して反応ガスを供給するための反応ガス
供給管１６ａ、１６ｂが並列して設けられている。図１
は、キャンロール２側へ接続された反応ガス供給管１６
ａと反応ガス供給装置１５のみを示したものであり、他
方の反応ガス供給管１６ｂに接続される反応ガス供給装
置１５は図示省略してある。そして、これらの反応ガス
供給装置１５には、図示省略したガスボンベにより、バ
ルブ１７ａからはアルゴン、１７ｂからは酸素、１７ｃ
からは窒素の各反応ガスが所定流量で選択可能に供給さ
れる。

【００３０】上記において、バルブ１７ｂ、１７ｃは制
御回路によって制御され、その開放動作によってアルゴ
ンと共に酸素及び／又は窒素が反応ガス供給装置１５に
選択的に送り込まれ、ここで混合される。従って、この
混合ガスは、配管１６ａ、１６ｂのバルブ１６ｃ、１６
ｄが開かれることにより、配管１６ａ、１６ｂを通して
チャンバー１内の上記した間隙２３ａ、２３ｂへ導入さ
れる。

【００３１】そして、キャンロール２、３とターゲット
６ａ、６ｂとの間に印加される電圧によって、それぞれ
のキャンロール２、３とこれらの下方のターゲット６
ａ、６ｂとの間の間隙２３ａ、２３ｂに供給される上記
ガスをプラズマ化し、このうち、アルゴンプラズマによ
りチタンからなるターゲット６ａ、６ｂをスパッタし、
対向するキャンロール２、３上のフィルム９の両面にチ
タン膜を成膜する。即ち、図２に示す如く、間隙２３ａ
においては、フィルム９の表面９ａに、間隙２３ｂにお
いてはフィルム９の裏面９ｂにスパッタ粒子（チタン）
が付着して堆積し、チタン膜を形成すると共に、これら
のチタン膜は同時に、上記の酸素及び／又は窒素のプラ
ズマによって酸化及び／又は窒化される。この結果、フ
ィルム９の両面には、酸素及び／又は窒素の供給量を時
間経過と共に変化させることにより、それぞれ、所望の
組成比（特に濃度分布が厚み方向で対称的）の酸化及び
／又は窒化チタン膜を成膜することができる。

【００３２】また、このような成膜操作は、キャンロー
ル２からキャンロール３へフィルム９を連続的に送り出
して走行させながら行えるため、量産性が向上する。こ
のように、フィルム９の表面９ａ及び裏面９ｂに酸化及
び／又は窒化されたチタン膜を連続的に成膜した状態で
キャンロール３に巻き取り、フィルム９の送り出しが終
われば、上記した反応ガスを供給する各バルブ１７ａ、
１７ｂ、１７ｃ、１６ｃ、１６ｄが閉じて送り出し工程
が終わる。

【００３３】この場合、キャンロール２側からキャンロ
ール３側へフィルム９が巻き取られるに伴ってキャンロ
ール２、３の巻き径が変化し、スパッタ効率が変化する
可能性があるが、これを是正するため、図２に明示する
ように、ターゲット６ａ、６ｂの位置をロールの巻き径
の変化に応じて実線から仮想線の如くにシャフト８を軸
に回動させて変位させるようになっている。これによ
り、キャンロール２、３に巻回されたフィルム９とター
ゲット６ａ、６ｂとの間を所定の間隙に保持でき、フィ
ルム９面へのスパッタによる成膜の効率性を高めてい
る。このことを実現する上で、キャンロール２、３の巻
き径の比は２倍以内に抑える（２倍を超えない）こと、
ターゲットと対向するフィルム面が同一形状であること
が望ましい。

【００３４】また、ターゲット６ａ、６ｂ間に設けられ
た補助カソード７にはターゲットよりも低電圧が印加さ
れるが、これは、ターゲット６ａ、６ｂからそれぞれス
パッタされるチタン粒子が一方側から他方側へ飛翔して
互いに混じり合うことを静電的な作用により防止し、各
ターゲットによる成膜性又は成膜組成を維持する作用を
している。同様に、ターゲット６ａ、６ｂ間の仕切り板
２１（図２及び図４参照）も、上記の如きチタン粒子の
飛翔による混合を物理的に阻止している。

【００３５】更に、ターゲット６ａ、６ｂ及びフィルム
９とチャンバー１の内壁面との間の間隙は図３に２３ｃ
で示すように微小であり、例えば２ｃｍ以下の僅小間隙
に形成されている。このため、スパッタ粒子が上記内壁
面側へ漏出してそこに付着するのが防止されると共に、
ターゲットの利用効率を高めることができる。

【００３６】また、図１に示す如く、チャンバー１の天
井部に設けられたニュートラライザ１１は、電子の放出
によってフィルム９面の帯電電荷（正イオン）を中性化
或いは除去する作用がある。この帯電防止作用によっ
て、異常放電を減少させることができる。

【００３７】なお、図１の如く、キャンロール２、３は
個別に配線されていてよく、また接地されることもでき
る。

【００３８】上記の如く、キャンロール２から送り出さ
れたフィルム９のキャンロール３への巻き取りが終われ
ば、このフィルム９は再びキャンロール２側へ巻き戻す
ことができる。この時には、モータによる駆動方向を、
図示省略した例えばギヤ装置により逆回転に切り換え、
今度はキャンロール２を回転駆動させればよい。従っ
て、図１及び図２に図示したキャンロール２、３の回転
方向とは逆方向の回転となり、キャンロール３に巻回さ
れているフィルム９はキャンロール２側に巻き戻され
る。

【００３９】このような巻き戻し動作によって、上述し
た例とは異なる成膜操作を行うことができる。

【００４０】即ち、フィルムの巻き戻しの開始と共に、
図１に示す別設の反応ガス供給装置１８に連結されたバ
ルブ１９ａ又は１９ｂを開き、バルブ１９ａからは酸
素、バルブ１９ｂからは窒素を供給し、酸素及び／又は
窒素をガスプラズマ供給装置１０によってプラズマ化し
て巻き戻されるフィルム９の裏面９ｂに供給する。これ
により、フィルム９の両面に形成されたチタン膜のう
ち、フィルム９の裏面９ｂのチタン膜の酸化度及び／又
は窒化度を目的値に制御できる。

【００４１】例えば、上記したフィルム巻き出し工程時
には、フィルム９の表面９ａには上記したように酸化及
び／又は窒化チタン膜を形成するが、フィルムの巻き戻
し時において、フィルム９の裏面９ｂにはチタンのみを
（従って、酸素及び／又は窒素は供給しないで）順次堆
積させ、これに引き続いて裏面９ｂ上の堆積チタンに対
してガスプラズマ供給装置１０から酸素プラズマ及び／
又は窒素プラズマを供給する。この結果、フィルム９の
裏面９ｂには、厚み方向に酸化度及び／又は窒化度の分
布を有し、この分布がフィルム９の表面９ａのチタン膜
の酸化度及び／又は窒化度の分布と対称的であるチタン
膜を成膜することができる。

【００４２】或いは、上記したフィルム送り出し工程で
フィルム９の両面に酸化及び／又は窒化チタン膜を成膜
する場合、フィルム巻き戻し時に上記のガスプラズマ供
給装置１０からのガスプラズマによってフィルム裏面９
ｂのチタン膜の酸化度及び／又は窒化度を更に制御する
こともできる。

【００４３】上記した成膜装置は、その一連の動作が、
図１に示すディスプレイ部３０でモニタされながらコン
ピュータの回路系によって制御される、いわばインプロ
セスモニタ装置として構成されるものである。これにつ
いて以下に詳細に説明する。

【００４４】本実施例の成膜装置２５の各部は、図１に
示した回路に接続され、ディスプレイ部３０に組み合わ
される記憶演算可能な制御部３１により制御されて動作
する。

【００４５】まず、成膜に際しては、制御部３１の制御
信号に基づき、Ｄ／Ａコンバータ部３２を介して、電圧
／電流制御回路２８からターゲット６ａに電圧を印加
し、かつ別の電圧／電流制御回路２９からターゲット６
ｂに電圧を印加する。各制御回路２８、２９の印加電圧
はＡ／Ｄコンバータ部２７を介して制御部３１にフィー
ドバックされ、常に所定の電圧に設定される。

【００４６】一方、図示省略したモータが回転駆動し、
キャンロール２、３が図示した矢印方向に回転してフィ
ルム９が走行し、キャンロール２側からフィルム９が送
り出されてキャンロール３側へ巻き取られ、この間にフ
ィルム両面に酸化及び／又は窒化チタン膜が成膜され
る。この成膜時には、制御部３１からの制御信号によ
り、Ｄ／Ａコンバータ部３８を介してバルブ制御部４１
が動作し、バルブ１７ｂ及び／又は１７ｃ及びバルブ１
６ｃ、１６ｄが開き、アルゴンと共に酸素及び／又は窒
素が制御された流量で反応ガス供給装置１５から配管１
６ａ、１６ｂを通してキャンロール２、３とターゲット
６ａ、６ｂとの間の間隙２３ａ、２３ｂ（図２参照）に
供給される。

【００４７】また、制御部３１からの制御信号により、
Ｄ／Ａコンバータ部３４を介して制御部３５が動作し、
補助カソード７に電圧を印加する。

【００４８】更に、制御部３１からの制御信号により、
Ｄ／Ａコンバータ部３３を介して制御部３６、３７が動
作し、キャンロール２及びキャンロール３の電圧がコン
トロールされる。

【００４９】このようにしてキャンロール２からのフィ
ルム９の送り出し時にフィルム両面に成膜を行った後、
反応ガス供給機構の上記した各バルブが制御部３１から
の制御信号によって閉じる。そして更に、制御部３１の
制御信号によりモータの駆動が逆回転に切り換えられ、
巻き戻し工程に移行する。

【００５０】フィルム９がこのようにキャンロール３側
からキャンロール２側へ巻き戻されて走行すると同時
に、制御部３１の制御信号により、Ｄ／Ａコンバータ部
３９を介してバルブ制御部４２が動作し、バルブ１９ａ
及び／又は１９ｂを開き、酸素及び／又は窒素が反応ガ
ス供給装置１８から配管２０を通してガスプラズマ供給
装置１０に供給されてよい。このガスプラズマ供給装置
１０には、制御部３１との間にＤ／Ａコンバータ部４０
を介して電圧／電流制御回路４３が接続され、所定の放
電電圧が印加される。ガスプラズマ供給装置１０への印
加電圧は制御回路４３から制御部３１へフィードバック
され、常に所定値に設定される。

【００５１】このようにして、ガスプラズマ供給装置１
０からは、キャンロール３から巻き戻されて走行するフ
ィルム９の裏面９ｂに酸素及び／又は窒素のガスプラズ
マが供給され、上述したチタン膜の酸化度及び／又は窒
化度がコントロールされる。

【００５２】上記の如く、成膜装置２５の各部の動作及
び成膜状況がディスプレイ部３０でモニタされながら、
制御部３１によりコントロールされるため、反応ガス
（酸素及び／又は窒素）の供給量を徐々に変化させてチ
タン膜の酸化度及び／又は窒化度を制御し、これらの度
合い又は分布によって屈折率がチタン膜の場合にはｎ＝
１．３〜２．６の範囲で膜厚方向に変化する（特に、フ
ィルム両面で対称的に変化する）光学膜をフィルム９の
両面に形成することができる。これは、ルゲートフィル
タとして有用である。そして、フィルム９の厚さをフィ
ルタリングされる波長λに対してλ／２（±１０％）の
整数倍にすることにより、特定波長λに対する反射防止
作用も十分な光学膜を形成することができる。

【００５３】以上に述べたことから明らかなように、本
実施例によれば、フィルム９の両面に同時にチタン膜を
連続成膜することができ、しかも堆積するチタンに対す
る酸素及び／又は窒素の反応ガスの供給量をモニタしな
がらコントロールし、成膜されたチタン膜において、フ
ィルム９の両面で屈折率分布（勾配）が対称になるフィ
ルタを容易に作製することができる。

【００５４】また、ニュートラライザ１１の作用によ
り、フィルム９の帯電が防止されるため、異常放電が少
なくなる。

【００５５】また、補助カソード７及び仕切り板２０、
更にはキャンロール及びターゲットとチャンバー内壁面
との間隙の微小化により、ターゲット６ａ、６ｂからの
スパッタ粒子の飛散を防止し、その利用効率を高めるこ
とができる。更に、フィルム９の厚さの調整により、特
定波長に対応する反射防止膜の成膜も可能である。

【００５６】また、成膜中に膜の誘電率をモニタ（例え
ば対向電極との間の容量変化を検出）しながら成膜すれ
ば、フィルムコンデンサーも作製可能となる。

【００５７】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
した実施例は本発明の技術的思想に基づいて種々に変形
が可能である。

【００５８】例えば、フィルム９の一方の面に酸化及び
／又は窒化チタン膜を形成し、他方の面にはチタン膜の
みを形成したい場合には、送り出し工程において、反応
ガス供給装置１５へのガス導入バルブは１７ａのみを開
き、アルゴンのみを供給してフィルム９の表面９ａにチ
タン膜のみを形成し、巻き戻し時にはバルブ１７ａ、バ
ルブ１７ｂ及び／又は１７ｃを開くと、巻き戻し工程に
おいてフィルム９の裏面９ｂに酸化及び／又は窒化チタ
ン膜を形成することができる。勿論、上記とは反対に、
フィルム９の表面９ａに酸化及び／又は窒化チタン膜、
裏面９ｂにチタン膜を形成することができる。

【００５９】また、ターゲット６ａ、６ｂとフィルム９
面との間隙２３ａ、２３ｂの調整方法は、例えば図５の
ようにすることもできる。即ち、ターゲット６Ａ、６Ｂ
のそれぞれに上下動可能な移動扞２２を設けて上下に変
位させ、補助カソード７はジョイント７ａを支点として
幾分回動可能に構成し、両ターゲット６Ａ及び６Ｂの高
低差に対応させることもできる。なお、図５においては
前記したカソードシールド４ａ、４ｂ、バッキングプレ
ート５ａ、５ｂ及び仕切り板２０は図示省略してある。

【００６０】また、反応ガスの配管や供給方法も各種に
変形が可能であり、使用する反応ガスの種類についても
適宜に変えることができる。スパッタするターゲット材
も、上述のチタンに限ることはなく、タンタル、シリコ
ンなど、他の材質であってよい。成膜方法もスパッタ以
外に、真空蒸着（反応蒸着を伴うもの）、ＣＶＤ（化学
的気相成長法）等が適用可能である。

【００６１】更に、各部の形状や配置その他各部の駆動
方法等も上記した以外の適宜のものにすることができ
る。上述のキャンロールの個数も、目的に応じて変更し
てよく、３個又はそれ以上設けてもよい。また、フィル
ム９の供給方法については、上述のキャンロール方式だ
けでなく、一方の供給ロールからガイド用の一対のキャ
ンロールの各周面上でフィルムを導きながら巻き取るこ
とができる。

【００６２】

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、所定の成膜
を施すべき支持体を送る支持体送り手段を有し、前記支
持体の一方の面に膜組成の制御下に第１の成膜を施すた
めの第１の成膜手段と、前記支持体の他方の面に膜組成
の制御下に第２の成膜を施すための第２成膜手段とが前
記支持体に対して近接して設けられ、前記膜組成の制御
のために各成膜面に所定の反応ガスを供給するガス供給
手段が配設されているので、支持体送り手段による支持
体の搬送中に、第１の成膜手段による支持体の一方の面
と第２の成膜手段による支持体の他方の面とを成膜する
ことができ、しかも、成膜中に成膜面に対して反応ガス
が供給されて膜組成が制御されるので、所望の物性を示
す膜の成膜を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による成膜装置の一部破断概略
斜視図である。

【図２】図１におけるＡ矢視の概略断面図である。

【図３】図１におけるＢ矢視の概略断面図である。

【図４】同、成膜装置のターゲット部の構成を示す斜視
図である。

【図５】同、成膜装置のターゲット部の変形例を示す概
略図である。

【符号の説明】

１…チャンバー、２、３…キャンロール、４ａ、４ｂ…
カソードシールド、５ａ、５ｂ…バッキングプレート、
６ａ、６ｂ…ターゲット、７…補助カソード、８…シャ
フト、９…フィルム、９ａ…表面、９ｂ…裏面、１０…
ガスプラズマ供給装置、１１…ニュートラライザ、１
２、１６ａ、１６ｂ、２０…配管、１３…ターボポン
プ、１４…真空ポンプ、１５、１８…反応ガス供給装
置、１６ｃ、１６ｄ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１９
ａ、１９ｂ…バルブ、２１…仕切り板、２２…上下動機
構、２３ａ、２３ｂ、２３ｃ…間隙、２５…成膜装置、
２７…Ａ／Ｄコンバータ部、２８、２９、４３…電圧／
電流制御回路、３０…ディスプレイ部、３１、３５、３
６、３７…制御部、３２、３３、３４、３８、３９、４
０…Ｄ／Ａコンバータ部、４１、４２…バルブ制御部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の成膜を施すべき支持体を送る支持
体送り手段を有し、前記支持体の一方の面に膜組成の制
御下に第１の成膜を施すための第１成膜手段と、前記支
持体の他方の面に膜組成の制御下に第２の成膜を施すた
めの第２成膜手段とが前記支持体に対してそれぞれ近接
して設けられ、前記膜組成の制御のために各成膜面に所
定の反応ガスを供給するガス供給手段が配設されている
成膜装置。
【請求項２】真空槽内に互いに回転方向が異なる第１
の支持体巻回手段及び第２の支持体巻回手段が互いに近
接して設けられ、前記第１の支持体巻回手段に対向し、
反応ガス導入口を配した前記第１成膜手段と、前記第２
の支持体巻回手段に対向し、反応ガス導入口を配した前
記第２成膜手段と、前記第１の支持体巻回手段及び／又
は前記第２の支持体巻回手段に近接して配されたガスプ
ラズマ供給手段と、前記支持体の帯電電荷を中和するた
めの帯電防止手段とを有する、請求項１に記載した成膜
装置。
【請求項３】前記支持体の両面に対して、その厚み方
向の組成分布がほぼ対称的である膜がそれぞれ成膜可能
である、請求項１に記載した成膜装置。
【請求項４】前記第１の支持体巻回手段からの前記支
持体の送り出し時に、前記第１成膜手段により前記支持
体の一方の面に第１光学膜が形成され、前記第２成膜手
段により前記支持体の他方の面に第２光学膜が形成され
る、請求項２に記載した成膜装置。
【請求項５】前記反応ガス導入口から前記第１成膜手
段及び／又は前記第２成膜手段と前記支持体との間に所
定の反応ガスをそれぞれ供給することにより、酸化及び
／又は窒化された前記第１光学膜及び／又は前記第２光
学膜がそれぞれ形成される、請求項４に記載した成膜装
置。
【請求項６】前記第１及び第２の支持体巻回手段の上
方に設けられたガスプラズマ供給手段からのガスプラズ
マによって、前記第１光学膜及び／又は前記第２光学膜
の酸化度及び／又は窒化度が制御される、請求項４に記
載した成膜装置。
【請求項７】前記第１成膜手段によって酸化及び／又
は窒化された第１光学膜が形成されると共に、前記第２
成膜手段によって成膜された第２光学膜が、前記第２の
支持体巻回手段から前記第１の支持体巻回手段側への前
記支持体の巻き戻し時に、前記第１及び前記第２の支持
体巻回手段の上方に設けられたガスプラズマ供給手段か
らのガスプラズマによって酸化及び／又は窒化される、
請求項４に記載した成膜装置。
【請求項８】前記第１成膜手段及び第２成膜手段によ
る成膜がスパッタリングで行われる、請求項１に記載し
た成膜装置。
【請求項９】前記支持体の成膜面とターゲット面との
間を所定距離に保持するために、ターゲットの位置変位
手段が設けられている、請求項８に記載した成膜装置。
【請求項１０】前記支持体と前記真空槽の内壁との間
隙が微小となるように構成されている、請求項２に記載
した成膜装置。
【請求項１１】前記第１の支持体巻回手段及び前記第
２の支持体巻回手段として送り出しロール又は巻き取り
ロールがそれぞれ用いられ、これらの各ロール上での前
記支持体の成膜面がほぼ同一形状であり、各ロール間で
のロール径の比が２倍以内である、請求項２に記載した
成膜装置。
【請求項１２】前記支持体が光学フィルタを形成する
ためのフィルムであり、このフィルムの厚さが、フィル
タリング波長のλ／２（±１０％）の整数倍である、請
求項４に記載した成膜装置。