JPS58206119A - 薄膜生成装置 - Google Patents

薄膜生成装置

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JPS58206119A
JPS58206119A JP57088846A JP8884682A JPS58206119A JP S58206119 A JPS58206119 A JP S58206119A JP 57088846 A JP57088846 A JP 57088846A JP 8884682 A JP8884682 A JP 8884682A JP S58206119 A JPS58206119 A JP S58206119A
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JP
Japan
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reaction chamber
gas
thin film
chamber
net
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JP57088846A
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Yoshinobu Morita
森田　喜信
Hiroshi Haruki
春木　弘
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は太陽電池などに用いるシリコン薄膜、特に非晶
質シリコン薄膜の生成装置に関する。
このような薄膜は、例えば第１図に示すような成膜装置
を用い、円筒状の真空反応室１内でのグロー放電分解法
によって生成される。反応室１円に導入管２よりＳｉＨ
４，Ｂ２Ｉ（ｓ　、ＰＨ・３などの反応ガスを注入し、
排気管３に接続された真空系によって反応室内を真空に
保ちながら図示しない′ｉＩｔ極によってグロー放電を
発生をせ、反応ガスの放電分解によりサセプタ４の上で
加熱さｎる基板５ｉＣ薄膜を成長させる。しかしこの方
法によると、導入管２から排気口３に至るガス流がサセ
プタ上を通る際、サセプタの全面にわたって羽−な流を
形成することは困難である。従って基板５の上に生成さ
れる本発明の目的は、従来の方法のこのような欠点１除
き、均一な薄膜を基体上に生成でさる装置を提供するこ
とにある。
この目的は真空反応室へのカスの導入口が多数°ゐ一様
に分散配置された細孔よジなり、ぞの細孔の開口面積の
総和は細孔の外側に２ＶＴるカス流路の断面積より小さ
く、各細孔力・ら開口面積の総和が大きくとも細孔の開
口面積の総和と同程度の排気口に至る最短距離がほぼ等
しくすることによって達成されるっ 以下図を引用して本発明の実施ｆＱについて説明する。
第１図を含めた各図における共通の部分には同一の符号
が付されている。第２図に示す真空反応室１は方形の断
面を有する。反応室の前後には、例え５００メツシュ以
上の同面潰の纒６，７が平行に張られているっガス導入
管２より網６の反応室に対して外側にある前室８に蓄え
られたガスは網６を通って反応室１に入る。網６のや目
の面積の総和は前室８の断面積より小さく、ガスは網６
によって絞られて流路に垂直な断面積が一様である反応
室１内を流れて網７を通り、反応室に対１にわたって均
一に流れるので、サセプタ４の上の基板５の上に生成さ
れる薄膜は全面にわたって均一である。
第３図・ｒｉ真真空窓芯室１円筒形でちる和■ｆ４を示
す。この場合も第２図の場合と同様に反応ガスは網６を
介して断面一様な円筒状反応室１を層流をなして通り、
網７を介して排気管３より排気される。この間図示しな
い亀唖テよって生ずるグロー放電（でより同じく図示し
ない基板上、て薄膜が成長する。
二 第４図はさらに別の実施例を示し、この場合は基板５は
円筒形真空反応室１の底面上に置かれる。
）入管２より入った反応ガスは円筒の円周に沿って設け
られた環状の前室８に蓄えられ、内側に設けられた円筒
状の網６より反応室１の中心に位置する排気口１０に向
けて流れる。従ってこの場合ガス流は層流ではないが、
排気口１０に゛向けて求心方向に流れるガスは排気口１
０を中心とする円周上では均一であり、従って円周上に
配置さｎている基板５には均一に薄膜が成長する。なお
この場合排気口１０の断面が小さければ排気口側には必
ずしも網を備える必要がない。
上述の実施例における網６，７の代りに訓孔を明けた隔
壁を用いてもよい。第５図はそのような隔壁１１を通過
するガスの流量を変化させるためにスリット１２を有す
るシャッター３を用いる方法を示し、隔壁１１に明けら
れた各細孔１４をシャッタ１３によって同一面積だけ塞
ぐことによりなガス流を形成することができる。
以上述べたように、本発明は真空反応室に導入゛βする
反応ガスの流路の断面積金網または細孔を有“する隔壁
を用いて絞ることにより反応室内に均一１、なガス流を
形成するものであり、これによって多′数の基板上へ同
時に均一な薄膜を生成することあるいは大面積の基板に
全面均一な薄膜を生成することが可能になるので、特に
太陽電池の量産あるいは大面積太陽電池の裏作に唖めて
有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は薄膜生成装置の従来例の断面図、第２図は本発
明の一実施例の断面図、第３．第４図はそれぞれ別の実
施例の断面図、第５図ぽさらに別の実画列の一部を示す
斜視図でりるっ に １・・真空反応７．５・・・基板、６，７・・・網、８
・・・前室、９・・鎌至、１０・・・排気口、１１・・
・隔壁、１４・・・細孔。 才１図 第２Ｉ！１ ７３［！］ ｔ４−［！］

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）排気口を介して真空排気される真空反応室へ、１導
    入口を介して導入される反応ガスのグロー放電分解によ
    り基体上に薄膜を生成するものにおいて、導入口が一様
    に分散配置された多数の細孔よりなり、該細孔の開口面
    積の総和は細孔の外側に２けるガス流路の断面積より小
    さく、各細孔から開口２面積の総和が大きくとも前記細
    孔の開口面積の総１和と同程度の排気口に至る最短距離
    がほぼ等しい′１箋とを特徴とする薄膜生成装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、細孔が
    網目であることを特徴とする薄膜生成装置。
JP57088846A 1982-05-27 1982-05-27 薄膜生成装置 Pending JPS58206119A (ja)

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