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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung des Giessharzpackungstyps,
bei welchem ein Halbleiterchip, Leitungen und eine Wärmesenke
in einer versiegelnden Giessharzpackung oder in ein Giessharzgehäuse eingeschlossen
sind.
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28 der beigefügten Zeichnung
zeigt schematisch einen Querschnitt durch eine bekannte Halbleitervorrichtung
des Giessharzpackungstyps.
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Auf
einer bestimmten Fläche 11 einer
Wärmesenke 10 ist
unter Zwischenschaltung eines Klebers 30, der aus einem
Kunstharz oder Kunststoff ist, um zusammen mit der Fläche 11 als
Leiter zu dienen, ein IC-Chip 20 angeordnet. Der IC-Chip 20 ist
mit den jeweiligen Leitern eines Leiterrahmens 40 über Leitungen 50 verbunden.
Die Wärmesenke 10,
der IC-Chip 20 und der Leiterrahmen 40 sind in
einem Giessharzgehäuse
oder einer Giessharzpackung 60 eingeschlossen oder eingesiegelt,
welche die Wärmesenke 10,
den IC-Chip 20 und den Leiterrahmen 40 umschliesst.
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Die
Wärmesenke 10 hat
die oben erwähnte bestimmte
Fläche 11,
eine weitere Fläche 12 und zwischen
der bestimmten Fläche 11 und
der weiteren Fläche 12 eine
Seitenfläche 13.
Die Seitenfläche 13 weist
einen Vorsprung (Ausprägung) 14 auf.
Indem sich der Vorsprung 14 in die Giessharzpackung 60 eingräbt, kann
die Halte- oder Adhäsionsfestigkeit zwischen
der Giessharzpackung 60 und der Wärmesenke 10 erhöht werden.
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Bei
der Halbleitervorrichtung dieses Giessharzpackungstyps wird die
Wärmesenke 10 aus
einem Material wie beispielsweise Kupfer (Cu) gemacht, um eine Wärmeent wicklung
in der Halbleitervorrichtung möglichst
gut zu vermeiden.
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Bei
der Halbleitervorrichtung eines derartigen Giessharzpackungstyps
bewirken jedoch thermische Belastungen aufgrund von Abkühlungs-/Erwärmungszyklen
durch Lot-Reflow zum Zusammenlötzeitpunkt
etc., dass die Wärmesenke 10 und
die Giessharzpackung 60 oder die Wärmesenke 10 und der Harzkleber 30 sich
voneinander lösen.
Dies deshalb, als es einen grossen Unterschied im thermischen Ausdehnungskoeffizienten
zwischen der Wärmesenke 10 aus
Metall oder dergleichen und den Harzen oder Kunststoffen gibt, das
heisst der Giessharzpackung 60 und dem Harzkleber 30.
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Beim
Auftritt einer derartigen Ablösung
entsteht das Problem einer Leistungsverschlechterung, unter anderem
dadurch, dass sich in der Giessharzpackung 60 aufgrund
eines thermischen Schocks relativ früh Risse bilden können und
aufgrund der Tatsache, dass thermische und elektrische Widerstände zwischen
dem IC-Chip 20 und der Wärmesenke 10 zunehmen.
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Weiterhin
ist ein Lötmaterial
frei von Blei (Pb) wünschenswert,
die Schmelztemperatur eines derartigen Lotmaterials ist jedoch hoch.
Wenn somit die oben beschriebene Halbleitervorrichtung durch ein Lötmaterial
mit einem externen Substrat verbunden wird, steigt die Temperatur
von Lot-Rückfluss ("re-flow") von 225°C eines üblichen
Lotmaterials mit Pb auf einen höheren
Temperaturbereich zwischen 240°C
bis 260°C.
Im Ergebnis werden die oben beschriebenen Probleme noch gravierender.
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Angesichts
hiervon ist es damit Aufgabe, eine Wärmesenke und eine Giessharzpackung
wirksam an einem Lösen
von einander in einer Halbleitervorrichtung zu schützen, welche
aufgebaut ist aus einem Halbleiterchip, einem Lei terrahmen und der
genannten Wärmesenke,
welche in der Giessharzpackung zum Versiegeln des Halbleiterchips,
des Leiterrahmens und der Wärmesenke
eingeschlossen sind.
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Gemäss einem
ersten Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung aufgebaut aus einer
Wärmesenke; einem
IC-Chip, der auf einer bestimmten Fläche der Wärmesenke angeordnet und dort
befestigt ist; einem Leiterrahmen, der an Stellen um den IC-Chip herum
angeordnet und elektrisch mit dem IC-Chip verbunden ist; und einer
Giessharzpackung zum Einschliessen von Wärmesenke, IC-Chip und Leiterrahmen,
wobei: die Wärmesenke
die bestimmte Fläche, eine
weitere Fläche
und eine Seitenfläche
zwischen der bestimmten Fläche
und der weiteren Fläche
hat und die spezifischen Oberflächenbereiche
der bestimmten Fläche
und der Seitenfläche
jeweils 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 betragen.
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Die
vorliegende Erfindung wurde im Verlauf von Experimenten gemacht.
Ergebnisse der Experimente haben dann verifiziert, dass durch Festlegen der
spezifischen Oberflächenbereiche
der bestimmten Fläche
und der Seitenfläche
auf 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35, wobei die bestimmte Fläche bzw.
die Seitenfläche
eine Fläche
bzw. Seitenfläche der
Wärmesenke
und die Seitenfläche
eine Seitenfläche
zwischen der bestimmten Fläche
und der anderen Fläche
ist, welche eine andere Fläche
der Wärmesenke
ist, die Haltefestigkeit zwischen der Giessharzpackung und der Wärmesenke
erhöht
werden kann, so dass die Giessharzpackung und die Wärmesenke
wirksam daran gehindert werden, sich von einander zu lösen und
Risse im Giessharz vermeidbar sind.
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Somit
können
bei einer Halbleitervorrichtung bestehend aus einem IC-Chip, einem
Leiterrahmen und einer Wärmesenke,
welche in einer Giessharzpackung eingeschlossen sind, um den IC-Chip,
den Leiterrahmen und die Wärmesenke
zu versiegeln, die Giessharzpackung und die Wärmesenke wirksam daran gehindert
werden, sich von einander zu lösen.
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Weiterhin
ist gemäss
einem zweiten Aspekt die Halbleitervorrichtung gemäss dem ersten
Aspekt weiterhin dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmesenke
einen Vorsprung an der Seitenfläche
der Wärmesenke
hat, der von dieser Seitenfläche
vorsteht; und ein Bauteil, das an der Seitenfläche der Wärmesenke an einer Stelle zwischen
dem Vorsprung und einer Grenze zwischen der bestimmten Fläche und der
Seitenfläche
vorhanden ist, einen spezifischen Oberflächenbereich von 1,35 oder einer
Zahl grösser als
1,35 hat.
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Mit
dem Vorsprung an der Seitenfläche
der Wärmesenke
wie oben beschrieben ist es wünschenswert,
den spezifischen Oberflächenbereich
eines Bauteils an der Seitenfläche
der Wärmesenke, das
an einer Stelle zwischen dem Vorsprung und einer Grenze zwischen
der bestimmten Fläche
und der Seitenfläche
liegt, auf 1,35 oder eine Zahl grösser als 1,35 zu setzen.
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Gemäss einem
dritten Aspekt ist die Halbleitervorrichtung aufgebaut aus einer
Wärmesenke;
einem IC-Chip, der an einer bestimmten Fläche der Wärmesenke angeordnet und daran
befestigt ist; einem Leiterrahmen, der an Stellen um den IC-Chip herum
angeordnet und elektrisch mit IC-Chip verbunden ist; und einer Giessharzpackung
zum Einschliessen von Wärmesenke,
IC-Chip und Leiterrahmen, wobei der spezifische Oberflächenbereich
zumindest der bestimmten Fläche
der Wärmesenke
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 beträgt.
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Die
vorliegende Erfindung hat sich im Verlauf von Experimenten ergeben.
Experimentelle Ergebnisse haben verifiziert, dass durch Festsetzen
des spezifischen Oberflächenbereichs
zumindest der bestimmten Fläche
der Wärmesenke
auf 1,35 oder auf eine Zahl grösser
als 1,35 die Haltefestigkeit zwischen der Giessharzpackung und der
Wärmesenke erhöht werden
kann, so dass die Giessharzpackung und die Wärmesenke wirksam daran gehindert
werden können,
sich von einander zu lösen
und Risse in dem Giessharz können
vermieden werden.
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Die
bestimmte Fläche
der Wärmesenke
ist eine Fläche,
welche den Grossteil eines Bereichs der Anheftung oder Adhäsion bildet,
welche zwischen der Giessharzpackung und der Wärmesenke vorliegt. Durch Festlegen
des spezifischen Oberflächenbereiches
zumindest der bestimmten Fläche
der Wärmesenke
auf 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 kann die Haltefestigkeit zwischen der Giessharzpackung
und der Wärmesenke
erhöht
werden, so dass die Giessharzpackung und die Wärmesenke wirksam daran gehindert
werden können,
sich von einander zu lösen
und Risse im Harz lassen sich vermeiden. Das heisst, der Abschnitt,
dessen spezifischer Oberflächenbereich
auf 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 gesetzt werden soll, ist nur die bestimmte Fläche der
Wärmesenke.
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Somit
können
bei einer Halbleitervorrichtung bestehend aus einem IC-Chip, einem
Leiterrahmen und einer Wärmesenke,
welche in einer Giessharzpackung zum Versiegeln von IC-Chip, Leiterrahmen und
Wärmesenke
eingeschlossen sind, die Giessharzpackung und die Wärmesenke
wirksam daran gehindert werden, sich von einander zu lösen.
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Gemäss einem
vierten Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung nach einem der ersten
bis dritten Aspekte dadurch gekennzeichnet, dass der IC-Chip auf der
bestimmten Fläche
der Wärmesenke
mittels eines Klebers aus einem Harz angeordnet und befestigt ist,
wodurch der Kleber unter Zuhilfenahme der bestimmten Fläche eingeschlossen
wird.
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Da
der IC-Chip an der bestimmten Fläche der
Wärmesenke
durch den Kleber aus einem Harz angeordnet und befestigt wird, wird
der Kleber unter Zuhilfenahme der bestimmten Fläche eingeschlossen und die
Wärmesenke
und der Kleber aus Harz können
wirksam daran gehindert werden, sich von einander zu lösen.
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Bei
einer Halbleitervorrichtung gemäss
einem fünften
oder sechsten Aspekt werden die Giessharzpackung und der Kleber
beide aus einem Harz aus einer Epoxy-Gruppe gewählt.
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Gemäss einem
siebten Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung aufgebaut aus: einer
Wärmesenke; einem
IC-Chip, der an einer bestimmten Fläche der Senke angeordnet und
befestigt ist; einem Leiterrahmen, der an Stellen um den IC-Chip
herum angeordnet und elektrisch mit dem IC-Chip verbunden ist; und
einer versiegelnden Giessharzpackung zum Einschliessen von Wärmesenke,
IC-Chip und Leiterrahmen. Ein Teil der Wärmesenke steht zur Aussenseite der
Giessharzpackung vor und ein Teil des Leiterrahmens steht in Form
von äusseren
Leitern von der Giessharzpackung vor. Der spezifische Oberflächenbereich
einer Oberfläche
der Wärmesenke
wird auf einem Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt. Der spezifische
Oberflächenbereich
von Oberflächen
der äusseren
Leiter wird auf einem Wert im Bereich von 1,05 bis 1,20 gesetzt.
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Eine
derartige Halbleitervorrichtung wird typischerweise auf einem externen
Substrat durch Anbringen der äusseren
Leiter, die von der Giessharzpackung als äussere Leiter des Leiterrahmens
vorstehen, auf Kontaktstellen des externen Substrates durch Anwenden
einer Löttechnik
angebracht, wie in den beigefügten 4 und 5 gezeigt.
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Bei
einem Vorgang der Anordnung der Halbleitervorrichtung an dem externen
Substrat können die äusseren
Leiter von ihren korrekten Lötpositionen aufgrund
einer Verbiegung der äusseren
Leiter oder aus anderen Gründen
verschoben werden.
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Zur
Lösung
dieses Problems wird im Fall der Halbleitervorrichtung gemäss dieser
Ausführungsform
ein Laserstrahl auf die äusseren
Leiter und das externe Substrat von einer Position oberhalb des
externen Substrates aus gerichtet, um die äusseren Leiter zu erkennen
und um ihre Lageverschiebungen auf der Grundlage von Differenzen
in der Stärke
des reflektierten Lichts zu erkennen.
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Die
Oberflächen
der äusseren
Leiter können als
glänzende
Fläche
mit einem geringem Rauhigkeitsgrad ausgebildet werden, so dass durch
Erhöhen
der Lichtreflexionsmenge der äusseren
Leiter die Erkennbarkeit der Leiter verbessert werden kann. Jedoch
werden die innen liegenden Leiter des Leiterrahmens mit dem gleichem
Herstellungsprozess wie die äusseren
Leiter erzeugt und der niedrige Rauhigkeitsgrad der inneren Leiter
oder innen liegenden Leiter führt
zu einer schlechten Anhaftung zwischen den inneren Leitern und der
Giessharzpackung.
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Anders
gesagt, um die Haltefestigkeit zwischen den inneren Leitern und
der Giessharzpackung sicherzustellen, muss die Rauhigkeit der inneren
Leiter und damit die Rauhigkeit der äusseren Leiter erhöht werden,
um einen spezifischen Oberflächenbereich
zu erhalten. Auf diese Weise ist es möglich, eine Haltefestigkeit
zwischen der inneren Leiter und der Giessharzpackung sicherzustellen,
jedoch nimmt das Lichtreflexionsvermögen der äusseren Leiter aufgrund des
erhöhten
Rauhigkeitsgrades in nachteiliger Weise ab. In Folge dessen wird
die Erkennbarkeit der äusseren
Leitern unzureichend.
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Ausgehend
von diesem Sachverhalt wurden weitere Untersuchungen durchgeführt, um
eine Oberflächenrauhigkeit
zu ermitteln, welche sowohl eine Erkennbarkeit der Leiter (äussere Leiter)
als auch eine Haltefestigkeit zwischen den inneren Leitern und der
Giessharzpackung sicherstellt. Die Haltefestigkeit oder Anhaftung
zwischen den inneren Leitern und der Giessharzpackung muss natürlich aus
Gründen
der Vermeidung einer Ablösung
von Wärmesenke
und Giessharzpackung voneinander sichergestellt werden. Zusätzlich wurde
die Oberflächenrauhigkeit
der Wärmesenke
untersucht, wobei die folgenden Punkte berücksichtigt wurden.
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Bei
einer Halbleitervorrichtung des in Frage stehenden Typs liegt ein
Teil der Wärmesenke
ausserhalb der Giessharzpackung und bildet eine Anordnung, welche
eine Wärmeabstrahlung
von der Wärmesenke
sicherstellt. Bei dem Herstellungsvorgang der Giessharzpackung einer
solchen Halbleitervorrichtung haften jedoch Harzgrate an dem freiliegenden
Abschnitt der Wärmesenke
an, was zu dem Problem führen
kann, dass die Wärmeabstrahlung
behindert wird.
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Wenn
der freiliegende Abschnitt der Wärmesenke
aufgerauht wird, um zu verhindern, dass sich die Wärmesenke
von der Giessharzpackung löst, wird
insbesondere die Menge an erzeugten Harzgraten in nachteiliger Weise
maximiert und die Haltefestigkeit der Harzgrate an dem freiliegenden
Abschnitt der Wärmesenke
nimmt ebenfalls zu, so dass es schwierig wird, diese Harzgrate zu
entfernen.
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Durch
Festsetzen des spezifischen Oberflächenbereichs der Wärmesenke
bei einer Halbleitervorrichtung gemäss einem siebten Aspekt auf
einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1, 32 gemäss den in der beigefügten 27 gezeigten
Daten (Ergebnis der Studie, welche von den Erfindern der vorliegenden Anmeldung
durchgeführt
wurde), ist es möglich,
eine Haltefestigkeit sicherzustellen, welche gross genug ist, dass
ein Ablösen
der Giessharzpackung und der Wärmesenke
voneinander verhindert wird, wobei weiterhin die Ausbildung von
Harzgraten an dem freiliegenden Abschnitt der Wärmesenke hinlänglich vermieden
ist.
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Wenn
der spezifische Oberflächenbereich der
Wärmesenke
auf einem Wert kleiner als 1,13 gesetzt wird, ist die Halte- oder
Anhaftfestigkeit nicht gross genug, um ein Lösen der Giessharzpackung und
der Wärmesenke
voneinander zu vermeiden, so dass die Giessharzpackung und die Wärmesenke sich
ohne weiteres voneinander lösen
können.
Wenn der spezifische Oberflächenbereich
der Wärmesenke
auf einen Wert grösser
als 1,32 gesetzt wird, wird andererseits die Haltefestigkeit zu
hoch, was bewirkt, dass Harzgrate an dem freiliegenden Abschnitt
der Wärmesenke
auftreten und insbesondere schwierig von dort zu entfernen sind.
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Zusätzlich ist
es durch Festlegen des spezifischen Oberflächenbereichs der äusseren
Leiter bei einer Halbleitervorrichtung gemäss einem siebten Aspekt auf
einen Wert in Bereich von 1,05 bis 1,20 gemäss den in 27 gezeigten
Daten möglich,
sowohl eine ausreichende Leitererkennbarkeit der äusseren
Leiter als auch eine ausreichende Haltefestigkeit zwischen den inneren
Leitern und der Giessharzpackung sicherzustellen, da der spezifische
Oberflächenbereich
der inneren Leiter ungefähr
der gleiche ist wie der spezifische Oberflächenbereich der äusseren
Leiter.
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Wenn
der spezifische Oberflächenbereich der äusseren
Leiter auf einen Wert kleiner als 1,05 gesetzt wird, wird der spezifische
Oberflächenbereich
der inneren Leiter ebenfalls auf einen Wert kleiner als 1,05 gesetzt,
so dass die Halbleiterfestigkeit zwischen den inneren Leitern und
der Giessharzpackung nicht gross genug ist, um ein Ablösen der
Giessharzpackung und der inneren Leiter voneinander zu verhindern.
Im Ergebnis können
sich die Giessharzpackung und die inneren Leitern ohne weiteres voneinander
lösen.
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Durch
Festsetzen des spezifischen Oberflächenbereichs der äusseren
Leiter bei einer Halbleitervorrichtung gemäss dem siebten Aspekt auf einen Wert
im Bereich von 1,05 bis 1,20 kann andererseits die Haltefestigkeit
zwischen den inneren Leitern und der Giessharzpackung bei einem
spezifischen Oberflächenbereich
kleiner als der spezifische Oberflächenbereich zur Sicherstellung
der Anhaftung der Wärmesenke
und der Giessharzpackung sichergestellt werden.
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Wenn
der spezifische Oberflächenbereich der äusseren
Leiter auf einem Wert grösser
als 1,20 gesetzt wird, ist jedoch das Lichtreflexionsvermögen durch
die äussere
Leitern nicht ausreichend, so dass die Leitererkennbarkeit der äusseren
Leitern nicht sichergestellt werden kann.
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Gemäss dem siebten
Aspekt wird bei der Halbleitervorrichtung mit der Wärmesenke,
dem IC-Chip, dem Leiterrahmen und der versiegelnden Giessharzpackung
zum Einschliessen von Wärmesenke,
IC-Chip und Leiterrahmen der spezifische Oberflächenbereich der Oberfläche der
Wärmesenke auf
einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt und der spezifische
Oberflächenbereich
der Oberflächen
der äusseren
Leitern wird auf einen Wert im Bereich von 1,05 bis 1,20 gesetzt,
so dass die Halbleitervorrichtung in der Lage ist, eine ausreichende
Haltefestigkeit sicherzustellen, die gross genug ist, ein Ablösen der
Wärmesenke
und der Giessharzpackung voneinander zu verhindern, wobei auf ausreichende
Weise verhindert wird, dass Harzgrate an der freiliegenden äusseren
Fläche
der Wärmesenke
anhaften und wobei sowohl eine Erkennbarkeit der äusseren
Leiter als auch eine Haltefestigkeit zwischen den inneren Leitern
und der Giessharzpackung erreicht wird.
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Gemäss einem
achten Aspekt kann die Halbleitervorrichtung gemäss dem siebten Aspekt eine Ausgestaltung
haben, bei der die Wärmesenke
einen Vorsprung hat, der von einer Oberfläche der Wärmesenke vorsteht, wobei sich
der Vorsprung in die Giessharzpackung eingräbt. Die Halte- oder Haftfestigkeit
zwischen der Giessharzpackung und der Wärmesenke kann damit weiter
erhöht
werden.
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Gemäss einem
neunten Aspekt kann die Halbleitervorrichtung gemäss dem siebten
oder achten Aspekt eine Ausgestaltung haben, bei der der IC-Chip
an der Wärmesenke
mittels eines Klebers aus Harz angebracht und befestigt ist, wobei
der Kleber in Zusammenwirkung mit der Wärmesenke eingeschlossen wird.
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Gemäss einem
zehnten Aspekt kann die Halbleitervorrichtung gemäss dem neunten
Aspekt eine Ausgestaltung haben, bei der der Kleber aus dem Harz
aus einer Epoxy-Gruppe
ist.
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Gemäss einem
elften Aspekt kann die Halbleitervorrichtung der siebten bis zehnten
Aspekte eine Ausgestaltung haben, bei der die Giessharzpackung aus
einem Harz aus einer Epoxy-Gruppe ist.
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Weitere
Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben
sich besser aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsformen
anhand der Zeichnung.
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Es
zeigt:
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1A eine
schematische Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung
des Giessharzpackungstyps gemäss
einer ersten Ausführungsform und 1B eine
vergrösserte
Darstellung des Abschnittes A in 1A;
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2A und 2B jeweils
schematische Schnittdarstellungen einer Wärmesenke in der ersten Ausführungsform
mit direkt aufgerauhten Materialien der Wärmesenke;
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3 eine
schematische Schnittdarstellung einer anderen Wärmesenke der ersten Ausführungsform;
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4 eine
schematische Schnittdarstellung, bei der die Halbleitervorrichtung
von 1A an einem externen Substrat angeordnet ist;
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5 eine
andere schematische Schnittdarstellung, bei der die Halbleitervorrichtung
von 1A an einem externen Substrat angeordnet ist;
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6 ein
Modell der Oberfläche
einer aufgerauhten Wärmesenke;
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7 in
einer graphischen Darstellung experimentelle Ergebnisse von Beziehungen
zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich
einer Wärmesenke
und der Haft- oder Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke
und der Giessharzpackung, welche die Wärmesenke einschliesst;
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8 eine
graphische Darstellung von experimentellen Ergebnissen, welche eine
Beziehung zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich der Wärmesenke
und einer Ablöserate
der Wärmesenke von
der Giessharzpackung darstellen, welche die Wärmesenke einschliesst;
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9 eine
Graphik von experimentellen Ergebnissen, welche eine Beziehung zwischen
dem spezifischen Oberflächenbereich
einer Wärmesenke und
einer Ablöserate
der Wärmesenke
von einem Kleber zeigen, der auf die Wärmesenke aufgebracht ist;
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10 eine
graphische Darstellung von experimentellen Ergebnissen, welche eine
Beziehung zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich einer Wärmesenke
und einer Erzeugungsrate von Harzrissen in einer Giessharzpackung
darstellen, welche die Wärmesenke
einschliesst;
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11 eine
schematische Schnittdarstellung der Halbleitervorrichtung mit einer
QFN-Struktur unter Verwendung eines Leiterrahmens in Form einer modifizierten
Abwandlung der ersten Ausführungsform;
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12 eine
schematische Schnittdarstellung durch die Halbleitervorrichtung,
die gemäss
einer abgewandelten Version der ersten Ausführungsform als Leistungsmodul
verwendet wird;
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13 eine
schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäss einer
zweiten Ausführungsform;
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14 schematisch
ein Verfahren zur Herstellung von Ni-, Pd- und Au-Platten oder -platierungen
gemäss
der zweiten Ausführungsform;
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15 schematisch
ein Verfahren zur Herstellung einer teilweise aufgerauhten Ni-Platte
oder -platierung für
die Wärmesenke
gemäss
der zweiten Ausführungsform;
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16a–16e jeweils Darstellungen von Details des Herstellungsverfahrens
von 15 zur Herstellung einer aufgerauhten Ni-Platte
oder -platierung;
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17a–17e jeweils Darstellungen eines Herstellungsverfahrens
zur Erzeugung einzelner Teile der Wärmesenke;
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18 eine
schematische Schnittdarstellung durch eine Wärmesenke gemäss einer
ersten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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19 eine
schematische Schnittdarstellung durch eine Wärmesenke gemäss einer
zweiten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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20 eine
schematische Schnittdarstellung durch eine Wärmesenke gemäss einer
dritten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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21 eine
schematische Schnittdarstellung einer Wärmesenke gemäss einer
vierten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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22 eine
schematische Schnittdarstellung einer Wärmesenke gemäss einer
fünften
Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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23 eine
schematische Schnittdarstellung einer Wärmesenke gemäss einer
sechsten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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24 eine
schematische Schnittdarstellung einer Wärmesenke gemäss einer
siebten Abwandlung der zweiten Ausführungsform;
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25 eine
schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung des
Giessharzpackungstyps gemäss
einer dritten Ausführungsform;
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26 eine
schematische Schnittdarstellung durch die Anordnung von Wärmesenke
und Leiterrahmen bei der Halbleitervorrichtung von 25;
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27 eine
graphische Darstellung der Beziehungen zwischen dem spezifischen
Oberflächenbereich
und der Scherfestigkeit, sowie zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich
und einer Grösse von
reflektiertem Licht; und
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28 eine
schematische Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung
des Giessharzpackungstyps nach dem Stand der Technik.
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Ausführungsformen
der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert. Es
versteht sich, dass in der nachfolgenden Beschreibung identische
oder äquivalente
Bauteile in allen Figuren mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind,
um die Beschreibung zu vereinfachen.
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<Erste Ausführungsform>
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1a zeigt
in einer schematischen Schnittdarstellung eine Halbleitervorrichtung 100 des
Giessharzpackungstyps gemäss
einer ersten Ausführungsform. 1B ist
eine vergrösserte
Darstellung des Ausschnitts A (Kreis) in 1A. Die
Halbleitervorrichtung 100 kann beispielsweise bei einer
QFP (Quad Flat Package) oder einer SOP (Small Outline Package) angewendet
werden.
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Eine
Wärmesenke 10 ist
aus einem Material mit ausgezeichneter Wärmeabstrahlungseigenschaft gebildet.
Ein Beispiel für
ein derartiges Material ist Metall, beispielsweise Cu, Fe, Mo, die
42 Legierung und Kovar. Typischerweise hat die Wärmesenke 10 die Form
einer rechteckförmigen
Platte. In dieser Ausführungsform
ist die Wärmesenke
eine Platte aus Cu.
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Weiterhin
hat gemäss 1A die
Wärmesenke 10 eine
bestimmte Fläche 11,
eine andere Fläche 12 und
eine Seitenfläche 13 zwischen
der bestimmten Fläche 11 und
der anderen Fläche 12.
Die Seitenfläche 13 weist
einen Vorsprung (Prägung) 14 zur
Erhöhung
der Haltekraft zwischen einer Giessharzpackung 60 und der
Wärmesenke 10 auf.
Die Wärmesenke 10 mit
einem derartigen Vorsprung 14 kann in einem Pressen-Herstellungsschritt
oder dergleichen gebildet werden.
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Ein
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient, ist auf der bestimmten
Fläche 11 der
Wärmesenke 10 angeordnet.
Der IC-Chip 20 ist aus einem Siliziumsubstrat. In dem IC-Chip 20 sind
Bauelemente wie Transistoren durch Anwendung einer Halbleiterbearbeitungstechnologie
gebildet.
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Bei
der vorliegenden Ausführungsform
ist der IC-Chip 20 an der bestimmten Fläche 11 der Wärmesenke 10 durch
einen Kleber 30 aus einem Harz fest angebracht, wobei der
Harzkleber 30 von der bestimmten Fläche 11 und dem IC-Chip 20 eingeschlossen
wird.
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Der
Kleber 30 ist aus einem Harz mit ausgezeichneter thermischer
Leitfähigkeit.
Beispiele eines Harzes mit ausgezeichneter thermischer-Leitfähigkeit
sind Harze aus der Epoxy-Gruppe, ein Polyimid-Harz oder ein Harz
aus der Silikon-Gruppe. Genauer gesagt, der Kleber 30 ist
auch ein elektrisch leitfähiger
Kleber. In dieser Ausführungsform
ist der Kleber 30 aus einer Silberpaste, gebildet aus einem Ag-Füllstoff,
der in ein Harz der Epoxy-Gruppe gemischt ist.
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An
Stellen um die Wärmesenke 10 herum
ist ein Leiterrahmen 40 angeordnet, der Leiter aus Metall,
beispielsweise Cu oder einem Metallverbund aufweist, der 42 Legierung
genannt wird. Der IC-Chip 20 und der Leiterrahmen 40 sind
miteinander zusammengefügt
und elektrisch über
Drähte 50 miteinander in
Verbindung, welche aus Metall sind, beispielsweise Gold oder Aluminium.
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Die
Giessharzpackung 60 umschliesst die Wärmesenke 10, den IC-Chip 20,
den Leiterrahmen 40 und die Drähte 50, so dass die
Wärmesenke 10, der
IC-Chip 20, der Leiterrahmen 40 und die Drähte 50 versiegelt
sind. Die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 steht
von der Aussenseite der Giessharzpackung 60 vor, um die
Wärmeabstrahlung
von der Wärmesenke 10 zu
verbessern.
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Die
Giessharzpackung 60 ist aus einem üblichen Gussmaterial, beispielsweise
einem Harz der Epoxy-Gruppe. In dieser Ausführungsform ist die Giessharzpackung 60 aus
einem Harz der Epoxy-Gruppe mit einem Füllstoff, beispielsweise Silica, mit
dem typischerweise der thermische Ausdehnungskoeffizient eingestellt
wird.
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Bei
der Halbleitervorrichtung 100 dieser Ausführungsform
hat, um eine Anhaft- oder Adhäsionsfestigkeit
zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 sicherzustellen und um eine Anhaft-
oder Adhäsionsfestigkeit
zwischen der Wärmesenke 10 und
dem Kleber 30, der ebenfalls aus Harz ist, sicherzustellen,
die bestimmte Fläche 11 und
die Seitenfläche 13 zwischen
der bestimmten Fläche 11 und
der anderen Fläche 12 einen
spezifischen Oberflächenbereich
von 1,35 oder einer Zahl grösser
als 1,35, wobei die bestimmte Fläche 11,
die andere Fläche 12 und
die Seitenfläche 13 Flächen der
Wärmesenke 10 sind.
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Genauer
gesagt, in dieser Ausführungsform hat
gemäss 1A die
Wärmesenke 10 den
Vorsprung 14 an der Seitenfläche 13, der von der
Seitenfläche 13 vorsteht.
Ein an der Seitenfläche 13 der Wärmesenke 10 an
einer Stelle zwischen der Spitze des Vorsprungs 14 und
einer Grenze zwischen der bestimmten Fläche 11 und der Seitenfläche 13 vorhandenes
Bauteil hat einen spezifischen Oberflächenbereich von 1,35 oder einer
Zahl grösser
als 1,35.
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Ein
zu der Wärmesenke 10 gehörendes Bauteil
als Bauteil mit einem spezifischen Oberflächenbereich von 1,35 oder einer
Zahl grösser
als 1,35 ist als ein Teil in 1A dargestellt,
das durch die gestrichelte Linie H1 hervorgehoben ist. Bei der Wärmesenke 10 hat
bevorzugt zumindest die Oberfläche des
Bauteils H1 eine Oberfläche
mit einem spezifischen Oberflächenbereich
von 1,35 oder einer Zahl grösser
als 1,35.
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Genauer
gesagt, um einen spezifischen Oberflächenbereich von 1,35 oder einer
Zahl grösser als
1,35 an der Wärmesenke 10 zu
erhalten, muss die Oberfläche
der Wärmesenke 10 aufgerauht
werden.
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Bei
dieser Ausführungsform
wird gemäss 1B die
Oberfläche
der Wärmesenke 10 einem Platierungsprozess
unterworfen. Auf ein Basismaterial 10a der Wärmesenke 10 werden
aufeinanderfolgend eine aufgerauhte Ni-Platte (Ni-Platierung), eine dünne Pd-Platte 10c (Pd-Platierung)
und eine dünne Au-Platte 10d (Au-Platierung)
ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform
ist das Basismaterial 10a aus Cu.
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Die
Oberflächenform
der aufgerauhten Ni-Platte 10b wird mit aufeinanderfolgenden
Filmen der dünnen
Pd-Platte 10c und der dünnen
Au-Platte 10d bedeckt, welche über der Wärmesenke 10 so angeordnet
werden, dass die oberste Oberfläche
der Platierungsfilme (d.h. die Oberfläche der Wärmesenke 10) eine
grobe oder rauhe Form hat.
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Eine
derartige Wärmesenke 10 kann
durch Anwendung eines Pressfabrikationsvorgangs an dem Basismaterial 10a zur
Ausbildung der Form der Wärmesenke 10 und
dann durch Anwenden eines Platierungsprozesses an der Oberfläche des
Basismaterials 10a Stück
für Stück oder
kontinuierlich für eine
Anzahl von aufeinanderfolgenden Teilen der Wärmesenke 10 erzeugt
werden.
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Ein
Verfahren zur Aufrauhung der Platierungsfilme 10b, 10c und 10d ist
allgemein bekannt. Bei einem Vorgang zur Herstellung des Films der
aufgerauhten Ni-Platte 10b wird beispielsweise als Teil eines
elektrolytischen Platierungsvorganges oder nichtelektrolytischen
Platierungsvorganges die Oberfläche
der Ni-Platte 10b durch Einstellen einer Stromdichte oder
der Zusammensetzung einer Reaktionslösung, die in dem Prozess verwendet
wird, aufgerauht.
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Wie
oben beschrieben, verwendet ein Verfahren zur Aufrauhung der Oberfläche der
Platte ein Verfahren, bei dem die Platierungsbedingungen, beispielsweise
Stromdichte bzw. Zusammensetzung einer Platierungsflüssigkeit
bei dem elektrolytischen Platierungsvorgang bzw. dem nichtelektrolytischen Platierungsvorgang
eingestellt werden. Anstelle dieses Verfahrens kann die Oberfläche der
Platte jedoch auch durch Ätz-
und/oder Sandstrahlvorgänge
nach einem Platierungsprozess aufgerauht werden.
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Es
sei festzuhalten, dass das Verfahren zum Aufrauhen der Wärmesenke 10 bei
dieser Ausführungsform
ein anderes Verfahren als dasjenige sein kann, welches soeben als
Verfahren zum Aufrauhen der Oberfläche der Platte beschrieben
wurde. Andere Verfahren zum Aufrauhen der Wärmesenke 10 werden
nachfolgend unter Bezug auf die 2A und 28 beschrieben.
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Die
Oberflächenaufrauhungsverfahren
der 2A und 2B sind
jeweils ein Verfahren zum direkten Aufrauhen des Materials der Wärmesenke 10.
Genauer gesagtt, 2A ist eine Darstellung eines
typischen Oberflächenaufrauhungsverfahrens, bei
dem die Oberfläche
des Basismaterials 10a aufgerauht und an der Wärmesenke 10 kein
Platierungsprozess vorgenommen wird. Andererseits ist 2B eine
Darstellung eines typischen Oberflächenaufrauhungsverfahrens,
bei dem die Oberfläche
des Basismaterials 10a aufgerauht wird und dann die Platierungen
oder Schichten 10b, 10c und 10d auf dem Basismaterial 10a abgelegt
werden, um die Wärmesenke 10 zu
bilden.
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Konkrete
Oberflächenaufrauhungsverfahren zum
direkten Aufrauhen des Materials der Wärmesenke umfassen ein mechanisches
Herstellungsverfahren, beispielsweise eine aufrauhende Abtragtechnik
oder eine Sandstrahltechnik, ein Ätzverfahren unter Verwendung
von Chemikalien und ein Erhitzungsverfahren unter Verwendung eines
Laserstrahls oder dergleichen.
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Ein
auf der Oberfläche
des Basismaterials 10a der Wärmesenke 10 erzeugter
Film kann ein von einer Platte abweichender Film sein. Beispiele
eines auf der Oberfläche
des Basismaterials 10a der Wärmesenke 10 erzeugten
Films sind ein Verdampfungsfilm, ein CVD-Film und ein Film, der
durch Verwenden eines Druckverfahrens gebildet wird.
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Bei
dem in 1B gezeigten Beispiel sind die
die Oberfläche
der Wärmesenke 10 bildenden Platten
drei Schichten, d.h. die aufgerauhte Ni-Platte 10b, die
dünne Pd-Platte 10c und
die dünne
Au-Platte 10d. Wie jedoch in 3 gezeigt,
kann eine Schicht einer aufgerauhten Ni-Platte 10b alleine ohne Ausbildung
der dünnen
Pd-Platte 10c und der dünnen
Au-Platte 10d ausgebildet werden.
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Wie
später
unter Bezug auf 4 beschrieben wird, sind die
dünne Pd-Platte 10c und
die dünne Au-Platte 10d Platten,
welche zum Sicherstellen einer Lötcharakteristik
erzeugt werden, falls die Wärmesenke 10 in
der Halbleitervorrichtung 100 durch Anwendung eines Lötprozesses
angeordnet wird.
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Das
heisst, die Ausgestaltung der Oberfläche der Wärmesenke 10 kann abhängig von
der Anwendung der Packung gewählt
werden. Wenn beispielsweise ein Lötprozess notwendig ist, werden
lötbare
Platten, beispielsweise die Au-, Ag- und Pd-Platten erzeugt.
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Wie
später
unter Bezug auf 5 beschrieben, kann andererseits,
wenn es nicht notwendig ist, einen funktionellen Film auf der Oberfläche der
Wärmesenke 10 zu
erzeugen, nur die eine Schicht der aufgerauhten Ni-Platte 10b ohne
Ausbildung der dünnen
Pd-Platte 10c und der dünnen
Au-Platte 10d erzeugt werden, wie in 3 gezeigt.
Weiterhin kann es in diesem Fall als Alternative möglich sein,
das Basismaterial 10a der Wärmesenke 10 aufzurauhen, wie
in 2A gezeigt.
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Nachdem
die Wärmesenke 10 mit
der aufgerauhten Oberfläche
und der Leiterrahmen 40 entsprechend bearbeitet worden
sind (crimpen, schweissen und bondieren), um einen einzelnen Körper in
der Halbleitervorrichtung 100 zu bil den, wird der IC-Chip 20 auf
der Wärmesenke 10 mittels
des Klebers 30 aus einem Harz angeordnet, wobei der Harzkleber 30 zwischen
der Wärmesenke 10 und dem
Chip 20 eingeschlossen wird und ein Drahtbondierungsprozess
wird durchgeführt,
um den IC-Chip 20 mit dem Leiterrahmen 40 zu verbinden.
Dann wird ein Harzgiessvorgang durchgeführt und der Leiterrahmen 40 wird
durch einen Schneidvorgang und andere Bearbeitungen endbearbeitet,
um schliesslich die Halbleitervorrichtung 100 zu erhalten.
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Sodann
wird gemäss 4 die
Halbleitervorrichtung 100 auf einem externen Substrat 200 angeordnet
und hier befestigt. Das externe Substrat 200 ist typischerweise
ein bedrucktes Keramiksubstrat. Der Leiterrahmen 40 wird
auf Kontaktflächen 210 des
externen Substrates 200 angeordnet.
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Teile
des Leiterrahmens 40 sind aus der Gussharzpackung 60 der
Halbleitervorrichtung 100 herausgeführt. Die herausgeführten Abschnitte
werden als Aussenleiter oder äussere
Leiter bezeichnet und sind mit den jeweiligen Kontaktflächen 210 des externen
Substrates 200 durch Lötpunkte 220 verbunden,
welche sich zwischen einem äusseren
Leiter und einer Kontaktfläche 210 befinden.
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Die
andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 ist ebenfalls
mit einem Kontaktkissen 10 über eine Lötstelle 220 verbunden,
welche zwischen der anderen Fläche 12 und
der Kontaktfläche 210 liegt.
Somit wird bei der Anordnungsstruktur von 4 Wärme von der
anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 an
das externe Substrat 200 abgestrahlt.
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Bei
dieser Ausführungsform
sind die Lötpunkte 220 jeweils
bleifreies Lotmaterial, welches im wesentlichen kein Pb enthält. Infolgedessen
steigt eine Reflow-Temperatur des Lots von 225°C eines herkömmlichen Lotmaterials mit Pb
auf eine höhere Temperatur
im Bereich von 240 bis 260°C
an.
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Als
bleifreies Lotmaterial wird beispielsweise ein Lotmaterial aus der
Sn-Ag (Ag 3,5)-Gruppe oder ein Lotmaterial der Sn-Ag-Cu-Gruppe verwendet.
Als Lotmaterial der Sn-Ag-Cu-Gruppe kann Material mit Ag im Bereich
von 1 bis 4 und Cu im Bereich von 0 bis 1 verwendet werden. Genauer
gesagtt, ein Material von 3Ag-0,5Cu oder 3,5Ag-0,7Cu kann beispielsweise
als Lotmaterial der Sn-Ag-Cu-Gruppe verwendet werden.
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Weiterhin
kann gemäss 5 die
Halbleitervorrichtung 100 an dem externen Substrat 200 in
einer auf dem Kopf stehenden Weise angeordnet und befestigt werden.
Bei dieser auf dem Kopf stehenden Ausrichtung der Halbleitervorrichtung 100 werden
die äusseren
Leiter in eine Richtung entgegengesetzt zur Biegeseite von 1 und 4 gebogen.
Auch in diesem Fall werden die äusseren
Leiter mit ihren jeweiligen Kontaktflächen 210 an dem externen
Substrat 200 durch Lötpunkte 220 verbunden,
die jeweils zwischen einem äusseren
Leiter und einer Kontaktfläche 210 liegen.
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Andererseits
ist die andere Fläche 12 der Wärmesenke 10 mit
einem Gehäuse 300 auf
der gegenüberliegenden
Seite des externen Substrates 200 durch ein Klebermaterial 310 verbunden,
das zwischen der anderen Fläche 12 und
dem Gehäuse 300 liegt.
Mit der Befestigungsstruktur von 5 wird somit
Wärme von
der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 auf
das Gehäuse 300 abgeführt.
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Wie
oben beschrieben, hat in dieser Ausführungsform das Bauteil H1 von 1A als
Bauteil der Halbleitervorrichtung 100 einen spezifischen
Oberflächenbereich
von 1,35 oder einer Zahl grösser
als 1,35. Das Bauteil H1 weist die bestimmte Fläche 11 und die Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 auf.
Ein Grund zum Festlegen des spezifischen Oberflächenbereiches auf 1,35 oder
auf eine Zahl grösser
als 1,35 wird nachfolgend beschrieben.
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Zunächst wurden
Untersuchungen durchgeführt,
um ein Bauteil der Wärmesenke 10 als
ein Bauteil zu identifizieren, bei dem eine Ablösung von Harz vermieden werden
kann. Die Erzeugungshäufigkeit eines
Harzrisses wird erheblich durch Ausmasse der Ablösungen der Wärmesenke 10 und
den Harzen voneinander beeinflusst. In diesem Fall sind die Harze
die Giessharzpackung 60 und der aus einem Harz gefertigte
Kleber 30. Aus diesem Grund wurde eine FEM-Analyse durchgeführt, um
zu untersuchen, wieweit sich Belastungen aufgrund der Länge einer
Ablösung
zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 ändern, sowie aufgrund der Ablösungslänge zwischen
der Wärmesenke 10 und
dem Harzkleber 30.
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Ergebnisse
der Untersuchungen und die Analyse zeigen, dass, wenn die Ablösungen der
Harze durchgängig
in einem Bereich vermieden werden können, der von der bestimmten
Fläche 11 der
Wärmesenke 10 zu
der Seitenfläche 13 reicht,
dann die Grösse
einer Belastung, die im unteren Abschnitt des Vorsprunges 14 erzeugt
wird, wesentlich verringert werden kann. Das heisst, im Fall dieser
Ausführungsform
kann, wenn die Ablösungen
der Harze durchgängig
in einem Bereich vermieden werden können, der von der bestimmten
Fläche 11 der
Wärmesenke 10 zum
oberen Abschnitt des Vorsprungs 14 reicht, dann die Grösse der
Belastung wesentlich verringert werden kann. Die Verhinderung von
Harzablösungen muss
somit nur für
den Bereich des Bauteils H1 von 1A durchgeführt werden.
Mit anderen Worten, die Oberfläche
der Wärmesenke 10 in
diesem Bereich muss aufgerauht werden.
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Die
Erfinder der vorliegenden Anmeldung haben dann Aufmerksamkeit auf
den spezifischen Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 als
Indikator gerichtet, der verwendet wird, den Aufrauhungsgrad der
Oberfläche
der Wärmesenke 10 anzugeben.
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Dieser
spezifische Oberflächenbereich
kann unter Verwendung eines AFM (Atomkraftmikroskop) gemessen werden. 6 ist
ein Diagramm, welches ein Modell der Form der Oberfläche der
Wärmesenke 10 zeigt,
welche durch Anwendung eines der oben beschriebenen Verfahren aufgerauht
wurde. Dieses Diagramm ist eine Darstellung, die durch Modellierung
eines Bildes erhalten wird, die aus einer Beobachtung unter Verwendung
eines Elektronenabtastmikroskops erhalten wird.
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Gemäss 6 wird
die Oberfläche
der Wärmesenke 10,
die durch Anwendung eines der obigen Verfahren aufgerauht wird,
eine unebene Form bestehend aus spitzen dreieckförmigen Pyramiden, welche nach
oben vorstehen. Der spezifische Oberflächenbereich ist als ein Verhältnis der
tatsächlichen Fläche oder
des tatsächlichen
Bereichs der unebenen Oberfläche
zu der Fläche
oder dem Bereich einer flachen Oberfläche der Wärmesenke 10 definiert.
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Genauer
gesagtt, der spezifische Oberflächenbereich
wird wie folgt definiert: es sei angenommen, dass die Längen der
Seiten eines rechteckförmigen
Bereichs von 6a und b sind. In diesem Fall
beträgt
die Fläche
oder der Bereich der flachen Oberfläche mit solchen Seiten a × b. Der
spezifische Oberflächenbereich
ist als ein Quotient definiert, der erhalten wird als Ergebnis einer
Division des tatsächlichen
Bereichs der unebenen Oberfläche
durch den Bereich von a × b
("Bereich" und "Fläche" seien in der vorliegenden
Beschreibung als äquivalent
betrachtet). Ein solcher spezifischer Oberflächenbereich kann ermittelt
werden, indem eine Bildverarbeitung unter Verwendung eines Atomkraftmikroskops
durchgeführt
wird. Der Effekt des spezifischen Oberflächenbereichs der Wärmesenke 10 auf
die Anhaft- oder Halteeigenschaften mit den Harzen wurde untersucht.
Die 7, 8, 9 und 10 sind
jeweils grafische Darstellungen, welche Ergebnisse dieser Untersuchungen
zeigen. Bei der Untersuchung wurde als Basismaterial Cu verwendet
und die Wärmesenke 10 wurde
durch die Platten oder Platierungen gemäss 1B aufgerauht
und war das Untersuchungsobjekt. Eine Ag-Paste, welche als Harzkleber 30 diente
und die Giessharzpackung 60 waren beide ein Harz aus der
Epoxy-Gruppe.
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7 ist
eine grafische Darstellung, welche Ergebnisse einer Untersuchung
zeigt, welche durchgeführt
wurde, um eine Beziehung zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 und
der Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60 zu untersuchen. Die Halte- oder Haftfestigkeit
gibt experimentelle Ergebnisse wieder, welche bei normaler Temperatur und
bei einer Temperatur von 260°C
durchgeführt wurden.
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In
diesem Fall wurde eine Purinbecher-Festigkeit (purine-cup strength)
mit MPa-Einheiten als Messeinheiten als Haltefestigkeit für den spezifischen
Oberflächenbereich
verwendet. Die Purinbecher-Festigkeit ist eine Scherfestigkeit in
einem Zustand, bei dem die Giessharzpackung 60 eine an
einen Purinbecher erinnernde Form hat und durch Kohäsion an
der Oberfläche
der Wärmesenke 10 angebracht
ist.
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Gemäss 7 erhöht sich
sowohl bei einer normalen Temperatur als auch bei einer Temperatur von
62°C die
Haftfestigkeit erheblich bei spezifischen Oberflächenbe reichen mit Werten grösser als
1,35 als spezifischen Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10.
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8 ist
eine grafische Darstellung, welche Ergebnisse einer Untersuchung
zeigt, die durchgeführt
wurde, um eine Beziehung zwischen der Ablöserate und dem spezifischen
Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 zu
untersuchen. Die Ablöserate
ist die Rate der Ablösung
der Wärmesenke
(WS) 10 und der Giessharzpackung 60 voneinander.
Eine derartige Ablöserate
kann auch als Harz/WS-Ablöserate bezeichnet
werden. 9 zeigt dagegen das Ergebnis
einer Untersuchung, welche durchgeführt wurde, um eine Beziehung
zwischen der Ablöserate
und dem spezifischen Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 zu
untersuchen. In diesem Fall ist jedoch die Ablöserate die Rate der Ablösung der
Wärmesenke 10 und
des Harzklebers 30 voneinander. Diese Ablöserate kann
auch als Ag-Pasten/WS-Ablöserate bezeichnet
werden.
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Die
Untersuchungsergebnisse der 8 und 9 wurden
in Experimenten ermittelt, bei welchen die Halbleitervorrichtung 100 nachdem
sie einem Feuchtigkeitsabsorbtionsprozess bei einer Temperatur von
30°C und
einer Feuchtigkeit von 70% für eine
Zeitdauer von 264 Stunden unterworfen wurde, einer Temperatur von
263°C entsprechend
einer Reflow-Temperatur ausgesetzt wurde. Der Ablösungszustand
wurde dann unter Verwendung einer SAT (Ultraschall-Schadensuchvorrichtung)
untersucht.
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Die
Untersuchungsergebnisse gemäss
den 8 und 9 verifizieren, dass im Fall
einer Wärmesenke 10 mit
einem spezifischen Oberflächenbereich
grösser
als 1,35 die Ablösung
der Giessharzpackung 60 und der Wärmesenke 10 voneinander,
sowie die Ablösung
des Harzklebers 30 und der Wärmesenke 10 voneinander
wirksam vermieden werden kann.
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10 ist
eine Darstellung, welche das Ergebnis einer Untersuchung zeigt,
die durchgeführt wurde,
um eine Beziehung zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 und der
Harzrisserzeugungsrate der Giessharzpackung 60 zu untersuchen.
Das Ergebnis der Untersuchung von 10 wurde
in einem Experiment ermittelt, bei welchem die Halbleitervorrichtung 100,
nachdem die Halbleitervorrichtung 100 einem Feuchtigkeitsabsorbtionsprozess
bei einer Temperatur von 30°C
und einer Feuchtigkeit von 70% für
eine Dauer von 264 Stunden unterworfen wurde, einer Temperatur von 263°C entsprechend
der Reflow-Temperatur ausgesetzt wurde, wonach sie 1000 Erwärmungs-
und Abkühlzyklen
bei Temperaturen von –65
und 150°C
unterworfen wurde. Der Zustand der Harzrisserzeugung wurde dann
unter Verwendung einer SAT (Ultraschall-Schadensuchvorrichtung) untersucht.
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Gemäss 10 beträgt die Rate
der Harzrisserzeugung Null (0) bei spezifischen Oberflächenbereichen
grösser
als 1,35. Durch Festsetzen des spezifischen Oberflächenbereichs
des Bauteils H1 an der Wärmesenke 10 auf
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 wie oben beschrieben, können
Harzablösungen
und Harzrisse vermieden werden.
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Auf
der Grundlage dieser experimentellen Ergebnisse verwendet somit
diese Ausführungsform eine
Halbleitervorrichtung 100, welche sich dadurch auszeichnet,
dass sie aufweist:
eine Wärmesenke 10;
einen
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient und an einer bestimmten
Fläche 11 der
Wärmesenke 10 angeordnet
und befestigt ist;
einen Leiterrahmen 40 mit Leitungen,
welche an Stellen den IC-Chip umgebend angeordnet und mit dem IC-Chip 20 verbunden
sind; und
eine versiegelnde Giessharzpackung 60 zum
Einschliessen der Wärmesenke 10,
des IC-Chips 20 und des Leiterrahmens 40, wobei
spezifische
Oberflächenbereiche
der bestimmten Fläche 11 und
einer Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 jeweils
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 sind.
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Bei
der Halbleitervorrichtung 100 mit den oben beschriebenen
Eigenschaften sind die spezifischen Oberflächenbereiche der bestimmten
Fläche 11 und
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 1,35 oder
eine Zahl grösser
als 1,35, um die Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60 und die Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und
dem Harzkleber 30 zu erhöhen, so dass Harzablösungen vermieden
werden können und
Risse im Harz unterdrückt
werden können.
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Gemäss der Ausführungsform
kann somit bei der Halbleitervorrichtung 100 mit der Wärmesenke 10,
dem IC-Chip 20, dem Leiterrahmen 40 und der versiegelnden
Giessharzpackung 60, welche die Wärmesenke 10, den IC-Chip 20 und
den Leiterrahmen 40 einschliesst, ein Ablösen der
Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander, sowie ein Ablösen der
Wärmesenke 10 und
des Harzklebers 30 voneinander wirksam vermieden werden.
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Insbesondere
hat die Halbleitervorrichtung 100 gemäss der Ausführungsform und wie in 1A gezeigt,
die Wärmesenke 10 mit
dem Vorsprung 14, der von der Seitenfläche 13 der Wärmesenke 10 aus vorsteht.
Zusätzlich
beträgt
der spezifische Oberflächenbereich
des Bauteils, welches an der Seitenfläche 13 der Wärmesenke 10 zwischen
dem Vorsprung 14 und der Grenze zwischen der Seitenfläche 13 und der
bestimmten Fläche 11 vorhanden
ist, 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35.
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<Modifikationen>
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Es
sei festzuhalten, dass bei der Halbleitervorrichtung 100 von 1A der
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient, an der bestimmten
Fläche 11 der Wärmesenke 10 über den
Kleber 30 aus einem Harz angeordnet und befestigt ist,
so dass der Harzkleber 30 zwischen der bestimmten Fläche 11 und
der Wärmesenke 10 eingeschlossen
wird und eine Ablösung der
Wärmesenke 10 und
des Harzklebers 30 voneinander wirksam vermieden sind.
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Anstelle
der Anordnung des IC-Chips 20 an der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 mittels
des Klebers 30 aus einem Harz, wobei der Harzkleber 30 zwischen
Wärmesenke 10 und
spezifischer Fläche 11 eingeschlossen
ist, kann der IC-Chip 20 auch durch einen Lötvorgang
an der bestimmten Fläche 11 angebracht
werden.
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In
diesem Fall kann ein Problem, verursacht durch eine Ablösung der
Wärmesenke 10 und
des Klebers 30 aus Harz voneinander, gelöst werden,
wobei die Halbleitervorrichtung 100 nachwievor den Effekt
zeigt, dass eine Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander wirksam verhindert
ist.
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Zusätzlich ist
die Halbleitervorrichtung 100 gemäss 1A in
einer Ausgestaltung vorhanden, welche beispielsweise bei einer QFP
oder einer SOP anwendbar ist. Die Halbleitervorrichtungen, bei denen
die Wärmesenke 10 gemäss der Ausführungsform
eingesetzt werden kann, sind jedoch nicht auf bestimmte Packungsformen
und Packungsgrössen beschränkt.
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11 ist
eine schematische Darstellung eines Querschnitts einer Halbleitervorrichtung
mit einer QFN-Packung (Quad Flat Non-Leaded), die einen Leiterrahmen
ver wendet und die als Halbleitervorrichtung 100 dient,
bei der die Wärmesenke 10 gemäss der Ausführungsform
eingesetzt werden kann.
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In
diesem Fall hat der Leiterrahmen 40 keine äusseren
Leiter. Anstelle hiervon hat jeder Leiter des Leiterrahmens 40 eine
halbeingegossene Struktur, bei der die Bodenfläche des inneren Abschnitts
jedes Leiters zur Aussenseite der Giessharzpackung 60 vorsteht.
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12 ist
eine. schematische Darstellung, die einen Querschnitt durch ein
Leistungsmodul zeigt, das als Halbleitervorrichtung dient, bei welchem
die Wärmesenke 10 gemäss der Ausführungsform
eingesetzt werden kann.
-
In
diesem Fall ist zusätzlich
zum IC-Chip 20, der auf der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 durch
den Harzkleber 30 angeordnet ist, wobei der Harzkleber 30 zwischen
Wärmesenke 10 und spezifischer
Fläche 11 eingeschlossen
ist, ein Substrat 70 auf der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 durch
den Harzkleber 30 angeordnet, der zwischen der bestimmten
Fläche 11 und
dem Substrat 70 eingeschlossen ist, wobei das Substrat 70 zur
Anordnung eines IC-Chips 71 und von Chipkomponenten 72 dient.
-
Auch
im Fall der Halbleiter der 11 und 12 betragen
die spezifischen Oberflächenbereiche
der bestimmten Fläche 11 und
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 jeweils
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35, so dass eine Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander, sowie eine Ablösung der
Wärmesenke 10 und des
Harzklebers 30 voneinander wirksam vermieden wird.
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<Zweite Ausführungsform>
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Im
Fall der ersten Ausführungsform
betragen gemäss
obiger Beschreibung die spezifischen Oberflächenbereiche der bestimmten
Fläche 11 und
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 jeweils
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35.
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Durch
Festlegen der spezifischen Oberflächenbereiche der bestimmten
Fläche 11 und
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 auf
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35, um die bestimmte Fläche 11 und
die Seitenfläche 13 aufzurauhen,
kann eine Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander, sowie eine Ablösung der
Wärmesenke 10 und
des Harzklebers 30 voneinander wirksam vermieden werden,
wie sich durch Durchführung
der Experimente und gemäss
den 7, 8 und 9 ergeben
hat, wo die Beziehungen zwischen dem spezifischen Oberflächenbereich,
der Haltefestigkeit und der Ablöserate
dargestellt sind.
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Die
bestimmte Fläche 11 der
Wärmesenke 10 ist
eine Fläche,
welche den Grossteil des Halte- oder Anheftbereichs bildet, der
in Berührung
mit der Giessharzpackung 60 ist, sowie den Adhäsions- oder Haltebereich
bildet, der dem Harzkleber 30 ausgesetzt ist. Es ist somit
möglich,
festzuhalten, dass durch Festsetzen des spezifischen Oberflächenbereichs
alleine der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 auf
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 der Effekt der Vermeidung der Ablösung der Wärmesenke 10 möglich ist.
-
Auf
der Grundlage der obigen Erläuterung wird
gemäss
einer zweiten Ausführungsform
eine Halbleitervorrichtung geschaffen, welche sich dadurch auszeichnet,
dass die Halbleitervorrichtung aufweist:
eine Wärmesenke 10;
einen
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient und auf einer
bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 angeordnet
und dort befestigt ist;
einen Leiterrahmen 40 mit
Leitern, die an Stellen um den IC-Chip 20 herum angeordnet
und elektrisch mit dem IC-Chip 20 verbunden sind; und
eine
versiegelnde Giessharzpackung 60 zum Einschliessen der
Wärmesenke 10,
des IC-Chips 20 und des Leiterrahmens 40, wobei
der
spezifische Oberflächenbereich
alleine der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 1,35
oder eine Zahl grösser
als 1,35 beträgt.
-
Es
ist somit möglich,
die Tatsache zu verifizieren, dass durch Festlegen des spezifischen
Oberflächenbereichs
alleine der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 auf
1,35 oder eine Zahl grösser als
1,35 gemäss
dieser Ausführungsform
die Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60 erhöht
werden kann, so dass eine Ablösung
der Wärmesenke 10 von
der Giessharzpackung 60 wirksam vermieden werden kann und
Risse im Harz unterdrückt
werden können.
-
Zusätzlich beträgt im Fall
dieser Ausführungsform
der spezifische Oberflächenbereiche
alleine der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 1,35
oder eine Zahl grösser
als 1,35. Der spezifische Oberflächenbereich
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 kann
selbstverständlich
auch auf 1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35, wie in der weiter oben beschriebenen ersten Ausführungsform,
gemacht werden.
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Auf
der Grundlage der obigen Erläuterungen ist
es somit möglich,
eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, welche sich dadurch
auszeichnet, dass die Halbleitervorrichtung aufweist:
eine
Wärmesenke 10;
einen
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient und auf einer
bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 angeordnet
und befestigt ist;
einen Leiterrahmen 40 mit Leitern,
die an Stellen um den IC-Chip 20 herum angeordnet und elektrisch
mit dem IC-Chip 20 verbunden sind; und
eine versiegelnde
Giessharzpackung 60 zum Einschliessen von Wärmesenke 10,
IC-Chip 20 und Leiterrahmen 40, wobei
der
spezifische Oberflächenbereich
zumindest der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 1,35
oder eine Zahl grösser
als 1,35 beträgt.
-
Durch
Festlegen des spezifischen Oberflächenbereichs zumindest der
bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 auf
1,35 oder eine Zahl grösser als
1,35 kann die Halte- oder Adhäsionsfestigkeit
zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 erhöht werden kann, so dass ein
Ablösen der
Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander wirksam vermieden werden
kann und Risse im Harz unterdrückt
werden können.
-
Im
Ergebnis kann bei dieser Ausführungsform
bei der Halbleitervorrichtung mit der Wärmesenke 10, dem IC-Chip 20,
dem Leiterrahmen 40 und der versiegelten Giessharzpackung 60,
welche die Wärmesenke 10,
den IC-Chip 20 und den Leiterrahmen 40 einschliesst,
eine Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander wirksam vermieden werden.
-
Die
Wärmesenke 10 wird
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. 13 ist
eine Darstellung, welche einen schematischen Querschnitt durch eine
Wärmesenke 10 gemäss der zweiten
Ausführungsform
zeigt.
-
Im
Fall dieser Ausführungsform
wird die Wärmesenke 10 von 13 bei
einer Halbleitervorrichtung 100 angewendet, welche in den
bisherigen Figuren als Halbleitervorrichtung gemäss der ersten Ausführungsform
dargestellt ist.
-
Gemäss dieser
Ausführungsform
ersetzt die Wärmesenke 10 von 13 die
Wärmesenke 10 in jeder
der Halbleitervorrichtungen der 1, 4, 5, 11 und 12.
Aus diesem Grund wird die Wärmesenke 10 gemäss dieser
Ausführungsform dadurch
beschrieben, dass konkret Bezug genommen wird auf die Unterschiede
zwischen der Wärmesenke 10 der
vorliegenden Ausführungsform
und der Wärmesenke 10 gemäss der anderen
Ausführungsform.
-
Gemäss 13 ist
bei der Wärmesenke 10 gemäss der vorliegenden
Ausführungsform
nur die bestimmte Fläche 11 der
Wärmesenke 10 aufgerauht,
um einen spezifischen Oberflächenbereiche von
1,35 oder eine Zahl grösser
als 1,35 zu schaffen, so dass eine Fläche gebildet wird, die zur
Anordnung des IC-Chips 20 auf der Wärmesenke 10 durch
den Kleber 30 aus Harz dient, wobei der Harzkleber 30 zwischen
der bestimmten Fläche 11 und
der Wärmesenke 10 eingeschlossen
ist.
-
Die
Wärmesenke 10 kann ähnlich zu
derjenigen der ersten Ausführungsform
eine rechteckförmige
Plattenform haben. Die Wärmesenke 10 besteht aus
einem Basismaterial 10a in rechteckförmiger Plattenform zwischen
der bestimmten Fläche 11 und der
anderen Fläche 12.
Gemäss 13 sind
Platten- oder Platierungsschichten 10b, 10c, 10d und 10e auf der
Seite der bestimmten Fläche 11 ausgebildet,
wohingegen Platten- oder Platierungsschichten 10c, 10d und 10e auf
Seiten der anderen Fläche 12 ausgebildet
sind.
-
Das
Basismaterial 10a ist ein Metall, beispielsweise aus der
Cu- oder Fe-Gruppe. Typischerweise kann die Plattendicke auf einen
Wert im Bereich von 0,5 mm bis 2 mm gesetzt werden. Die Plattenausbildung
des Basismaterials 10a wird nachfolgend erläutert.
-
Auf
Seiten der bestimmten Fläche 11 der Wärmesenke 10 werden
eine Ni-Platte 10e, eine dünne Pd-Platte 10c,
eine dünne
Au-Platte 10d und eine aufgerauhte Ni-Platte 10b aufeinanderfolgend auf
dem Basismaterial 10a in einem elektrischen Platierungsprozess
erzeugt. Die letzte aufgerauhte Ni-Platte 10b wird in einer
solchen Form erzeugt, dass der Wert ihres spezifischen Oberflächenbereiches 1,35 oder
eine Zahl grösser
als 1,35 beträgt.
-
Demgegenüber werden
auf Seiten der anderen Fläche 12 eine
Ni-Platte 10e, eine dünne
Pd-Platte 10c und eine dünne Au-Platte 10d aufeinanderfolgend
auf dem Basismaterial 10a in einem elektrischen Platierungsprozess
erzeugt.
-
Was
die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 betrifft,
so beträgt
ihr spezifischer Oberflächenbereich
weniger als 1,35, was eine relativ glatte Fläche erzeugt. Die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 steht
von der Aussenseite der Giessharzpackung 60 vor, wie in 1A gezeigt.
Da die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 eine
glatte Fläche
ist, können Harzgrate
der Giessharzpackung 60 kaum an dieser anderen Fläche 12 anhaften,
was ausgezeichnete Wärmeabstrahlungs-
und Löteigenschaften
verleiht.
-
Es
sei beispielsweise angenommen, dass die Werte für die Dicken der Ni-Platte 10e,
die auf beiden Seiten des Basismaterials 10a gebildet wird,
der dünnen
Pd-Platte 10c und der dünnen
Au-Platte 10d (d. h. der Ni-, Pd- und Au-Platten oder -Platierungen) in
den Bereichen von 0,2 Mikron bis 2,5 Mikron bzw. 0,002 Mikron bis
0,02 Mikron bzw. 0,002 Mikron bis 0,02 Mikron bzw. 0,002 Mikron
bis 0,02 Mikron liegen. Es sei weiterhin beispielsweise angenommen, dass
die Dicke der aufgerauhten Ni-Platte 10b einen Wert im
Bereich von 0,2 Mikron bis 2,5 Mikron hat.
-
Der
spezifische Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 wird
unter Verwendung eines AFM (Atomkraftmikroskops) gemessen, beispielsweise
eines Nanopics 1000, hergestellt von Seiko Instrument Corporation.
-
Genauer
gesagt, der spezifische Oberflächenbereich
wird ermittelt, in dem der tatsächliche Oberflächenbereich
oder die Grösse
einer Oberfläche
mit typischen Abmessungen von 10 Mikron × 10 Mikron mit einem Abtastvorgang über die
Oberfläche hinweg
und dann durch Teilen des durch die Messung erhaltenen tatsächlichen
Oberflächenbereiches durch
100 Quadratmikron, was der Bereich oder die Fläche einer flachen Oberfläche ist,
der die gleichen Abmessungen von 10 Mikron × 10 Mikron hat.
-
Bezugnehmend
auf die 14 bis 17 wird nachfolgend
ein typisches Verfahren zur Erzeugung einer Wärmesenke 10 beschrieben,
bei der nur die bestimmte Fläche 11 aufgerauht
ist und welche gemäss
der vorliegenden Ausführungsform
ist, wobei die Herstellung mittels einer Platierungstechnik erfolgt.
-
14 ist
eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Erzeugung der
Ni-, Pd- und Au-Platten oder -Platierungen. 15 ist
eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur teilweise Erzeugung
einer aufgerauhten Ni-Platte 10b auf der Wärmesenke 10.
Die 16A bis 16E sind
jeweils vereinfachte Darstellungen des Verfahrens zur Erzeugung
einer aufgerauhten Ni-Platte 10b auf der Wärmesenke 10.
Die 17A bis 17E sind
je weils Darstellungen zur Erläuterung
eines Verfahrens zur Herstellung einzelner Teile der Wärmesenke 10.
-
Bei
dieser Ausführungsform
wird an einem Wärmesenkematerial,
welches noch nicht in die einzelnen Wärmesenkenteile der Wärmesenke 10 zerteilt
worden ist, durchgeführt.
Zunächst
wird ein erstes aufgewickeltes Material 200, welches als
Roh- oder Ausgangsmaterial für
die Wärmesenken 10 dient,
vorbereitet.
-
Dann
wird gemäss 14 das
erste aufgewickelte Material 200 abgespult und einem Ni-Platierungstank 211,
einem Pd-Platierungstank 212 und einem Au-Platierungstank 213 in
dieser Reihenfolge zugeführt.
Auf der linken Seite der Figur wird das Basismaterial 10a mit
abgeschlossenen Platierungsprozessen aus dem Ni-Platierungstank 211,
dem Pd-Platierungstank 212 und dem Au-Platierungstank 213 in
Form einer Rolle eines zweiten aufgewickelten Materials 201 aufgewickelt.
-
Danach
wird gemäss 15 das
zweite aufgewickelte Material 201 mit einem Band 220 aus
einem Harz, beispielsweise einem Polyimidharz maskiert und in diesem
Zustand wird das zweite aufgewickelte Material 201 einem
Ni-Platierungstank 214 für aufgerauhtes Ni zugeführt. Das
Band 220 wird unter Verwendung eines Schlitzwerkzeuges 230 in
Form einer Klinge oder dergleichen gemäss 15 eingeschnitten,
so dass nur die notwendigen Abschnitte des Bandes 220 auf
dem zweiten aufgewickelten Material 201 als diejenigen
Teile verbleiben, welche das Basismaterial 10a maskieren
oder abdecken. Die unnötigen
Abschnitte des Bandes 220 werden entfernt.
-
Auf
den Abschnitten, die von dem Band 220 nicht maskiert sind,
wird somit die aufgerauhte Ni-Platte 10b in Streifenform
gebildet. Dann wird das Basismaterial 10a mit der hierauf
gebildeten aufgerauhten Ni-Platte 10b in einer Spule aufgewickelt,
um ein drittes aufgewickeltes Material 202 zu bilden. Weiterhin
wird das als Maskierung dienende Band 220 vom Basismaterial 10a abgezogen
und ebenfalls aufgespult.
-
Details
des Streifenplatierungsprozesses werden nachfolgend unter Bezug
auf die 16A bis 16E zusätzlich zur 15 erläutert. Ein
auf dem Basismaterial 10a der Wärmesenke 10 vorhandener Abschnitt,
der keinem Platierungsprozess unterworfen werden soll, wird mit
dem Maskierungsband 220 durch Kleben des Bandes 220 auf
diesem Abschnitt abgedeckt. Das Band 220 in Spulenform
wird abgewickelt und nur auf diesem Abschnitt des Basismaterials 10a geklebt,
in dem ein Teil des Bandes 220 unter Verwendung des Schlitzwerkzeuges 230 gemäss obiger
Beschreibung entsprechend passend ausgeschnitten wird.
-
Dann
wird das Band 220 entsprechend dem auf dem Basismaterial 10a der
Wärmesenke 10 vorhandenen
Abschnitt, der einem Platierungsprozess unterworfen werden soll,
aufgespult. In 15 ist diese Spule die mittlere
Spule des Bandes 220. Dann wird der nicht ausgeschnittene
Maskierungsabschnitt des Bandes 220 auf das Basismaterial 10a der
Wärmesenke 10 in
einem thermischen Crimpvorgang bei einer Temperatur von typischerweise
60 Grad Celsius aufgebracht. Der angeklebte Zustand des verbleibenden
Bandes 220 auf dem Basismaterial 10a ist in den 16A und 16B gezeigt.
-
Eine
thermische Crimpvorrichtung 240 gemäss 15 ist
ein Werkzeug zum Anheften des verbleibenden Bandes 220 an
dem Basismaterial 10a durch einen thermischen Crimpvorgang.
Als thermische Crimpvorrichtung 240 kann beispielsweise
ein Heizer des elektrischen Leitertyps verwendet werden.
-
Dann
wird gemäss
den 16C und 16D das
Basismaterial 10a der Wärmesenke 10 in
den Ni-Platierungstank 214 für aufgerauhtes Ni eingetaucht
und das Maskierungsband 220 wird aufgewickelt. Im Ergebnis
wird die aufgerauhte Ni-Platierung 10b in Streifenform
auf das Basismaterial 10a aufgebracht, was zu dem dritten
aufgewickelten Material 202 führt.
-
Gemäss 17A wird das Basismaterial 10a mit der
gemäss
obiger Beschreibung aufgebrachten aufgerauhten Ni-Platierung 10b einem Pressvorgang
unterworfen, um die gewünschte
Form der Wärmesenke 10 zu
erzeugen, so dass die einzelnen Teile der Wärmesenke 10 erzeugt
werden.
-
Hierbei
sind die 17A bis 17C jeweils Darstellungen
einer Draufsicht auf Wärmesenke 10 von
der Seite der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 her
gesehen. 17D ist eine Seitenansicht der
Wärmesenke 10 von
der Seite der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 13 her
gesehen. 17E ist eine Ansicht von unten
auf die Wärmesenke 10 von der
Seite der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 her
gesehen. Es sei festzuhalten, dass aus Gründen der Übersichtlichkeit die aufgerauhte
Ni-Platte oder Ni-Platierung 10b gestrichelt dargestellt
ist, um diesen Teil hervorzuheben.
-
Die
oben beschriebenen Herstellungsverfahren werden durchgeführt, um
die Herstellung der Wärmesenke 10 mit
der Plattenform gemäss
obiger Erläuterung
abzuschliessen. Der Streifenplatierungsprozess der Wärmesenke 10 ist
an den Streifenplatierungsprozess bei der Herstellung eines Leiterrahmens
aus einem aufgewickelten Ursprungsmaterial angepasst, so dass eine
bereits vorhandene Fertigungseinrichtung verwendet werden kann,
um zu geringen Kosten den Teilplatierungsprozess durchzuführen.
-
Es
sei festzuhalten, dass, obgleich die Prozesse der 14 bis 17 Maskierungsprozesse unter Verwendung
eines Bandes sind, auch Maskierungs- und Platierungsverfahren unter
Verwendung eines Rollgummis verwendet werden können.
-
Zusätzlich wird
bei dieser Ausführungsform die
aufgerauhte Ni-Platierung 10b verwendet, um einen spezifischen
Oberflächenbereich
von 1,35 oder einer Zahl grösser
als 1,35 zu realisieren. Es können jedoch
auch andere Aufrauhungsverfahren als das Platierungsherstellungsverfahren
gemäss
obiger Beschreibung verwendet werden, beispielsweise eine Verdampfungstechnik,
eine Sputterungstechnik, eine CVD-Technik unter Atmosphärendruck
(CVD = Chemical Vapor Deposition) oder eine thermische Sprühtechnik.
-
Bei
der Halbleitervorrichtung mit der Wärmesenke 10 gemäss der Ausführungsform
wird auf jeden Fall die bestimmte Fläche 11 der Wärmesenke 10 aufgerauht,
um einen spezifischen Oberflächenbereich
von 1,35 oder einer Zahl grösser
als 1,35 zu erhalten. Damit wird die Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60, sowie die Haltefestigkeit zwischen
der Wärmesenke 10 und
dem Harzkleber 30 erhöht,
so dass eine Ablösung
zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 und eine Ablösung zwischen der Wärmesenke 10 und
dem Harzkleber 30 wirksam vermieden ist und Risse in dem
Harzkleber 30 und der Giessharzpackung 60 unterbunden
sind.
-
Weiterhin
hat bei dieser Ausführungsform
die Wärmesenke 10 die
andere Fläche 12,
welche von der Aussenseite der Giessharzpackung 60 vorsteht, jedoch
nicht aufgerauht ist, so dass Harzgrate nur schwer bei dem Gussvorgang
erzeugt werden können.
Selbst wenn irgendwelche Harzgrate erzeugt werden, ist ihre Anhaftkraft
gering, so dass sie problemlos in einem späteren Prozessschritt beispielsweise
unter Verwendung einer Wasserdüse
entfernt werden können.
Somit liegen keine Harzgrate, welche als Hindernisse bei einem Lötvorgang
wirken können,
an der freiliegenden Fläche 12 der
Wärmesenke 10 vor.
Im Ergebnis kann die freiliegende Fläche 12 an einer externen
Oberfläche
oder dergleichen mittels eines Lötprozesses
angebracht werden und damit ist die freiliegende Fläche 12 in
der Lage, eine gute Wärmeabstrahleigenschaft
der Wärmesenke 10 sicherzustellen.
-
Es
sei festzuhalten, dass bei dieser Ausführungsform der Platierungsprozess
der Wärmesenke 10 als
sogenannter Vorplatierungsprozess durchgeführt wird, wo jede Maskierungsplatierung
oder Maskierungsplatte auf eine Wärmesenkenwicklung von einer
Maskierungsplattenwelle ebenfalls in Form einer Wicklung aufgebracht
wird, so dass die Maskierungsplatte flach angebracht werden kann,
um einen ausreichenden Maskierungseffekt zu erzeugen und Probleme
wie beispielsweise Maskierungsfehler vermieden werden. Weiterhin
wird der Platierungsprozess kontinuierlich für jede Wärmesenkenspule automatisch
von Spule zu Spule zu Spule oder von Wicklung zu Wicklung durchgeführt. Somit
kann der Vorgang zu sehr geringen Kosten im Vergleich zu einem Prozess
durchgeführt
werden, der individuell stückweise
von einem Wärmesenkenstück zu einem
anderen durchgeführt
wird.
-
<Modifikationen>
-
Die
Wärmesenke 10 gemäss der Ausführungsform
hat nur die bestimmte Fläche 11 aufgerauht,
um einen spezifischen Oberflächenbereich von
1,35 oder einer Zahl grösser
von 1,35 zu erreichen; es gibt eine Anzahl von Modifikationen, welche nachfolgend
beschrieben werden.
-
Im
Fall der typischen Ausführungsform
von 13 werden die Ni-Platte 10e, die Pd-Platte 10c, die
Au-Platte 10d und die aufgerauhte Ni-Platte 10b ("Platte" ist äquivalent
zu "Platierung") auf dem Basismaterial 10a sequentiell
nacheinander auf Seiten der bestimmten Fläche 11 der Wärmesenke 10 ausgebildet,
wohingegen die Ni-Platte 10e, die Pd-Platte 10c und
die Au-Platte 10d auf dem Basismaterial 10a sequentiell
nacheinander auf Seiten der anderen Fläche 12 der Wärmesenke 10 ausgebildet
werden.
-
Im
Fall der ersten Abwandlung von 18 werden
eine Ni-Platte 10e, eine Pd-Platte 10c, eine Au-Platte 10d,
eine aufgerauhte Ni-Platte 10b, eine dünne Pd-Platte 10f und
eine Au-Platte 10g auf dem Basismaterial 10a sequentiell
nacheinander auf Seiten der bestimmten Fläche 11 der Wärmesenke 10 ausgebildet,
wohingegen eine Ni-Platte 10e, eine Pd-Platte 10c und
eine Au-Platte 10d auf dem Basismaterial 10a sequentiell
nacheinander auf Seiten der glatten äusseren Fläche 12 der Wärmesenke 10 erzeugt
werden, um die gleiche Platten- oder Platierungsfilmformgebung wie
in der Ausführungsform von 13 zu
bilden.
-
Bei
der ersten Abwandlung sind die dünne Pd-Platte 10f und
die Au-Platte 10g, die in der Lage sind, die Rauhigkeit
von Ni beizubehalten, auf der aufgerauhten Ni-Platte 10b sequentiell übereinander ausgebildet.
Somit kann an der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 beispielsweise
für ein
auf Masse legen oder zu einem anderen Zweck mittels eines Drahtbondierungprozesses
durchgeführt
werden.
-
Bei
der zweiten Abwandlung von 19 ist auf
Seiten der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 nur
die aufgerauhte Ni-Platte 10b auf dem Basismaterial 10a ausgebildet.
Auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 sind
andererseits die Ni-Platte 10e, die Pd-Platte 10c und
die Au-Platte 10d auf dem Basismaterial 10a sequentiell übereinander
ausgebildet, um die gleiche Platten- oder Platierungsfilmformgebung wie
in der Ausführungsform von 13 zu
erhalten.
-
Ein
Verfahren zum Bilden der Platierungsfilmformgebung der zweiten Abwandlung
kann verwendet werden, wenn die gleichen Maskierungsprozesse mit
dem gleichen Verfahren wie in 15 bei den
Abläufen
zur Erzeugung der Ni-Pd-
und Au-Platten von 14 angewendet werden. Auf diese
Art können
die Mengen der teuren Metalle, beispielsweise Pd und Au verringert
werden.
-
Im
Fall der dritten Abwandlung von 20 ist
auf Seiten der bestimmten Fläche 11 der
Wärmesenke 10 nur
die aufgerauhte Ni-Platte 10b auf dem Basismaterial 10a gebildet.
Auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 sind
die aufgerauhte Ni-Platte 10b, die Ni-Platte 10e,
die Pd-Platte 10c und die Au-Platte 10d sequentiell
nacheinander auf dem Basismaterial 10a ausgebildet.
-
Die
dritte Abwandlung verwendet ein Konzept entgegengesetzt zu demjenigen
der Ausführungsform
von 13. Im Fall der dritten Abwandlung wird zunächst die
aufgerauhte Ni-Platte 10b auf der gesamten Fläche des
Basismaterials 10a der Wärmesenke 10 unter
Verwendung des Verfahrens von 15 erzeugt.
-
Später wird
ein Markierungsprozess durch Verwendung des Verfahrens von 14 angewendet,
um die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 zu öffnen und
dann werden die dicken Platten erzeugt, um die Rauhigkeit in der Öffnung zu
beseitigen.
-
Im
Fall der dritten Abwandlung von 20 ist
auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 die
Ni- Platte 10e,
die Pd-Platte 10c und die Au-Platte 10d auf der
aufgerauhten Ni-Platte 10b sequentiell nacheinander ausgebildet,
so dass die Rauhigkeit der Grundschicht beseitigt wird.
-
Bei
der vierten Abwandlung von 21 wird das
gleiche Konzept wie bei der dritten Abwandlung verwendet. Im Fall
der vierten Abwandlung sind auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 die
Pd-Platte 10c und die Au-Platte 10d auf der aufgerauhten
Ni-Platte 10b sequentiell nacheinander ausgebildet, so
dass die Rauhigkeit der Grundschicht beseitigt ist.
-
Eine
fünfte
Abwandlung gemäss 22 und eine
sechste Abwandlung gemäss 23 haben
jeweils das gleiche Konzept wie die dritte Abwandlung. Im Fall der
fünften
und sechsten Abwandlungen sind auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 die
Pd-Platte 10c und die Au-Platte 10d auf der aufgerauhten
Ni-Platte 10b sequentiell aufeinander ausgebildet, so dass
die Rauhigkeit der Grundschicht beseitigt ist.
-
Eine
siebte Abwandlung gemäss 24 verwendet
das gleiche Konzept wie die dritte Abwandlung. In der siebten Abwandlung
ist auf Seiten der anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 eine
dicke Platierungsschicht 10h auf der aufgerauhten Ni-Platte 10b erzeugt,
so dass die Rauhigkeit der Grundschicht beseitigt ist.
-
In
der Abwandlung wird als dicke Platierungsschicht 10h eine
Sn-Platierung, eine Lotplatierung, eine Sn-Bi-Platierung, eine Sn-Ag-Platierung oder
eine Sn-Cu-Platierung erzeugt. Es ist nicht notwendig, eine bestimmte
Kombination von zusammengesetzten Materialien zu verwenden. Das
heisst, jegliche Kombination aus zusammengesetzten Materialen kann
verwendet werden, so lange die Kombina tion in der Lage ist, gleichzeitig
zwei Zwecke zu erfüllen,
nämlich
den Zweck die Rauhigkeit der freiliegenden anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 zu beseitigen
und den Zweck, einen Lötprozess
möglich zu
machen.
-
<Dritte Ausführungsform>
-
25 zeigt
in einer schematischen Querschnittsdarstellung eine Halbleitervorrichtung 300 des
Giessharzpackungstyps gemäss
einer dritten Ausführungsform. 26 ist
eine schematische Darstellung eines Zustands, bei dem eine Wärmesenke 10 und
ein Leiterrahmen 40 in der Halbleitervorrichtung 300 zusammengebaut
sind. Es sei festzuhalten, dass die gestrichelte Linie in 26 mit
der Rechteckform der Aussenumfang einer Giessharzpackung 60 ist.
-
Die
Halbleitervorrichtung 300 ist beispielsweise bei einer
QFP (Quad Flat Package) oder einer SOP (Small Outline Package) anwendbar.
-
Die
Wärmesenke 10 ist
aus einem Material mit sehr guter Wärmeabstrahleigenschaft. Ein
Beispiel eines solchen Materials ist ein Metall, beispielsweise
Cu, Fe, Mo, die 42-Legierung und Kovar. In dieser Ausführungsform
ist die Wärmesenke 10 eine Platte
aus Cu und typischerweise hat der Leiterrahmen 40 die Form
einer rechteckförmigen
Platte, wie in 26 gezeigt.
-
Zusätzlich hat
gemäss 25 die
Wärmesenke 10 wieder
die bestimmte Fläche 11,
die andere Fläche 12 und
die Seitenfläche 13 zwischen
der bestimmten Fläche 11 und
der anderen Fläche 12.
Auf ihrer Oberseite hat die Seitenfläche 13 den Vorsprung
(die Prägung) 14 zur
Vergrösserung
der Haltefestigkeit zwischen der Giessharzpackung 60 und der
Wärmesenke 10.
Die Wärmesenke 10 mit
dem Vorsprung 14 kann in einem Pressherstellungsschritt oder
dergleichen erzeugt werden.
-
Ein
IC-Chip 20, der als Halbleiterchip dient, ist auf der bestimmten
Fläche 11 der
Wärmesenke 10 angeordnet.
Der IC-Chip 20 ist ein Siliziumsubstrat. Auf dem IC-Chip 20 sind
Vorrichtungen, beispielsweise Transistoren oder dergleichen unter
Verwendung einer Halbleiterherstellungstechnologie gebildet.
-
Bei
dieser Ausführungsform
ist der IC-Chip 20 an der bestimmten Fläche 11 der Wärmesenke 10 mittels
eines Klebers 30 fest angebracht, der aus einem Harz ist,
wobei der Harzkleber 30 zwischen der bestimmten Fläche 11 und
dem IC-Chip 20 eingeschlossen ist. Der Kleber 30 ist
aus einem Harz mit sehr guter thermischer Leitfähigkeit. Beispiele eines Harzes
mit sehr guter thermischer Leitfähigkeit
sind ein Harz aus der Epoxy-Gruppe, ein Polyimidharz oder ein Harz
aus der Silikon-Gruppe. Weiterhin hat der Harzkleber 30 elektrische
Leitfähigkeit.
In dieser Ausführungsform
ist der Harzkleber 30 aus einer Silberpaste bestehend aus
einem Ag-Füllstoff,
der in ein Harz der Epoxy-Gruppe gemischt ist.
-
Der
Leiterrahmen 40 ist die Wärmesenke 10 umgebend
angeordnet und der Leiterrahmen 40 weist Leiter auf, welche
aus Metall gebildet sind, beispielsweise Cu oder aus einer Metallverbindung, 42-Legierung
genannt. Der IC-Chip 20 und der Leiterrahmen 40 werden
zusammengefügt,
wobei eine elektrische Verbindung untereinander durch Drähte 50 erfolgt,
welche aus Gold oder Aluminium sind.
-
Gemäss 26 werden
die Wärmesenke 10 und
der Leiterrahmen 40 zusammengefügt, indem ein Einbauabschnitt 10a der
Wärmesenke 10 und eine
Einbauabschnitt 40a des Leiterrahmens 40 übereinander
gelegt und miteinander verbunden werden.
-
Genauer
gesagtt, ein Vorsprung am Einbauabschnitt 10a der Wärmesenke 10 gelangt
in Eingriff mit einer Öffnung
am Einbauabschnitt 40a des Leiterrahmens 40. Durch
Crimpen des Vorsprungs und durch Schieben des Vorsprungs in die Öffnung,
um den Vorsprung mit der Öffnung
zu verbinden, ergibt sich ein gecrimpter Befestigungsübergang 40b.
Der gecrimpte Befestigungsübergang 40b ist
ein Übergang
zwischen den Einbauabschnitten 10a und 40a und
hält die
Wärmesenke 10 und
den Leiterrahmen 40 in einer quasi einstückigen Weise
zusammen. Es sei festzuhalten, dass die Wärmesenke 10 und der Leiterrahmen 40 auch
durch Schweissen, einen thermischen Sprühvorgang etc. miteinander verbunden werden
können.
-
Dann
umschliesst die Giessharzpackung 60 die Wärmesenke 10,
den IC-Chip 20, die inneren Leiter 41 des Leiterrahmens 40 und
die Drähte 50,
so dass die Wärmesenke 10,
der IC-Chip 20, die inneren Leiter des Leiterrahmens 40 und
die Drähte 50 versiegelt
werden. Die andere bestimmte Fläche 12 der
Wärmesenke 10 steht
von der Aussenseite der Giessharzpackung 60 vor, um die
Wärmeabstrahlung von
der Wärmesenke 10 zu
verbessern. Die Giessharzpackung 60 ist aus einem üblichen
Giessmaterial, beispielsweise aus einem Harz der Epoxy-Gruppe. In
der vorliegenden Ausführungsform
ist die Giessharzpackung 60 aus der Epoxyharz-Gruppe mit
einem Füllstoff
wie Silica versehen, typischerweise zum Zweck der Einstellung des
thermischen Ausdehnungskoeffizienten.
-
Bei
dieser Ausführungsform
liegt die andere Fläche 12 der
Wärmesenke 10 zur
Aussenseite der Giessharzpackung 60 vor, um die Wärmeabstrahlungseigenschaften
zu verbessern. Zusätzlich
stehen die äusseren
Leiter 42 des Leiterrah mens 40 von der Giessharzpackung 60 vor,
was erlaubt, dass die Halbleitervorrichtung 300 mit einem
externen Substrat verbunden wird.
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Nachdem
die Wärmesenke 10 und
der Leiterrahmen 40 miteinander zu einem quasi einstückigen Körper in
der Halbleitervorrichtung 300 durch einen Vorgang wie Crimpen,
Schweissen oder thermischen Sprühen
verbunden worden sind, wird der IC-Chip 20 auf der Wärmesenke 10 durch
den Kleber 30 aus Harz angeordnet, wobei der Harzkleber 30 zwischen
der Wärmesenke 10 und
dem IC-Chip 20 eingeschlossen wird. Nachfolgend erfolgt
ein Drahtbondierungsvorgang und ein Harzvergiessvorgang. Dann wird
der Leiterrahmen 40 geformt und die äusseren Leiter 42 werden
bei einem Herstellungsprozess der Halbleitervorrichtung 300 auf
die richtige Länge
zugeschnitten.
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Danach
werden die von der Giessharzpackung 60 vorstehenden äusseren
Leiter 42 beispielsweise bei einem Lötvorgang an dem externen Substrat 200 angebracht,
um die Halbleitervorrichtung 300 an dem externen Substrat 200 auf
gleiche Weise wie in dem obenbeschriebenen Ausführungsformen anzuordnen.
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Genauer
gesagtt, die Ausbildung zur Verbindung der Halbleitervorrichtung 300 mit
dem externen Substrat 200 über die äusseren Leiter 42,
d.h. die Anordnung zum Befestigen der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser
Ausführungsform
an dem externen Substrat 200 hat die gleiche Ausgestaltung
wie die Ausgestaltung zum Anordnen der Halbleitervorrichtung 100 an
dem externen Substrat 200 gemäss den 4 und 5.
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Das
heisst, die Halbleitervorrichtung 300 kann an dem externen
Substrat 200 durch Anbringen der äusseren Leiter 200 des
Leiterrahmens 40 an den jeweiligen Kontaktflächen des
externen Substrates 200 in einem Lötprozess erfolgen. In diesem
Fall wird als Pb-freies Lötmaterial
beispielsweise ein Lötmaterial
der Sn-Ag (Ag 3,5)-Gruppe oder ein Lötmaterial der Sn-Ag-Cu-Gruppe
im Lötprozess
verwendet.
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Wie
oben beschrieben können
bei dem Vorgang der Anordnung der Halbleitervorrichtung 300 an dem
externen Substrat 200 die äusseren Leiter 42 aus
ihren korrekten Lötpositionen
aufgrund einer Verbiegung der äusseren
Leiter 42 oder aus anderen Gründen verschoben werden. Zur
Lösung
dieses Problems wird im Fall der Halbleitervorrichtung 300 dieser
Ausführungsform
ein Laserstrahl auf die äusseren
Leiter 42 und das externe Substrat 200 aus einer
Position oberhalb des externen Substrates 200 gerichtet,
um die äusseren
Leiter 42 zu erkennen und um ihre Lageverschiebungen auf
der Grundlage von Unterschieden in den reflektierten Lichtmengen
oder der reflektierten Lichtstärke
abzutasten.
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Um
sicherzustellen, dass ausreichende Lichtmengen von den äusseren
Leitern 42 reflektiert werden, d.h. um eine Leitererkennbarkeit
der äusseren
Leiter 42 sicherzustellen und um eine Haltefestigkeit zwischen
den inneren Leitern 41 sicherzustellen, die zur gleichen
Zeit wie die äusseren
Leiter 42 und die Giessharzpackung 60 gebildet
werden, ist es notwendig, den Rauhigkeitsgrad der Oberfläche der äusseren
Leiter 42 oder den spezifischen Oberflächenbereich der Oberflächen der äusseren
Leiter 42 auf einen Wert innerhalb eines geeigneten Bereichs festzulegen.
Dies deshalb, als, wie oben beschrieben, der spezifische Oberflächenbereich
eine Grösse eines
Kompromisses zwischen der Sicherstellung der Leitererkennbarkeit
der äusseren
Leiter 42 und der Sicherstellung der Festigkeit einer Anhaftung zwischen
den inneren Leitern 41 und der Giessharzpackung 60 ist.
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Um
weiterhin ein Ablösen
der Wärmesenke 10 von
der Giessharzpackung 60 mit Sicherheit zu vermeiden und
um zu verhindern, dass sich die Wärmeabstrahlungseigenschaften
der Wärmesenke 10 aufgrund
von Harzgraten an der anderen Fläche 12 verschlechtern,
welche eine nach aussen hin freiliegenden Fläche der Wärmesenke 10 ist, ist
es bei der Erzeugung der Giessharzpackung 60 notwendig,
den Rauhigkeitsgrad der anderen Fläche 12 der Wärmesenke 10 oder
den spezifischen Oberflächenbereich der
anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 auch
auf einen Wert innerhalb eines geeigneten Bereichs festzulegen.
Dies deshalb, als, wie oben beschrieben, der spezifische Oberflächenbereich
die Grösse
eines Kompromisses zwischen der Festigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 und der Sicherheit vor Rissen im
Harz ist.
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Somit
wird bei der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser
Ausführungsform
der spezifische Oberflächenbereich
der Oberfläche
der Wärmesenke 10 auf
einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt, wohingegen der
spezifische Oberflächenbereich
der Oberflächen
der äusseren
Leiter 42 auf einen Wert im Bereich von 1,05 bis 1,20 gesetzt
wird.
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Ähnlich wie
bei den weiter oben beschriebenen Ausführungsform kann dieser spezifische
Oberflächenbereich
unter Verwendung eines AFM (Atomkraftmikroskop) gemessen werden.
Die Definition des spezifischen Oberflächenbereichs ist die gleiche wie
oben unter Bezug auf 6 beschrieben.
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Das
heisst, der spezifische Oberflächenbereich
ist wie folgt definiert: es sei angenommen, dass die Längen der
Seiten eines Rechtecks gemäss 6a und
b sind. In diesem Fall beträgt
die Fläche oder
der Bereich der flachen Oberfläche
mit derartigen Seitenlängen
a × b.
Der spezifische Oberflächenbereich
ist als ein Quotient definiert, der als Ergebnis einer Division
des tatsächlichen
Bereichs oder der tatsächlichen
Fläche
der unebenen Oberfläche
durch den Bereich oder die Fläche
von a × b
erhalten wird.
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Um
den spezifischen Oberflächenbereich der
Oberfläche
der Wärmesenke 10 und
den spezifischen Oberflächenbereich
der Oberflächen
der äusseren
Leiter 42 auf Werte festzulegen, die in den obenbeschriebenen
Bereichen liegen, ist es angezeigt, die Oberflächen der Wärmesenke 10 und der äusseren
Leiter 42 des Leiterrahmens 40 mit den entsprechenden
Werten oder Pegeln aufzurauhen.
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Auch
im Fall dieser Ausführungsform
werden beispielsweise auf gleiche Weise wie in 1B gezeigt,
die Oberflächen
der Wärmesenke 10 einem Platierungsprozess
unterworfen. Genauer gesagtt, eine aufgerauhte Ni-Platte oder Ni-Platierung 10b, eine
dünne Pd-Platte
oder Pd-Platierung 10c und eine dünne Au-Platte oder Au-Platierung 10d werden sequentiell
nacheinander auf dem Basismaterial 10a ausgebildet, welches
aus Cu ist.
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Bei
dem Platierungsprozess kann die aufgerauhte Ni-Platte 10b durch Anwendung
eines allgemein bekannten Verfahrens erzeugt werden. Genauer gesagtt,
bei einem Vorgang der Erzeugung des Films der aufgerauhten Ni-Platte 10b als
Teil einer elektrolytischen Platierung oder einer nichtelektrischen
Platierung kann beispielsweise die Oberfläche der aufgerauhten Ni-Platte 10b dadurch
aufgerauht werden, dass eine Stromdichte oder die Zusammensetzung
einer Behandlungslösung
für diesen
Prozess entsprechend eingestellt wird.
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Als
Verfahren zur Aufrauhung der Oberfläche einer Platte verwendet
der Prozess ein Verfahren, bei dem die Platierungsbedingungen, beispielsweise
die Stromdichte und/oder die Zusammensetzung einer Platierungsflüssigkeit
in einem Elektrolyse-Platierungsprozess oder einem nichtelektrolytischen
Platierungsprozess eingestellt werden. Anstelle dieses Verfahrens
kann die Oberfläche
einer Platte jedoch auch durch Durchführen eines Ätz- und/oder Sandstrahlprozesses
nach dem Platierungsprozess aufgerauht werden.
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Es
sei festzuhalten, dass das Verfahren zum Aufrauhen der Wärmesenke 10 bei
dieser Ausführungsform
ein anderes Verfahren als dasjenige sein kann, welches oben als
Aufrauhungsverfahren der Plattenoberfläche beschrieben wurde. Wie
bereits unter Bezugnahme auf die 2A und 2B beschrieben
worden ist, kann ein typisches anderes Verfahren ein Verfahren zum
direkten Aufrauhen des Wärmesenkenmaterials
sein. Beispiele für
Verfahren zum direkten Aufrauhen des Wärmesenkenmaterials umfassen
ein mechanisches Herstellungsverfahren wie eine aufrauhende Abtragtechnik
oder eine Sandstrahltechnik, ein Ätzverfahren unter Verwendung von
Chemikalien und ein Erhitzungsverfahren unter Verwendung eines Laserstrahls
oder dergleichen.
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Weiterhin
kann auch im Fall der vorliegenden Ausführungsform genau wie bei den
früher
beschriebenen Ausführungsformen
ein auf der Oberfläche des
Basismaterials 10a der Wärmesenke 10 erzeugter
Film ein von einer Platierung oder dünnen Platte abweichender Film
sein. Beispiele des auf der Oberfläche des Basismaterials 10a der
Wärmesenke 10 erzeugten
Films sind ein Verdampfungsfilm, ein CVD-Film, sowie ein Film, der durch Anwenden
eines Druckverfahrens erzeugt worden ist.
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Insgesamt
kann die Oberfläche
des Leiterrahmens 40 auf gleiche Weise wie bei der oben
beschriebenen Wärmesenke 10 aufgerauht
werden.
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Der
Leiterrahmen 40 hat ein Basismaterial aus einem üblichen
Basismaterial für
Leiterrahmen, beispielsweise Kupfer oder das 42-Legierungs-Verbundmetall.
Ein Plattenfilm zum Zweck der Aufrauhung kann auf der Oberfläche des
Leiterrahmens 40 erzeugt werden. Dieser Plattenfilm wird
in einem Platierungsprozess erzeugt, der nach dem Anwenden von Ätz- und/oder
Stanzvorgängen
an dem Rohmaterial des Leiterrahmens 40 durchgeführt wird,
um die Form des Leiterrahmens 40 zu bilden.
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Wie
bei der Wärmesenke 10 kann
der Plattenfilm eine dreilagige Struktur mit der aufgerauhten Ni-Platte,
der relativ dünnen
Pd-Platte und der relativ dünnen
Au-Platte haben, welche sequenziell aufeinander auf der Grundschicht
(oder dem Basismaterial) des Leiterrahmens 40 erzeugt werden.
Es sei festzuhalten, dass in manchen Fällen der Plattenfilm eine zweilagige
Struktur mit ausschliesslich der relativ dünnen Au-Platte als äusserste
Schicht haben kann.
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Auch
kann bei einem Prozess, bei dem ein Platierungsfilm zur Aufrauhung
der Oberfläche
des Leiterrahmens 40 verwendet wird, die Ni-Platte oder Ni-Platierung
beispielsweise durch Anwenden eines Verfahrens gebildet werden,
bei dem die Platierungsbedingungen und die Zusammensetzung einer
Platierungsflüssigkeit
bei der Erzeugung des Platierungsfilms entsprechend eingestellt
werden.
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Zusätzlich kann
im Fall des Leiterrahmens 40 ein chemischer Aufrauhungsvorgang
unter Verwendung von Chemikalien als ein Ätzprozess an dem Basismaterial
des Leiterrahmens 40 vor der Platierung oder an dem Material
des Leiterrahmens 40 nach der Platierung durchgeführt werden,
um die Oberfläche
des Leiterrahmens 40 aufzurauhen. Anstelle eines chemischen
Aufrauhungsvorgangs kann auch ein mechanischer Aufrauhungsvorgang,
beispielsweise ein Sandstrahlvorgang durchgeführt werden, um die Oberfläche des
Leiterrahmens 40 aufzurauhen.
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Die
Wärmesenke
und der Leiterrahmen 40 mit abgeschlossenen separat durchgeführten Aufrauhungsprozessen,
um ihre spezifischen Oberflächenbereiche
zu erhalten, werden dann zu einem quasi einstückigen Körper zusammengefügt, in dem typischerweise
der beschriebene Crimpvorgang durchgeführt wird, bevor eine Weiterverwendung
im Herstellungsprozess gemäss
obiger Beschreibung erfolgt, um die Halbleitervorrichtung 300 gemäss der Ausführungsform
herzustellen.
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Wie
oben beschrieben zeichnet sich die Halbleitervorrichtung 300 gemäss der vorliegenden Ausführungsform
dadurch aus, dass die Halbleitervorrichtung 300 aufweist:
eine
Wärmesenke 10;
einen
IC-Cip 20, der auf der Wärmesenke 10 angeordnet
und befestigt ist;
einen Leiterrahmen 40 an Stellen
um den IC-Chip 20 herum und elektrisch in Verbindung mit
dem IC-Chip 20; und
eine versiegelnde Giessharzpackung 60 zum
Einschliessen von Wärmesenke 10,
IC-Chip 20 und Leiterrahmen 40, wobei:
ein
Teil der Wärmesenke 10 zur
Aussenseite der Giessharzpackung 60 vorsteht;
ein
Teil des Leiterrahmens 40 aus der Giessharzpackung 60 in
Form von äusseren
Leitern 42 vorsteht;
der spezifische Oberflächenbereich
der Oberfläche der
Wärmesenke
auf einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt ist; und
der
spezifische Oberflächenbereich
der Oberflächen der äusseren
Leiter 42 auf einen Wert im Bereich von 1,05 bis 1,20 gesetzt
ist.
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Der
spezifische Oberflächenbereich
der Oberfläche
der Wärmesenke 10 und
der spezifische Oberflächenbereich
der Oberflächen
der äusseren Leiter 42 werden
auf Werte in den oben beschriebenen Bereichen auf der Grundlage
von Untersuchungsergebnissen gemäss 27 gesetzt,
wobei diese Untersuchungen von den Erfindern der vorliegenden Anmeldung
durchgeführt
wurden, um die spezifischen Oberflächenbereiche zu untersuchen.
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In 27 stellt
die horizontale Achse den Sa-Wert dar, der die spezifischen Oberflächenbereiche
der Wärmesenke 10 und
des Leiterrahmens 40 ausdrückt. Die linke vertikale Achse
gibt eine Scherfestigkeit in der Einheit MPa wieder. Die rechte
vertikale Achse gibt eine Grösse
von reflektiertem Laserlicht wieder, welche in beliebigen passenden
Einheiten ausgedrückt
werden kann.
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Eine
Mehrzahl von Scherfestigkeiten wurde für jeden spezifischen Oberflächenbereich
ermittelt und ist mit einem weissen Kreis dargestellt. Die unteren
weissen Kreise, welche jeweils die kleinste Grösse aus den Scherfestigkeiten
darstellen, welche für einen
spezifischen Oberflächenbereich
erhalten worden sind, sind miteinander verbunden, um eine Kurve in
Form einer duchgezogenen Linie zu bilden. Was die Grösse von
reflektiertem Laserlicht betrifft, so geben die mit der gestrichelten
Linie verbundenen schwarzen Dreiecke jeweils einen –5 σ-Mittelwert wieder.
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In
den obigen Untersuchungsergebnissen gibt die Scherfestigkeit die
Halte- oder Haftfestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60 wieder. Je grösser die Scherfestigkeit, um so
grösser
ist die Halte- oder
Haftfestigkeit. Weiterhin gibt die Grösse von reflektiertem Laserlicht
die Leitererkennbarkeit wieder, welche ein Indikator ist, wie erkennbar
die äussere
Leiter 42 sind. Je grösser
die Grösse
von reflektiertem Laserlicht ist, um so besser ist die Leitererkennbarkeit
der äusseren
Leiter 42.
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Zusätzlich zeigt 27 eine
Anzahl von Grenzen von Werten im praktischen Gebrauch. Beispielsweise
ist eine untere Grenze der Wärmesenken-Adhäsionsfestigkeit
die untere Grenze der Scherfestigkeit, welche die Haltefestigkeit
darstellt, die zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 vorhanden ist. Weiterhin ist eine
untere Grenze der Leitererkennbarkeit die untere Grenze der Grösse an reflektiertem
Laserlicht, welche die Leitererkennbarkeit der äusseren Leiter 42 wiedergibt.
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Die
folgenden Grenzen werden für
den spezifischen Oberflächenbereich
verwendet:
Eine Harzgrat-Entfernungsgrenze ist ein spezifischer Oberflächenbereichswert
entsprechend einem oberen Grenzwert der Scherfestigkeit, wobei Scherfestigkeiten
darunter erlauben, dass an der freiliegenden anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 erzeugte Harzgrate
entfernt werden können;
Ein
Grenzwert für
die Wärmesenkenadhästionsfestigkeit
ist ein spezifischer Oberflächenbereichswert entsprechend
dem unteren Grenzwert der Wärmesenkenadhäsionsfestigkeit
gemäss
obiger Beschreibung als untere Grenze der Scherfestigkeit entsprechend
der Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60.
ein unterer Grenzwert der Leiteradhäsionsfestigkeit ist
ein spezifischer Oberflächenbereichswert
entsprechend dem unteren Grenzwert der Scherfestigkeit, wobei Scherfestigkeiten über diesem
Wert ermöglichen,
dass eine Ablösung
der inneren Leiter 41 und der Giessharzpackung 60 voneinander
vermieden ist; und
ein Grenzwert für die Leitererkennung ist ein
spezifischer Oberflächenbereichswert
entsprechend einem unteren Grenzwert der Leitererkennbarkeit, der
die untere Grenze der Grösse
an reflektiertem Laserlicht ist, und der die Leitererkennbarkeit
der äusseren
Leiter 42 angibt, wie oben beschrieben.
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Wie
in 27 gezeigt, ist bei spezifischen Oberflächenbereichen
kleiner als der Grenzwert der Wärmesenkenadhäsionsfestigkeit
von 1,13 die Adhäsionsfestigkeit
zwischen der Wärmesenke 10 und der
Giessharzpackung 60 nicht ausreichend, so dass sich die
Wärmesenke 10 und
die Giessharzpackung 60 leicht voneinander lösen können.
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Bei
spezifischen Oberflächenbereichen grösser als
die Harzgratentfernungsgrenze von 1,32 ist andererseits die Adhäsionsfestigkeit
zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung zu gross, was bewirkt, dass an der freiliegenden
anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 Harzgrate
erzeugt werden. Im Ergebnis werden an dieser anderen Fläche 12 anhaftende
Harzgrate schwierig zu entfernen.
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Aus
den obigen Gründen
wird der spezifische Oberflächenbereich
der Wärmesenke 10 auf
einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt, so dass es möglich ist,
eine ausreichende Adhäsionsfestigkeit
sicherzustellen, die gross genug zum effektiven Vermeiden einer
Ablösung
der Wärmesenke 10 von
der Giessharzpackung 60 ist, wobei gleichzeitig ausreichend
verhindert wird, dass Harzgrate an der freiliegenden anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 anhaften.
Wie ebenfalls in 27 gezeigt ist, ist, wenn der
spezifische Oberflächenbereich
der äusseren
Leiter 42 kleiner als der untere Grenzwert der Leiteradhäsionsfestigkeit
von 1,05 ist, die Adhäsionsfestigkeit
zwischen den inneren Leitern 41 und der Giessharzpackung 60 nicht
ausreichend, so dass die inneren Leiter 41 und die Giessharzpackung 60 leicht voneinander
gelöst
werden können.
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Somit
kann die zwischen den inneren Leitern 41 und der Giessharzpackung 60 vorhandene
Haltekraft oder Adhäsion
bei einem kleineren Oberflächenbereich
der äusseren
Leiter 42 sichergestellt werden als bei dem spezifischen
Oberflächenbereich,
der für
die Wärmesenke 10 als
spezifischen Oberflächenbereich
nötig ist,
um sicher zu stellen, dass eine Adhäsion oder Haltekraft zwischen
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 vorliegt. Wenn der spezifische
Oberflächenbereich
der äusseren
Leiter 42 grösser
als die Leitererkennungsgrenze von 1,20 ist, sind andererseits die
Grössen der
von den anderen Leitern 42 reflektierten Strahlen nicht
ausreichend, so dass die Erkennbarkeit der äusseren Leiter 42 nicht
sichergestellt werden kann.
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Aus
den oben beschriebenen Gründen
wird der spezifische Oberflächenbereich
der äusseren Leiter 42 auf
einen wert von 1,05 bis 1,20 gesetzt, so dass es möglich ist,
die Erkennbarkeit der äusseren Leiter 42 sicherzustellen,
wobei gleichzeitig eine Ablösung
der inneren Leiter 41 und der Giessharzpackung 60 voneinander
vermieden ist, da die inneren Leiter 41 einen spezifischen
Obeflächenbereich
haben, der annähernd
gleich demjenigen der äusseren Leiter 42 ist.
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Wie
oben beschrieben wird bei der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser
Ausführungsform der
spezifische Oberflächenbereich
der Oberfläche der
Wärmesenke 10 auf
einen Wert im Bereich von 1,13 bis 1,32 gesetzt und der spezifische
Obeflächenbereich
der Oberflächen
der äusseren
Leiter 42 wird auf einen Wert im Bereich von 1,05 bis 1,20
gesetzt, so dass die Halbleitervorrichtung 300 mit der versiegelnden
Giessharzpackung 60 zum Einschliessen der Wärmesenke 10,
des IC-Chips 20 und des Leiterrahmens 40 in der
Lage ist, eine ausreichende Adhäsions-
oder Haltefestigkeit sicherzustellen, die gross genug ist, eine
Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander wirksam zu vermeiden,
wobei weiterhin hinreichend verhindert wird, dass Harzgrate an der
freiliegenden anderen Fläche 12 der
Wärmesenke 10 anhaften,
wobei darüber
hinaus sowohl die Erkennbarkeit der äusseren Leiter 42 als
auch die Halte- oder Adhäsionsfestigkeit
zwischen den inneren Leitern 41 und der Giessharzpackung 60 sichergestellt
ist.
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Zusätzlich können bei
der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser Ausführungsform
zu den oben beschriebenen Effekten Lageverschiebungen der äusseren
Leitern 42 richtig und präzise bei der Anordnung der
Halbleitervorrichtung 300 am externen Substrat 200 erkannt
werden, so dass es möglich
ist, eine Halbleitervorrichtung 300 zu schaffen, welche
keine Harzgrate hat und somit eine ausgezeichnete Wärmeabstrahleigenschaft
und eine hohe Zuverlässigkeit
hat und darüber
hinaus in der Lage ist, eine Ablösung
der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 voneinander zu vermeiden und wobei
verhindert ist, dass die inneren Leitern 41 und die Giessharzpackung 60 sich
voneinander lösen.
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Gemäss 25 hat
als eine Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 300 dieser
Ausführungsform die
Wärmesenke 10 den
Vorsprung 14, der von der Seitenfläche 13 der Wärmesenke 10 vorsteht
und sich in die Giessharzpackung 60 eingräbt und dort verankert
ist. Somit kann die Haltefestigkeit zwischen der Giessharzpackung 60 und
der Wärmesenke 10 verbessert
werden.
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Als
weitere Eigenschaft der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser
Ausführungsform
wird der IC-Chip 20 an der Wärmesenke 10 durch
den Kleber 30 aus einem Harz befestigt, wobei der Harzkleber 30 zwischen
der Wärmesenke 10 und
dem IC-Chip 20 eingeschlossen ist. Als weitere Eigenschaft
der Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser Ausführungsform
sind der Harzkleber 30 und die Giessharzpackung 60 jeweils
aus einem Harz der Epoxygruppe.
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Zusätzlich kann
die Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser Ausführungsform
durch Einstellen der spezifischen Oberflächenbereiche der Wärmesenke 10 und
des Leiterrahmens 40 auf Werte in den oben beschrieben
Bereichen bei den voneinander getrennten Herstellungsvorgängen gefertigt
werden, um die Wärmesenke 10 und
den Leiterrahmen 40 ohne Durchführung spezieller Prozesse herstellen zu
können,
um die spezifische Oberflächenbereiche nach
dem Herstellungsprozessen zu erhalten. Somit kann die Halbleitervorrichtung 300 gemäss dieser Ausführungsform
ohne wesentliche Erhöhung
der Herstellungskosten hergestellt werden.
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<Andere Ausführungsformen>
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Im
Fall der oben beschriebenen Ausführungsformen
werden der IC-Chip 20 und der Leiterrahmen 40 miteinander
unter Verwendung der Drähte 50 elektrisch
verbunden. Es sei jedoch festgehalten, dass auch ein anderes Verfahren
hierzu angewendet werden kann.
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Zusätzlich muss
kein Vorsprung (oder keine Prägung) 14 an
der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 erzeugt
wer den. weiterhin, wenn dieser Vorsprung 14 an der Seitenfläche 13 der
Wärmesenke 10 erzeugt
wird, ist die Form des Vorsprungs 14 nicht auf diejenige
der Figuren beschränkt.
Das heisst, der Vorsprung 14 kann jede beliebige Form haben,
solange diese Form die Haltefestigkeit zwischen der Wärmesenke 10 und
der Giessharzpackung 60 verbessert.
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Wenn
die Oberfläche
der Wärmesenke 10 die
Ausgestaltung mit den Parkierungen hat, müssen die Platierungen nicht
die oben beschriebene Platierungen oder plattenförmige Bauteile sein. Das heisst, es
ist möglich,
Platierungen aus einer Vielzahl von Materialien in unterschiedlichen
Schichtstapelformgebungen auszubilden.
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Allgemein
gesagt, die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung
bestehend aus einer Wärmesenke,
einem Halbleiterchip, der auf der Wärmesenke angeordnet und befestigt
ist, einem Leiterrahmen an Stellen um den Halbleiterchip herum und
in elektrischer Verbindung mit dem Halbleiterchip und einer versiegelnden
Giessharzpackung zum Einschliessen von Wärmesenke, Halbleiterchip und
Leiterrahmen, wobei der spezifische Oberflächenbereich der Oberfläche der
Wärmesenke
und der spezifischen Oberflächenbereich
der Oberfläche des
Leiterrahmens jeweils auf einem Wert in den oben beschriebenen Bereichen
festgesetzt sind, wobei die übrigen
oder verbleibenden Bereiche oder Abschnitte entsprechend gestaltet
und/oder abgeändert werden
können.