JPS62278273A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS62278273A JPS62278273A JP12047386A JP12047386A JPS62278273A JP S62278273 A JPS62278273 A JP S62278273A JP 12047386 A JP12047386 A JP 12047386A JP 12047386 A JP12047386 A JP 12047386A JP S62278273 A JPS62278273 A JP S62278273A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stirring
- gaseous samples
- gas reservoir
- reaction furnace
- gas
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置製造に使用するプラズマＣＶＤ装置
に関するものである。
に関するものである。
「従来の技術］
従来、この種のプラズマＣＶＤ装置において、反応に用
いられる試料ガスはガスボンベないしガス配管から取出
して導管により反応炉まで導びかれていた。このとき、
反応に用いる数種類の試料ガスは導管中を流れる間にガ
ス自身の拡散を利用して撹拌されていた。
いられる試料ガスはガスボンベないしガス配管から取出
して導管により反応炉まで導びかれていた。このとき、
反応に用いる数種類の試料ガスは導管中を流れる間にガ
ス自身の拡散を利用して撹拌されていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上述したように従来の試料ガス導入方法では、導入する
試料ガスの粘性が異なるため、反応炉に至るまでの導管
中において必ずしも均一に撹拌されないおそれがある。
試料ガスの粘性が異なるため、反応炉に至るまでの導管
中において必ずしも均一に撹拌されないおそれがある。
そのため、反応炉中においてプラズマ中の活性種が不均
一になり、結果的に半導体基板上に成長する膜の品質を
劣化させるという欠点がある。
一になり、結果的に半導体基板上に成長する膜の品質を
劣化させるという欠点がある。
本発明の目的は上記欠点を解決して高品質の膜成長処理
を可能とするプラズマＣＶＤ装置を提供することにある
。
を可能とするプラズマＣＶＤ装置を提供することにある
。
［問題点を解決するための手段］
本発明は複数種の試料ガスの供給部から反応炉に至る流
路中に、複数種の試料ガスを強制的に撹拌混合する撹拌
装置を介装したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置で
ある。
路中に、複数種の試料ガスを強制的に撹拌混合する撹拌
装置を介装したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置で
ある。
［実施例］
以下、本発明の一実施例につき詳細に説明する。
第１図は本発明を有したプラズマＣＶＤ装置の概要であ
る。供給部１から導入されたｎ種の試料ガスは導管４を
通り撹拌装置２に導入され、ここでざらに均一になるよ
うに撹拌される。均一になった試料ガスは導管５を通り
反応炉中３に導びかれる。
る。供給部１から導入されたｎ種の試料ガスは導管４を
通り撹拌装置２に導入され、ここでざらに均一になるよ
うに撹拌される。均一になった試料ガスは導管５を通り
反応炉中３に導びかれる。
第２図、第３図に本発明の撹拌装置の具体例を示す。す
なわち、本体１４内を多孔性隔壁７，９により前段、中
段、後段の３つのｕ６，８．１０に区画し、前段の室を
一次ガス溜め６として用い、−次ガス溜め６にガス導入
口１４ａを開口し、その入口に錐状のバッフル板１１を
設置する。一方後段の室を二次ガス溜め１０として用い
、二次ガス溜め１０にガス排出口１４ｂを開口する。ざ
らに中段の至８を撹拌部８として用い、撹拌羽根１３の
回転軸１２を前後の隔壁７，９によって回動可能に軸支
し、撹拌羽根１３を撹拌部８内に設置する。
なわち、本体１４内を多孔性隔壁７，９により前段、中
段、後段の３つのｕ６，８．１０に区画し、前段の室を
一次ガス溜め６として用い、−次ガス溜め６にガス導入
口１４ａを開口し、その入口に錐状のバッフル板１１を
設置する。一方後段の室を二次ガス溜め１０として用い
、二次ガス溜め１０にガス排出口１４ｂを開口する。ざ
らに中段の至８を撹拌部８として用い、撹拌羽根１３の
回転軸１２を前後の隔壁７，９によって回動可能に軸支
し、撹拌羽根１３を撹拌部８内に設置する。
第２図、第３図に示すように試料ガスはガス導入口１４
ａより、−次ガス溜め６に入る。バッフル板１１は試料
ガスの直進を妨げるためのものでおる。
ａより、−次ガス溜め６に入る。バッフル板１１は試料
ガスの直進を妨げるためのものでおる。
−次ガス溜め６内のガスは隔壁７を通過し、撹拌部８に
入る。撹拌部８では回転軸１２を中心に回転駆動する撹
拌羽根１３により試料ガスが撹拌され、複数種のガスが
均一に混合される。撹拌された試料ガスは隔壁９を通過
し二次ガス溜め１０に入る。
入る。撹拌部８では回転軸１２を中心に回転駆動する撹
拌羽根１３により試料ガスが撹拌され、複数種のガスが
均一に混合される。撹拌された試料ガスは隔壁９を通過
し二次ガス溜め１０に入る。
そしてガス排出口１４ｂから反応炉３に導入される。
本実施例では導管４中において試料ガスが不均一な混合
状態にある場合でも、撹拌部８によって撹拌されるため
、二次ガス溜め１０から均一な試料ガスを得ることがで
きる。
状態にある場合でも、撹拌部８によって撹拌されるため
、二次ガス溜め１０から均一な試料ガスを得ることがで
きる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は試料ガスの供給部から反応
炉までの間に試料ガスを撹拌する撹拌装置を有すること
により、反応炉内に導入される試料ガスの均一性をざら
に高め、そのために半導体基板上に成長する膜の品質を
向上させることができる効果がある。
炉までの間に試料ガスを撹拌する撹拌装置を有すること
により、反応炉内に導入される試料ガスの均一性をざら
に高め、そのために半導体基板上に成長する膜の品質を
向上させることができる効果がある。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ装置を示す概要図、第
２図は本発明に係る撹拌装置を示す断面図、第３図は第
２図の斜視図である。 １・・・ガス供給部 ２・・・撹拌装置３・・・
反応炉 ４・５・・・導管６・・・−次ガス
溜め ７・９・・・隔壁８・・・撹拌部
１Ｇ・・・二次ガス溜め１１・・・バッフル板
１２・・・回転軸１３・・・撹拌羽根
２図は本発明に係る撹拌装置を示す断面図、第３図は第
２図の斜視図である。 １・・・ガス供給部 ２・・・撹拌装置３・・・
反応炉 ４・５・・・導管６・・・−次ガス
溜め ７・９・・・隔壁８・・・撹拌部
１Ｇ・・・二次ガス溜め１１・・・バッフル板
１２・・・回転軸１３・・・撹拌羽根
Claims (1)
- （１）複数種の試料ガスの供給部から反応炉に至る流路
中に、複数種の試料ガスを強制的に撹拌混合する撹拌装
置を介装したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047386A JPS62278273A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12047386A JPS62278273A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278273A true JPS62278273A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14787042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12047386A Pending JPS62278273A (ja) | 1986-05-26 | 1986-05-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289828U (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-17 | ||
| WO2011101361A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
-
1986
- 1986-05-26 JP JP12047386A patent/JPS62278273A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289828U (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-17 | ||
| WO2011101361A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Aixtron Se | Gasmischer für dampfabscheidung |
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